技術(shù)編號:3389850
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明總地涉及化學(xué)氣相沉積(CVD)反應(yīng)器,例如用于III-V族半導(dǎo)體外延的CVD反應(yīng)器。更特別地,本發(fā)明涉及被配置來提供低熱對流生長條件和高產(chǎn)量的CVD反應(yīng)器。背景技術(shù) III-V族化合物的金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)是利用周期表III族有機金屬與周期表V族氫化物之間的化學(xué)反應(yīng)的薄膜沉積工藝。III族有機金屬和V族氫化物的各種組合是可能的。此工藝一般用于半導(dǎo)體器件例如發(fā)光二極管(LED)的制造。該工藝通常在化學(xué)氣相沉積(CVD)反應(yīng)器中進行。CVD...
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