專利名稱：可在基材上直接形成納米結(jié)構(gòu)的材料沉積的電化學方法以及由此方法所制的半導體元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可在基材上直接形成納米結(jié)構(gòu)的材料沉積的電化學方法，通過使至少一種來自可控制壓力和溫度的氣氛的材料成分在局部緊密受限電場的影響下進行沉積，該氣氛具有至少一種含有在前體化合物中的材料成分的前體氣體，該電場是與電壓和時間相關(guān)地在非接觸式掃描電子顯微鏡的可移動式導電探針針尖與基材之間建立的，其中，該前體化合物在超過預定的電壓閥值時分解，而分離出來的材料成分在探針針尖區(qū)域內(nèi)沉積到基材上以及由該方法所制的半導體元件上。
背景技術(shù)：
通過應用掃描探測顯微鏡，例如掃描隧道顯微鏡(STM)或掃描力顯微鏡(SFM或AFM)，可在原子尺度上實現(xiàn)物質(zhì)的針對性操作，這特別對于電子開關(guān)和元件的微型化制備(微米及納米范圍)具有重要意義。在此情況下，在剝蝕法和涂覆法之間存在區(qū)別。利用傳統(tǒng)光刻法，不再可能于100nm以下的尺寸量級形成結(jié)構(gòu)。因為剝蝕法尤其是不可逆的，所以對涂覆法的興趣越來越大。這里由現(xiàn)有技術(shù)獲知許多不同的方法。例如用水薄膜作為電解液潤濕的半導體基材或金屬基材，通過對著基材放置的掃描力顯微鏡探針針尖的電位的影響而實施局部氧化(局部陽極氧化LAO)。此外這也是已知的，在金屬基材上實施局部沉積而形成金屬結(jié)構(gòu)，其中該基材在沉積前通過與探針針尖的機械接觸而被局部活化。在納米印刷光刻技術(shù)(NIL)中，使被印上的金屬-半導體-金屬結(jié)構(gòu)熔化，并將其壓入同樣也熔化了的位于其上的塑料層，然后將其移去。該不用探針針尖工作的方法，例如可用于制造側(cè)面尺寸小于10nm的光敏二極管。
除了用于在基材上沉積金屬的也可大面積實施的電沉積法以外，由現(xiàn)有技術(shù)獲知的STM-CVD法(掃描隧道顯微鏡輔助的化學氣相沉積法)中，將材料成分實施局部緊密受限沉積，該材料成分通過探針針尖與基材之間局部緊密受限電場的影響而從氣態(tài)前體化合物中分離出來，并形成固態(tài)。在該方法中，基材本身不是反應參與物(如LAO法中)，而僅用作機械載體。最近的現(xiàn)有技術(shù)描述了該種類形成方法，F(xiàn).Marchi等人的出版物I“用掃描隧道顯微鏡直接形成貴金屬納米結(jié)構(gòu)的方法(Directpatterning of noble metal nanostructures with a scanning tunnelingmicroscope)”，J.Vac.Sci.Technol.B18(3)，2000，pp 1171-1176，本發(fā)明也是由此出發(fā)的。該已知的方法用于在基材上沉積微量貴金屬。為此使用前體氣體(暫時性氣體)，其含有前體化合物中作為材料成分的貴金屬，如金、銥或銠(特別對比出版物I的圖1)。在壓力密閉的封閉氣氛中(真空室)，將該前體氣體導入不接觸基材的STM的導電探針針尖與基材之間的間隙中，該基材例如為硅基材。通過在室溫下連續(xù)產(chǎn)生更多個高于預定閥值的電壓脈沖，而在探針針尖的局部受限區(qū)域內(nèi)使前體化合物分解，從而分離出待沉積的材料成分。然后，該材料成分在探針針尖區(qū)域內(nèi)沉積到基材上。在該已知方法中，在電場中使前體氣體中的前體化合物分解。分離出的材料成分不發(fā)生其他化學反應即沉積到基材上。由出版物II，I.Lyubinetsky等人的“用前體分子形成掃描隧道顯微鏡輔助的納米結(jié)構(gòu)的兩種機理(Two mechanisms of scanning tunneling microscopyassisted nanostructure formation using precursor molecules)”(J.Vac.Sci.Technol.B17(3)，1999，pp 1445-1450)獲知，采用STM-CVD法也可沉積單獨的半導體材料。特別地，由該出版物可獲知STM-CVD法的可應用性的化學物理原理。其可劃分為兩個方法步驟。在第一方法步驟中，通過由電場產(chǎn)生的電子積聚而引起前體氣體中分子的分解。在第二方法步驟中，在形成非常小的團簇的情況下，使分離出的材料成分沉積，然而于電場中在電場感應表面擴散的影響下不發(fā)生其他化學反應，在此之前將該基材用來自前體氣體的分子層覆蓋。因而在所有所述方法中，僅有一種含有一種特定前體化合物的特定前體氣體被通入待形成結(jié)構(gòu)的基材上的氣氛中。然后在電場的影響下，使在前體氣體中的前體化合物分解，并在基材上沉積一種特定的元素。
總之，由現(xiàn)有技術(shù)獲知的STM-CVD法特別可獲知下列方法參數(shù)(不僅限于此表)(所用縮寫為“D”代表“二”，“T”代表“三”，“M”代表甲基，“E”代表乙基，“B”代表丁基等)。
●可沉積的材料Cd、Si、Au、W、Mo、Cu、Ir、Rh、Fe、Ni●所用前體氣體DMCd、DCS(二氯硅烷)、SiH4、W(CO)6、Mo(CO)6、Ni(CO)4、Cu1(hfac)(vtms)、Fe(C5H5)2●前體氣體的壓力10-5Pa至1Pa●流過探針針尖-基材的電流10pA至10nA●所施加的探針針尖-基材的電壓-100V至+20V，其中必須超過閥值+/-1.7V●電壓脈沖時間10ns至6min●處理溫度室溫(≈300K)發(fā)明內(nèi)容由已知的STM-CVD法的上述性能出發(fā)，僅能實施單獨材料成分的沉積，所以本發(fā)明的目的是提供根據(jù)種類的方法，也可使化學化合物在基材上沉積。但在此情況下，該方法在形成納米級的結(jié)構(gòu)時應具有簡單性和精確性。然而其應可靈活地實施，使不同的化學化合物也可在一個方法步驟中沉積。在由根據(jù)本發(fā)明的方法所制的元件中，應特別地具有沉積化合物半導體的可能性，并因而在制備時可具有高靈活性。
所以作為該目的的解決方案，根據(jù)本發(fā)明在上述種類的基材上可直接形成納米結(jié)構(gòu)的材料沉積的電化學方法中，同時或按順序使用更多種前體氣體，它們分別具有一種在可調(diào)節(jié)混合比例的氣體混合物中的含有不同材料成分的不同前體化合物，而由分解的不同前體化合物分離出的材料成分根據(jù)所選的混合比例形成共同的化學化合物，其在基材上局部沉積。
在根據(jù)本發(fā)明的方法中，著重擴展了兩個已知的方法步驟，并且還添加了另一個方法步驟。在第一方法步驟中，通過同時或按順序使用更多種前體氣體(或通過使用具有更多種各自含有不同材料成分的前體化合物的混合前體氣體，等同于同時使用)，在氣相中局部受限的電場中從其各自的前體化合物分離出不只一種，而現(xiàn)在是一系列的材料成分。然后這些分離出的材料成分并不是直接作為簡單的團聚分子沉積到基材上，而是在探針針尖與基材之間電場的影響下已在氣相中相互反應，或在它們沉積到基材上之后再相互反應。通過該在根據(jù)本發(fā)明的方法中的新方法步驟，生成具有共同的化學化合物的材料。此前的前體氣體中不含有該形式的化合物，而僅含有其各自單獨的成分。然而在根據(jù)本發(fā)明的情況下，通過化學反應而形成的共同的化合物是穩(wěn)定的，以使其現(xiàn)在在空間受限的電場影響下作為獨立的材料沉積到基材上。在此情況下，與探針針尖相關(guān)的沉積材料的體積由已知的方式通過探針針尖與基材之間電壓的大小、時間和種類加以確定。此外局部沉積可直接限制于探針針尖的尺寸，因而其尺寸可達到納米范圍，但也可通過在沉積過程中使探針針尖受控制地移動而形成更大的結(jié)構(gòu)。通過氣體混合物中材料成分的比例和分壓而確定待沉積材料的組成。因而根據(jù)本發(fā)明的方法是一種制造材料的新方法，用該方法由該材料在制造時還可同時生成介觀結(jié)構(gòu)，尤其是納米結(jié)構(gòu)。
在電子開關(guān)和電子元件技術(shù)中，化合物半導體(如II-VI、III-V及其衍生物I-III-VI2和II-IV-V2)由于其特殊且可調(diào)節(jié)的導電性能而具有特別重要的意義。非化合的半導體材料已經(jīng)可用已知的STM-CVD法進行沉積。這里尤其是以納米點(所謂的“量子點”)和納米線的形式形成納米結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生了新的具有量子物理性能的電子元件(如單電子晶體管)，其帶來一系列的優(yōu)點，并可以新的方式加以利用。化合物半導體對于光敏反應具有特別重要的意義，因而特別適合于制造光電子元件和光電元件。所以根據(jù)本發(fā)明方法的一個優(yōu)選的具體實施方案，若使用第V或VI化學族的元素作為材料成分，則它們與第I、II、III和/或IV族的其他材料成分相互反應生成化合物半導體作為共同的化學化合物。在此情況下，例如對應于所用材料成分的數(shù)量可形成二元、三元、四元、甚至五元或更高元組成的反應產(chǎn)物。特別是根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實施方案，也可優(yōu)選由材料體系(Cu、Ag)(Ga、In、Al)(O、S、Se)2構(gòu)成黃銅礦作為化合物半導體。相對于常用的硅，黃銅礦-化合物半導體的特征在于明顯更高的光吸收性，這在具有相同光敏性的情況下產(chǎn)生更少的材料消耗，并形成更小的結(jié)構(gòu)。
在生物技術(shù)領(lǐng)域和其他領(lǐng)域中，也存在要求光譜敏感性，即半導體元件對不同波長的敏感性的應用。黃銅礦-材料體系(Cu、Ag)(Ga、In、Al)(O、S、Se)2[I-III-VI2-化合物半導體]，由于其由光譜敏感性引起的可變禁帶寬度，在各個材料成分被部分取代時，特別適于制造對應的元件。根據(jù)本發(fā)明的另一個優(yōu)選的具體實施方案，部分取代可通過在沉積過程中隨時間改變所用的前體氣體和/或其在氣體混合物中的混合比例而實現(xiàn)。在沉積過程中改變混合比例時，保持相同的材料成分，然而以改變的濃度參與形成共同的化學化合物?；旌媳壤母淖兛赏ㄟ^改變前體氣體的比例并因而通過改變分壓而現(xiàn)實。然而在沉積過積中各種材料成分也可進行交換。因此采用根據(jù)本發(fā)明的方法在一個單獨的方法步驟中，參與的材料成分的種類(導體或半導體)以及其在用于制造不同材料復合結(jié)構(gòu)的共同的化學化合物中的濃度可以非常簡單的方式加以改變。這些參數(shù)的改變以及上述電場大小的改變，可根據(jù)本發(fā)明的另一個優(yōu)選的具體實施方案，取決于待沉積的共同的化學化合物用計算機輔助計算并加以控制。此外，在根據(jù)本發(fā)明的方法中，該基材不提供待沉積的成分，并且僅滿足例如在讀取電信號時所必需的承載或電子的功能。因而在其強度和表面形態(tài)方面幾乎可使用任意的基材。特別地，除應用硬質(zhì)基材以外，根據(jù)本發(fā)明方法的另一個具體實施方案，該基材甚至可為柔軟的，從而擴展了應用范圍。
采用根據(jù)本發(fā)明的方法可在基材上沉積納米點或納米線，其例如由II-VI、III-V、甚至I-III-VI2、II-IV-V2等半導體構(gòu)成。其實例為CdSe、ZnSe、ZnS、GaAs、InP、GaAlAsP、CuGaSe2、CuInS2。此外可使用在由氣體混合物形成的前體氣體中的已知前體化合物，例如由下列物質(zhì)制備單獨的材料成分(不僅限于此表)第I族元素Cu1(hfac)(vtms)[代表六氟化乙酰丙酮銅(I)乙烯基三甲基硅烷]第II族元素 DMZn、DEZn、DMCd、DECd第III族元素TMAl、TEAl、TMGa、TEGa、TIBGa、TMIn第IV族元素 SiH4、GeH4第V族元素 PH3、AsH3、DMAs、TMAs、DEAs、TBAs，和第VI族元素 DMTe、DMDTe、DMS、DES、MSH(甲硫醇)、DESe、C4H4Se、H2S、H2Se。
由根據(jù)本發(fā)明的方法，由化學反應生成的化合物材料沉積幾乎可形成任意的結(jié)構(gòu)，所以可用于許多不同的應用領(lǐng)域。如上所述的光電應用，其中所形成的結(jié)構(gòu)具有光敏性?；衔锇雽w除具有光吸收性能以外，其在光發(fā)射的應用領(lǐng)域中也具有重要作用，例如在發(fā)光二極管(LED)或半導體激光器中。所以優(yōu)選由上述電化學方法制造的半導體電子元件，優(yōu)選可形成吸收光的光敏二極管或發(fā)射光的發(fā)光二極管或它們的陣列。在此情況下，該二極管也可優(yōu)選進行沉積而形成結(jié)構(gòu)，從而作為吸收光或發(fā)射光的化合物半導體。因為所吸收或發(fā)射的光線的顏色由材料的禁帶寬度所確定，所以可通過所沉積的化合物半導體的組成而優(yōu)選地加以調(diào)節(jié)。此外對于許多的可應用性，優(yōu)選形成陣列，其光敏二極管和/或發(fā)光二極管具有不同的光譜吸收性能或光譜發(fā)射性能。在此情況下，該陣列可優(yōu)選具有由更多個具有不同光譜吸收性能或光譜發(fā)射性能的光敏二極管和/或發(fā)光二極管構(gòu)成的規(guī)則重復的結(jié)構(gòu)。最后，若優(yōu)選具有各個光敏二極管和/或發(fā)光二極管之間的絕緣性氧化物層，且具有相反的電荷傳導性的光敏二極管和/或發(fā)光二極管的半導體覆蓋層，則該陣列還可構(gòu)成緊密的組件。
納米尺度化的光敏二極管陣列例如可用于生物技術(shù)中，該陣列涂覆于生物基材或生物相容性基材上而用作人眼中的人造視網(wǎng)膜。因而優(yōu)選提供采用根據(jù)本發(fā)明的電化學方法制造的半導體元件，其特征在于構(gòu)成作為由具有不同光譜敏感性的納米光敏二極管構(gòu)成的光譜光敏性二極管陣列，其中通過緊密相鄰地沉積的納米點由具有半導體黃銅礦的可變氣體混合物形成各個納米光敏二極管?？稍诰哂邢喾吹碾姾蓚鲗缘募{米點的基材上進行沉積，從而使各個光敏二極管保持互不接觸。但也可隨后進行納米點的分離，例如通過在納米點之間的間隙中實施絕緣性氧化作用。所以，預先形成相接觸的納米光敏二極管。此外，由至少三個具有不同光譜敏感性的納米光敏二極管可實現(xiàn)規(guī)則的重復結(jié)構(gòu)。該三個納米光敏二極管尤其可具有對三種技術(shù)基本色藍色、綠色和紅色的優(yōu)選的光譜敏感性。
以下根據(jù)實施例和示意圖更詳細地闡述本發(fā)明。


圖1a...c 根據(jù)本發(fā)明的方法的方法步驟，及圖2a...d 制備光敏二極管陣列的俯視圖。
具體實施例方式
以下給出兩個用于在室溫下由根據(jù)本發(fā)明的電化學方法沉積特別是納米級的半導體結(jié)構(gòu)的實施例，由此得知各個方法參數(shù)的不同固定值(所選前體氣體、沉積室中的壓力、前體氣體的混合比例、探針針尖-基材之間的電壓、隧道電流、電壓脈沖高度、電壓脈沖時間)。各個方法參數(shù)的固定值在各個情況下總是根據(jù)待沉積的化學化合物而加以調(diào)整，并通過實施一定的試驗而均可毫無困難地單獨確定。
實施例(I)-形成碲化鎘CdTe的納米結(jié)構(gòu)使用具有前體化合物的前體氣體DMCd和DETe沉積室(如STM)的基礎壓力p小于10-7Pa，充入前體氣體至5×10-2Pa(氣體的流量)，調(diào)節(jié)氣相中的混合比例為DETeDMCd＝2。STM在基材電壓為-1V且隧道電流為2nA的情況下工作。通過在探針針尖處+5V約1s的電壓脈沖而使前體氣體中的不同前體化合物分解，分離出所需的材料成分Cd和Te，并在探針針尖下的緊密受限區(qū)域內(nèi)反應生成化學化合物CdTe，并在探針針尖下沉積到基材上。
實施例(II)-形成硒化銅鎵CuGaSe2的納米結(jié)構(gòu)使用具有前體化合物的前體氣體CuI(hfac)(vtms)、TEGa、DTBSe沉積室(如STM)的基礎壓力p小于10-7Pa，充入前體氣體至10-2Pa(氣體的流量)，調(diào)節(jié)氣相中的混合比例為CuI(hfac)(vtms)∶TEGa∶DTBSe＝1∶1∶100。STM在基材電壓為-1V且隧道電流為1nA的情況下工作。通過在探針針尖處-7V約5min的電壓脈沖而使前體氣體中的不同前體化合物分解，分離出所需的材料成分Cu、Ga和Se，并在探針針尖下的緊密受限區(qū)域內(nèi)反應生成共同的化學化合物CuGaSe2，并在探針針尖下沉積到基材上。
在圖1中更詳細地描述了實施例1中的各個方法步驟。在基材S上方是機械性的探針針尖ST，如掃描隧道顯微鏡STM的探針針尖。在探針針尖ST周圍，壓力密閉的封閉沉積室C(在標準壓力和流量的條件下同樣也可實施沉積過程)中含有具有所需材料成分Cd和Te的前體氣體PG DMCd和DETe(圖1a)。如圖1b中所示，在探針針尖ST和基材S之間電壓U的激發(fā)下由各自的前體化合物分離出材料成分Cd和Te。如圖1c中所示，然后在探針針尖ST的緊密受限區(qū)域內(nèi)使CdTe沉積到基材S上。在此情況下，根據(jù)圖1b釋放出的材料成分Cd和Te已經(jīng)可在氣相中發(fā)生化學反應而生成半導體碲化鎘CdTe，然而也可在探針針尖的影響下沉積到基材上之后再進行化學反應。
在圖2中示意性地示出了用于制成光譜敏感性光敏二極管陣列SPA的過程。在所選的實施例中制成三種具有不同光譜敏感性的納米級光敏二極管PD劃線的圓CuGaS2，Eg＝2.5eV，光譜敏感性“藍色”白色的圓CuGa(Se，S)2，Eg＝2.2eV，光譜敏感性“綠色”黑色的圓Cu(In，Ga)Se2，Eg＝1.5eV，光譜敏感性“紅色”在第一步驟中(圖2a)利用STM的探針針尖從光敏性半導體材料使第一納米點N1(劃線的圓)以規(guī)則的圖案沉積到金屬基材S上。所選的前體氣體及其在沉積室中氣氛的混合比例確定了所沉積的納米點的組成，因而確定了其禁帶寬度Eg或光譜敏感性。隨后改變在該氣氛中的前體氣體的組成，例如通過提高具有相應材料成分的前體氣體的比例，以使得現(xiàn)在沉積第二納米點N2(白色的圓)，其具有與第一納米點N1相同的化學化合物，然而使各個材料成分具有不同的混合比例和從而具有不同的禁帶寬度。然后在該條件下，在基材S上規(guī)則設置的位置再次生長新的納米點N2(圖2b)。在第三步驟中，改變該氣氛中氣體混合物的百分比組成，從而在基材S上相應的中間位置生成具有再次移動的禁帶寬度的第三納米點N3(黑色的圓)(圖2c)。在最后用掃描探針顯微鏡形成結(jié)構(gòu)的步驟中，使納米點N1、N2、N3之間的基材上的中間位置于含氧的氣氛中氧化成絕緣體IS(圖2d，灰色區(qū)域)。所以通過將p型導電的黃銅礦納米點涂覆到金屬基材上而產(chǎn)生各自的肖脫基-接觸式光敏二極管PD。使各自具有不同光譜敏感性的三種不同光敏二極管PD形成結(jié)構(gòu)，其例如可用于柔軟的基材上作為人眼的人造視網(wǎng)膜，其需要在幾微米范圍內(nèi)的光傳感器。但也可實現(xiàn)10nm及更小的側(cè)面尺寸。然而此類光譜敏感性光敏二極管陣列SPA還存在許多其他的應用可能性。同樣也可毫無困難地制造其他光電子元件，其具有通過應用根據(jù)本發(fā)明的方法而特別簡單地形成特別是納米結(jié)構(gòu)、且在材料結(jié)構(gòu)中具有非常任意的組成的可變結(jié)構(gòu)。
圖例說明C 沉積室IS絕緣體N 納米點PD光敏二極管PG前體氣體S 基材SPA 光譜敏感性光敏二極管陣列ST探針針尖STM 掃描隧道顯微鏡
權(quán)利要求
1.一種可在基材上直接形成納米結(jié)構(gòu)的材料沉積的電化學方法，通過使至少一種來自可控制壓力和溫度的氣氛的材料成分在局部緊密受限電場的影響下進行沉積，該氣氛具有至少一種含有在前體化合物中的材料成分的前體氣體，該電場是與電壓和時間相關(guān)地在非接觸式掃描電子顯微鏡的可移動式導電探針針尖與基材之間建立的，其中，該前體化合物在超過預定的電壓閥值時分解，而分離出來的材料成分在探針針尖區(qū)域內(nèi)沉積到基材上，其特征在于，同時或按順序使用更多種前體氣體(PG)，它們分別具有一種在可調(diào)節(jié)混合比例的氣體混合物中的含有不同材料成分(Cd、Te)的不同前體化合物(DMCd、DETe)，而由分解的不同前體化合物(DMCd、DETe)分離出的材料成分(Cd、Te)根據(jù)所選的混合比例形成共同的化學化合物(CdTe)，其在基材(S)上局部沉積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學方法，其特征在于，使用第V和/或VI(Te)化學族的元素作為材料成分，它們與第I、II(Cd)、III和/或IV化學族的其他材料成分相互反應生成化合物半導體(CdTe)作為共同的化學化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電化學方法，其特征在于，由材料體系(Cu、Ag)(Ga、In、Al)(O、S、Se)2構(gòu)成黃銅礦作為化合物半導體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的電化學方法，其特征在于，在沉積過程期間隨時間改變前體氣體(PG)的使用和/或其在氣體混合物中的混合比例。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的電化學方法，其特征在于，根據(jù)待沉積的共同的化學化合物(CdTe)用計算機輔助計算并控制所有參數(shù)的變化。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5之一所述的電化學方法，其特征在于，使用柔軟的基材(S)。
7.半導體元件，其是采用根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的電化學方法制造的，其特征在于，構(gòu)造吸收光的光敏二極管(PD)或發(fā)射光的發(fā)光二極管或它們的陣列。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體元件，其特征在于，構(gòu)造陣列(SPA)，其光敏二極管(PD)和/或發(fā)光二極管具有不同的光譜吸收性能或光譜發(fā)射性能。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體元件，其特征在于，構(gòu)造陣列(SPA)，其具有由更多個具有不同光譜吸收性能或光譜發(fā)射性能的光敏二極管(PD)和/或發(fā)光二極管構(gòu)成的規(guī)則重復的結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9之一所述的半導體元件，其特征在于，各個光敏二極管(PD)和/或發(fā)光二極管之間的絕緣性氧化物層(IS)，以及具有相反的電荷傳導性的光敏二極管(PD)和/或發(fā)光二極管的半導體覆蓋層。
全文摘要
在根據(jù)本發(fā)明的方法中，同時或按順序使用更多種前體氣體(PG)，它們分別具有一種在可調(diào)節(jié)混合比例的氣體混合物中的含有不同材料成分(Cd、Te)的不同化學化合物(DMCd、DETe)，而由分解的不同前體化合物(DMCd、DETe)分離出的材料成分(Cd、Te)根據(jù)所選的混合比例形成共同的化學化合物(CdTe)，其在基材(S)上局部沉積。因而可由參數(shù)控制化合物材料的沉積，特別是具有可變濃度的不同材料成分的半導體化合物。半導體元件優(yōu)選由沉積形成納米結(jié)構(gòu)且具有不同光譜禁帶寬度的納米點構(gòu)成的光敏二極管或發(fā)光二極管構(gòu)成。
文檔編號C23C16/04GK1774524SQ200480010276
公開日2006年5月17日 申請日期2004年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月15日
發(fā)明者薩沙·扎德瓦塞爾, 蒂洛·格拉策爾, 馬爾塔·克里斯蒂娜·盧克斯－施泰納 申請人:哈恩-邁特納研究所柏林有限公司