專利名稱：一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種微電子制造業(yè)中的刻蝕工藝，尤其是一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)。
背景技術：
在等離子刻蝕中，為提高刻蝕的均一性，通常會在載片臺周邊安裝一個內聚焦環(huán)。請參閱圖6所示，載片臺1具有突出部11，其上具有需要進行等離子刻蝕工藝的硅片2，突出部11四周設置有內聚焦環(huán)3，內聚焦環(huán)3呈階梯形構造，具有底邊31及內側邊32，底邊31與內側邊32形成直角。硅片2部分承接于上述內聚焦環(huán)3的底邊31上，而與內側邊32具有一定的距離。
在硅片2刻蝕時會產生大量的生成物，這些生成物一部分被真空泵抽走，一部分會淀積在內聚焦環(huán)表面，特別在內聚焦環(huán)3內側的直角處更容易淀積大量的生成物，形成淀積層4。同時由于在刻蝕時會產生大的熱量，導致腔體內溫度包括載片臺1和內聚焦環(huán)3的溫度會發(fā)生較大的變化。當?shù)矸e層4達到一定厚度之后隨著溫度的變化，淀積層4發(fā)生脫落的可能性增大，若脫落物掉在載片臺1表面，作業(yè)時就會發(fā)生硅片2背面冷卻用氦氣壓力控制異常的報警。從而影響硅片2的正?？涛g程序。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)，其能夠防止該等離子刻蝕用內聚焦環(huán)上的淀積物非正常脫落，影響刻蝕的正常進行。
為完成以上技術問題，本發(fā)明采用以下技術方案，一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)，設置于載片臺的四周，包括底邊及側邊，底邊及內側邊形成一夾角，其特征在于夾角為非直角。
本發(fā)明也可以采用以下技術方案，一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)，設置于載片臺的四周，包括底邊及側邊，底邊及內側邊形成一夾角，其特征在于在夾角處設置有淀積槽。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是由于在內聚焦環(huán)的夾角處或改為非直角構造，或在夾角處設置有淀積槽，均能增加淀積物與內聚焦環(huán)的接觸面積，從而防止淀積物的非正常脫落。


圖1為本發(fā)明一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)的第一實施例與載片臺及硅片的結構示意圖。
圖2是本發(fā)明一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)的第一實施例的結構示意圖。
圖3是本發(fā)明一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)的第二實施例的結構示意圖。
圖4是本發(fā)明一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)的第三實施例的結構示意圖。
圖5是本發(fā)明一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)的第四實施例的結構示意圖。
圖6為現(xiàn)有等離子刻蝕用內聚焦環(huán)與載片臺及硅片的結構示意圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步描述。
請參閱圖1及圖2所示，本發(fā)明一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)5，其設置于載片臺6上，上述載片臺6具有突出部61，其上放置有需要進行等離子刻蝕工藝的硅片7，內聚焦環(huán)5呈階梯形構造，具有底邊51及內側邊52，底邊51與內側邊52形成鈍角，其角度為130度。硅片7部分承接于上述內聚焦環(huán)5的底邊51上，而與內側邊52具有一定的距離。在硅片7刻蝕時會產生大量的生成物，這些生成物一部分被真空泵抽走，一部分會淀積在內聚焦環(huán)5的表面，特別在內聚焦環(huán)內側的夾角處更容易淀積大量的生成物，形成淀積層8。同時，在刻蝕時會產生大的熱量，導致腔體內溫度包括載片臺6和內聚焦環(huán)5的溫度會發(fā)生較大的變化。然而，由于底邊51與內側邊52之間的夾角為鈍角，所以淀積層8與底邊51及內側邊52之間的接觸面積較大，因而上述淀積層8也不會從內聚焦環(huán)5上脫落。
請參閱圖3所示，其為本發(fā)明等離子刻蝕用內聚焦環(huán)5的第二實施例的結構示意圖。也具有底邊51及內側邊52，其與第一實施例的區(qū)別在于底邊51與內側邊52之間呈銳角，角度為50度。同樣，淀積層8與底邊51及內側邊52之間的接觸面積同樣較大，淀積層8也不會從內聚焦環(huán)5上脫落。
請參閱圖4所示，其為本發(fā)明等離子刻蝕用內聚焦環(huán)5的第三實施例的結構示意圖。也具有底邊51及內側邊52，其與第一實施例的區(qū)別在于底邊51與內側邊52之間形成弧形。同樣，淀積層8與底邊51及內側邊52之間的接觸面積同樣較大，淀積層8也不會從內聚焦環(huán)5上脫落。
請參閱圖5所示，等離子刻蝕用內聚焦環(huán)5的第四實施例的結構示意圖。也具有底邊51及內側邊52，在底邊51與內側邊52的夾角處具有淀積槽9，淀積層8部分淀積于上述淀積槽9中。同樣，淀積層8與底邊51及內側邊52之間的接觸面積同樣較大，淀積層8也不會從內聚焦環(huán)5上脫落。
綜上所述，本發(fā)明完成了發(fā)明人的發(fā)明目的，由于底邊51與內側邊52之間形成非直角設置或形成淀積槽9，所以淀積層8與底邊51及內側邊52之間的接觸面積增大，增加淀積層8的附著面積，不會從內聚焦環(huán)5上脫落。
權利要求
1.一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)，設置于載片臺的四周，包括底邊及側邊，底邊及內側邊形成一夾角，其特征在于夾角為非直角。
2.如權利要求1所述的等離子刻蝕用內聚焦環(huán)，其特征在于所述夾角為鈍角。
3.如權利要求2所述的等離子刻蝕用內聚焦環(huán)，其特征在于所述夾角為130度。
4.如權利要求1所述的等離子刻蝕用內聚焦環(huán)，其特征在于所述夾角為銳角。
5.如權利要求4所述的等離子刻蝕用內聚焦環(huán)，其特征在于所述夾角為50度。
6.如權利要求1所述的等離子刻蝕用內聚焦環(huán)，其特征在于所述夾角為圓弧狀。
7.如權利要求1-6中任一項所述的等離子刻蝕用內聚焦環(huán)，其特征在于在夾角處進一步設置有淀積槽。
8.一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)，設置于載片臺的四周，包括底邊及側邊，底邊及內側邊形成一夾角，其特征在于在夾角處設置有淀積槽。
全文摘要
本發(fā)明有關一種等離子刻蝕用內聚焦環(huán)，設置于載片臺的四周，包括底邊及側邊，底邊及內側邊形成一夾角，上述夾角為非直角，可以為鈍角，可以為銳角，也可以為一圓弧。另外，在夾角處，還可以設置淀積槽。通過上述設置，可以增加刻蝕時反應生成物與內聚焦環(huán)之間的接觸面積，防止淀積層發(fā)生脫落時影響刻蝕的進行。
文檔編號C23F4/00GK1779921SQ200410084260
公開日2006年5月31日 申請日期2004年11月17日 優(yōu)先權日2004年11月17日
發(fā)明者王健 申請人:上海華虹Nec電子有限公司