專利名稱：蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種蒸鍍方法，具體涉及一種蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，主要用于發(fā)光二極管透明電極保護(hù)層蒸鍍。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，常用蒸鍍的方法在發(fā)光二極管透明電極上沉積SiO2保護(hù)膜，蒸鍍?cè)頌椋琒iO2薄膜保護(hù)層用蒸發(fā)臺(tái)蒸鍍，在電子束發(fā)射裝置施加高的電壓，使其發(fā)射電子束，經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)270度后轟擊SiO2材料，SiO2升華后在二極管透明電極上形成薄膜，腔體內(nèi)配有加熱裝置，溫度可通過加熱電源單獨(dú)調(diào)節(jié)。用蒸鍍的方法在發(fā)光二極管透明電極上沉積SiO2保護(hù)膜，有兩個(gè)常見的問題，一是薄膜產(chǎn)生“針孔”問題，即由于薄膜表面疏松，高低不平，在顯微鏡下觀察如同針孔一樣；另一個(gè)是薄膜脫落問題。
關(guān)于“針孔”問題，其形成大致分為兩種情況，一是待鍍基板不清潔引起沉積薄膜產(chǎn)生“針孔”，在沉積前將基板徹底清潔一般可消除這類“針孔”。二是沉積速率過快，薄膜過分疏松構(gòu)成。
關(guān)于薄膜從基板上脫落，一般出現(xiàn)兩種典型特征一為大塊卷曲狀脫落，并伴有開裂現(xiàn)象；另一種為粉末狀脫落，伴有爆裂彈離過程；這兩種現(xiàn)象都與薄膜和基板之間的應(yīng)力不匹配相關(guān)。前者為薄膜受張破壞，后者則為受壓破壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，提供一種蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，使用該方法蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜，可以有效減少保護(hù)膜上產(chǎn)生“針孔”；進(jìn)一步要解決的技術(shù)問題在于，可以有效防止保護(hù)膜脫落。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案是，一種蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，其特征在于，包括以下步驟a、將清洗干凈的待鍍基片放入抽至真空的蒸發(fā)臺(tái)沉積室中，b、將沉積室預(yù)加熱，使沉積室中的溫度為300～400℃，c、蒸鍍，將SiO2沉積到待鍍基片上，在基片上SiO2生長(zhǎng)厚度達(dá)到50之前，最好在100之前，使SiO2在基片上的生長(zhǎng)速率低于1.0/s。
上述蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，所述步驟c中，在基片上SiO2生長(zhǎng)厚度達(dá)到100之前，所述SiO2的生長(zhǎng)速率由0.2/s到1.0/s逐漸增加。
上述蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，在所述步驟c的蒸鍍過程中，使沉積室中的溫度在400～100℃范圍內(nèi)變化。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，在蒸鍍前期的SiO2生長(zhǎng)速率比較低，使沉積的薄膜致密，從而有效減少保護(hù)膜上的“針孔”，低速下的變速使減少“針孔”的效果更好；在蒸鍍?nèi)^程中的沉積室變溫，在不同的溫度下沉積的SiO2薄膜由于含氧不同，SiOx網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)受到影響，使其膨脹系數(shù)也隨之改變，緩沖了薄膜的內(nèi)應(yīng)力所引起的破壞作用，防止保護(hù)膜脫落。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例一一種蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，包括以下步驟a、將清洗干凈的待鍍基片放入抽至真空的蒸發(fā)臺(tái)沉積室中，b、將沉積室預(yù)加熱，使沉積室中的溫度為350℃，c、蒸鍍，將SiO2沉積到待鍍基片上，在基片上SiO2生長(zhǎng)厚度達(dá)到50之前，通過改變電流來改變功率，使SiO2的生長(zhǎng)速率由0.2→0.4→0.6→0.8/s逐漸增加；在基片上SiO2生長(zhǎng)厚度達(dá)到50之后，使SiO2的生長(zhǎng)速率保持在1.2～1.5/s，直到基片上SiO2生長(zhǎng)厚度達(dá)到所需厚度；在蒸鍍?nèi)^程，使沉積室中的溫度逐漸從350℃降低至200℃。
上述步驟c中，沉積室的預(yù)加熱溫度可以是300-400℃中的任意溫度，如300℃，320℃、370℃或400℃。
實(shí)施例二一種蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，在蒸鍍?nèi)^程，使沉積室中的溫度高低反復(fù)變化，其余同實(shí)施例一。
實(shí)施例三一種蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，在蒸鍍?nèi)^程，在基片上SiO2生長(zhǎng)厚度達(dá)到50之后，使SiO2的生長(zhǎng)速率保持在1.5/s，其余同實(shí)施例一。
在基片上SiO2生長(zhǎng)厚度達(dá)到50之后，也可使SiO2的生長(zhǎng)速率保持在1.0/s。
實(shí)施例四在蒸鍍?nèi)^程，使沉積室中的溫度從預(yù)加熱溫度逐漸降低至100℃，其余同用上述蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，給發(fā)光二極管透明電極蒸鍍的保護(hù)膜，通過顯微鏡放大1000倍進(jìn)行觀察，SiO2薄膜表面均勻致密，無“針孔”，另外也能有效防止SiO2薄膜的脫落。
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，其特征在于，包括以下步驟a、將清洗干凈的待鍍基片放入抽至真空的蒸發(fā)臺(tái)沉積室中，b、將沉積室預(yù)加熱，使沉積室中的溫度為300～400℃，c、蒸鍍，將SiO2沉積到待鍍基片上，在基片上SiO2生長(zhǎng)厚度達(dá)到50之前，使SiO2在基片上的生長(zhǎng)速率低于1.0/s。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，其特征在于，所述步驟c中，在基片上SiO2生長(zhǎng)厚度達(dá)到50之前，所述SiO2的生長(zhǎng)速率由0.2/s到1.0/s逐漸增加。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，其特征在于，在蒸鍍過程中，基片上SiO2生長(zhǎng)厚度在50～100，使SiO2在基片上的生長(zhǎng)速率低于1.0/s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，其特征在于，在基片上SiO2生長(zhǎng)厚度達(dá)到50之后，將SiO2的生長(zhǎng)速率控制在1.0～1.5/s范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，其特征在于，在所述步驟c的蒸鍍過程中，使沉積室中的溫度在400～100℃范圍內(nèi)變化。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，其特征在于，在蒸鍍?nèi)^程，使沉積室中的溫度從預(yù)加熱溫度逐漸降低至100℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，其特征在于，在步驟b中，將沉積室預(yù)加熱350℃，蒸鍍過程中，在基片上SiO2生長(zhǎng)厚度達(dá)到50之前，使SiO2的生長(zhǎng)速率由0.2→0.4→0.6→0.8/s逐漸增加；在基片上SiO2生長(zhǎng)厚度達(dá)到50之后，使SiO2的生長(zhǎng)速率保持在1.0～1.2/s，直到基片上SiO2生長(zhǎng)厚度達(dá)到所需厚度；在蒸鍍?nèi)^程，使沉積室中的溫度逐漸降低至200℃，并給沉積室中以20sccm的流率通入高純氧氣。
全文摘要
一種蒸鍍二氧化硅保護(hù)膜方法，在蒸鍍過程中，在基片上SiO
文檔編號(hào)C23C14/02GK1786256SQ20041007742
公開日2006年6月14日 申請(qǐng)日期2004年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月7日
發(fā)明者謝雪峰 申請(qǐng)人:方大集團(tuán)股份有限公司