專利名稱：防止真空計(jì)腐蝕的真空工作設(shè)備與方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種防止真空計(jì)腐蝕的方法，特別是關(guān)于一種可針對(duì)不同半導(dǎo)體制作機(jī)臺(tái)而設(shè)計(jì)的防止真空計(jì)腐蝕的方法。
背景技術(shù)：
許多半導(dǎo)體制作需要在降壓或熾熱放電(glow discharge)的環(huán)境中進(jìn)行，例如低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)、蒸鍍(evaporation)、磊晶(epitaxy)、離子植入(ion implantation)、濺鍍(sputtering deposition)、干蝕刻(dry etching)等。故許多用于這些工序的機(jī)臺(tái)因此需要使用真空系統(tǒng)，以達(dá)到所要求的工作條件。
一個(gè)典型的用于薄膜沉積的真空系統(tǒng)，如圖1所示，主要包含一工作室10、一裝載室12、一工作氣體14、一加熱基座16、一真空計(jì)18、一粗抽泵20、一高真空泵22、一節(jié)流閥24及一閥門26等，其中裝載室12(load lock chamber)的目的是將工作室10(process chamber)保持一定的真空度，以降低污染并縮短工作周期。粗抽泵20(roughing pump)多為機(jī)械式泵(mechanical pump)，在晶片28放入裝載室12后，將裝載室12由一大氣壓開始降壓，當(dāng)裝載室12到達(dá)一定真空度后，裝載室12和工作室10之間的閥門26(valve)就會(huì)打開，晶片28從裝載室12被送到工作室10內(nèi)的加熱基座16上。在此之前，工作室10先以另一粗抽泵20，配合一氣鎮(zhèn)裝置(gas ballast)(未圖示)抽至一定的真空度。等晶片28傳送至工作室10后，再利用高真空泵22，如擴(kuò)散泵(diffusion pump)、渦輪分子泵(turbo molecular pump)、冷凍泵(cryo pump)或路茲泵(Roots blower)等，來提高工作室10的真空度。之后再將晶片28加熱至沉積或工作溫度。將工作氣體14經(jīng)質(zhì)流控制器(mass flow controller，MFC)34，通入工作室10內(nèi)。真空度以一真空計(jì)18(vacuum gauge)，如電容真空計(jì)(capacitance manometer)、熱電偶計(jì)(thermocouple gauge)或游離計(jì)(ionization gauge)等，來進(jìn)行測量并作工作控制之用。工作結(jié)束時(shí)，把工作氣體14或副產(chǎn)物雜質(zhì)氣體(by-products)全部抽走，經(jīng)由排氣處理裝置(exhaust gas abatement equipment for process)，例如燃燒室30(burn box)，來過濾工作氣體14或副產(chǎn)物雜質(zhì)氣體中，其含有可燃性或有毒性的部分氣體，最后將安全處理完的工作氣體14或副產(chǎn)物雜質(zhì)氣體，經(jīng)由排氣32排出此薄膜沉積的真空系統(tǒng)。
在一個(gè)真空系統(tǒng)中，除了泵以外，重要的零件還有真空計(jì)(vacuum gauge)、管件(tubing)和閥門(valve)等。其中選擇真空計(jì)時(shí)，要考慮終極真空度。在真空技術(shù)中，將真空依壓力大小分為五個(gè)區(qū)域粗略真空(rough vacuum)、中度真空(medium vacuum)、高真空(high vacuum)、超高真空(very highvacuum)與極高真空(ultra high vacuum)。在不同的半導(dǎo)體制作工序中，需要有不同的真空度的要求，例如濺鍍和干蝕刻是介于粗略真空與中度真空之間，離子植入則須在高真空的環(huán)境進(jìn)行。
由于在半導(dǎo)體制作中，經(jīng)常使用反應(yīng)性的工作氣體，在工作室內(nèi)與晶片表面產(chǎn)生反應(yīng)，以形成薄膜或產(chǎn)生蝕刻作用。由于反應(yīng)的生成物除了會(huì)沉積在晶片上，也會(huì)附著在工作室的金屬壁上，這些沉積物若附著不良，往往會(huì)脫落而成為工作中的微粒(particle)來源，造成產(chǎn)品的良率(yield)降低。所以為避免工作室的表面上累積過多的沉積物，設(shè)備工程師須定期進(jìn)行機(jī)臺(tái)的預(yù)防維護(hù)(preventive maintenance，PM)。雖然在半導(dǎo)體制作結(jié)束時(shí)，工作氣體或副產(chǎn)物雜質(zhì)氣體會(huì)經(jīng)由真空泵抽氣以排出工作室，但是仍會(huì)有部分殘留的工作氣體，吸附在工作室與管路的金屬壁上。其中負(fù)責(zé)檢測工作室內(nèi)壓力，是否達(dá)到工作所需壓力范圍的真空計(jì)，也會(huì)有這些殘留的工作氣體吸附。當(dāng)設(shè)備工程師在大氣下進(jìn)行機(jī)臺(tái)的預(yù)防維護(hù)時(shí)，這些殘留的工作氣體，因?yàn)楹蟹蚵鹊姆肿?，在遇到大氣中的水氣后，?huì)產(chǎn)生酸性的腐蝕物質(zhì)，并進(jìn)而腐蝕真空計(jì)，造成真空計(jì)的使用壽命縮短，且測量真空度時(shí)的準(zhǔn)確度偏移等問題。
為防止上述的問題，現(xiàn)今機(jī)臺(tái)的設(shè)計(jì)都有加裝一氣動(dòng)閥門介于真空計(jì)與工作室的連通管路之間，當(dāng)進(jìn)行工作室清潔保養(yǎng)前，氣動(dòng)閥門會(huì)在真空的狀態(tài)下啟動(dòng)，來關(guān)閉真空計(jì)與工作室之間的連通管路，然后才進(jìn)行工作室破真空的動(dòng)作，以隔離大氣的水氣進(jìn)入真空計(jì)。現(xiàn)今機(jī)臺(tái)保護(hù)真空計(jì)的隔離裝置，皆為氣動(dòng)式閥門，由工作室內(nèi)的壓力感應(yīng)器檢測的信號(hào)來控制，當(dāng)工作室內(nèi)壓力大于一設(shè)定值，例如10毫米汞柱(托爾)(torr)，則壓力感測器會(huì)送出一信號(hào)給氣動(dòng)閥門進(jìn)行關(guān)閉動(dòng)作，此時(shí)真空計(jì)內(nèi)部空間的壓力是屬于10托爾(torr)的真空環(huán)境，當(dāng)工作室的壓力到達(dá)一大氣壓時(shí)，即760托爾(torr)，壓力感測器會(huì)送一信號(hào)給機(jī)臺(tái)，來顯示工作室已到達(dá)一大氣壓力，此時(shí)設(shè)備工程師就可以將工作室的閥門打開，進(jìn)行機(jī)臺(tái)的清潔保養(yǎng)。由于工作室的壓力在760托爾(torr)的大氣壓下，而真空計(jì)的內(nèi)部空間的壓力是在10托爾(torr)的真空狀態(tài)下，故難免會(huì)有部分大氣中的水氣因壓差滲入真空計(jì)的內(nèi)部空間，更有甚者，若氣動(dòng)閥的管路有反應(yīng)性氣體或其副產(chǎn)物雜質(zhì)氣體的吸附，并形成沉積物在管壁上，則氣動(dòng)閥門將會(huì)產(chǎn)生密閉不全的狀況，使得大氣中的水氣經(jīng)由氣動(dòng)閥門與閥座間的空隙，直接進(jìn)入真空計(jì)的內(nèi)部空間，形成酸性物質(zhì)來造成真空計(jì)的腐蝕。
現(xiàn)今一般半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的制造廠商，對(duì)于這種防止真空計(jì)腐蝕的隔離裝置，有的機(jī)臺(tái)完全沒有設(shè)計(jì)隔離裝置，所以其真空計(jì)的使用壽命，經(jīng)常達(dá)不到有設(shè)計(jì)隔離裝置的真空計(jì)的一半使用壽命，另外，有的機(jī)臺(tái)雖然設(shè)計(jì)有氣動(dòng)式閥門，但是因?yàn)闅鈩?dòng)閥門都是在真空的狀態(tài)下關(guān)閉，所以真空計(jì)的內(nèi)部空間都是控制在真空的條件，容易發(fā)生當(dāng)氣動(dòng)閥門密閉不全時(shí)，產(chǎn)生漏氣的情況，造成真空計(jì)的腐蝕。所以現(xiàn)今機(jī)臺(tái)的設(shè)計(jì)，不論是有沒有安裝隔離裝置，都會(huì)有大氣的水氣滲入，并與真空計(jì)上吸附的工作氣體或副產(chǎn)物雜質(zhì)氣體產(chǎn)生反應(yīng)，形成腐蝕性的物質(zhì)，造成真空計(jì)的腐蝕，使得真空計(jì)的使用壽命降低與讀值不準(zhǔn)確的問題發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的發(fā)明背景中，傳統(tǒng)的沒有采用隔離裝置或是現(xiàn)今采用氣動(dòng)式隔離裝置的方式，皆會(huì)造成真空計(jì)腐蝕的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種防止真空計(jì)腐蝕的方法。其特點(diǎn)在于使真空計(jì)保持在干凈無水氣的保護(hù)性氣體下，由于保護(hù)性氣體內(nèi)不含有水氣，所以不會(huì)與吸附在真空計(jì)上的殘留工作氣體產(chǎn)生反應(yīng)，達(dá)到防止真空計(jì)腐蝕的目的。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種藉由增加一手動(dòng)閥門，就可以防止真空計(jì)腐蝕的裝置。由于手動(dòng)閥門為一構(gòu)造簡單、價(jià)格便宜且容易維修的隔離裝置，可直接安裝在真空計(jì)與工作室之間的連通管路，就可以達(dá)到比現(xiàn)今采用氣動(dòng)式隔離裝置的機(jī)臺(tái)更好的防止真空計(jì)腐蝕的效果。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種利用等壓原理的防止真空計(jì)腐蝕的方法。其特點(diǎn)在于使真空計(jì)的內(nèi)部空間的氣體壓力，保持與隔離裝置外的大氣壓力一致，所以可以避免因隔離裝置的密閉不全或漏氣，而導(dǎo)致大氣中的水氣進(jìn)入到真空計(jì)的情形。
根據(jù)本發(fā)明提供一種防止真空計(jì)腐蝕的真空工作設(shè)備，其包含一工作室，用以執(zhí)行一真空工作反應(yīng)；一真空計(jì)，與工作室相連通；一無水保護(hù)氣體源，于工作室內(nèi)的真空工作反應(yīng)完成后，通入一無水的保護(hù)氣體至工作室內(nèi)，以破除工作室內(nèi)的真空度；及一隔離裝置，設(shè)于工作室與真空計(jì)之間，隔離裝置在無水的保護(hù)氣體達(dá)一大氣壓的狀態(tài)下，啟動(dòng)以隔離工作室與真空計(jì)之間的連通，以避免工作室與真空計(jì)之間產(chǎn)生一壓力差。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的上述目的、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和效果，以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。


圖1所示為一薄膜沉積的真空系統(tǒng)的示意圖。
圖2所示為本發(fā)明的一最佳實(shí)施例的示意圖。
圖3所示為本發(fā)明的一手動(dòng)閥門結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4所示為本發(fā)明的一氣動(dòng)閥門結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖5所示為本發(fā)明的另一最佳實(shí)施例的示意圖。
圖6所示為本發(fā)明的另一最佳實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的一些實(shí)施例會(huì)詳細(xì)描述如下。然而，除了該詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以廣泛地在其他的實(shí)施例施行。亦即，本發(fā)明的范圍不受已提出的實(shí)施例的限制，而應(yīng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。再者，在本說明書中，各元件的不同部分并沒有依照尺寸繪圖。某些尺度與其他相關(guān)尺度相比已經(jīng)被夸張或是簡化，以提供更清楚的描述和本發(fā)明的理解。
在此實(shí)施例中，該防止真空計(jì)腐蝕的真空工作設(shè)備包含一工作室，用以執(zhí)行一真空工作反應(yīng)；一真空計(jì)，與工作室相連通；一無水保護(hù)氣體源，于工作室內(nèi)的真空工作反應(yīng)完成后，通入一無水的保護(hù)氣體至工作室內(nèi)，以破除工作室內(nèi)的真空度；及一隔離裝置，設(shè)于工作室與真空計(jì)之間，隔離裝置在無水的保護(hù)氣體達(dá)一大氣壓的狀態(tài)下，啟動(dòng)以隔離工作室與真空計(jì)之間的連通，以避免工作室與真空計(jì)之間產(chǎn)生一壓力差。
參考圖2，為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，是利用安裝一隔離裝置，例如手動(dòng)閥門，來隔離真空計(jì)與工作室的一等離子體蝕刻機(jī)臺(tái)，其包含一工作室50、一電容真空計(jì)52、一手動(dòng)閥門54、一射頻產(chǎn)生器56、一真空泵58、一節(jié)流閥60、一反應(yīng)性氣體源62、一質(zhì)流控制器64及一無水保護(hù)氣體源72。首先，將一基材，例如晶片66，由工作室50的一閥門(未圖示)放置于一電極基座68上，之后將閥門(未圖示)關(guān)閉。再以真空泵58將工作室50內(nèi)的氣體抽出70，一直抽氣到等離子體蝕刻工作條件下的工作壓力，此工作壓力大約0～10托爾(torr)。將反應(yīng)性氣體源62中的反應(yīng)性氣體送入工作室50內(nèi)，這里常用的反應(yīng)性氣體，可以是氯氣(Cl2)、溴化氫(HBr)、三氯化硼(BCl3)等。接者，啟動(dòng)一射頻產(chǎn)生器56，以射頻場使反應(yīng)性氣體游離產(chǎn)生等離子體(未圖示)，并對(duì)晶片66進(jìn)行非等向性蝕刻。反應(yīng)性氣體的氣流持續(xù)供應(yīng)，并不斷以真空泵58抽氣，因?yàn)椴糠址磻?yīng)性氣體及其副產(chǎn)物有毒，當(dāng)?shù)入x子體蝕刻工作完成的后，必須停止送氣，并關(guān)掉射頻產(chǎn)生器56，將反應(yīng)性氣體及其副產(chǎn)物經(jīng)由真空泵58抽出工作室50，再由無水保護(hù)氣體源72灌入一干凈無水的保護(hù)性氣體，例如氮?dú)?N2)，以破除真空，就可把工作室50的閥門(未圖示)打開，取出晶片66。其中當(dāng)灌入干凈無水的氮?dú)庥诠ぷ魇?0時(shí)，因?yàn)檎婵沼?jì)52的內(nèi)部空間與工作室50有連通管相連接，所以此時(shí)真空計(jì)52的內(nèi)部空間同時(shí)也充滿著等壓的氮?dú)?，?dāng)工作室50內(nèi)氮?dú)鈮毫εc大氣壓力相等時(shí)，工作室50的壓力感測器(未圖示)會(huì)送出一信號(hào)給機(jī)臺(tái)控制器(未圖示)，并藉由一顯示器(未圖示)來顯示工作室50內(nèi)的壓力與大氣壓力相等，接著，才將真空計(jì)52與工作室50間的手動(dòng)閥門54關(guān)閉，以隔離真空計(jì)52與工作室50的連通，而后再打開工作室50的閥門，就可以進(jìn)行工作室50的清潔保養(yǎng)。此為本發(fā)明的一主要特點(diǎn)。由于真空計(jì)50內(nèi)部空間內(nèi)的氣壓與工作室50的氣壓相同，所以工作室50內(nèi)的大氣中的水氣不易因壓力差而進(jìn)入到真空計(jì)52的內(nèi)部空間，達(dá)到防止真空計(jì)腐蝕的目的。
另一方面，本發(fā)明的另一主要特點(diǎn)是使用手動(dòng)閥門54，其詳細(xì)結(jié)構(gòu)如圖3所示，包含有一轉(zhuǎn)動(dòng)鈕80、一活動(dòng)桿82、一閥帽84、一閥體86、一波紋管88、一圓盤90、一封合墊圈92、一墊片94、一封合座96、一工作室接口98及一真空計(jì)接口100。其中封合墊圈92可以使用彈性體墊圈，例如O型環(huán)墊圈(O-ring)，由于不同材質(zhì)的O型環(huán)墊圈對(duì)不同的工作氣體有不同的防止腐蝕的效果，故可針對(duì)機(jī)臺(tái)所使用的工作氣體，安裝合適材質(zhì)的O型環(huán)墊圈，達(dá)到節(jié)省成本的效果。
此外，若要考慮自動(dòng)化的控制，上述的手動(dòng)閥門54，也可以采用氣動(dòng)式閥門，如圖4所示，包含一活動(dòng)桿110、一墊圈112、一閥帽114、一盤體116、一工作室接口118及一真空計(jì)接口120。其中活動(dòng)桿110使用O型環(huán)墊圈雙重密封或波紋管密封，其動(dòng)力來源除了以氣動(dòng)式操作外，也可以電磁閥的方式設(shè)計(jì)。
接者，參考圖5，為本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例，是利用安裝一手動(dòng)閥門，來隔離真空計(jì)與工作室的一降壓的化學(xué)氣相沉積爐，其包含一工作室130、一電容真空計(jì)132、一手動(dòng)閥門134、一加熱器136、一反應(yīng)性氣體138、一真空泵140，此機(jī)臺(tái)常用以沉積多晶硅、二氧化硅及氮化硅等。首先，晶片142經(jīng)由裝卸門144進(jìn)入工作室130，以真空泵140，例如用路茲泵(Roots blower)，將氣體抽出工作室130，一直到壓力大約0.25～2托爾(torr)，此時(shí)加熱器136加熱晶片142到溫度約300℃～900℃，并通入反應(yīng)性氣體138，其氣流量約在100～1000每分鐘立方公分(sccm)，待沉積工作反應(yīng)完成后，將反應(yīng)性氣體138及其副產(chǎn)物抽出，再灌入干凈無水的氮?dú)?未圖示)破真空，直到工作室130的壓力感測器(未圖示)測量值達(dá)到一大氣壓時(shí)，就可以把手動(dòng)閥門134關(guān)閉，打開裝卸門144將晶片142取出，之后設(shè)備工程師就可以進(jìn)行工作室130的清潔保養(yǎng)。由于真空計(jì)132內(nèi)部空間內(nèi)的氣壓與工作室130的氣壓相同，所以工作室130內(nèi)的大氣中的水氣不易因壓力差而進(jìn)入到真空計(jì)132的內(nèi)部空間，達(dá)到防止真空計(jì)腐蝕的效果。
最后，參考圖6，為本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例，是一防止真空計(jì)腐蝕的預(yù)防保養(yǎng)作業(yè)流程圖，其步驟包含首先提供晶片置于工作室的基座上200，以真空泵將工作室內(nèi)的氣體抽出到工作條件下的工作壓力210，將反應(yīng)性氣體送入工作室內(nèi)進(jìn)行工作反應(yīng)220，工作反應(yīng)完成后停止送氣230，將反應(yīng)性氣體及其副產(chǎn)物經(jīng)由真空泵抽出工作室240，以干凈無水的保護(hù)性氣體倒灌工作室以破除真空250，將真空計(jì)與工作室間的手動(dòng)閥門關(guān)閉260，打開工作室的閥門以取出晶片270，進(jìn)行工作室的預(yù)防保養(yǎng)280。其中當(dāng)灌入干凈無水的保護(hù)性氣體于工作室時(shí)，因?yàn)檎婵沼?jì)的內(nèi)部空間與工作室有連通管相連接，所以此時(shí)真空計(jì)的內(nèi)部空間同時(shí)也充滿著等壓的保護(hù)性氣體，當(dāng)工作室內(nèi)保護(hù)性氣體壓力與大氣壓力相等時(shí)，才將真空計(jì)與工作室間的手動(dòng)閥門關(guān)閉，以隔離真空計(jì)與工作室的連通，而后再打開工作室的閥門，就可以進(jìn)行工作室的清潔保養(yǎng)。由于真空計(jì)內(nèi)部空間內(nèi)的氣壓與工作室的氣壓相同，所以工作室內(nèi)的大氣中的水氣不易因壓力差而進(jìn)入到真空計(jì)的內(nèi)部空間，達(dá)到防止真空計(jì)腐蝕的目的。
雖然本發(fā)明已參照當(dāng)前的具體實(shí)施例來描述，但是本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，以上的實(shí)施例僅是用來說明本發(fā)明，在沒有脫離本發(fā)明精神的情況下還可作出各種等效的變化或替換，因此，只要在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)對(duì)上述實(shí)施例的變化、變型都將落在本申請(qǐng)的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種防止真空計(jì)腐蝕的真空工作設(shè)備，包含一工作室，用以執(zhí)行一真空工作反應(yīng)；一真空計(jì)，與該工作室相連通；一無水保護(hù)氣體源，于該工作室內(nèi)的該真空工作反應(yīng)完成后，通入一無水的保護(hù)氣體至該工作室內(nèi)，以破除該工作室內(nèi)的真空度；及一隔離裝置，設(shè)于該工作室與該真空計(jì)之間，該隔離裝置在該無水的保護(hù)氣體達(dá)一大氣壓的狀態(tài)下，啟動(dòng)以隔離該工作室與該真空計(jì)之間的連通，以避免該工作室與該真空計(jì)之間產(chǎn)生一壓力差。
2.如權(quán)利要求1所述的防止真空計(jì)腐蝕的真空工作設(shè)備，其特征在于該真空計(jì)為一電容真空計(jì)。
3.如權(quán)利要求1所述的防止真空計(jì)腐蝕的真空工作設(shè)備，其特征在于該無水保護(hù)氣體源為氮?dú)狻?br> 4.如權(quán)利要求1所述的防止真空計(jì)腐蝕的真空工作設(shè)備，其特征在于該真空工作反應(yīng)為一等離子體蝕刻反應(yīng)。
5.如權(quán)利要求1所述的防止真空計(jì)腐蝕的真空工作設(shè)備，其特征在于該真空工作反應(yīng)為一化學(xué)氣相沉積反應(yīng)。
6.如權(quán)利要求1所述的防止真空計(jì)腐蝕的真空工作設(shè)備，其特征在于該隔離裝置為一閥門。
7.如權(quán)利要求6所述的防止真空計(jì)腐蝕的真空工作設(shè)備，其特征在于該閥門為一手動(dòng)閥。
8.如權(quán)利要求6所述的防止真空計(jì)腐蝕的真空工作設(shè)備，其特征在于該閥門為一氣體閥。
9.如權(quán)利要求6所述的防止真空計(jì)腐蝕的真空工作設(shè)備，其特征在于該閥門為一電磁閥。
10.一種防止真空計(jì)腐蝕的方法，包含提供一工作室，該工作室與一真空計(jì)連通；當(dāng)該工作室內(nèi)的一真空工作反應(yīng)完成后，通入一無水的保護(hù)氣體至該工作室內(nèi)，以破除該工作室內(nèi)的真空度；及于該無水的保護(hù)氣體達(dá)一大氣壓的狀態(tài)下，隔離該工作室與該真空計(jì)之間的連通，以避免該工作室與該真空計(jì)之間產(chǎn)生一壓力差。
全文摘要
一種防止真空計(jì)腐蝕的真空工作設(shè)備，其包含一工作室，用以執(zhí)行一真空工作反應(yīng)；一真空計(jì)，與工作室相連通；一無水保護(hù)氣體源，于工作室內(nèi)的真空工作反應(yīng)完成后，通入一無水的保護(hù)氣體至工作室內(nèi)，以破除工作室內(nèi)的真空度；及一隔離裝置，設(shè)于工作室與真空計(jì)之間，隔離裝置在無水的保護(hù)氣體達(dá)一大氣壓的狀態(tài)下，啟動(dòng)以隔離工作室與真空計(jì)之間的連通，以避免工作室與真空計(jì)之間產(chǎn)生一壓力差。
文檔編號(hào)C23C14/22GK1676665SQ200410032399
公開日2005年10月5日 申請(qǐng)日期2004年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月2日
發(fā)明者吳錦龍, 何立偉 申請(qǐng)人:矽統(tǒng)半導(dǎo)體股份有限公司