技術編號：3256907
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明有關一種防止真空計腐蝕的方法，特別是關于一種可針對不同半導體制作機臺而設計的防止真空計腐蝕的方法。背景技術 許多半導體制作需要在降壓或熾熱放電(glow discharge)的環(huán)境中進行，例如低壓化學氣相沉積(LPCVD)、等離子體輔助化學氣相沉積(PECVD)、蒸鍍(evaporation)、磊晶(epitaxy)、離子植入(ion implantation)、濺鍍(sputtering deposition)、干蝕刻(dry etching)等。...
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