專利名稱：：對包含第Ⅷ族金屬的表面采用固定磨料制品的平面化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及，特別是在半導體器件制造過程中，包含第VIII族金屬(優(yōu)選包含鉑)的表面的平面化方法。
背景技術(shù)：
：在半導體器件制造過程中形成各種表面。許多所述的表面都具有不同的高度，因此晶片的厚度也不相同。而且有些表面可能還有缺陷，例如晶格損壞、劃痕、粗糙、或嵌入泥土或灰塵粒子。對于將要進行的各種制造過程，例如平板印刷和蝕刻，必須減少或消除晶片表面高度的差異和缺陷?？梢允褂酶鞣N平面化(planarization)技術(shù)提供所述的減少和/或消除。一種所述的平面化技術(shù)包括機械拋光和/或化學-機械拋光(這里簡縮為“CMP”)。使用平面化方法除掉材料，優(yōu)選在整個芯片和晶片上獲得平的表面，有時稱作“全局平面化(globalplanarity)”。平面化方法，特別是CMP，通常包括使用固定晶片的晶片載體、拋光盤(polishingpad)、和磨料漿體，磨料漿體包括許多磨料粒子在液體中的分散體。施加磨料漿體，使其與晶片和拋光盤的表面接觸。拋光盤放在拋光桌(table)或拋光臺(platen)上。拋光盤以一定壓力施加在晶片上進行平面化。在相對另一個的運動中，至少晶片和拋光盤之一是固定的。在某些平面化方法中，晶片載體可以旋轉(zhuǎn)也可以不旋轉(zhuǎn)，拋光桌或拋光臺可以旋轉(zhuǎn)也可以不旋轉(zhuǎn)，和/或拋光臺可以相對旋轉(zhuǎn)作直線運動。有許多類型的平面化設備可以使用，它們以不同的方式進行這個過程。已經(jīng)證明，在晶片制造過程中，由于幾個原因磨料漿體的使用是有問題的。首先以分散體的形式包含許多磨料粒子的磨料漿體往往是不穩(wěn)定的。特別是不僅發(fā)生磨料粒子的沉降，而且磨料粒子往往還會結(jié)塊，這二種現(xiàn)象都使?jié){體組合物不均勻。這又產(chǎn)生拋光結(jié)果的多樣性。其次，在本領(lǐng)域內(nèi)已經(jīng)知道，漿體組合物與所需要的平面化方法往往是特定的，即一種漿體不可能適合各種方法。常規(guī)的拋光盤也會造成平面化困難。所述的拋光盤在平面化過程中可能變光滑，或嵌有碎片。這就要求調(diào)整拋光盤，使拋光盤可以重新使用。調(diào)整一般包括在應用或不應用溶液的情況下，使用機械方法從拋光盤上除掉碎片。被調(diào)整的拋光盤，由于在調(diào)整過程中從拋光盤本身除掉碎片的不可預測性，隨后一般會產(chǎn)生不可預測的平面化結(jié)果?，F(xiàn)在也知道代替常規(guī)拋光盤使用的固定磨料制品，并在平面化過程中使用它們。所述固定磨料制品，包括許多磨料粒子，它們分散在粘附在底板材料(backingmaterial)至少一個表面上的粘合劑中。對于某些情況，固定磨料制品是有利的；然而，對于許多平面化過程，常規(guī)磨料漿體一般與固定磨料制品是不兼容的。包括鉑和其它VIII族金屬的表面的平面化，在拋光過程中包括的機械作用一般多于化學作用，因為它們在化學上是相當不活潑的和/或具有較少的揮發(fā)產(chǎn)物。所述的機械拋光使用氧化鋁和二氧化硅粒子。不幸的是，機械拋光往往引起缺陷的生成(例如劃痕和粒子)，但不能清除掉鉑，可以用光學方法檢測劃痕和粒子。因此，特別是在半導體器件的制造過程中，仍然需要使包含鉑和/或其它VIII族金屬的基片暴露的表面平面化的方法。發(fā)明概述本發(fā)明提供解決包括鉑和/或另一種VIII族第二和第三行金屬(即第8、9、和10族，優(yōu)選Rh、Ru、Ir、Pd、和Pt)的表面平面化的許多問題的方法。本文將所述的表面稱作包含鉑的表面，或更普遍地稱作包含VIII族金屬的表面?！鞍琕III族金屬的表面”系指所暴露的包含VIII族金屬(特別是鉑)的區(qū)域，優(yōu)選VIII族金屬的存在量為該區(qū)域組合物的至少約10原子％，更優(yōu)選至少約20原子％，最優(yōu)選至少約50原子％，該區(qū)域可以以按照本發(fā)明將被平面化的層、膜、和覆層等形式提供。該表面優(yōu)選包括一種或多種元素形式的VIII族金屬或它們的合金(它們彼此的合金和/或與周期表中一種或多種其它金屬的合金)(和更優(yōu)選基本上由一種或多種元素形式的VIII族金屬或它們的合金組成)。即表面不包括大量的非金屬，例如不包含以硅化物或氧化物形式出現(xiàn)的硅或氧原子。本發(fā)明的方法包括使表面平面化。本文通常所說的“使…平面化”或“平面化”，系指從表面上除掉材料，不管是大量還是少量材料，也不管是采用機械方法、化學方法還是采用這二種方法。平面化也包括采用拋光除掉材料。本文使用的“化學-機械拋光”和“CMP”，系指具有化學成分和機械成分的雙重機制，和在晶片拋光過程中一樣，其中腐蝕化學和斷裂力學在除掉材料過程中都起作用。在本發(fā)明的一個方面，提供一種平面化方法，其中包括將基片(優(yōu)選半導體基片或基片組件，例如晶片)包含VIII族金屬的表面放到與固定磨料制品的界面上；在界面附近提供平面化組合物；和采用固定磨料制品使包含VIII族金屬的表面平面化。VIII族金屬選自銠、銥、釕、鋨、鈀、鉑、和它們的組合。固定磨料制品包括硬度不大于約6.5Mohs的許多磨料粒子，它們分散在粘附在底板材料至少一個表面上的粘合劑中。在本發(fā)明的另一個方面，提供一種平面化方法，其中包括提供半導體基片或基片組件，其中包括至少一個包括鉑的表面區(qū)域(優(yōu)選表面具有不平的外形)；提供固定磨料制品；在至少一個包含鉑的表面區(qū)域和固定磨料制品之間的界面上，提供平面化組合物(優(yōu)選包括氧化劑和/或絡合劑，更優(yōu)選氧化劑)；和采用固定磨料制品使至少一個包含鉑的表面區(qū)域平面化；其中固定磨料制品包括硬度不大于約6.5Mohs的許多磨料粒子，它們分散在粘附在底板材料至少一個表面上的粘合劑中。本文使用的“半導體基片或基片組件”系指半導體基片，例如基本半導體層或具有在其上形成的一個或多個層、結(jié)構(gòu)、或區(qū)域的半導體基片?；景雽w層一般是晶片上最下面的硅材料層，或配置在另一種材料上的硅層，例如在藍寶石上的硅層。當所指的是基片組件時，可以預先使用各種工藝步驟形成或限定區(qū)域、結(jié)、各種結(jié)構(gòu)或表面特征、和開孔，例如通路、連接孔、長寬比(aspectratio)高的開孔、導電區(qū)域、和連接區(qū)域等。例如基片組件可以指在其上進行金屬化的結(jié)構(gòu)，例如為電學互連功能制備金屬線。本發(fā)明的另一個方面，提供一種在形成電容器或阻擋層過程中使用的平面化方法。優(yōu)選該方法包括提供晶片，其中具有在其上形成的介電材料圖案層和在介電材料圖案層上形成的包含VIII族金屬的層，其中VIII族金屬選自銠、銥、釕、鋨、鈀、鉑、和它們的組合；將固定磨料制品的第一部分放到與包含鉑的層接觸的位置上；在固定磨料和包含VIII族金屬的層之間的接觸面附近，提供平面化組合物；和采用固定磨料制品使包含鉑的層平面化；其中固定磨料制品包括硬度不大于約6.5Mohs的許多磨料粒子，它們分散在粘附在底板材料至少一個表面上的粘合劑中。在按照本發(fā)明的任何方法中，固定磨料制品優(yōu)選包括許多磨料粒子，例如CeO2粒子、Y2O3粒子、Fe2O3粒子、或它們的組合。更優(yōu)選許多磨料粒子的大多數(shù)是CeO2磨料粒子。在按照本發(fā)明的任何方法中，平面化組合物一般不包括磨料粒子。另一方面，平面化組合物優(yōu)選包括氧化劑、絡合劑、或它們的混合物。附圖簡述圖1A和1B是按照本發(fā)明進行平面化加工前后晶片一部分的橫截面示意圖。圖2A和2B是按照本發(fā)明進行平面化加工前后晶片一部分的橫截面示意圖。圖3是按照本發(fā)明使用的化學-機械拋光系統(tǒng)的總示意圖。圖4是沿圖3橫剖面線A-A所取的放大橫截面圖。圖5是按照本發(fā)明一個操作過程的示意圖。對優(yōu)選實施方案的說明本發(fā)明提供包括鉑和/或一種或多種第VIII族的第二或第三行的其它金屬表面的平面化方法。第VIII族金屬也稱作VIIIB族元素，或周期表中第8、9、和10族的過渡金屬。第二和第三行VIIIB族金屬包括Rh、Ru、Ir、Pd、Pt、和Os。根據(jù)本發(fā)明的方法，可以優(yōu)選使包括Rh、Ru、Ir、Pd、和/或Pt的表面平面化。本文將所述的表面稱作包含VIII族金屬的表面(這系指包含第二和/或第三行過渡金屬的表面)。優(yōu)選“包含VIII族金屬的表面”，系指暴露的包含VIII族金屬(特別是鉑)的區(qū)域，其中VIII族金屬的存在量為該區(qū)域組合物的至少約10原子％，更優(yōu)選至少約20原子％，最優(yōu)選至少約50原子％，該區(qū)域可以以按照本發(fā)明將被平面化(例如通過化學-機械平面化、或機械平面化、或拋光)的層、膜、和覆層等形式提供。所述表面的平面化，特別是包括鉑的表面的平面化，一般包括采用氧化鋁(Al2O3)和/或二氧化硅(SiO2)粒子等較硬粒子的機械方法，這種方法可能引起浸潤(smearing)和缺陷的生成，而不能清除掉材料。令人意外的是，使用包括硬度不大于約6.5Mohs的磨料粒子的固定磨料制品，能減少并時常消除浸潤和缺陷生成問題。所述的粒子包括例如硬度約6.0Mohs的二氧化鈰(CeO2)，以及硬度約5.5Mohs的三氧化二釔(Y2O3)、和硬度約6.0Mohs的氧化鐵(Fe2O3)。這與氧化鋁和二氧化硅磨料粒子不同，氧化鋁的硬度為約8.5Mohs-約9.0Mohs，二氧化硅的硬度為約7.5Mohs。在使用或不使用平面化組合物的情況下，可以使用包括硬度不大于約6.5Mohs的許多磨料粒子的固定磨料制品，因此在包括機械的或化學-機械的各種平面化方法中，也可以使用這種固定磨料制品。在按照本發(fā)明的任何方法中，固定磨料優(yōu)選包括許多CeO2、Y2O3、和Fe2O3粒子、或它們的混合物。更優(yōu)選許多磨料粒子的大多數(shù)是CeO2粒子。磨料粒子的平均粒度(即粒子的最大尺寸)一般為約10nm-約5000nm，更時常為約30nm-約1000nm。對于優(yōu)選的實施方案，適宜磨料粒子的平均粒度為約100nm-約300nm。本發(fā)明的方法在使包括“不平的”(即非光學平的)外形的表面平面化時，即在使包括有比其它區(qū)域高的區(qū)域的表面平面化時，顯然特別有利。具有不平的外形的表面的實例，包括具有起伏層的表面或具有像電容器似的結(jié)構(gòu)的表面?！安黄降摹?即非光學平的)表面一般具有比表面上的其它區(qū)域高至少約200的區(qū)域，優(yōu)選至少約500，更優(yōu)選至少約2000。當與平的或光學平的表面(例如在半導體基片組件上的空白層，或具有高度差小于約200的區(qū)域的其它表面)相比時，在本發(fā)明方法中使用的固定磨料制品，使從具有不平外形的表面上除掉材料的速率較高。從具有不平外形的表面上除掉材料的速率，一般優(yōu)選為從平的或光學平的表面上除掉材料速率的至少約10倍，時常多達約25倍。重要的是，本發(fā)明的方法與其它材料尤其是比二氧化硅相比，能從表面上優(yōu)先除掉鉑或其它VIII族金屬。這在從包含鉑或包含其它VIII族金屬的層中選擇性除掉材料，而不除掉例如大量的氧化物層(例如TEOS或BPSG層)等底層時是重要的。從外形不平的包含VIII族金屬的表面——其中VIII族金屬是元素形式的(包括合金)——上除掉材料相對從介電材料層(例如二氧化硅、氮化硅、和BPSG)中除掉材料的選擇性，優(yōu)選為約10∶1-約25∶1，取決于化學和工藝條件。這種選擇性比例，隨著例如包括一種或多種氧化劑和/或絡合劑的平面化組合物的使用，甚至還會進一步增加。比較起來，在采用相同的固定磨料制品和工藝條件時，從包含VIII族金屬的平的(即光學平的)表面上除掉材料，相對從包含氧化物的表面上除掉材料的選擇性為約1∶1。為了提高選擇性，優(yōu)選在本發(fā)明的方法中使用平面化組合物。適宜的組合物優(yōu)選包括有助于平面化的氧化劑和/或絡合劑(更優(yōu)選氧化劑)以及其它添加劑，例如為增加濕潤性和減少摩擦的表面活性劑、為達到所需粘度的增稠劑、和為達到所需pH的緩沖劑等。優(yōu)選組合物是這些成分的水溶液。更優(yōu)選平面化組合物的pH為約1.5-約3。優(yōu)選的氧化劑包括例如硝酸銨高鈰、和硫酸銨高鈰等。在申請人的受讓人在以下的共同未決的美國專利申請中，公開了適宜的平面化組合物的實例在2001年12月21日提交的題為包含VIII族金屬的表面采用氧化劑的平面化方法，序號為10/028,249、在2001年12月21日提交的題為包含VIII族金屬的表面采用絡合劑的平面化方法，序號為10/028,040、和在2001年12月21日提交的題為包含VIII族金屬的表面采用氧化性氣體的平面化方法，序號為10/032,357。應當理解，適合在本發(fā)明方法中使用的平面化組合物，在施加到固定磨料制品和加工件表面的界面上時，優(yōu)選基本上不包含磨料粒子。然而，也考慮采用固定磨料制品和/或磨料粒子——可以是在固定磨料/表面的界面上從固定磨料制品上脫離的磨料粒子——之一或這二者與平面化組合物組合進行平面化。在任何情況下，在起初施加的組合物中，一般都不存在磨料粒子，即不從拋光界面以外的來源提供它們。適合在本發(fā)明中使用的固定磨料是已知的，例如在US-5,692,950(Rutherford等人)和國際專利公報WO98/06541中所述的固定磨料。固定磨料一般包括許多磨料粒子，它們分散在粘附在底板材料一個表面上形成三維固定磨料元件的粘合劑中。在商業(yè)上可以利用的固定磨料制品，可以從日本東京的二家公司SumitsuKageki和Ebera(TokyoSumitsuKagekiandEbera，bothofJapan)以及明尼蘇達州圣保羅的明尼蘇打采礦制造公司(MinnesotaMiningandManufacturingCompany)(3M公司)獲得。優(yōu)選的固定磨料制品的實例，是在市場上可以以商品名稱“SWR159”從3M公司購買的二氧化鈰基的拋光盤。一些圖提供了關(guān)于本發(fā)明方法的進一步資料。圖1A示出在按照本發(fā)明平面化之前晶片的一部分10，其特征是在表面上充滿了將通過平面化除掉的材料。晶片部分10包括基片組件12，它具有在其上形成的結(jié)16。此外，還在基片組件12和結(jié)16上形成電容器和/或阻擋層材料19。電容器和/或阻擋層材料19可以是任何導電的材料，例如包含鉑或任何其它適宜的導電的第二或第三行VIII族金屬的電容器和/或阻擋層材料。圖1A所示電容器和/或阻擋層19不平的上表面13，一般要按照本發(fā)明進行平面化或其它加工。獲得圖1B所示的晶片10，其中包括被平面化的上表面17，于是晶片10的厚度在整個晶片10上基本相同，所以晶片現(xiàn)在包括電容器和/或阻擋層結(jié)構(gòu)層14。圖2A示出按照本發(fā)明平面化前晶片的一部分20，其特征是在表面上具有將通過平面化除掉的類似材料層。晶片部分20包括基片組件22，它具有在其上形成的介電材料圖案層26?？梢砸愿鞣N結(jié)構(gòu)，特別是電容器結(jié)構(gòu)，使用所述的介電材料圖案層26。介電材料圖案層26可以由在金屬區(qū)域之間提供電絕緣的任何材料(例如二氧化硅、氮化硅、或BPSG)制成。然后在基片組件22和介電材料圖案層26上形成電極層29。電極層29可以是包含鉑或任何其它適宜的導電的第二或第三行VIIIB族或IB族金屬的材料。圖2A所示電極層29不平的上表面23，一般要按照本發(fā)明進行平面化或其它加工。獲得圖2B所示的晶片20，其中包括被平面化的上表面27，于是晶片20的厚度在整個晶片20上基本相同，所以晶片現(xiàn)在包括隔離在介電圖案材料26內(nèi)的導電區(qū)域24，形成電容器結(jié)構(gòu)。如果需要，在平面化之前，可以采用在平面化之后被除掉的感光性樹脂或其它材料涂覆類似的層29和開孔24，所以磨料不會落入開孔24中。一個概括說明平面化組件100的示意圖如圖3所示，其中包括固定晶片102的旋轉(zhuǎn)的晶片載體平臺135，晶片的一部分10(示于圖1A和1B)是晶片102的一部分。一般將平面化組合物加到固定磨料制品142和晶片102之間的界面上或界面附近。然后在拋光臺110和晶片102之間提供固定磨料制品142。如圖3所示，可以以連續(xù)方式提供固定磨料制品142，其中供給輥120將長條狀的固定磨料制品142供給拋光臺110和晶片102之間的拋光界面。在消耗固定磨料制品一部分拋光壽命之后，可以使固定磨料制品142向前移動，在張緊輥123上卷緊。采用另一種方法，可以將規(guī)定尺寸的固定磨料制品固定在拋光臺110上，供以間斷方式即不連續(xù)方式使用?？梢匀芜x提供操作臺(未示出)，它可以用于在平面化之前預先弄濕固定磨料制品，也可以用于在不同的晶片平面化之間沖洗固定磨料制品。可以使固定磨料制品142向位置緊靠轉(zhuǎn)鼓122a的操作臺移動，給操作臺提供溶液，例如采用滴落、噴霧、或其它分配方式，將溶液施加到最終將與晶片接觸的固定磨料表面上。更優(yōu)選溶液是水溶液，甚至更優(yōu)選溶液是水或按照本發(fā)明的平面化組合物。在施加溶液之后，再使固定磨料制品142位于與晶片表面接觸的位置進行平面化。在平面化過程中，固定磨料制品142在平面化組合物存在下與晶片102的表面接觸(例如圖1A所示晶片10的表面13)。一般可以通過在固定吸盤(holder)132的載體臂139上施加向下的力來施加壓力，不過本發(fā)明也考慮到可以從拋光臺110上施加反面壓力。按照本發(fā)明的方法，優(yōu)選在大氣壓下和在溫度約4℃-約62℃下進行。在一個實施方案中，可以利用本領(lǐng)域技術(shù)人員已經(jīng)知道的馬達或驅(qū)動裝置(未示出)，使晶片吸盤132和/或拋光臺110旋轉(zhuǎn)和移動。晶片吸盤132使晶片102在選擇的速度下按照箭頭“R”所示的圓周方向旋轉(zhuǎn)，和使晶片102在控制的壓力下橫過固定磨料制品142的一部分移動。晶片102與移動的固定磨料制品142接觸。正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的，固定磨料制品142與晶片102表面發(fā)生接觸的區(qū)域，隨著晶片102的移動而改變。例如固定磨料制品142可以移動小于晶片最大直徑的距離，使基本上拋光的晶片暴露在固定磨料的第二個位置上。固定磨料上的第二個位置，優(yōu)選至少包括緊靠它前面不用于拋光晶片的部分。因此，在固定磨料上第二個位置的全部或一部分，可以包括緊靠它前面不用于拋光晶片的部分。固定磨料制品142可以移動的一個適宜距離，小于晶片最大直徑的約1.0％。因此對于最大直徑約8in(約20.3cm)的晶片，固定磨料制品142可以移動的距離為約0.25in(約0.64cm)。固定磨料制品142可以移動的另一個適宜距離，是基本上等于晶片最大直徑的距離。供給系統(tǒng)(未示出)以指定的流量將平面化組合物加到固定磨料制品142上，優(yōu)選加在晶片102的表面和固定磨料制品142之間的界面上或界面附近，或加在接觸面上或接觸面附近?？梢詫⑵矫婊M合物加到固定磨料附近的各個位置上。例如，可以采用例如滴落、噴霧、或其它分配方式，從固定磨料制品142的上面加入平面化組合物。沿圖3橫剖面線A-A的橫截面圖如圖4所示，可以通過將組合物直接供給包括在晶片吸盤132——它包括在晶片載體平臺135中——中的分配機構(gòu)，將組合物加到晶片/固定磨料制品的界面上或界面附近。在晶片吸盤132的周邊附近，配置多個加入口160，可以通過它們分配組合物。在平面化過程中，在任何給定的時間，都可以通過全部或幾個加入口分配組合物。如圖4所示，許多加入口160的一個優(yōu)選的配置，是在晶片吸盤132的晶片吸附部分102’的周圍附近，不過，其它的配置也是可行的。晶片吸盤132優(yōu)選以約200-600mm/s的速度旋轉(zhuǎn)。如圖5所示，在與包括固定磨料制品142的拋光臺接觸時，晶片吸盤132優(yōu)選在箭頭“C”所示的路徑上旋轉(zhuǎn)。然后將晶片吸盤132的速度與“C”的長度關(guān)聯(lián)起來。保持晶片102的表面與固定磨料制品142對合，所以固定磨料制品142能使該表面平面化。雖然在上面的說明中特別關(guān)注旋轉(zhuǎn)的晶片吸盤，但應當理解，就平面化而言，晶片吸盤和拋光臺二者可以互相相對移動。例如，晶片吸盤可以轉(zhuǎn)動/旋轉(zhuǎn)，拋光臺可以轉(zhuǎn)動或繞軌道旋轉(zhuǎn)。此外，晶片吸盤或拋光臺也都可以是靜止的。給出前面的詳細說明只是為了清楚地理解本發(fā)明。應當理解，其中沒有不必要的限制。本發(fā)明不限于所給出的和所說明的準確細節(jié)，因為本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的一些變動，都包括在權(quán)利要求所規(guī)定的本發(fā)明內(nèi)。例如，盡管上面的說明都集中在半導體基基片的平面化上，但本發(fā)明的組合物和方法也可以應用到例如拋光玻璃和隱形鏡片上，成為許多其它可能的應用之一。好像曾經(jīng)單獨引入每一份文獻作為參考，在此再引入所列舉的所有專利、專利文獻、和公報的全部公開內(nèi)容作為參考。權(quán)利要求1.一種平面化方法，其中包括將基片包含VIII族金屬的表面放到與固定磨料制品的界面上，其中VIII族金屬選自銠、銥、釕、鋨、鈀、鉑、和它們的組合；在界面附近提供平面化組合物；和采用固定磨料制品使基片表面平面化；其中固定磨料制品包括硬度不大于約6.5Mohs的許多磨料粒子，它們分散在附著在底板材料至少一個表面上的粘合劑中。2.權(quán)利要求1的方法，其中基片包含VIII族金屬的表面具有不平的外形。3.權(quán)利要求1的方法，其中基片包含VIII族金屬的表面包括元素形式的VIII族金屬或它們的合金。4.權(quán)利要求3的方法，其中包含VIII族金屬的表面包括元素鉑。5.權(quán)利要求3的方法，其中包含VIII族金屬的表面包括鉑合金。6.權(quán)利要求1的方法，其中VIII族金屬的存在量≥約10原子％。7.權(quán)利要求6的方法，其中VIII族金屬的存在量≥約20原子％。8.權(quán)利要求7的方法，其中VIII族金屬的存在量≥約50原子％。9.權(quán)利要求1的方法，其中基片是晶片。10.權(quán)利要求1的方法，其中許多磨料粒子包括CeO2、Y2O3、Fe2O3、或它們的混合物。11.權(quán)利要求10的方法，其中許多磨料粒子的大多數(shù)是CeO2磨料粒子。12.權(quán)利要求1的方法，其中平面化組合物包括氧化劑、絡合劑、或它們的混合物。13.權(quán)利要求1的方法，其中除掉包含VIII族金屬的表面相對介電材料層的選擇性比例為至少約10∶1。14.一種平面化方法，其中包括提供半導體基片或基片組件，其中包括至少一個包含鉑的表面區(qū)域；提供固定磨料制品；在至少一個包含鉑的表面區(qū)域和固定磨料制品之間的界面上，提供平面化組合物；和采用固定磨料制品使至少一個包含鉑的表面區(qū)域平面化；其中固定磨料制品包括硬度不大于約6.5Mohs的許多磨料粒子，它們分散在粘附在底板材料至少一個表面上的粘合劑中。15.權(quán)利要求14的方法，其中包含鉑的表面具有不平的外形。16.權(quán)利要求14的方法，其中鉑的存在量≥約10原子％。17.權(quán)利要求14的方法，其中包含鉑的表面包括元素鉑。18.權(quán)利要求14的方法，其中包含鉑的表面包括鉑合金。19.權(quán)利要求14的方法，其中基片組件是晶片。20.權(quán)利要求14的方法，其中許多磨料粒子包括CeO2、Y2O3、Fe2O3、或它們的混合物。21.權(quán)利要求20的方法，其中許多磨料粒子的大多數(shù)是CeO2磨料粒子。22.權(quán)利要求14的方法，其中平面化組合物包括氧化劑、絡合劑、或它們的混合物。23.權(quán)利要求14的方法，其中除掉包含VIII族金屬的表面相對氧化物層的選擇性比例至少約10∶1。24.一種平面化方法，其中包括提供半導體基片或基片組件，其中包括至少一個包含鉑的表面區(qū)域，該區(qū)域具有不平的外形；提供固定磨料制品；在至少一個包含鉑的表面區(qū)域和固定磨料制品之間的界面上，提供平面化組合物；和采用固定磨料制品使至少一個包含鉑的表面區(qū)域平面化；其中固定磨料制品包括許多磨料粒子，它們選自CeO2、Y2O3、Fe2O3、和它們的組合。25.一種平面化方法，其中包括提供半導體基片或基片組件，其中包括至少一個包含鉑的表面區(qū)域，該區(qū)域具有不平的外形；提供固定磨料制品；在至少一個包含鉑的表面區(qū)域和固定磨料制品之間的界面上，提供平面化組合物；和采用固定磨料制品使至少一個包含鉑的表面區(qū)域平面化；其中固定磨料制品包括許多CeO2磨料粒子。26.一種平面化方法，其中包括提供半導體基片或基片組件，其中包括至少一個包含鉑的表面區(qū)域，該區(qū)域具有不平的外形；提供固定磨料制品；在至少一個包含鉑的表面區(qū)域和固定磨料制品之間的界面上，提供平面化組合物，其中包括氧化劑、絡合劑、或它們的組合；和采用固定磨料制品使至少一個包含鉑的表面區(qū)域平面化；其中固定磨料制品包括許多CeO2磨料粒子。27.在形成電容器和阻擋層過程中使用的一種平面化方法提供晶片，其中具有在其上形成的介電材料圖案層和在介電材料圖案層上形成的包含VIII族金屬的層，其中VIII族金屬選自銠、銥、釕、鋨、鈀、鉑、和它們的組合；將固定磨料制品的第一部分放到與包含鉑的層接觸的位置上；在固定磨料和包含VIII族金屬的層之間的接觸面附近，提供平面化組合物；和采用固定磨料制品使包含鉑的層平面化；其中固定磨料制品包括硬度不大于約6.5Mohs的許多磨料粒子，它們分散在粘附在底板材料至少一個表面上的粘合劑中。28.權(quán)利要求27的方法，其中基片包含VIII族金屬的表面包括元素形式的VIII族金屬或它們的合金。29.權(quán)利要求28的方法，其中包含VIII族金屬的表面包括元素鉑。30.權(quán)利要求27的方法，其中包含VIII族金屬的表面包括鉑合金。31.權(quán)利要求27的方法，其中VIII族金屬的存在量≥約10原子％。32.權(quán)利要求31的方法，其中VIII族金屬的存在量≥約20原子％。33.權(quán)利要求32的方法，其中VIII族金屬的存在量≥約50原子％。34.權(quán)利要求27的方法，其中基片是晶片。35.權(quán)利要求27的方法，其中許多磨料粒子包括CeO2、Y2O3、Fe2O3、或它們的混合物。36.權(quán)利要求35的方法，其中許多磨料粒子的大多數(shù)是CeO2磨料粒子。37.權(quán)利要求27的方法，其中平面化組合物包括氧化劑、絡合劑、或它們的混合物。38權(quán)利要求27的方法，其中除掉包含VIII族金屬的表面相對氧化物層的選擇性比例為至少約10∶1。全文摘要一種平面化方法，其中包括提供包含VIII族金屬的表面(優(yōu)選包含鉑的表面)，在平面化組合物存在下，將其放到與固定磨料制品接觸的位置上，其中固定磨料制品包括硬度不大于約6.5Mohs的許多磨料粒子，它們分散在粘附在底板材料至少一個表面上的粘合劑中。文檔編號B24B37/04GK1606486SQ02825566公開日2005年4月13日申請日期2002年12月17日優(yōu)先權(quán)日2001年12月21日發(fā)明者G·M·薩布德申請人:微米技術(shù)有限公司