專利名稱：陶瓷電子部件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陶瓷電子部件及其制造方法，尤其是有關(guān)例如在陶瓷胚體的端面上形成端子電極的陶瓷電子部件及其制造方法。
背景技術(shù)：
陶瓷電子部件具有在由導(dǎo)體和陶瓷絕緣體組成的陶瓷胚體上形成導(dǎo)體和導(dǎo)通的端子電機的結(jié)構(gòu)。端子電極通過在陶瓷胚體的端面上燒結(jié)的外部電極，和在外部電極上形成的鍍被膜形成。作為鍍被膜是，例如為了得到在錫焊時的防焊錫性，形成鍍Ni被膜。并且，為了使具有良好的焊錫性，形成鍍Sn或Sn/Pb等的被膜。象這樣的鍍被膜，用電鍍液在陶瓷胚體上進行電鍍，用所謂濕式電鍍法形成。
在陶瓷電子部件中，在陶瓷胚體本身存在微孔，同時，通過燒結(jié)形成的外部電極上也存在微孔。并且，當(dāng)在陶瓷胚體上形成內(nèi)部電極的情況下，內(nèi)部電極和陶瓷絕緣體的界面上也存在微孔。因此，當(dāng)把燒結(jié)的外部電極的陶瓷胚體浸在電鍍液中時，電鍍液侵入陶瓷胚體及外部電極的空隙中，形成殘留。
電鍍液主要是由Ni1、Sn或Sn/Pb等的各種金屬鹽組成。一旦在陶瓷胚體中殘留，則其本身作為異質(zhì)介質(zhì)作用的結(jié)果，電子部件的特性，例如靜電容量和介質(zhì)損耗等產(chǎn)生偏差。而且，在水分存在的情況下，作為離子進行轉(zhuǎn)移，這是絕緣電阻值下降等的原因。
為了防止象這樣電鍍液的侵入，其方法例如在燒結(jié)外部電極的陶瓷胚體上浸入硅或酚等的熱固化樹脂后，使樹脂固化，利用研磨表面多余的樹脂，或利用溶劑等洗凈多余的樹脂。利用這樣的方法，用樹脂封住陶瓷元件胚體和外部電極的空隙，通過濕式電鍍在外部電極表面上形成電鍍被膜。
從而，用象這樣的方法，必須使樹脂熱固化，通過熱固化使粘附在外部電極上的多余樹脂用研磨和洗凈等方法除去。這樣，用使在陶瓷胚體上浸入樹脂的方法，存在制造工序復(fù)雜，生產(chǎn)率低成本高這樣的問題。
再有，如果在完成的陶瓷電子部件上殘存合成樹脂，那么，在印刷電路板上安裝部件時，或安裝后在高溫和高濕環(huán)境下使用的情況下，在空隙中殘存的樹脂日趨溶解或質(zhì)變，恐怕有損于電子部件的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述原因，本發(fā)明的目的在于提供一種在陶瓷胚體中不侵入電鍍液的陶瓷電子部件和可簡單地制造象這樣陶瓷電子部件的陶瓷電子部件制造方法。
本發(fā)明的陶瓷電子部件制造方法，包括陶瓷胚體，和在所述陶瓷胚體的端面上形成的外部電極，和在所述外部電極上形成的電鍍被膜，其特征是，包括以下工序利用防水處理劑在所述陶瓷胚體上形成所述外部電極上實施防水處理，形成防止電鍍液侵入的被膜，及在所述外部電極上實施電鍍處理；所述防水處理劑包括使與外部電極吸附性良好的官能團，和具有疏水性的官能團。
更好是，使吸附性良好的官能團是至少從羥基、氨基、氫硫基中選擇一種組成的官能團，具有疏水性的官能團是至少從烷基、乙烯基、苯基、全氟基中選擇一種組成的官能團團。
更好是，防水處理劑在用Ra-(CH2)-Si-(O-Rb)3表示的式子中，Ra是具有疏水性的官能團，通過水解相當(dāng)于Rb的官能團的至少至少一種置換成羥基。
在象這樣的陶瓷電子部件的制造方法中，在進行陶瓷胚體上的防水處理時，置換成羥基的基最好使用相對水解前的基含有2～80％的防水處理劑。
而且，作為陶瓷胚體可使用具有多孔表面的陶瓷胚體。
在形成防止電鍍液侵入的被膜工序后，也可包括利用加熱產(chǎn)生的縮聚使外部電極和防水處理劑共價鍵合的工序。
還有，作為陶瓷胚體可用陶瓷和內(nèi)部電極組成的陶瓷胚體。
另外，外部電極可通過例如涂敷電極漿料燒結(jié)形成。
并且，本發(fā)明是可用上述任一記載的陶瓷電子部件的制造方法制造的陶瓷電子部件。
根據(jù)本發(fā)明的制造方法，利用使防水處理劑中包括的吸附性良好的官能團，使防水處理劑吸附在外部電極上。利用在防水處理劑中包括的疏水性的官能團，防止電鍍液浸入陶瓷胚體中。
尤其是，利用在防水處理劑中包含的羥基、氨基、氫硫基起到吸附官能團作用，防水劑被吸附在陶瓷胚體端面上形成的外部電極上。在外部電極上吸附的防水處理劑上，由于作為具有疏水性的官能團包括烷基、乙烯基、苯基、全氟基等，所以可防止電鍍液侵入陶瓷胚體。
并且，在用Ra-(CH2)-Si-(O-Rb)3表示的防水處理劑中，通過把相當(dāng)于Rb的官能團置換成對于電極具有吸附性的羥基，可提高對防水處理劑的外部電極的吸附力。
這時，置換成羥基的基利用對于水解前的基含有2～80％的防水處理劑，可得到優(yōu)異的防水效果。盡管置換成羥基，但是，對于水解前的基，如果小于2％，那么，不能獲得充分的防水處理劑的吸附效果，如果超過80％，那么，防水處理劑的吸附量過多，電鍍變差。
在外部電極上吸附防水處理劑后，加熱使縮聚，通過使防水處理劑和外部電極共價鍵合，可形成耐磨性優(yōu)異的電鍍液侵入防止被膜。
在用這樣的的電極形成方法的陶瓷電子部件中，在往外部電極上的電鍍工序中，可防止向陶瓷胚體的電鍍液侵入，可防止因電鍍液產(chǎn)生的陶瓷電子部件特性的變化。
作為陶瓷胚體，可用由陶瓷和內(nèi)部電極組成陶瓷胚體和多孔陶瓷胚體，即使是象這樣的陶瓷胚體，通過在其表面上吸附防水處理劑，也可防止電鍍液的侵入。
而且，涂敷電極漿料，即使在具有燒結(jié)的的外部電極的情況下，也可防止電鍍液的侵入。
根據(jù)本發(fā)明，防水劑被充分地吸附在外部電極上，由于得到防水效果，所以可防止電鍍液侵入陶瓷胚體中。并且，把形成外部電極的陶瓷胚體浸在防水處理劑中，僅僅干燥就可簡單地制作陶瓷電子部件，再有，使防水處理劑干燥之后，如果使之加熱縮聚，則耐磨性強，在工序中，難于剝離防水處理被膜。從而，即使在大批量生產(chǎn)陶瓷電子部件的情況下，也可防止因電鍍液的侵入產(chǎn)生特性變差。并且，即使在使用多孔陶瓷胚體的情況下，通過使用本發(fā)明的電極形成方法，也可防止對陶瓷胚體的電鍍液的侵入，可得到特性偏差小的陶瓷電子部件。


圖1是表示應(yīng)用本發(fā)明制造方法的陶瓷電子部件的一個例子的透視圖；圖2是圖1中所示的陶瓷電子部件的剖視圖；
具體實施例方式
本發(fā)明的上述目的，及其他目的，特征及優(yōu)點，通過參照附圖，詳細說明以下發(fā)明實施例會更清楚。
圖1是表示應(yīng)用本發(fā)明制造方法的陶瓷電子部件一個例子的透視圖，圖2是其剖視圖。陶瓷電子部件10包括陶瓷胚體12。作為陶瓷胚體12使用例如積層陶瓷電容器。積層陶瓷電容器用的陶瓷胚體12是通過在純凈陶瓷片上印刷電極材料，在多個純凈個陶瓷片上積層壓接后燒結(jié)成形。
象這樣得到的陶瓷胚體12具有燒結(jié)電極材料形成的內(nèi)部電極在兩端面交錯露出的的結(jié)構(gòu)。象這樣在露出內(nèi)部電機的陶瓷胚體12的兩端面上，形成端子電極14a、14b。端子電極14a、14b由各外部電極16a、16b和在其上形成的電鍍被膜18a、18b形成。此外，作為電鍍被膜18a、18b，不僅限于1層，可以是多層。例如，設(shè)想在外部電極16a、16b上形成具有耐錫焊性的Ni電鍍層，再有，形成錫焊性良好的Sn電鍍層和Sn/Pb電鍍層等。而且，作為陶瓷胚體2，可使用片狀電感器用和片狀電阻器用等的其他陶瓷胚體。
外部電極16a、16b通過在陶瓷胚體12的兩端面是涂敷電極漿料，燒結(jié)形成。由于在電機漿料中包括玻璃料，所以通過燒結(jié)外部電極形成多孔結(jié)構(gòu)。還有，雖然利用濕式電鍍法在外部電極16a、16b上形成電鍍被膜18a、18b，但是，這時，為了使電鍍液不通過外部電極16a、16b侵入陶瓷胚體12，所以在電鍍工序之前實施防水處理。
作為第1實施例使用以下防水處理劑。在用于實施防水處理的防水處理劑中，作為容易在外部電極16a、16b上吸附的官能團，可包括羥基、氨基、氫硫基中選擇至少一種。而且，在防水處理劑中，作為防止電鍍液侵入陶瓷胚體12的疏水性官能團，可包括從烷基、乙烯基、苯基、全氟基中選擇的至少一種。
在象這樣的防水處理劑上，浸濕形成外部電極16a、16b的陶瓷胚體12，在外部電極16a、16b上粘附防水處理劑，再通過風(fēng)干，形成防電鍍液侵入被膜。這時，利用在防水處理劑中包括對電極的吸附性良好的官能團，可提高對外部電極16a、16b的防水處理劑的吸附力。
接著，利用電鍍處理在外部電極16a、16b上形成電鍍被膜18a、18b。在該電鍍工序中，由于在外部電極16a、16b上附著防水處理劑，所以，利用具有疏水性的官能團的作用，可防止電鍍液從外部電極16a、16b的空隙中侵入陶瓷胚體12中。從而，陶瓷胚體12的特性不會因電鍍液的侵入而變化?？傻玫綗o特性偏離的陶瓷電子部件10。
而且，在防水處理劑上浸入外部電極16a、16b之后，利用加熱使防水處理劑縮聚，只要使防水處理劑和外部電極16a、16b形成共價鍵就行。通過象這樣的處理，防水處理劑和外部電極16a、16b強力結(jié)合，可提高防水處理劑的耐磨耗性，使外部電極16a、16b的密封性得以維持。
作為陶瓷胚體12，當(dāng)然具有象積層陶瓷電容器的介質(zhì)的致密結(jié)構(gòu)，如果是象電感器的鐵氧體那樣的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的材料也可以。即是說，由于利用防水處理劑可防止從外部電極的電鍍液的侵入，所以，也可防止電鍍液侵入到多孔陶瓷胚體12中。因此，盡管是象陶瓷胚體12這樣的結(jié)構(gòu)，也能獲得電鍍液侵入但特性不變化的陶瓷電子部件10。
接著，說明第2實施例的防水處理劑。用于防水處理的防水處理劑用Ra-(CH2)-Si-(O-Rb)3表示，相當(dāng)于該式的Rb的官能團的至少一個，利用水解置換成羥基。該羥基起到容易吸附在外部電極16a、16b上的官能團的作用。而且，Ra是防止電鍍液侵入陶瓷胚體12的疏水性官能團，例如，是從烷基、乙烯基、苯基、全氟基中選擇的至少一種。這時，置換成羥基的基利用相對水解的基含有2～80％的防水處理劑，可獲得優(yōu)異的效果。置換成羥基的基如果相對水解的基含有低于2％的防水處理劑，則不能獲得充分的防水處理劑的效果，如果超過80％，那么，使防水處理劑的吸附量過多，使電鍍性能變差。羥基的含有量可利用進行水解的時間進行控制。
在象該防水處理劑中，把形成外部電極16a、16b的陶瓷胚體12浸入，在外部電極16a、16b上附著防水處理劑，再進行風(fēng)干，形成防止電鍍液侵入的被膜。這時，通過含有在防水處理劑中對電極的吸附性良好的羥基，可提高對外部電極16a、16b的防水處理劑的吸附力。
接著，利用電鍍處理在外部電極16a、16b上形成電鍍被膜18a、18b。在該電鍍工序中，由于在外部電極16a、16b上附著防水處理劑，所以，根據(jù)具有疏水性的官能團作用，可防止電鍍液從外部電極16a、16b的空隙中侵入陶瓷胚體12。從而，陶瓷胚體12的特性不會隨電鍍液的侵入而變化，可得到特性不偏離的陶瓷電子部件10。
而且，在防水處理劑中浸入外部電極16a、16b之后，利用加熱使防水處理劑縮聚，也可使防水處理劑和外部電極16a、16b具有共價鍵。通過實施象這樣的處理，使防水處理劑和外部電極16a、16b強力結(jié)合，這樣可提高防水處理劑的耐磨耗性，可維持外部電極16a、16b的密封性。
這樣，利用使防水劑一部分OH化，使該羥基起到吸附基的作用，使防水處理劑可吸附在金屬上。這時，通過不使所有防水處理劑OH化，留下對金屬吸附性弱的防水處理劑，具有的OH基有力地吸附在電極上，沒有OH化的保持吸附性弱的狀態(tài)。因此，陶瓷胚體的外部電極上形成的防水處理劑被膜設(shè)想成為網(wǎng)孔狀，認為利用象這樣的網(wǎng)孔狀結(jié)構(gòu)，確保對外部電極的電鍍性，維持防水作用。
實施例1作為外部電極準(zhǔn)備形成Cu底電極的積層陶瓷電容器用的陶瓷胚體。燒結(jié)底電極后，為了進行防水處理，準(zhǔn)備防水劑。作為防水處理劑，對于作為有機溶劑的甲基乙基甲酮，使用投入30g/L的Ra-(CH2)-Si-(O-Rb)3。這里，Ra是全氟基，Rb是氨基。在該防水處理劑中浸入處理形成底電極的陶瓷胚體2分鐘，去掉液體，風(fēng)干之后，鍍Ni鍍Sn依次進行，制作積層陶瓷電容器。
對于得到的積層陶瓷電容器，在對截面結(jié)構(gòu)的外部電極內(nèi)部電鍍被膜形成狀態(tài)、焊接性、及溫度85℃、濕度85％的恒溫槽中施加4WV，評價經(jīng)1000小時后的絕緣電阻次品數(shù)(耐濕負荷試驗)。這里，1WV表示積層陶瓷電容器的額定電壓，4WV表示施加額定電壓的4倍電壓。作為比較例，對于不作防水處理形成電鍍被膜的積層陶瓷電容器、及在外部電極上浸入樹脂后，形成電鍍被膜的積層陶瓷電容器同樣進行評價。然后，在表1中表示其結(jié)果。對于表1中的分數(shù)，分母表示評價的取樣數(shù)，分子表示相當(dāng)于各項目的積層陶瓷電容器的次品個數(shù)。
表1

如從表1了解到，在采用該發(fā)明的電極形成方法的取樣中，不向電極內(nèi)的電鍍侵入，錫焊性能良好，在耐濕負荷試驗中，也未見絕緣電阻變差。與此相反，在不作防水處理的取樣中，向電極內(nèi)的電鍍侵入在100個取樣中發(fā)現(xiàn)12個。而且，在耐濕負荷試驗中，看到200個取樣中有5個絕緣電阻變差。并且，在浸入樹脂的取樣中，取樣100個內(nèi)有1個錫焊性能不佳，但是，這是認為外部電極表面的樹脂沒有充分除去，所以不能很好地形成電鍍被膜。
象這樣，通過進行該發(fā)明的防水處理，利用起吸附基作用的氨基把防水處理劑吸附在外部電極上，可獲得外部電極的密封效果。
實施例2與實施例1一樣，在防水處理劑中浸入在防水處理劑中形成底電極的積層陶瓷電容器用陶瓷胚體處理2分鐘，去掉液體，進行風(fēng)干。然后，把陶瓷胚體放入爐子，在100～120℃中熱處理30分鐘。作為比較例，與實施例1相同，不進行熱處理，準(zhǔn)備吸附防水處理劑的陶瓷胚體。然后，假設(shè)在大批量生產(chǎn)工序中的手工操作(ハンドリング)的防水處理劑剝離，有關(guān)這些陶瓷胚體，進行用2Lポリポット的60rpmj、30分鐘的滾筒處理。還有，在底電極上鍍Ni、鍍Sn依次進行，制造積層陶瓷電容器。對于這些積層陶瓷電容器，使與實施例1一樣，在表2中顯示進行向電極內(nèi)的電鍍侵入、錫焊性、而濕負荷試驗的結(jié)果。
表2

從表2中了解到，在只是風(fēng)干的情況下，在耐濕負荷試驗中，發(fā)現(xiàn)取樣數(shù)200個內(nèi)的2個向電極內(nèi)電鍍侵入，200個內(nèi)的2個發(fā)現(xiàn)絕緣電阻變差。認為這是通過滾筒處理，防水處理劑的被膜剝離的原因。與此相反，在進行熱處理的情況下，防水處理劑縮聚與底電極形成共價鍵，即使作滾筒處理也不會使防水處理劑剝離，在作耐濕負荷試驗中也未見絕緣電阻變差。
實施例3準(zhǔn)備由多孔鐵氧體材料組成的片狀電感器用的陶瓷胚體作為陶瓷胚體。使用該陶瓷胚體，與實施例1一樣，進行在外部電極的防水處理，依次鍍Ni和Sn，在陶瓷胚體兩端面上形成端子電極。作為比較例，制作不進行防水處理的，利用作為吸附基使用羧基的防水劑的，及進行樹月旨浸入的取樣。然后，與實施例1相同，在表3中顯示進行向電極內(nèi)的電鍍侵入、錫焊性、耐濕負荷試驗的結(jié)果。
表3

從表3了解到，有關(guān)實施該發(fā)明的防水處理，不向電極內(nèi)的電鍍侵入，錫焊性也良好，即使在耐濕負荷試驗中要未見絕緣電阻變差。與此相反，在比較例中，在耐濕負荷試驗中，看到絕緣電阻變差的取樣。對于這一點，在不進行防水處理的情況下，不能獲得防水性，在使用包括羧基的防水處理劑的情況下，認為是由于對于外部電極的防水劑的吸附性差的原因。并且在浸入樹脂的情況下，鐵氧體的空隙比外部電極的小，所以認為是用已有的樹脂不能充分浸入的原因。然而，在該發(fā)明的電極形成方法中所用的防水處理劑的情況下，防水處理劑容易吸附在外部電極中，可充分得到防水效果。
實施例4準(zhǔn)備形成Cu底電極的積層陶瓷電容器用的陶瓷胚體作為外部電極。在燒結(jié)底電極后，為了進行了防水處理所以準(zhǔn)備防水處理。作為防水處理劑準(zhǔn)備Ra-(CH2)-Si-(OCH3)3。將該處理劑投入使含有水分的異丙醇中30g/L，進行CH3水解。異丙醇是水溶性的溶劑，是在水解中所必需的。并且，Ra是起到具有疏水性的官能團作用的全氟基。
在進行CH3水解中，通過用X線光電分子光分析裝置的化學(xué)轉(zhuǎn)換，求-CH的產(chǎn)生量。制作的處理劑的OH含量對于原來的處理劑，規(guī)定為2％、10％、50％、80％、90％。將形成底電極的陶瓷胚體浸入該防水處理劑中2分鐘實施處理，去掉液體，風(fēng)干之后，依次電鍍Ni、Sn，制作積層陶瓷電容器。
對于獲得的積層陶瓷電容器，對往截面結(jié)構(gòu)的外部電極內(nèi)部的電鍍被膜形成狀態(tài)、鍍Ni的連續(xù)性、錫焊性及在溫度為85℃，在濕度為85％的恒溫槽中施加4WV，經(jīng)1000小時后的絕緣電阻不佳的次品數(shù)(耐濕負荷試驗)進行評價。這里，1WV表示積層電容器的額定電壓，4WV表示施加額定電壓的4倍電壓的電壓。作為比較例，對于不進行防水處理形成被膜的積層陶瓷電容器，使用不水解Ra-(CH2)-Si-(OCH3)3的CH的處理劑的積層陶瓷電容器，及在外部電極上浸入樹脂后形成被膜的積層陶瓷電容器，進行同樣的評價。然后，在表4中顯示其結(jié)果。有關(guān)表4中的分數(shù)分母表示評價的取樣，分子表示相應(yīng)各項目的積層電容器的次品數(shù)。
表4

如從表4中所了解到，在采用本發(fā)明電極形成方法的取樣中，不向電極內(nèi)電鍍侵入，Ni電鍍的連續(xù)性及錫焊性能也好，即使在耐濕負荷試驗中也看不到絕緣電阻變差。與此相反，在不進行防水處理和使用不水解的處理劑的取樣中，發(fā)現(xiàn)往電極內(nèi)的電鍍侵入，絕緣電阻變差。而且，在浸入樹脂和使用規(guī)定OH基量為90％的防水處理劑的取樣中，發(fā)現(xiàn)鍍Ni連續(xù)性及錫焊性不良。這些認為是外部電極表面的樹脂沒有被充分除去，或由于防水劑的附著量過多，使到不能更好地形成Ni電鍍被膜的緣故。
象這樣，根據(jù)該發(fā)明的防水處理，利用起吸附基作用的羥基使防水劑被吸附在外部電極上，可得到外部電機極的密封效果。但是，如果防水劑的進一步水解，使OH的含有量超過80％時，防水劑的吸附量變多，防水效果過高，使電鍍性能變差。而且，當(dāng)OH基含有量小于2％時，防水處理劑的吸附量變小，則不能獲得充分的防水效果。因此，防水處理劑的OH基含有量最好在2～80％范圍內(nèi)。
實施例5與實施例4一樣，把在水解了的防水處理劑中形成的底電極的積層陶瓷電容器用的陶瓷胚體浸入防水處理劑中2分鐘實施處理，去掉液體，進行風(fēng)干。然后，把陶瓷胚體放入爐子，在100～120℃的溫度下加熱30分鐘。作為比較例，與實施例4一樣，準(zhǔn)備不作熱處理吸附水解的防水處理劑的陶瓷胚體。然后，在大批量生產(chǎn)中，假設(shè)根據(jù)手工操作的防水處理劑的剝離，對于這些陶瓷胚體，以2Lポリポット60rm進行30分鐘的滾筒處理。再依次在底電極上電鍍Ni、Sn，制作積層陶瓷電容器。對于這些積層陶瓷電容器，與實施例4一樣，不進行往電極內(nèi)的侵入、Ni電鍍連續(xù)性、錫焊性、耐濕負荷試驗，其結(jié)果展示在表5中。
表5

從表5了解到，在僅風(fēng)干的情況下，對于耐濕負荷試驗，發(fā)現(xiàn)絕緣電阻變差。認為這是由于通過滾筒處理剝離了防水處理劑被膜的原因。與此相反，在熱處理的情況下，防水劑作縮聚，使與底電極共價鍵合，即使作滾筒處理防水處理劑也不剝離，發(fā)現(xiàn)即使在耐濕負荷試驗中也沒有發(fā)現(xiàn)絕緣電阻下降。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷電子部件的制造方法，所述陶瓷電子部件具有陶瓷基體、在該陶瓷基體的端面上形成的外部電極和在該外部電極上形成的鍍膜，所述方法包括以下工序用防水處理劑對上述形成于陶瓷基體上的外部電極上進行防水處理，形成防止鍍液侵入的薄膜，對該外部電極進行電鍍處理；其特征是，所述防水處理劑含有能改善對外部電極的吸附性的官能團和具有疏水性的官能團。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是，能改善吸附性的官能團是選自羥基、氨基、巰基中的至少一種，具有疏水性的官能團選自烷基、乙烯基、苯基、全氟基中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是，所述防水處理劑用Ra-(CH2)-Si-(O-Rb)3表示，式中，Ra是具有疏水性的官能團，Rb官能團的至少一個通過水解而轉(zhuǎn)換成羥基。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征是，在對陶瓷基體進行防水處理時，使用上述轉(zhuǎn)換成羥基的基團相當(dāng)于水解前的基團的2-80％的防水處理劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是，所述陶瓷基體具有多孔表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是，在形成用于防止鍍液侵入的薄膜的工序之后，還有通過加熱使上述防水處理劑縮聚、將外部電極和防水處理劑共價結(jié)合的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是，所述陶瓷基體由陶瓷和內(nèi)部電極組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是，所述外部電極通過涂敷電極糊、燒結(jié)而成。
9.一種陶瓷電子部件，用權(quán)利要求1所述的陶瓷電子部件的制造方法制成。
全文摘要
本發(fā)明獲得一種在陶瓷坯體中不侵入電鍍液的陶瓷電子部件,和簡單地制造象這樣的陶瓷電子部件的陶瓷電子部件制造方法。陶瓷電子部件包括陶瓷坯體,在其兩端面上形成端子電極。端子電極包括燒結(jié)的外部電極和在其上形成的電鍍被膜。為了形成該陶瓷電子部件,把具有外部電極的陶瓷坯體浸在防水處理劑中再干燥,實施電鍍處理。防水處理劑包括容易吸附在外部電極上的官能團和具有疏水性的官能團。
文檔編號C23C18/18GK1379421SQ0211831
公開日2002年11月13日 申請日期2002年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月26日
發(fā)明者真田幸雄, 齊藤芳則 申請人:株式會社村田制作所