專利名稱：真空成膜裝置用部件及使用該部件的真空成膜裝置及其覘板裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濺射裝置和CVD裝置等真空成膜裝置用的真空成膜裝置用部件及使用該部件的真空成膜裝置及其真空成膜裝置等用的覘板裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體元件和液晶元件等中是采用濺射法和CVD法等的成膜方法形成各種配線和電極等。具體地說，在半導(dǎo)體基板和玻璃基板等的被成膜基板上適用濺射法和CVD法等形成Al、Ti、Mo、W、Mo-W合金等的導(dǎo)電性金屬薄膜或者具有MoSi2、WSi2、TiSi2等導(dǎo)電性的金屬化合物薄膜、TiN和TaN等的金屬化合物薄膜。將這些薄膜用作配線層、電極層、壁壘層、襯底層(墊材)等。
然而，在形成上述薄膜時(shí)使用的濺射裝置和CVD裝置等真空成膜裝置中，成膜工序中配置在成膜裝置內(nèi)的各種部件不可避免地粘附和堆積著成膜材料。粘附和堆積在這些部件上的成膜材料(粘附膜)由于在成膜工序中從部件上剝落而成為造成粉塵的原因。這些粉塵一旦混入成膜基板上的膜中，則會(huì)在配線形成后引起短路和斷開等配線不良，導(dǎo)致成品質(zhì)量下降的后果。
為此，在傳統(tǒng)的真空成膜裝置中，有一種實(shí)施方法是將防粘附板和覘板的固定部件等的裝置構(gòu)件采用覘板材料或與其熱膨脹率相近的材料形成，或者在裝置構(gòu)件的表面形成覘板材料或與其熱膨脹率相近材料的覆膜(如日本專利特開昭60-26659號(hào)公報(bào)、特開昭63-161163號(hào)公報(bào)、特開昭63-243269號(hào)公報(bào)等)。采用這種結(jié)構(gòu)，防止因裝置構(gòu)件與成膜材料之間的熱膨脹率差異引起的粘附膜剝落。
但是，在真空成膜裝置的裝置構(gòu)件本身使用覘板材料等形成的場(chǎng)合，有時(shí)會(huì)引起元件強(qiáng)度下降。并且，因粘附在元件上的成膜材料(粘附膜)本身應(yīng)力的作用，往往會(huì)引起粘附膜剝落。另外，在元件表面形成有覘板材料覆膜的場(chǎng)合，會(huì)產(chǎn)生因采用該形成方法容易使覆膜本身剝落的問題。
并且，在日本專利特開昭61-56277號(hào)公報(bào)中記載有在元件表面形成Al和Mo噴鍍膜的同時(shí)將噴鍍膜的表面粗糙度規(guī)定在200μm以上。通過該噴鍍膜表面粗糙度防止粘附在元件上的成膜材料剝落。利用噴鍍膜的成膜裝置用部件在如日本專利特開平9-272965號(hào)公報(bào)中也有記載。其中，將裝置構(gòu)件表面形成的噴鍍膜氣體殘存量規(guī)定在10Torr·cc/g以下。
傳統(tǒng)的使用噴鍍膜的成膜裝置部件主要是通過噴鍍膜表面的較大的表面粗糙度來防止粘附在部件表面的成膜材料(粘附膜)剝落。這種防止粘附膜剝落的方法雖然能取得某種程度的效果，但會(huì)使粘附膜表面因噴鍍膜的表面粗糙而產(chǎn)生較大的凹凸，這些粘附膜表面較大的凹凸反過來又成為產(chǎn)生微細(xì)粉塵(粒子)的原因。另外，因粘附在部件表面的成膜材料內(nèi)部應(yīng)力引起的粘附膜剝落也是產(chǎn)生粉塵的原因。
特別是在最近的半導(dǎo)體元件中，為達(dá)到64M、256M、1G那樣的高集成度，將配線寬度控制在0.3μm、0.18μm甚至0.1μm以下，以求實(shí)現(xiàn)超小型化。在這種小型化的配線及具有該配線的元件中，即使混入如直徑0.2μm左右的極微小粒子，也會(huì)引起配線不良和元件不良等現(xiàn)象。
針對(duì)這種極其苛刻的條件，上述傳統(tǒng)的防止粉塵方法(防止粒子的方法)難以提高高集成化的半導(dǎo)體元件等的成品質(zhì)量。因此，為了提高具有高密度配線的半導(dǎo)體元件等成品質(zhì)量，強(qiáng)烈希望能抑制因裝置構(gòu)件產(chǎn)生的細(xì)微粉塵(粒子)。粉塵的問題不僅在成膜裝置的部件中，并且在濺射覘板或者冷卻保持濺射覘板的后板上也會(huì)產(chǎn)生同樣的問題。
另外，若是單純?cè)谘b置構(gòu)件等的表面形成噴鍍膜，則因殘留在噴鍍膜內(nèi)部的應(yīng)力，存在著容易使噴鍍膜本身剝落的問題。一旦產(chǎn)生了噴鍍膜及粘附在其上面的成膜材料(粘附膜)剝落，就會(huì)急劇增加粉塵的產(chǎn)生量，為此，通常是必須進(jìn)行裝置清洗或調(diào)換部件。清洗和調(diào)換部件會(huì)降低裝置的有效工件時(shí)間比例，結(jié)果是導(dǎo)致成膜成本上升。對(duì)此，強(qiáng)烈希望能通過抑制噴鍍膜剝落來延長裝置構(gòu)件的使用壽命。
本發(fā)明的目的在于提供一種在大幅度抑制在成模工序中從粘附的成膜材料產(chǎn)生粉塵的同時(shí)、可穩(wěn)定而有效地防止粘附的膜本身剝落的真空成膜裝置用部件及其覘板裝置。本發(fā)明另一目的在于提供一種能穩(wěn)定而有效地防止成膜工序中粘附的膜和噴鍍膜剝落，并在抑制因裝置清洗和件調(diào)換等造成成膜成本增加的同時(shí)抑制粉塵產(chǎn)生的真空成膜裝置用部件及其覘板裝置。還有一個(gè)目的是，提供一種可防止粉塵的混入、并在適應(yīng)高集成化半導(dǎo)體元件等發(fā)展趨勢(shì)的同時(shí)因提高有效工件時(shí)間比例而降低成膜成本的真空成膜裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明第1技術(shù)方案的真空成膜裝置用部件是一種真空成膜裝置的構(gòu)件(第1裝置構(gòu)件)，其特征在于，具有部件本體和在所述部件本體表面上形成的噴鍍膜，所述噴鍍膜的表面粗糙度具有由JIS(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))B 0601-1994規(guī)定的局部峰頂平均間隔S為50-150μm范圍、最大谷深Rv和最大峰高Rp分別為20-70μm范圍。
本發(fā)明第2技術(shù)方案的真空成膜裝置用部件是一種真空成膜裝置的構(gòu)件(第2裝置構(gòu)件)，其特征在于，具有部件本體和在所述部件本體表面上形成的噴鍍膜，所述噴鍍膜具有可從維氏硬度Hv30以下的Al系噴鍍膜、維氏硬度Hv100以下的Cu系噴鍍膜、維氏硬度Hv200以下的Ni系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Ti系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Mo系噴鍍膜、維氏硬度Hv500以下的W系噴鍍膜中至少選擇一種的低硬度覆膜。
在本發(fā)明的真空成膜裝置用部件中，噴鍍膜最好是具有由與成膜材料的熱膨脹率差異為15×10-6/k以下的金屬材料構(gòu)成的覆膜或與部件本體的熱膨脹率差異為20×10-6/k以下的金屬材料構(gòu)成的覆膜。在技術(shù)方案1中，這些噴鍍膜(覆膜)的表面粗糙度應(yīng)在上述范圍內(nèi)。在第2技術(shù)方案中，由低硬度覆膜構(gòu)成上述噴鍍膜(覆膜)。
又，本發(fā)明的噴鍍膜也可具有由不同材料構(gòu)成的2層以上覆膜。這些噴鍍膜具體的結(jié)構(gòu)例如可具有在部件本體上形成的由軟金屬材料構(gòu)成的應(yīng)力緩和層以及在應(yīng)力緩和層上形成的與成膜材料熱膨脹率差異為15×10-6/k以下的由金屬材料構(gòu)成的熱膨脹緩和層。在第2技術(shù)方案中，應(yīng)力緩和層和熱膨脹緩和層的至少一方由上述的低硬度覆膜構(gòu)成。此時(shí)，最好是應(yīng)力緩和層和熱膨脹緩和層都由低硬度覆膜構(gòu)成。
本發(fā)明的真空成膜裝置的特征在于，具有真空容器、配置在所述真空容器內(nèi)的被成膜試料保持部、在所述真空容器內(nèi)與所述被成膜試料保持部對(duì)向配置的成膜源、保持所述成膜源的成膜源保持部以及配置在所述被成膜試料保持部或成膜源保持部周圍的防粘附部件。在這種真空成膜裝置中，從被成膜試料保持部、成膜源保持部和防粘附部件中選擇的至少一種由上述本發(fā)明的真空成膜裝置用部件(第1裝置構(gòu)件或第2裝置構(gòu)件)構(gòu)成。
本發(fā)明的第1覘板裝置具有覘板本體和在所述覘板本體的非腐蝕區(qū)域形成的噴鍍膜。第2覘板裝置具有覘板和后板，所述后板包括保持所述覘板的后板本體和在所述后板本板表面上形成的噴鍍膜。
在這些覘板裝置中，第1技術(shù)方案的特征在于，具有噴鍍膜，所述噴鍍膜具有由JIS(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))B 0601-1994規(guī)定的局部峰頂平均間隔S為50-150μm范圍、最大谷深Rv和最大峰高Rp分別為20-70μm范圍的表面粗糙度。第2技術(shù)方案的特征在于，具有噴鍍膜，所述噴鍍膜具有從維氏硬度Hv30以下的Al系噴鍍膜、維氏硬度Hv100以下的Cu系噴鍍膜、維氏硬度Hv200以下的Ni系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Ti系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Mo系噴鍍膜和維氏硬度Hv500以下的W系噴鍍膜中選擇至少一種的低硬度覆膜。
在第1技術(shù)方案中，在真空成膜裝置用部件的部件本體上或覘板裝置的覘板和后板上形成的噴鍍膜表面粗糙度設(shè)定為由JIS B0601-1994規(guī)定的局部峰頂?shù)钠骄g隔S在50-150μm范圍，最大谷深R和最大峰高Rp分別在20-70μm范圍。
為防止粘附后的成膜材料(粘附膜)剝落，傳統(tǒng)的真空成膜裝置用部件的表面上使用的噴鍍膜方法是加大該表面的粗糙度。這是為了通過噴鍍膜表面較大的粗糙度來提高成膜材料的密合力。然而，一旦粘附膜堆積在表面粗糙度較大的噴鍍膜上，則會(huì)在粘附膜表面形成凹凸較大的形態(tài)。即，會(huì)促使容易引起粘附膜剝落的粒子堆積。因此，采用傳統(tǒng)的噴鍍膜的裝置構(gòu)件常常會(huì)發(fā)生從堆積在表面的粘附膜上脫落粒子形成粉塵(粒子)或者引起粘附膜本身剝落。
對(duì)此，在第1技術(shù)方案中，為使堆積在噴鍍膜上的粘附物穩(wěn)定粘附，將在部件本體表面形成的噴鍍膜表面粗糙度用局部峰頂?shù)钠骄g隔S、最大谷深Rv和最大峰高Rp作出規(guī)定。通過使堆積在噴鍍膜上的粘附膜穩(wěn)定粘附，就可大幅度抑制從粘附膜的粒子脫落和粘附膜的剝離。
如上所述，通過防止粒子的脫落和粘附膜的剝落，可減少粒子的產(chǎn)生量，從而大幅度提高由真空成膜裝置形成的各種膜以及使用這種膜的元件和部件成品的質(zhì)量。并且，粘附膜的穩(wěn)定化(抑制粘附膜的剝落)還可減少裝置清洗次數(shù)。由此可提高裝置有效工件時(shí)間比例和降低成膜成本。
在第2技術(shù)方案中，真空成膜裝置用部件的部件本體表面或覘板裝置的覘板和后板上形成的噴鍍膜至少一部分使用了具有如上所述的從維氏硬度的Al系噴鍍膜、Cu系噴鍍膜，Ni系噴鍍膜、Ti系噴鍍膜、Mo系噴鍍膜和W系噴鍍膜中選擇至少一種的低硬度覆膜。
在傳統(tǒng)的噴鍍膜中殘留著噴鍍形成時(shí)產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力，由此，在有外來的應(yīng)力負(fù)荷時(shí)容易使噴鍍膜內(nèi)部破損。這是噴鍍膜本身剝落的原因。對(duì)此，在本發(fā)明中使用了比通常噴鍍膜軟化的噴鍍膜。軟化后的噴鍍膜因可緩和內(nèi)部應(yīng)力(殘留應(yīng)力)，故在成膜工序中存在外部應(yīng)力負(fù)荷時(shí)，可有效地抑制來自噴鍍膜內(nèi)部的破損。這樣，就可防止噴鍍膜本身的剝落。并且，由于使噴鍍膜低硬度化，因此，還可緩和附在其上的成膜材料(粘附膜)內(nèi)部應(yīng)力。
這樣，不僅可抑制因噴鍍膜及堆積在其上面的粘附膜剝落引起的粉塵(粒子)產(chǎn)生，而且可大幅度減少裝置清洗和部件調(diào)換的次數(shù)。減少粉塵(粒子)的產(chǎn)生量可極大地提高由真空成膜裝置形成的各種膜及其使用該膜的元件和部件等的成品質(zhì)量。減少裝置清洗和部件調(diào)換的次數(shù)可提高裝置有效工件時(shí)間比例，并可大幅度降低成膜成本。
附圖簡(jiǎn)單說明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的真空成膜裝置用部件要部結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖2為說明本發(fā)明適用的表面粗糙度中的局部峰頂平均間隔S的圖。
圖3為說明本發(fā)明適用的表面粗糙度中的最大谷深Rv和最大峰高Rp用的圖。
圖4為模式表示圖1的真空成膜裝置用部件的噴鍍膜第1具體例結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖5為模式表示圖1的真空成膜裝置用部件的噴鍍膜第2具體例結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖6為適用本發(fā)明的覘板裝置的濺射覘板一實(shí)施形態(tài)概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖7為適用本發(fā)明的真空成膜裝置的濺射裝置一實(shí)施形態(tài)要部結(jié)構(gòu)圖。
圖8為本發(fā)明實(shí)施例1的使用濺射裝置時(shí)與比較例1的濺射裝置所作的粒子數(shù)變化比較圖。
本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)下面，說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。
圖1為本發(fā)明的真空成膜裝置用部件一實(shí)施例形態(tài)要部結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖中所示的真空膜裝置用部件1具有設(shè)在部件本體(基材)2表面上的噴鍍膜3。對(duì)部件本體2的構(gòu)成材料無特別的限定，但作為裝置部件的構(gòu)成材料來講，例如可采用普通的不銹鋼材料等。為獲得穩(wěn)定的效果，最好是預(yù)先經(jīng)噴射處理等使部件本體2的噴鍍膜形成面2a變粗糙。
為減少粒子的產(chǎn)生，上述噴鍍膜3最好是將噴鍍膜3的表面形成適用噴鍍法的可控制的形態(tài)。具體地講，根據(jù)部件本體2的構(gòu)成材料和形狀、使用的環(huán)境條件、噴鍍材料，選擇使用合適的等離子體噴鍍法、超高速火焰噴鍍法等。提高噴鍍膜3對(duì)部件本體2的密合力。并且，在通過成膜工序中的升溫以防止從部件本體2與噴鍍膜3的界面剝落等基礎(chǔ)上，噴鍍膜3應(yīng)由與部件本體2的熱膨脹率之差異為20×10-6/k以下的金屬材料形成，尤以熱膨脹率之差異為15×10-6/k以下為佳，最好是10×10-6/k以下。
噴鍍膜3在防止與附在其上面的成膜材料(粘附膜)的熱膨脹差異引起剝落的基礎(chǔ)上，應(yīng)由與成膜材料的熱膨脹率差異為15×10-6/k以下為佳，最好是5×10-6/k以下。若只考慮與成膜材料的關(guān)系，則噴鍍膜3最好是由與成膜材料相同的材料形成。在成膜用的膜采用合金膜和化合物膜等場(chǎng)合，噴鍍膜3最好是由包含有構(gòu)成成膜材料(成膜源)的至少一種金屬元素材料形成。符合了這些條件，就可抑制因粘附在噴鍍膜3上的成膜材料熱膨脹差異引起的剝落。
噴鍍膜3不限定由單一材料的覆膜構(gòu)成，例如也可由不同材料的2層以上覆膜構(gòu)成。作為具有2層以上覆膜的噴鍍膜3來講，例如可采用在部件本體2上形成的應(yīng)力緩和層(第1覆膜)和在其應(yīng)力緩和層上形成的熱膨脹緩和層(第2覆膜)的結(jié)構(gòu)。
應(yīng)力緩和層可使用如Al、Cu、Ni或其合金等的軟金屬材料。熱膨脹緩和層可使用與粘附膜熱膨脹差異小的金屬材料。與各層的部件本體2和成膜材料的具體性的熱膨脹率差異按照上述的規(guī)定。另外，可采用在表面?zhèn)染哂心透g性優(yōu)良的噴鍍膜結(jié)構(gòu)，為了緩和部件本體2與成膜材料的熱膨脹差異，也可采用按順序形成熱膨脹率不同的2層以上噴鍍膜的結(jié)構(gòu)等。
噴鍍膜3具有防止在成膜工序中粘附、堆積的成膜材料(粘附膜)剝離的功能。若真空成膜裝置用部件1的表面存在著某種程度的凹凸?fàn)顟B(tài)，就可將粘附膜的剝落抑制在某種程度的厚度范圍內(nèi)，但若粘附膜厚度較厚時(shí)，就有容易剝落的傾向。這是由于隨著粘附膜厚度增大使內(nèi)部應(yīng)力增大從而產(chǎn)生粘附膜剝落的緣故。
噴鍍膜3由于采用了含有大量氣孔的內(nèi)部結(jié)構(gòu)等，因此具有吸收粘附膜內(nèi)部應(yīng)力的作用，能有效地防止粘附膜的剝落。然而，在單純進(jìn)行噴鍍時(shí)會(huì)加大噴鍍膜的表面粗糙度。因而，容易產(chǎn)生從粘附膜上的粒子脫落和粘附膜本身的剝落。并且，在單純進(jìn)行噴鍍時(shí)，噴鍍膜的內(nèi)部殘留有應(yīng)力，由于這種內(nèi)部應(yīng)力，容易產(chǎn)生噴鍍膜本身的剝落。
在本發(fā)明中，首先，第1是為了抑制因噴鍍膜的表面粗糙引起的粒子脫落和粘附膜本身的剝落，將噴鍍膜3的表面粗糙度設(shè)定為由JIS B 0601-1994規(guī)定的局部峰頂?shù)钠骄g隔S在50-150μm范圍、最大谷深Rv和最大峰高Rp分別在20-70μm范圍。這是針對(duì)本發(fā)明的第1裝置構(gòu)件而言的。若采用具有這種適度的表面粗糙度的噴鍍膜3，就可穩(wěn)定地抑制從堆積在其上面的粘附膜上產(chǎn)生的粒子脫落和粘附膜本身的剝落。
如圖2所示，從使用表面粗糙度測(cè)定器求出的粗糙度曲線中，沿其平均線方向抽取基準(zhǔn)長度L，求出與相鄰的局部峰頂間對(duì)應(yīng)的平均線的長度(S1、S2……Sn)，表示這些測(cè)定值的平均值(mm)就是表面粗糙度的1個(gè)參數(shù)即局部峰頂?shù)钠骄g隔S。如圖3所示，將使用表面粗糙度測(cè)定器求出的粗糙度曲線劃分為基準(zhǔn)長度l，在各個(gè)基準(zhǔn)長度上求出從平均線至最深的谷底間的深度Rvi和從平均值至最高峰頂間的高度Rpi，最大谷深Rv和最大峰高Rp就是表示這些谷深Rvi和峰高Rpi的最大值(Rv和Rp)。
適用于傳統(tǒng)的裝置構(gòu)件表面的噴鍍膜在表面粗糙度較大時(shí)，堆積在其上面的粘附膜也會(huì)形成凹凸?fàn)顟B(tài)，堆積的粘附粒子很容易脫落。并且，一旦粘附膜變厚，則內(nèi)部應(yīng)力增大，在因凹凸造成的粘附膜上的臺(tái)階部分容易引起開裂，會(huì)促使粘附膜的剝落。為防止因這種噴鍍膜較大的表面粗糙引起的粒子脫落和粘附膜剝落，在本發(fā)明中，使用的是具有如上所述的由局部峰頂平均間隔S、最大谷深Rv和最大峰高Rp規(guī)定的表面粗糙度的噴鍍膜3。
采用表面的局部峰頂平均間隔S在50-150μm范圍的噴鍍膜，有助于堆積在其上面的粘附膜穩(wěn)定的柱狀結(jié)構(gòu)，可防止粒子的脫落和粘附膜的剝落。若局部峰頂?shù)钠骄g隔S不是50μm，則會(huì)促使堆積在其上面的粘附膜不穩(wěn)定的粒子結(jié)構(gòu)，容易使粘附膜產(chǎn)生剝落和粒子脫落。反之，若局部峰頂?shù)钠骄g隔S超過150μm，則會(huì)極大地降低粘附膜的密合力，反過來又容易使粘附膜剝落。在有效防止粘附膜剝落的基礎(chǔ)上，應(yīng)以噴鍍膜3表面的局部峰頂平均間隔S設(shè)定在70-100μm范圍為佳，最好是75-90μm范圍。
又，采用表面的最大谷深Rv和最大Rp分別為20-70μm范圍的噴鍍膜，可使粘附粒子更加均勻地堆積在噴鍍膜面上，故可防止粒子的脫落(粒子的產(chǎn)生)。
即，若最大谷深Rv和最大峰高Rp分別超過70μm，會(huì)使粘附粒子堆積不均勻。具體地講，在谷部產(chǎn)生局部性的空洞，或因峰部的斜影作用使粘附粒子堆積不均勻。由于這種粘附粒子的堆積狀態(tài)非常不穩(wěn)定，會(huì)從粘附膜上產(chǎn)生粒子脫落。并且，粘附膜的堆積形狀出現(xiàn)高度差異，會(huì)降低堆積在高的部位上的粒子粘附力，引起粒子的脫落。
反之，若最大谷深Rv和最大峰高Rp分別不足20μm，則會(huì)降低粘附膜的密合力，容易引起粘附膜的剝落。為了更有效地防止粒子的脫落(粒子的產(chǎn)生)，并提高粘隊(duì)膜的耐久性，應(yīng)以噴鍍膜3的最大谷深Rv和最大峰高Rp分別在30-60μm范圍為佳，最好是分別在30-40μm范圍。
從噴鍍膜3在其形成過程中具有復(fù)雜的表面形態(tài)的觀點(diǎn)出發(fā)，可使粘附膜具有良好的密合性。但若表面粗糙度過于太大，會(huì)引起如上所述的粒子脫落和粘附膜剝落現(xiàn)象。為此，在由JIS B 0601-1994規(guī)定的算術(shù)平均粗糙度R表示噴鍍膜3的表面粗糙度場(chǎng)合，算術(shù)平均粗糙度Ra最好在5-15μm范圍。
若噴鍍膜3表面的算術(shù)平均粗糙度Ra超過15μm，則噴鍍膜3表面的凹凸過大，容易使粘附膜產(chǎn)生粒子。并且，由于粘附膜不是整體地粘附在噴鍍膜3上，殘留有空洞，因此，有可能會(huì)以空洞為起點(diǎn)引起粘附膜的剝落。反之，若噴鍍膜3表示的算術(shù)平均粗糙度Ra不足5μm，則會(huì)降低粘附膜的保持力，有可能使粘附膜容易剝落。噴鍍膜3表面的算術(shù)平均粗糙度R應(yīng)以8-12μm范圍為佳，最好是10-12μm范圍。
具有上述表面粗糙度的噴鍍膜3適用于例如使用粉末原料的粉末式火焰噴鍍和等離子體噴鍍，并且，通過控制粉末原料的粒徑即可獲得。在粉末式火焰噴鍍時(shí)，尤其適合采用超高速火焰噴鍍。超高速火焰噴鍍和等離子體噴鍍實(shí)施時(shí)的具體條件應(yīng)根據(jù)原料粉末的材質(zhì)等來適當(dāng)設(shè)定。例如，通過使用粒徑一致的原料粉末，實(shí)施超高速火焰噴鍍和等離子體噴鍍，就可獲得具有上述合適的表面粗糙度的噴鍍膜3。并且，也可在噴鍍后進(jìn)行表面清洗等處理來調(diào)整噴鍍膜3的表面粗糙度。為控制噴鍍膜3的表面粗糙度，再一個(gè)具體條件是適當(dāng)變更電流、電壓、氣流量、噴鍍距離、原料粉末的供給量等噴鍍條件。
為獲得防止噴鍍膜3的粘附膜剝落的效果，最好是可適量調(diào)整噴鍍膜3的膜厚。從這一觀點(diǎn)出發(fā)，噴鍍膜3的膜厚應(yīng)以50-500μm范圍為佳。如前所述，噴鍍膜3具有降低粘附膜內(nèi)部應(yīng)力的效果，但這種降低應(yīng)力的效果因厚度不同會(huì)有差異。若噴鍍膜3的厚度不足50μm，則會(huì)減小應(yīng)力降低的效果，容易使粘附膜剝落。反之，若超過500μm，則會(huì)使噴鍍膜3本身產(chǎn)生較大的內(nèi)部應(yīng)力，從而使噴鍍膜3本身容易引起剝落。為獲得比上述更好的效果，噴鍍膜3的膜厚應(yīng)處在100-300μm范圍，最好是在200-250μm范圍。
采用上述第1裝置構(gòu)件的噴鍍膜3由于將其表面粗糙度規(guī)定在局部峰頂平均間隔S在50-150μm范圍、最大谷深R和最大峰高Rp分別在20-70μm范圍，因此，可有效地抑制從粘附膜的粒子脫落即粒子的產(chǎn)生。并可利用噴鍍膜3的表面粗糙防止粘附膜剝落。
這樣，通過大幅度抑制因從粘附膜的粒子脫落和粘附膜剝落所產(chǎn)生的粒子，可大幅度提高由真空成膜裝置形成的各種膜及其使用該膜的元件和部件的成品質(zhì)量。并且，通過抑制粘附膜的剝落，可減少裝置的清洗次數(shù)，從而提高成膜裝置的有效工件時(shí)間比例，大大減少成膜成本。
在本發(fā)明中，第2是為了抑制因噴鍍膜3內(nèi)部應(yīng)力引起的噴鍍膜本身的剝落，噴鍍膜3使用了如下一種覆膜即、從維氏硬度Hv30以下的Al系噴鍍膜、維氏硬度Hv100以下的Cu系噴鍍膜、維氏硬度Hv200以下的Ni系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Ti系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Mo系噴鍍膜和維氏硬度Hv500以下的W系噴鍍膜中的至少一種低硬度覆膜。這是針對(duì)本發(fā)明的第2裝置構(gòu)件而言的。
這些噴鍍膜的較佳硬度是Al系噴鍍膜、Hv25以下、Cu系噴鍍膜Hv80以下、Ni系噴鍍膜Hv150以下、Ci系噴鍍膜Hv250以下、Mo系噴鍍膜Hv250以下、W系噴鍍膜H從維氏硬度Hv30以下的Al系噴鍍膜、維氏硬度Hv100以下的Cu系噴鍍膜、維氏硬度Hv200以下的Ni系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Ti系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Mo系噴鍍膜和維氏硬度Hv500以下的W系噴鍍膜中的至少一種低硬度覆膜Hv400以下。最佳硬度分別是Al系噴鍍膜Hv20以下、Cu系噴鍍膜Hv70以下、Ni系噴鍍膜Hv100以下、Ti系噴鍍膜Hv200以下、Mo系噴鍍膜Hv200以下、W系噴鍍膜Hv350以下。
本發(fā)明規(guī)定的噴鍍膜的維氏硬度是如下所示的測(cè)定值。即，先將噴鍍膜3的表面研磨后使其平坦化。其次，用金剛石壓頭以負(fù)荷200g在平坦化的面上推壓30秒鐘。對(duì)由此產(chǎn)生的壓痕的長度進(jìn)行X和Y方向測(cè)定，從其平均長度換算成維氏硬度值。進(jìn)行5次這樣的測(cè)定，將其平均值作為本發(fā)明的維氏硬度。
噴鍍膜3既可只由上述低硬度金屬噴鍍膜中的1個(gè)低硬度覆膜構(gòu)成，也可由各金屬噴鍍膜中的2個(gè)以上低硬度覆膜的層疊膜構(gòu)成。并且，在由2層以上的覆膜構(gòu)成噴鍍膜3時(shí)，其中至少一層應(yīng)是低硬度覆膜。
通過例如在噴鍍后實(shí)施清洗處理并軟化，即可獲得具有如上所述的噴鍍膜(低硬度覆膜)3。由于使噴鍍膜3低硬度化來充分緩和內(nèi)部應(yīng)力，因此，在成膜工序中受到外部應(yīng)力(如熱應(yīng)力)負(fù)荷時(shí)，可有效地抑制來自噴鍍膜3內(nèi)部的破損。由此，可防止噴鍍膜3本身的剝落。所謂上述各金屬噴鍍膜的硬度分別超過上述的值意味著不能充分緩和內(nèi)部應(yīng)力。在這種噴鍍膜3上是不能抑制內(nèi)部損壞以及因損壞引起的剝落的。
上述各自的金屬噴鍍膜未必一定是單體金屬膜，也包括以各金屬為主體的合金膜。從噴鍍膜3的低硬度化等觀點(diǎn)出發(fā)，最好是各自的單體金屬膜，即、Al噴鍍膜、Cu噴鍍膜、Ni噴鍍膜、Ti噴鍍膜、Mo噴鍍膜、Wo噴鍍膜。這些各金屬噴鍍膜最佳的維氏硬度分別為Al噴鍍膜Hv25以下、Cu噴鍍膜Hv75以下、Ni噴鍍膜Hv150以下、Ti噴鍍膜Hv250以下、Mo噴鍍膜Hv250以下、W噴鍍膜Hv450以下。
合金膜可采用Al-Cu合金膜、Al-Ti合金膜、Cu-Al合金膜、Cu-Zn合金膜、Ni-Al合金膜、Ni-Cr合金膜、Ti-Al合金膜、Mo-Ta合金膜、Mo-W合金膜等。
為使噴鍍膜3低硬度化的清洗處理也可根據(jù)形成噴鍍膜3的材料來實(shí)施，但在例如真空環(huán)境、非活性環(huán)境、回原性環(huán)境等多種環(huán)境中，最好是在如下的溫度條件下實(shí)施。即，Al單層時(shí)200-450℃、Cu單層時(shí)300-900℃、Ni單層時(shí)300-900℃、Ti單層時(shí)300-900℃、Mo和W單層時(shí)300-1200℃。
處理溫度太低時(shí)，不能充分緩和噴鍍膜3的內(nèi)部應(yīng)力，往往不能達(dá)到上述的低硬度。反之，若處理溫度太高，有可能會(huì)使部件本體2熱變形或引起噴鍍膜3剝落。金屬噴鍍膜最佳的清洗溫度分別是Al單層時(shí)250-350℃、Cu單層時(shí)600-800℃、Ni單層時(shí)450-750℃、Ti單層時(shí)350-650℃、Mo單層和W單層時(shí)600-900℃范圍。
在由2層以上覆膜的層疊膜構(gòu)成噴鍍膜3時(shí)，最好是以熔點(diǎn)低的材料溫度為基準(zhǔn)實(shí)施清洗處理。層疊構(gòu)造的噴鍍膜3最佳的清洗溫度應(yīng)根據(jù)不同的使用材料而改變。表1表示層疊構(gòu)造的噴鍍膜3最佳的清洗溫度代表例。
表1

采用上述第2裝置構(gòu)件的噴鍍膜3由于使用了緩和內(nèi)部應(yīng)力的低硬度覆膜(低硬度的金屬噴鍍膜)，因此可有效地抑制噴鍍膜3本身的剝落。通過使噴鍍膜3低硬度化，還可緩和粘附在其上面的成膜材料(粘附膜)的內(nèi)部應(yīng)力，并可抑制噴鍍膜3上的粘附膜本身的剝落。
由此，可大幅度減少因噴鍍膜3及堆積在其上面的粘附膜剝落所需的裝置清洗和部件調(diào)換的次數(shù)。換言之，可大幅度延長裝置構(gòu)件1的壽命。故通過延長裝置構(gòu)件1的使用壽命，可提高成膜裝置的有效工作時(shí)間比例，并可降低成膜成本。又因可抑制因噴鍍膜3及在其上面的粘附膜剝落產(chǎn)生的粉塵，可提高由真空成膜裝置形成的各種膜及其使用該膜的元件和部件等成品的質(zhì)量。
本發(fā)明的真空成膜裝置用部件1最好同時(shí)具有上述第1裝置構(gòu)件和第2裝置構(gòu)件的結(jié)構(gòu)。即，最好是在控制表面粗糙度的同時(shí)，在真空成膜裝置用部件1上使用上述具有低硬度覆膜的噴鍍膜3。采用這種真空成膜用部件1，可大幅度提高各種膜及使用該膜的元件等的質(zhì)量，并可大幅度地減少裝置清洗和部件調(diào)換的次數(shù)。
在本發(fā)明的第1和第2裝置構(gòu)件中，作為噴鍍膜3的具體結(jié)構(gòu)來講，例如可采用圖4和圖5的構(gòu)造。圖4表示只使用熱膨脹緩和層4結(jié)構(gòu)的噴鍍膜3，該熱膨脹緩和層4由與成膜材料的熱膨脹率差異在15×10-6/k以下的金屬材料構(gòu)成。圖5表示由層疊膜構(gòu)成的噴鍍膜3，該層疊膜由軟金屬材料構(gòu)成的應(yīng)力緩和層5和由與成膜材料的熱膨脹率差異在15×10-6/k以下的金屬材料構(gòu)成的熱膨脹緩和層4所組成。在圖5所示的層疊式噴鍍膜3上，應(yīng)力緩和層5作為熱膨脹緩和層4的襯底層設(shè)置在部件本體2與熱膨脹緩和層4之間。
在噴鍍膜3由應(yīng)力緩和層5和熱膨脹緩和層4的層疊膜構(gòu)成的場(chǎng)合，熱膨脹緩和層4的厚度最好在50-150μm范圍，應(yīng)力緩和層5的厚度最好在100-300μm范圍。噴鍍膜3的整體厚度如前所述。若熱膨脹緩和層4的厚度不足50μm，則往往不能充分獲得其功能。若應(yīng)力緩和層5的厚度不足100μm，也不能充分獲得其功能。但是，若熱膨脹緩和層4和應(yīng)力緩和層5的一方太厚，則另一方的厚度又太薄，故熱膨脹緩和層4的厚度最好在150μm以下，應(yīng)力緩和層5的厚度最好在300μm以下。
構(gòu)成噴鍍膜3的金屬材料的種類應(yīng)根據(jù)其用途適當(dāng)選擇。例如，在圖4和圖5所示的膨脹緩和層4使用低硬度覆膜的場(chǎng)合，根據(jù)成膜材料(粘附膜)的不同種類，可從Al系噴鍍膜、Cu系噴鍍膜、Ti系噴鍍膜、Ni噴鍍膜、Mo系噴鍍膜、W系噴鍍膜中進(jìn)行適當(dāng)選擇。這樣，熱膨脹緩和層4雖然由上述的低硬度覆膜構(gòu)成，但也可使用除此之外的材料和硬度。
采用由低硬度覆膜構(gòu)成的熱膨脹緩和層4，不僅可緩和其本身內(nèi)部應(yīng)力，獲得抑制剝落的效果，并且還可獲得緩和粘附在其上面的成膜材料(粘附膜)內(nèi)部應(yīng)力的效果。即，當(dāng)成膜材料粘附并堆積在噴鍍膜3上時(shí)，其內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力。因噴鍍膜3低硬度化，故可緩和該成膜材料粘附和堆積時(shí)產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力，并可抑制噴鍍膜3上的粘附膜本身的剝落。
由軟金屬材料構(gòu)成的應(yīng)力緩和層5最好也使用本發(fā)明的低硬度覆膜。作為適用于應(yīng)力緩和層5的低硬度覆膜例如可采用維氏硬度Hv30以下的Al系噴鍍膜、維氏硬度Hv100以下的Cu系噴鍍膜、維氏硬度Hv200以下的Ni系噴鍍膜。由于應(yīng)力緩和層5使用了這些低硬度覆膜，因此，可進(jìn)一步提高軟金屬材料的緩和應(yīng)力的效果。
構(gòu)成噴鍍膜3的金屬膜不限定于上述的低硬度覆膜，例如也可使用Ta系噴鍍膜和Fe基合金(如不銹鋼)系的噴鍍膜等。在熱膨脹緩和層4和應(yīng)力緩和層5以外的功能層中使用噴鍍膜的場(chǎng)合，可根據(jù)它的用途選擇適當(dāng)?shù)慕饘俨牧鲜褂谩?br> 上述本發(fā)明的裝置構(gòu)件1是用于濺射裝置和CVD裝置等的真空成膜裝置構(gòu)件的。裝置構(gòu)件1若是成膜工序中粘附成膜材料的部件，則可適用于各種部件。并且，裝置構(gòu)件1的構(gòu)成噴鍍膜3的金屬材料應(yīng)根據(jù)適用的成膜裝置和成膜工序等適當(dāng)選擇來使用。
例如，在半導(dǎo)體元件的制造工序中，在對(duì)Ti系壁壘層進(jìn)行濺射成膜時(shí)，可使用Al系噴鍍膜5/Ti系噴鍍膜4的層疊膜、Ti系噴鍍膜4的單層膜等。在對(duì)Ta系襯底膜進(jìn)行濺射成膜時(shí)，可使用Cu系噴鍍膜4的單層膜等。在對(duì)WSix電極進(jìn)行濺射成膜時(shí)，可使用Al系噴鍍膜5/W系噴鍍膜4的層疊膜等。在對(duì)Al配線進(jìn)行濺射成膜時(shí)，可使用Al系噴鍍膜5的單層膜等。同樣，在液晶顯示元件的制造工序中，對(duì)各種電極膜和配線膜等進(jìn)行濺射成膜時(shí)，可使用Al系噴鍍膜5的單層膜等。
本發(fā)明可適用真空成膜裝置構(gòu)件的成膜工序不限定于半導(dǎo)體元件和液晶顯示元件的制造工序，也可適用于各種記錄媒體和記錄再生用磁頭的制造工序、薄膜電容和電阻等的電子元件制造工序、玻璃元件的制造工序等。
本發(fā)明的裝置構(gòu)件1也可適用于CVD裝置。作為在CVD裝置上使用本發(fā)明的裝置構(gòu)件1的具體例子，可列舉出在表面形成噴鍍膜的CVD用電極等。例如，在非晶形Si膜的成膜用CVD電極是在其表面形成Al系噴鍍膜的。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)適用于這種Al系噴鍍膜。
在上述的實(shí)施形態(tài)中，對(duì)本發(fā)明的真空成膜裝置構(gòu)件適用例作了說明，但本發(fā)明的噴鍍膜也對(duì)覘板裝置適用。即，在覘板本體的非腐蝕區(qū)域形成噴鍍膜的場(chǎng)合，或者在為保持覘板的后板本體的表面形成噴鍍膜的場(chǎng)合，也可適用具有上述結(jié)構(gòu)的噴鍍膜。
圖6表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的覘板裝置概略結(jié)構(gòu)。圖中所示的覘板裝置具有覘板本體11和保持該覘板本體11的后板12。覘板本體11的中心和外周部分實(shí)際上不進(jìn)行濺射，是非腐蝕區(qū)域A。區(qū)域B表示腐蝕區(qū)域。
在上述覘板本體11的非腐蝕區(qū)域A中再附有被濺射的粒子。在這種非腐蝕區(qū)域A的粘附物剝落時(shí)，也與其它部件上剝落粘附物一樣，成為配線膜等不良的原因。因此，在覘板本體11的非腐蝕區(qū)域A中，形成具有在上述真空成膜裝置構(gòu)件的實(shí)施形態(tài)中說明過的結(jié)構(gòu)、材質(zhì)、硬度、表面粗糙度、膜厚等的噴鍍膜。這樣，在覘板本體11的非腐蝕區(qū)域A中，通過預(yù)先形成上述本發(fā)明的噴鍍膜3，就可防止因粘附物剝落引起的配線不良和元件不良等。
在后板12的露出表面也再附有被濺射的粒子。對(duì)于這種后板12的露出表面，也可通過預(yù)先形成上述本發(fā)明的噴鍍膜3，以防止因粘附物剝落引起的配線不良和元件不良等。該后板由后板本體12和在其露出表面上形成的噴鍍膜3構(gòu)成。
下面說明本發(fā)明的真空成膜裝置的實(shí)施形態(tài)。圖7表示本發(fā)明的真空成膜裝置適用于濺射裝置的一實(shí)施形態(tài)的要部結(jié)構(gòu)。在圖中，11是固定在后板12上的濺射覘板。在作為該成膜源的濺射覘板11的外周部下方設(shè)有接地屏蔽板13。在接地屏蔽板13的下方還配設(shè)有上部防護(hù)板14和下部防護(hù)板15。
被成膜試料即基板16與濺射覘板11對(duì)向配置，由被成膜試料保持部即壓環(huán)17保持。這些部件都被配置在未圖示的真空容器內(nèi)。在真空容器內(nèi)連接有導(dǎo)入濺射氣體用的氣體供給系統(tǒng)(未圖示)與對(duì)真空容器內(nèi)進(jìn)行排氣直至所定的真空狀態(tài)的排氣系統(tǒng)(未圖示)。
在本實(shí)施形態(tài)的濺射裝置中，由上述本發(fā)明的真空成膜裝置用部件1構(gòu)成接地屏蔽板13、上部防護(hù)板14、下部防護(hù)板15和壓環(huán)17。真空成膜裝置用部件1的具體結(jié)構(gòu)如前所述。在本實(shí)施形態(tài)中，在濺射覘板11的非腐蝕區(qū)域設(shè)有同樣的噴鍍膜。在后板12的露出表面也設(shè)有同樣的噴鍍膜3。在從濺射覘板11濺射的粒子的粘附面上均形成有噴鍍膜3。
上述的濺射裝置在成膜工序中，雖然在接地屏蔽板13、上部防護(hù)板14、下部防護(hù)板15、壓環(huán)17、濺射覘板11、后板12等的表面粘附著濺射的成膜材料(覘板11的構(gòu)成材料)，但通過表面的噴鍍膜3，可穩(wěn)定而有效地防止這種粘附物剝落。并且，噴鍍膜3本身也很穩(wěn)定，使用壽命長。
由此，可大幅度抑制粉塵和粒子的產(chǎn)生量，以及向基板16上形成的膜中的混入量。因而，可大幅度提高64M、256M、1G高集成度的半導(dǎo)體元件和液晶顯示元件等的成品質(zhì)量。即，即使是配線寬度在0.2μm以下狹小的形成了高寬度配線網(wǎng)的配線膜，也可大幅度抑制微小粒子(如直徑0.2μm以上)的混入，由此可大幅度減少配線不良現(xiàn)象，并提高成品質(zhì)量。
又由于可穩(wěn)定而有效地抑制粘附物和噴鍍膜3本身的剝落，因此，可大幅度減少裝置清洗和部件調(diào)換的次數(shù)。通過減少該裝置清洗和部件調(diào)換的次數(shù)，就可提高濺射裝置的有效工作時(shí)間比例。即，可降低濺射裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)成本，進(jìn)而減小各種薄膜的成膜成本。
上述實(shí)施形態(tài)是以采用本發(fā)明的部件構(gòu)成接地屏蔽板13、上部防護(hù)板14、下部防護(hù)板15。壓環(huán)17、濺射覘板11、后板12為例作了說明，但除此之外，也適用于采用本發(fā)明的真空成膜裝置用部件構(gòu)成覘板外周壓板(未圖示)、檔板(未圖示)等。并且，對(duì)于除此之外的部件，只要是在成膜工序中不可避免產(chǎn)生成膜材料粘附的部件，均適用于本發(fā)明的真空成膜裝置用部件。
這樣，本發(fā)明的真空成膜裝置通過采用本發(fā)明的真空成膜裝置用部件構(gòu)成從被成膜試料保持部、成膜源保持部、防護(hù)部件等中至少選擇的一種，具有如上所述的優(yōu)良效果。另外，本發(fā)明也同樣適用于覘板和后板。
上述實(shí)施形態(tài)是以本發(fā)明的真空成膜裝置適用于濺射裝置為例作了說明，但除此之外，本發(fā)明的真空成膜裝置也可適用于真空蒸鍍裝置(包括離子噴鍍和激光燒蝕等)、CVD裝置等，可獲得與上述濺射裝置一樣的效果。
下面詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實(shí)施例。(實(shí)施例1、比較例1)首先，采用等離子體噴鍍法，在SUS 304制基材的表面上按順序形成厚度250μm的Al噴鍍膜和厚度100μm的Ti噴鍍膜，制成圖7所示的濺射裝置的接地屏蔽板13、上部防護(hù)板14、下部防護(hù)板15和壓環(huán)17。使用這些部件構(gòu)成磁控管濺射裝置。
Al噴鍍是使用粉末平均粒徑為52μm的Al噴鍍?cè)?，在電?00A、電壓80V條件下實(shí)施。Ti噴鍍上使用粉末平均粒徑為65μm的Ti噴鍍?cè)?，在電?00A、電壓65V條件下實(shí)施。噴鍍時(shí)的周圍環(huán)境分別是Ar和H2的混合環(huán)境，在以73L/min供給Ar的同時(shí)，以81/min供給H2。在對(duì)各部件作了Ti噴鍍面清洗處理后，再經(jīng)退火處理和脫氣處理，在真空中的350℃×3hr條件下實(shí)施熱處理。
Ti噴鍍膜的表面粗糙度分別是局部峰頂?shù)钠骄g隔S為83μm、最大谷深Rv為36μm、最大峰高Rp為42μm。這些表面粗糙度是采用テ-ラ-ホプリン公司制的表面粗糙度測(cè)定儀S4C測(cè)定的值。并且，在退火處理后，各噴鍍膜的硬度分別是Al噴鍍膜為Hv20、Ti噴鍍膜為Hv230。
在這種磁控管濺射裝置中裝上高純度Ti覘板11，進(jìn)行磁控管濺射，先在8寸薄片上形成Ti薄膜。接著，一邊在其上面導(dǎo)入N2氣體一邊進(jìn)行磁控管濺射，形成TiN薄膜。用電子顯微鏡放大觀察制成的Ti/TiN薄膜的表面形態(tài)時(shí)具有良好的形態(tài)。然后，測(cè)量Ti/TiN薄膜上的直徑0.2μm以上的粒子數(shù)。連續(xù)進(jìn)行這一操作，并調(diào)查粒子數(shù)的變化，其結(jié)果詳見圖8。
另一方面，作為與本發(fā)明的比較例1，按以下方法制作與上述實(shí)施例1相同的各部件。先采用電弧噴鍍法，在SUS304制基材的表面上形成厚度100μm的Al噴鍍膜，接著，采用等離子體噴射法形成厚度250μm的Ti噴鍍膜。使用這些部件構(gòu)成磁控管濺射裝置。各部件在經(jīng)Ti噴鍍面清洗處理后裝入磁控管濺射裝置內(nèi)。Ti噴鍍膜的表面粗糙度分別是局部峰頂?shù)钠骄g隔S為126μm、最大谷深R為75μm、最大峰高Rp為85μm。各噴鍍膜的硬度分別是Al噴鍍膜Hv35、Ti噴鍍膜Hv380。
使用上述比較例1的磁控管濺射裝置，與實(shí)施例1一樣，在8英寸薄片上形成Ti/TiN薄膜，調(diào)查粒子數(shù)的變化。其結(jié)果也在圖8中表示。用電子顯微鏡放大觀察比較例1的Ti/TiN膜的表面形態(tài)，性能不如實(shí)施例1。
從圖8中可以看出，實(shí)施例1的磁控管濺射裝置的粒子產(chǎn)生量在150組以內(nèi)穩(wěn)定而又少，反之，比較例1的磁控管濺射裝置不僅突發(fā)性產(chǎn)生粒子，而且總體的粒子產(chǎn)生量也多。由此可以確認(rèn)，使用實(shí)施例1的噴鍍膜可有效而穩(wěn)定地防止粒子的產(chǎn)生。(實(shí)施例2、比較例2)
與上述實(shí)施例1一樣，采用表2所示的形式Al噴鍍膜和Ti噴鍍膜的層疊膜的各部件，分別構(gòu)成磁控管濺射裝置。噴鍍膜的最表面的表面粗糙度和各噴鍍膜的硬度詳見表2。噴鍍膜的表面粗糙度根據(jù)粉末粒徑作了調(diào)整。噴鍍膜的硬度根據(jù)退火條件了調(diào)整。
使用這些磁控管濺射裝置，與實(shí)施例1一樣，在8英寸薄片上形成Ti/TiN薄膜，測(cè)定該Ti/TiN薄膜上的直徑0.2μm以上的粒子數(shù)。連續(xù)地形成這種薄膜，在直到增加粒子前的批量數(shù)中調(diào)查使用壽命，直至產(chǎn)生剝落為止。另外，對(duì)150批量的粒子數(shù)的平均值作了調(diào)查，其結(jié)果詳見表2。
表2

(實(shí)施例3、比較例3)首先，準(zhǔn)備多種粉末粒徑40-150μm范圍內(nèi)的粒徑分布不同的Ti噴鍍?cè)?。使用這些Ti噴鍍?cè)?，在圖7所示的濺射裝置的接地屏蔽板13、上部防反14、下部防護(hù)板15和壓環(huán)17的各部件(SUS 304制基板)上，采用等離子體噴鍍法分別形成厚度200μm的Ti噴鍍膜。接著，經(jīng)Ti噴鍍面清洗處理后，在真空中的300-500℃×3hr條件下實(shí)施熱處理。各Ti噴鍍膜的表面粗糙度詳見表3。
其次，與實(shí)施例1一樣，將這些部件裝入磁控管濺射裝置，在8英寸薄片上分別形成Ti/TiN薄膜，并測(cè)定該Ti/TiN薄膜上的直徑0.2μm以上的粒子數(shù)。連續(xù)地形成這種薄膜，并調(diào)查150批量中的粒子數(shù)平均值。其結(jié)果詳見表3。表3中的比較例3除了采用電弧噴鍍法形成Ti噴鍍膜之外，均是使用了同樣部件時(shí)的結(jié)果。
表3

從表3中可以看出，實(shí)施例3的磁控管濺射裝置的粒子產(chǎn)生量比比較例3少得多。因此，可大幅度提高膜(Ti/TiN薄膜)的成品質(zhì)量。(實(shí)施例4、比較例4)
首先，準(zhǔn)備多種粉末粒徑40-120μm范圍內(nèi)的粒徑分布不同的Al噴鍍?cè)?。使用這些Al噴鍍?cè)希趫D7所示的濺射裝置的接地屏蔽板13、上部防護(hù)板14、下部防護(hù)板15和壓環(huán)17的各部件(SUS 304制基板)上，采用等離子體噴鍍法分別形成厚度200μm的Al噴鍍膜。接著，經(jīng)Al噴鍍表面清洗處理后，在真空中的300-500℃×3hr條件下實(shí)施熱處理。各Al噴鍍膜的表面粗糙度詳見表4。
其次，將這些部件裝入具有鎢硅化合物(WSi2.8)覘板的磁控管濺射裝置，在8英寸薄片上分別形成WSix薄膜，測(cè)定該WSix薄膜上的直徑0.2μm以上的粒子數(shù)。連續(xù)地形成這種薄膜，調(diào)查200批量中的粒子數(shù)平均值。其結(jié)果詳見表4。表4中的比較例4除了采用電弧噴鍍法形成Al噴鍍膜以外，均是使用了同樣部件時(shí)的結(jié)果。
表4

從表4中可以看出，實(shí)施例4的磁控管濺射裝置的粒子產(chǎn)生量比比較例4少得多。因此，可大幅度提高膜(WSix薄膜)的成品質(zhì)量。(實(shí)施例5、比較例5)首先，準(zhǔn)備多種粉末粒徑40-150μm范圍內(nèi)的粒徑分布不同的Ti噴鍍?cè)?。使用這些Ti噴鍍?cè)希趫D7所示的濺射裝置的接地屏蔽板13、上部防護(hù)板14、下部防護(hù)板15和壓環(huán)17的各部件(SUS 304制基材)上，采用等離子體噴鍍法分別形成厚度200μm的Al噴鍍膜。接著，經(jīng)Ti噴鍍面清洗處理后，在真空中的300-500℃×3hr條件下實(shí)施退火處理。這些噴鍍膜的硬度詳見表5。
其次，將這些部件裝入磁控管濺射裝置，與實(shí)施例1一樣分別在8英寸薄片上形成Ti/TiN薄膜。連續(xù)地形成這種薄膜，在直到增加粒子數(shù)之前的批量數(shù)中調(diào)查使用壽命，直至產(chǎn)生剝落為止。其結(jié)果詳見表5。表5中的比較例5除了不實(shí)施退火處理以外，均是使用了同樣噴鍍膜的部件時(shí)的結(jié)果。
表5

從表5中可以看出，實(shí)施例5的磁控管濺射裝置可延長直到急劇增加粒子產(chǎn)生量之前的批量數(shù)即剝落壽命，可長時(shí)期穩(wěn)定使用。這就意味著可提高濺射裝置的有效工作時(shí)間比例，由此可降低裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)成本，進(jìn)而大幅度降低成膜成本。(實(shí)施例6、比較例6)首先，準(zhǔn)備多種粉末粒徑40-120μm范圍內(nèi)的粒徑分布不同的Al噴鍍?cè)稀Ｊ褂眠@些Al噴鍍?cè)?，在圖7所示的濺射裝置的接地屏蔽板13、上部防護(hù)板14、下部防護(hù)板15和壓環(huán)17的各部件(SUS 304制基材)上，采用等離子體噴鍍法分別形成厚度200μm的Al噴鍍膜，再在其上面采用等離子體噴鍍法形成寬度100μm的W噴鍍膜。接著，經(jīng)W噴鍍面清洗處理后，在真空中的300-500℃×3hr條件下實(shí)施退火處理。這些噴鍍膜硬度詳見表6。
其次，將上述這些部件裝入具有高純度鎢硅化合物(WSi 2.8)覘板的磁控管濺射裝置分別在8英寸薄片上形成WSix薄膜。一邊測(cè)定直徑0.2μm以上的粒子數(shù)一邊連續(xù)地形成這種WSix薄膜，在直到增加粒子數(shù)之前的組數(shù)中調(diào)查使用壽命，直至產(chǎn)生剝落為止。其結(jié)果詳見表6。表6中的比較例6除了不實(shí)施退火處理以外，均是使用了同樣噴鍍膜的部件時(shí)的結(jié)果。
表6

從表6中可以看出，實(shí)施例6的磁控管濺射裝置可延長直到急劇增加粒子產(chǎn)生量之前的批量數(shù)即剝落壽命，可長時(shí)期穩(wěn)定使用。這就意味著可提高濺射裝置的有效工作時(shí)間比例，由此可降低裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)成本，進(jìn)而大幅度降低成膜成本。(實(shí)施例7)在圖7所示的濺射裝置的接地屏蔽板13、上部防護(hù)板14、下部防護(hù)板15和壓環(huán)17的各部件(SUS 304制基材)上，分別采用等離子體噴鍍法形成表7所示的各噴鍍膜。接著，經(jīng)各噴鍍面清洗處理后，在表7所示的條件下實(shí)施退火處理。這些噴鍍膜的表面粗糙度及其硬度詳見表7。
各噴鍍膜的形成條件(等離子體噴鍍)分別是Al為粉末原料的粒徑45-90μm、電流500A、電壓75V、Ar流量73L/min、H2流量8L/min、Cu為粉末原料的粒徑39-90μm、電流500A、電壓65V、Ar流量73L/min、H2流量5L/min。W為粉末原料的粒徑45μm以下、電流500A、電壓65V、Ar流量39L/min、H2流量10L、Mo為粉末原料的粒徑45μm以下、電流500A、電壓67V、Ar流量39L/min、H2流量12L/min。Ni為粉末原料的粒徑45-75μm、電流500A、電壓60V、Ar流量39L/min、H2流量6.5L/min、Ta為粉末原料的粒徑30-80μm、電流550A、電壓68V、Ar流量39L/min、H2流量12L/min。SUS304為粉末原料的粒徑40-90μm、電流500A、電壓65V、Ar流量39L/min、H2流量10L/min。
其次，將這些部件裝入磁控管濺射裝置，在8英寸薄片上分別形成表7所示的薄膜，測(cè)定這些薄膜上的直徑0.2μm以上的粒子數(shù)。連續(xù)地形成這種薄膜，在直到增加粒子之前的批量數(shù)中調(diào)查使用壽命，直至產(chǎn)生剝落為止。并調(diào)查150批量中的粒子數(shù)的平均值，其結(jié)果詳見表7。
表7

(實(shí)施例8)在圖7所示的濺射裝置的接地屏蔽板13、上部防護(hù)板14、下部防護(hù)板15和壓環(huán)17的各部件上，分別形成表8所示的雙層層疊構(gòu)造的各噴鍍膜(下層為Al噴鍍膜)。接著，經(jīng)各噴鍍面清洗處理后，在表8所示的條件下實(shí)施退火處理。這些噴鍍膜的表面粗糙度及其硬度詳見表8。
各部件的基材除了表8中的試料No5使用Al合金之外，其余均使用了SUS304。各噴鍍膜的形成條件基本上與實(shí)施例相同。但表8中的試料No3的Al噴鍍膜是將直徑1.6mm的Al線材用作噴鍍?cè)?，在電?00A、電壓30V條件下通過電弧噴鍍形成的。
其次，將這些部件裝入磁控管濺射裝置，在8英寸薄片上分別形成表8所示的薄膜，測(cè)定這些薄膜上的直徑0.2μm以上的粒子數(shù)。連續(xù)地形成這種薄膜，在直到增加粒子之前的批量數(shù)中調(diào)查使用壽命，直至產(chǎn)生剝落為止。并調(diào)查150批量中的粒子數(shù)的平均值。其結(jié)果詳見表8。
表8

(實(shí)施例9)在圖7所示的濺射裝置的接地屏蔽板13、上部防護(hù)板14、下部防護(hù)板15和壓環(huán)17的各部件上，分別形成表9所示的雙層層疊構(gòu)造的各噴鍍膜(下層為Cu噴鍍膜)。接著，經(jīng)各噴鍍面清洗處理后，在表9所示的條件下實(shí)施退火處理。這些噴鍍膜的表面粗糙度及硬度詳見表9。
各部件的基材除了表9中的試料No3和試料No4使用Ti合金以外，其余均使用了SUS 304。各噴鍍膜的形成條件基本上與實(shí)施例7相同，但表9中的試料No1-No6的各Cu噴鍍膜是將直徑1.6mm的Cu線材用作噴鍍?cè)?，在電?00A、電壓30V條件下通過電弧噴鍍形成的。
其次，將這些部件裝入磁控管濺射裝置，在8英寸薄片上分別形成表9所示的薄膜，測(cè)定這些薄膜上的直徑0.2μm以上的粒子數(shù)。連續(xù)地形成這種薄膜，在直到增加粒子之前的批量數(shù)中調(diào)查使用壽命，直至產(chǎn)生剝落為止。并調(diào)查150批量中的粒子數(shù)的平均值，其結(jié)果詳見表9。
表9

(實(shí)施例10)在圖7所示的濺射裝置的接地屏蔽板13、上部防護(hù)板14、下部防護(hù)板15和壓環(huán)17的各部件(SUS 304制基材)上，采用等離子體法分別形成表10所示的雙層層疊構(gòu)造的各噴鍍膜(下層為Ni噴鍍膜)。接著，經(jīng)各噴鍍面清洗處理后，在表10所示的條件下實(shí)施退火處理。這些噴鍍膜的表面粗糙度及硬度詳見表10。各噴鍍膜的形成條件與實(shí)施例7相同。
其次，將這些部件裝入磁控管濺射裝置，在8英寸薄片上分別形成表10所示的薄膜，測(cè)定這些薄膜上的直徑0.2μm以上的粒子數(shù)。連續(xù)地形成這種薄膜，在直到增加粒子之前的批量數(shù)中調(diào)查使用壽命，直至產(chǎn)生剝落為止。并調(diào)查150批量中的粒子數(shù)的平均值，其結(jié)果詳見表10。
表10

(實(shí)施例11)
在圖7所示的濺射裝置的接地屏蔽板13、上部防護(hù)板14、下部防護(hù)板15和壓環(huán)17的各部件(SUS 304制基材)上，采用等離子體法分別形成厚度約200μm的Ti噴鍍膜。另外，覘板11使用了高純度Ti，后板12使用了Al。在覘板11外周部的非腐蝕區(qū)域和后板12的表面上也同樣地采用等離本法形成了厚度約200μm的Ti噴鍍膜。
接著，在形成這些Ti噴鍍膜的各部件、覘板和后板的Ti噴鍍面經(jīng)清洗處理后在真空中以350℃×3hr的條件進(jìn)行熱處理。各Ti噴鍍膜的表面粗糙度分別是局部峰頂?shù)钠骄g隔S為72μm、最大谷深Rv為45μm、最大峰高Rp為42μm。Ti噴鍍膜的硬度為Hv205。
將上述的各部件、覘板和后板裝入濺射裝置，與實(shí)施例1一樣，在8英寸薄片上形成Ti/TiN薄膜，測(cè)定該Ti/TiN薄膜上的直徑0.2μm以上的粒子數(shù)。連續(xù)地形成這種薄膜，在直到增加粒子之前的批量數(shù)中調(diào)查剝落壽命。再調(diào)查150批量中的粒子數(shù)的平均值。剝落壽命是144批量，粒子數(shù)的平均值是14個(gè)。
在本實(shí)施例11中，與在覘板和后板上不進(jìn)行噴鍍的場(chǎng)合相比，無突發(fā)性產(chǎn)生的粒子，總體的粒子數(shù)減少了一半。由此可以確認(rèn)，可有效而穩(wěn)定地防止粒子的產(chǎn)生。
從以上的實(shí)施形態(tài)中可以看出，采用本發(fā)明的真空成膜裝置用部件及其覘板裝置，不僅可穩(wěn)定而有效地防止成膜工序中粘附的成膜材料剝落，而且可減少清洗和部件調(diào)換的次數(shù)。因此，本發(fā)明的真空成膜裝置用部件及其覘板裝置可有效地使用于各種成膜裝置。另外，采用本發(fā)明的真空成膜裝置，不僅可抑制因配線膜和元件不良引起的向膜中混入粒子的現(xiàn)象，而且可通過提高裝置的有效工作時(shí)間比例來降低成膜的成本。
權(quán)利要求
1.一種真空成膜裝置用部件，它是一種真空成膜裝置的構(gòu)件，其特征在于，包括部件本體；形成于所述部件本體表面上、具有由JIS(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))B 0601-1994規(guī)定的局部峰頂平均間隔S為50～150μm范圍、最大谷深Rv和最大峰高Rp分別為20～70μm范圍的表面粗糙度的噴鍍膜。
2.如權(quán)利要求1所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述噴鍍膜具有由與成膜材料的熱膨脹率差異為15×10-6/K以下的金屬材料構(gòu)成的覆膜。
3.如權(quán)利要求1所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述噴鍍膜具有由與所述部件本體的熱膨脹率差異為20×10-6/K以下的金屬材料構(gòu)成的覆膜。
4.如權(quán)利要求1所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述噴鍍膜具有由不同材料構(gòu)成的2層以上的覆膜。
5.如權(quán)利要求1所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述噴鍍膜具有在所述部件本體表面上形成的、由軟金屬材料構(gòu)成的應(yīng)力緩和層以及在所述應(yīng)力緩和層上形成的、由與成膜材料的熱膨脹率差異為15×10-6/K以下的金屬材料構(gòu)成的熱膨脹緩和層。
6.如權(quán)利要求1所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述噴鍍膜具有從維氏硬度Hv30以下的Al系噴鍍膜、維氏硬度Hv100以下的Cu系噴鍍膜、維氏硬度Hv200以下的Ni系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Ti系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Mo系噴鍍膜和維氏硬度Hv500以下的W系噴鍍膜中選擇至少一種的覆膜。
7.如權(quán)利要求1所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述噴鍍膜具有50～500μm范圍的厚度。
8.一種真空成膜裝置用部件，它是一種真空成膜裝置的構(gòu)件，其特征在于，包括部件本體；形成于所述部件本體表面上、從維氏硬度Hv30以下的Al系噴鍍膜、維氏硬度Hv100以下的Cu系噴鍍膜、維氏硬度Hv200以下的Ni系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Ti系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Mo系噴鍍膜和維氏硬度Hv500以下的W系噴鍍膜中選擇至少一種的低硬度覆膜。
9.如權(quán)利要求8所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述噴鍍膜具有由與成膜材料的熱膨脹率差異為15×10-6/K以下的金屬材料構(gòu)成的熱膨脹緩和層，所述熱膨脹緩和層由所述低硬度覆膜構(gòu)成。
10.如權(quán)利要求9所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述噴鍍膜具有由與所述部件本體的熱膨脹率差異為20×10-6/K以下的所述金屬材料構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求8所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述噴鍍膜具有由不同材料構(gòu)成的2層以上的覆膜，其中至少一層由所述低硬度覆膜構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求8所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述噴鍍膜具有在所述部件本體表面上形成的、由軟金屬材料構(gòu)成的應(yīng)力緩和層以及在所述應(yīng)力緩和層上形成的、由與成膜材料的熱膨脹率差異為15×10-6/K以下的金屬材料構(gòu)成的熱膨脹緩和層，所述應(yīng)力緩和層和所述熱膨脹緩和層至少一方由所述低硬度覆膜構(gòu)成。w
13.如權(quán)利要求12所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述應(yīng)力緩和層和所述熱膨脹緩和層都是由所述低硬度覆膜構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求8所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述噴鍍膜具有50～500μm范圍的厚度。
15.如權(quán)利要求12所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述應(yīng)力緩和層具有100～300μm范圍的厚度，所述熱膨脹緩和層具有50～150μm范圍的厚度。
16.如權(quán)利要求8所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述噴鍍膜外表面的表面粗糙度在由JIS(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))B 0601-1994規(guī)定的算術(shù)平均粗糙度Ra50～150μm的范圍。
17.如權(quán)利要求8所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述低硬度覆膜的維氏硬度表示在將所述低硬度覆膜的表面研磨后使其平坦化、在其平坦化的面上以負(fù)荷200g用金剛石壓頭推壓30秒鐘并測(cè)定維氏硬度、進(jìn)行5次該項(xiàng)測(cè)定的平均值。
18.一種真空成膜裝置，包括真空容器；配置在真空容器內(nèi)的被成膜試料保持部；配置在真空容器內(nèi)的與所述被成膜試料保持部對(duì)向的成膜源；保持所述成膜源的成膜源保持部；配置在所述被成膜試料保持部或被成膜試料保持部周圍的防粘附部件，從所述被成膜試料保持部、所述成膜源保持部和所述防粘附部件中選擇的至少一種由權(quán)利要求1所述真空成膜裝置用部件構(gòu)成。
19.如權(quán)利要求18所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述形成于所述真空成膜裝置用部件表面的噴鍍膜具有包含構(gòu)成所述成膜源的至少一種金屬材料的覆膜。
20.如權(quán)利要求18所述真空成膜裝置用部件，其特征在于，所述成膜裝置是濺射裝置。
21.一種真空成膜裝置，包括真空容器；配置在真空容器內(nèi)的被成膜試料保持部；配置在真空容器內(nèi)的與所述被成膜試料保持部對(duì)向的成膜源；保持所述成膜源的成膜源保持部；配置在所述被成膜試料保持部或被成膜試料保持部周圍的防粘附部件，從所述被成膜試料保持部、所述成膜源保持部和所述防粘附部件中選擇的至少一種由權(quán)利要求8所述真空成膜裝置用部件構(gòu)成。
22.如權(quán)利要求21所述真空成膜裝置，其特征在于，所述真空成膜裝置用部件所具有的所述噴鍍膜包含有構(gòu)成所述成膜源的至少一種金屬材料的覆膜。
23.如權(quán)利要求21所述真空成膜裝置，其特征在于，所述成膜裝置是濺射裝置。
24.一種覘板裝置，其特征在于，包括覘板本體；形成于所述覘板本體的非腐蝕區(qū)域、具有由JIS(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))B 0601-1994規(guī)定的局部峰頂平均間隔S為50～150μm范圍、最大谷深Rv和最大峰高Rp分別為20～70μm范圍的表面粗糙度的噴鍍膜。
25.一種覘板裝置，其特征在于，包括覘板；設(shè)有保持所述覘板的后板本體以及形成于所述后板本體的表面上、具有由JIS(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))B 0601-1994規(guī)定的局部峰頂平均間隔S為50～150μm范圍、最大谷深Rv和最大峰高Rp分別為20～70μm范圍表面粗糙度的噴鍍膜的后板。
26.一種覘板裝置，其特征在于，包括覘板本體；形成于所述覘板本體的非腐蝕區(qū)域、具有從維氏硬度Hv30以下的Al系噴鍍膜、維氏硬度Hv100以下的Cu系噴鍍膜、維氏硬度Hv200以下的Ni系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Ti系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Mo系噴鍍膜和維氏硬度Hv500以下的W系噴鍍膜中選擇至少一種的低硬度覆膜的噴鍍膜。
27.一種覘板裝置，其特征在于，包括覘板；設(shè)有保持所述覘板的后板本體以及形成于所述后板本體的表面上、具有從維氏硬度Hv30以下的Al系噴鍍膜、維氏硬度Hv100以下的Cu系噴鍍膜、維氏硬度Hv200以下的Ni系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Ti系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Mo系噴鍍膜和維氏硬度Hv500以下的W系噴鍍膜中選擇至少一種低硬度覆膜的噴鍍膜的后板。
全文摘要
一種真空成膜裝置用部件,具有部件本體和形成于所述部件本體表面的噴鍍膜。噴鍍膜具有局部峰頂平均間隔S為50～150μm范圍、最大谷深Rv和最大峰高Rp分別為20～70μm范圍的表面粗糙度。噴鍍膜具有從維氏硬度Hv30以下的Al系噴鍍膜、維氏硬度Hv100以下的Cu系噴鍍膜、維氏硬度Hv200以下的Ni系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Ti系噴鍍膜、維氏硬度Hv300以下的Mo系噴鍍膜和維氏硬度Hv500以下的W系噴鍍膜中選擇的低硬度覆膜。采用這種真空成膜裝置用部件,能在成膜工序中穩(wěn)定而有效地抑制粘附在部件上的成膜材料的剝離,并能大幅度削減裝置清洗及部件交換等的次數(shù)。覘板具有同樣的噴鍍膜。真空成膜裝置將上述真空成膜裝置用部件適用于被成膜試料保持部、成膜源保持部、防粘附部件等。
文檔編號(hào)C23C4/00GK1341158SQ00804326
公開日2002年3月20日 申請(qǐng)日期2000年12月28日 優(yōu)先權(quán)日1999年12月28日
發(fā)明者佐藤道雄, 中村隆, 矢部洋一郎 申請(qǐng)人:東芝株式會(huì)社