專利名稱：陰極電弧離子鍍的新應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是使用陰極電弧離子鍍的方法對(duì)泡沫狀塑料進(jìn)行導(dǎo)電化處理或鍍膜。屬于物理氣相沉積法(PVD)的一種。是泡沫帶狀金屬生產(chǎn)工藝的一部分。
已知的方法是在含有磷的有害的水溶液中使用貴重金屬鈀作催化劑，對(duì)泡沫塑料進(jìn)行導(dǎo)電化處理，如化學(xué)鍍鎳處理。這種方法引起的環(huán)境污染很嚴(yán)重，要求昂貴的水凈化設(shè)備，且最終產(chǎn)品中含有有害物質(zhì)磷，對(duì)人的生態(tài)環(huán)境造成持久性的污染。并且這種方法只能適用于鍍鎳。不利于發(fā)展新型的高性能的泡沫帶狀金屬。
本發(fā)明的任務(wù)是創(chuàng)造出對(duì)泡沫塑料進(jìn)行陰極電弧離子鍍處理的方法。按這種方法，工藝過程在真空中進(jìn)行，不使用對(duì)環(huán)境污染的物質(zhì)，使最終產(chǎn)品不給人的生態(tài)環(huán)境造成污染，同時(shí)可以使用許多金屬、合金及金屬混合物，有利于發(fā)展高性能的泡沫帶狀金屬及提高其最終產(chǎn)品儲(chǔ)能器件的性能。
所提出的任務(wù)是靠下述方法來解決的。將泡沫塑料置于真空室中，對(duì)真空室進(jìn)行排氣，在真空室內(nèi)真空度達(dá)到100～10-2Pa，可通入或不通入適量的氣體如氬氣，把真空穩(wěn)定在一個(gè)數(shù)值，點(diǎn)燃電弧，使來自電弧陰極的金屬蒸汽和離子，在磁場加速或控制下到達(dá)泡沫塑料表面并飛到其深部，使之呈導(dǎo)電態(tài)，或使之被鍍膜。
作為本發(fā)明的事例，可對(duì)泡沫塑料用陰極電弧離子鍍法鍍鎳，對(duì)其進(jìn)行導(dǎo)電化處理，在直徑為Φ1800mm，長度為3500mm的真空室中，通過絕緣把厚度為2mm的聚氨脂泡沫塑料懸掛在真空室中，開啟排氣系統(tǒng)，將真空抽至10-2Pa，通入300SCCM的氬氣，使真空維持在3×10-1Pa，點(diǎn)燃表面為Φ100mm的鎳制陰極電弧，電弧連續(xù)燃燒10分鐘，關(guān)閉電弧，給真空室充氣到大氣壓，開啟真空室，取出被處理的泡沫塑料。測試結(jié)果，面密度δ＝4(1±10％)g/m2；方阻為3(1±15％)Ω；其放大100倍的表面形貌如

圖1所示；放大40倍的截面形貌如圖2所示。圖2證明，金屬鎳較好地滲入到泡沫塑料的深部。
權(quán)利要求
1.泡沫型料導(dǎo)電化或鍍膜的方法是，把待處理的泡沫型料置于真空容器中，把金屬或合金或混合物材料作為低氣壓或真空中的電弧陰極，通過電弧放電把陰極蒸發(fā)或電離，使之鍍?cè)谂菽芰仙稀?br> 2.根據(jù)權(quán)利權(quán)利要求1，泡沫塑料導(dǎo)電化或鍍膜方法的特點(diǎn)是，泡沫塑料離開陰極表面要在300mm～1000mm之間。
3.根據(jù)權(quán)利權(quán)利要求1，泡沫塑料導(dǎo)電化或鍍膜方法的特點(diǎn)是，在導(dǎo)電化處理時(shí)，泡沫塑料要與地絕緣。
4.根據(jù)權(quán)利權(quán)利要求1，泡沫塑料導(dǎo)電化或鍍膜方法的特點(diǎn)是，在鍍膜時(shí)，已導(dǎo)電化處理過的泡沫塑料可以與地絕緣，也可以接以0～600伏的負(fù)電壓。
5.根據(jù)權(quán)利權(quán)利要求1，泡沫塑料導(dǎo)電化或鍍膜方法的特點(diǎn)是，真空室的真空度在100Pa～10-2Pa之間。
6.根據(jù)權(quán)利權(quán)利要求1，泡沫塑料導(dǎo)電化或鍍膜方法的特點(diǎn)是，電弧陰極表面可以是圓形、環(huán)形、矩形和筒形。
7.根據(jù)權(quán)利權(quán)利要求1，泡沫塑料導(dǎo)電化或鍍膜方法的特點(diǎn)是，所指的陰極電弧法也包括電弧粘結(jié)的濺射法(簡稱ABS法)和濺射電弧分層交替的方法。
全文摘要
本發(fā)明的內(nèi)容為用陰極電弧離子鍍膜技術(shù),對(duì)泡沫型料進(jìn)行導(dǎo)電化處理或進(jìn)行鍍膜,從而可最終制成帶狀泡沫金屬,用于儲(chǔ)能等器件。
文檔編號(hào)C23C14/20GK1358879SQ0013459
公開日2002年7月17日 申請(qǐng)日期2000年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月14日
發(fā)明者王殿儒, 張金平, 程云立, 王百湘 申請(qǐng)人:北京長城鈦金公司