本申請涉及沖壓，具體涉及一種igbt金屬件制作方法及igbt金屬件。

背景技術(shù)：

1、igbt(insulated?gate?bipolar?transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是由bjt(bipolar?junction?transistor，雙極型三極管)和mos(metal-oxide-semicon-ductorfield-effect?transistor，絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。igbt主要起到連接和傳輸作用，其廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)或光伏半導(dǎo)體模塊上。

2、igbt模塊是由igbt與fwd(freewheeling?diode，二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝后的igbt模塊直接應(yīng)用于變頻器、ups(uninterruptible?power?supply，不間斷電源)等設(shè)備上。目前，在igbt模塊上都需要配置一種能夠打線、焊線的金屬件。該金屬件用于支撐和固定igbt芯片，并作為鍵合線連接的基底。金屬件與其他部件連接的表面為焊接面和打線面。由于金屬件通過沖壓方法成型。沖壓時的沖裁力會導(dǎo)致焊接面和打線面的沖裁邊緣存在較大的沖壓塌角。而沖壓塌角不僅會導(dǎo)致金屬件與母排壓接的地方有間隙，影響金屬件與相關(guān)部件之間的壓接和焊接效果，還會導(dǎo)致igbt模塊產(chǎn)生放電，造成電流不平衡，不利于igbt模塊正常工作。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請的實施例提供了一種igbt金屬件制作方法及igbt金屬件，可以改善igbt金屬件存在沖壓塌角的問題。

2、一種igbt金屬件制作方法，該制作方法包括：

3、提供帶料，沖壓帶料以沖裁出多個連著的胚料，帶料的厚度為d0，胚料包括第一下料區(qū)、鍛打區(qū)、第二下料區(qū)以及成型igbt金屬件的產(chǎn)品區(qū)，第二下料區(qū)沿產(chǎn)品區(qū)的周緣設(shè)置，且第二下料區(qū)的部分外周緣與產(chǎn)品區(qū)的周緣共線；第一下料區(qū)位于第二下料區(qū)背離產(chǎn)品區(qū)的一側(cè)，鍛打區(qū)位于第一下料區(qū)和第二下料區(qū)之間；

4、沖裁第一下料區(qū)，將第一下料區(qū)和胚料其余部分分離；

5、鍛打鍛打區(qū)，以使鍛打區(qū)的厚度為d1，滿足：0＜d1＜d0；

6、沖裁第二下料區(qū)，將鍛打區(qū)及第二下料區(qū)與產(chǎn)品區(qū)分離。

7、在一實施例中，沿靠近產(chǎn)品區(qū)的外緣的方向，對鍛打區(qū)進行多次鍛打。

8、在一實施例中，沿靠近產(chǎn)品區(qū)的外緣的方向，多次鍛打的加工量逐漸減小。

9、在一實施例中，每次鍛打的加工量在0.2mm～0.66mm之間。

10、在一實施例中，沿靠近產(chǎn)品區(qū)的外緣的方向，對第二下料區(qū)進行多次沖裁。

11、在一實施例中，沿靠近產(chǎn)品區(qū)的外緣的方向，多次第二下料區(qū)的沖裁的加工量逐漸減小。

12、在一實施例中，每次沖裁第二下料區(qū)的加工量在0.09mm～0.35mm之間。

13、在一實施例中，第一下料區(qū)包括多個第一子下料區(qū)，多個第一子下料區(qū)繞產(chǎn)品區(qū)的周緣間隔設(shè)置；鍛打區(qū)包括第一鍛打區(qū)，多個第一鍛打區(qū)與第一子下料區(qū)一一對應(yīng)，第一鍛打區(qū)繞與之對應(yīng)的第一子下料區(qū)的周緣設(shè)置；第二下料區(qū)包括第二子下料區(qū)，第二子下料區(qū)位于第一鍛打區(qū)和產(chǎn)品區(qū)之間。

14、在一實施例中，鍛打區(qū)還包括第二鍛打區(qū)，部分相鄰的兩個第一子下料區(qū)之間設(shè)置有第二鍛打區(qū)；第二下料區(qū)還包括第三子下料區(qū)，第三子下料區(qū)位于第二鍛打區(qū)和產(chǎn)品區(qū)之間；鍛打第一鍛打區(qū)并沖裁第二子下料區(qū)后，鍛打第二鍛打區(qū)并沖裁第三子下料區(qū)。

15、在一實施例中，50％d0≤d1≤80％d1。

16、第二方面，本申請的實施例提供一種igbt金屬件，igbt金屬件通過前述的igbt金屬件制作方法制成。

17、本申請的實施例的有益效果：

18、在本申請的實施例中，通過在沖裁第二下料區(qū)之前，對胚料的加工區(qū)域進行鍛打，以減小鍛打區(qū)高度，從而可在沖裁第二下料區(qū)時，減小鍛打區(qū)對第二下料區(qū)的支撐性，進而可降低沖裁第二下料區(qū)以成型出產(chǎn)品邊緣時所需克服的裁剪切力，以使得沖裁第二下料區(qū)所需的沖壓力降低。如此，可減小igbt金屬件因沖裁而成型出的沖壓塌角的大小。

技術(shù)特征：

1.一種igbt金屬件制作方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的igbt金屬件制作方法，其特征在于，沿靠近所述產(chǎn)品區(qū)的外緣的方向，對所述鍛打區(qū)進行多次鍛打。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的igbt金屬件制作方法，其特征在于，沿靠近所述產(chǎn)品區(qū)的外緣的方向，多次所述鍛打的加工量逐漸減小。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的igbt金屬件制作方法，其特征在于，每次所述鍛打的加工量在0.2mm～0.66mm之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的igbt金屬件制作方法，其特征在于，沿靠近所述產(chǎn)品區(qū)的外緣的方向，對所述第二下料區(qū)進行多次沖裁。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的igbt金屬件制作方法，其特征在于，沿靠近所述產(chǎn)品區(qū)的外緣的方向，多次所述第二下料區(qū)的沖裁的加工量逐漸減小。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的igbt金屬件制作方法，其特征在于，每次沖裁所述第二下料區(qū)的加工量在0.09mm～0.35mm之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的igbt金屬件制作方法，其特征在于，所述第一下料區(qū)包括多個第一子下料區(qū)，多個所述第一子下料區(qū)繞所述產(chǎn)品區(qū)的周緣間隔設(shè)置；

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的igbt金屬件制作方法，其特征在于，所述鍛打區(qū)還包括第二鍛打區(qū)，部分相鄰的兩個所述第一子下料區(qū)之間設(shè)置有所述第二鍛打區(qū)；

10.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的igbt金屬件制作方法，其特征在于，50％d0≤d1≤80％d1。

11.一種igbt金屬件，其特征在于，所述igbt金屬件通過如權(quán)利要求1-10任一項所述的igbt金屬件制作方法制成。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环NIGBT金屬件制作方法及IGBT金屬件，涉及沖壓技術(shù)領(lǐng)域。制作方法包括：提供帶料，沖壓帶料以沖裁出多個連著的胚料，帶料的厚度為D<subgt;0</subgt;，胚料包括第一下料區(qū)、鍛打區(qū)、第二下料區(qū)以及成型IGBT金屬件的產(chǎn)品區(qū)；沖裁第一下料區(qū)，將第一下料區(qū)和胚料其余部分分離；鍛打鍛打區(qū)，以使鍛打區(qū)的厚度為D<subgt;1</subgt;，滿足：0＜D<subgt;1</subgt;＜D<subgt;0</subgt;；沖裁第二下料區(qū)，將第二下料區(qū)與產(chǎn)品區(qū)分離。本申請通過在沖裁第二下料區(qū)之前，對胚料的加工區(qū)域進行鍛打，以減小鍛打區(qū)高度，從而可在沖裁第二下料區(qū)時，減小鍛打區(qū)對第二下料區(qū)的支撐性，進而可降低沖裁第二下料區(qū)以成型出產(chǎn)品邊緣時所需克服的裁剪切力，以使得沖裁第二下料區(qū)所需的沖壓力降低。

技術(shù)研發(fā)人員：李仁貴,湯月明,方培喜,朱新愛
受保護的技術(shù)使用者：湖南徠木電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19