發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例涉及一種激光蝕刻設(shè)備，更具體地，涉及一種激光蝕刻設(shè)備及使用激光蝕刻設(shè)備進(jìn)行激光蝕刻的方法。

背景技術(shù)：

最近，已經(jīng)生產(chǎn)出重量輕且小的顯示設(shè)備。傳統(tǒng)上已經(jīng)使用陰極射線管(crt)顯示設(shè)備。然而，crt顯示設(shè)備具有大的尺寸和沉的重量，因此無(wú)法很好地適用于便攜式裝置中。因此，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了更小且更輕的顯示裝置。小且輕的顯示裝置的示例包括等離子體顯示設(shè)備、液晶顯示設(shè)備和有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括響應(yīng)速度快、功耗低于傳統(tǒng)液晶顯示器(lcd)、重量輕、不需要背光組件以及亮度高的特性。

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括有機(jī)發(fā)光元件，該有機(jī)發(fā)光元件具有設(shè)置在基底上的特定圖案?？梢酝ㄟ^(guò)在基底上形成有機(jī)膜并對(duì)有機(jī)膜進(jìn)行圖案化來(lái)形成圖案?？商娲?，可以通過(guò)使用掩模在基底上形成有機(jī)圖案來(lái)形成圖案?？梢酝ㄟ^(guò)激光蝕刻設(shè)備對(duì)有機(jī)膜進(jìn)行圖案化。激光蝕刻設(shè)備會(huì)需要用于維護(hù)和管理的大量的時(shí)間和努力。因此，會(huì)降低工藝的生產(chǎn)率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了激光蝕刻設(shè)備。所述激光蝕刻設(shè)備包括腔室、激光端口、激光發(fā)射器、顆粒捕捉器和旋轉(zhuǎn)窗口模塊。腔室被構(gòu)造為容納基底。激光端口在向下的方向上設(shè)置在腔室下面。激光發(fā)射器被構(gòu)造為將激光通過(guò)激光端口發(fā)射至設(shè)置在腔室之內(nèi)的基底。顆粒捕捉器設(shè)置在腔室之內(nèi)。顆粒捕捉器包括設(shè)置在激光端口上方的主體。開(kāi)口形成為穿過(guò)主體。開(kāi)口被構(gòu)造為使激光經(jīng)由該開(kāi)口穿過(guò)。旋轉(zhuǎn)窗口模塊包括旋轉(zhuǎn)窗口。旋轉(zhuǎn)窗口模塊還包括被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)窗口的驅(qū)動(dòng)部。驅(qū)動(dòng)窗口設(shè)置在顆粒捕捉器與激光端口之間。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)窗口可以具有圓形形狀。旋轉(zhuǎn)窗口也可以對(duì)于對(duì)預(yù)定數(shù)量的基底執(zhí)行的每個(gè)激光蝕刻工藝以預(yù)定角度旋轉(zhuǎn)。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)部可以包括電動(dòng)機(jī)。電動(dòng)機(jī)可以被構(gòu)造為使旋轉(zhuǎn)窗口旋轉(zhuǎn)。驅(qū)動(dòng)部還可以包括大氣壓力空間。大氣壓力空間可以從腔室分離出來(lái)。大氣壓力空間可以包括大氣壓力。電動(dòng)機(jī)可以設(shè)置在大氣壓力空間之內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，顆粒捕捉器還可以包括狹縫遮板。狹縫遮板可以設(shè)置在顆粒捕捉器之內(nèi)。狹縫遮板可以限定狹縫。狹縫可以在第一方向上延伸。狹縫在基本垂直于第一方向的第二方向上可以具有寬度。狹縫也可以與主體的開(kāi)口疊置。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，顆粒捕捉器還可以包括靜電發(fā)生器。靜電發(fā)生器可以設(shè)置在主體之內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，靜電發(fā)生器可以包括兩個(gè)表面。所述兩個(gè)表面可以彼此面對(duì)。主體的開(kāi)口可以設(shè)置在所述兩個(gè)表面之間。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，激光蝕刻設(shè)備還可以包括氮?dú)獍l(fā)生器。激光蝕刻設(shè)備也可以包括吸氣器。氮?dú)獍l(fā)生器和吸氣器可以設(shè)置在靜電發(fā)生器的下面。氮?dú)獍l(fā)生器可以被構(gòu)造為在顆粒捕捉器的下部處產(chǎn)生氮?dú)狻Ｎ鼩馄骺梢员粯?gòu)造為吸取氮?dú)狻?/p>

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)窗口的旋轉(zhuǎn)軸可以不與狹縫疊置。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)軸可以在第一方向上與狹縫分隔開(kāi)。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)窗口可以以預(yù)定角度旋轉(zhuǎn)。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)窗口可以對(duì)于將被進(jìn)行激光蝕刻的每個(gè)基底以大約1°旋轉(zhuǎn)。狹縫在第一方向上可以為大約30mm。狹縫在第二方向上可以為大約9mm。旋轉(zhuǎn)窗口可以具有大約150mm的直徑。旋轉(zhuǎn)窗口可以以大約12mm與主體的下表面分隔開(kāi)。

本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了使用激光蝕刻設(shè)備的激光蝕刻方法。所述激光蝕刻設(shè)備包括腔室、激光端口、激光發(fā)射器、顆粒捕捉器和旋轉(zhuǎn)窗口模塊。激光端口可以在向下的方向上設(shè)置在腔室下面。顆粒捕捉器包括設(shè)置在激光端口上方并具有開(kāi)口的主體。旋轉(zhuǎn)窗口模塊包括旋轉(zhuǎn)窗口。旋轉(zhuǎn)窗口設(shè)置在顆粒捕捉器與激光端口之間。旋轉(zhuǎn)窗口模塊還包括驅(qū)動(dòng)部。驅(qū)動(dòng)部被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)窗口。所述方法包括以下步驟：將其上設(shè)置有第一有機(jī)膜的第一基底裝載到腔室中。執(zhí)行第一基底激光蝕刻工藝。通過(guò)激光對(duì)設(shè)置在第一基底上的第一有機(jī)膜進(jìn)行蝕刻。使旋轉(zhuǎn)窗口以預(yù)定角度旋轉(zhuǎn)，以定位旋轉(zhuǎn)窗口的設(shè)置在激光發(fā)射器與顆粒捕捉器之間的未污染的部分。從腔室卸載第一基底。將其上設(shè)置有第二有機(jī)膜的第二基底裝載到腔室中。執(zhí)行第二基底激光蝕刻工藝。通過(guò)激光對(duì)設(shè)置在第二基底上的第二有機(jī)膜進(jìn)行蝕刻。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)窗口可以具有圓形形狀。驅(qū)動(dòng)部可以對(duì)于對(duì)預(yù)定數(shù)量的基底執(zhí)行的每個(gè)激光蝕刻工藝使旋轉(zhuǎn)窗口以預(yù)定角度旋轉(zhuǎn)。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)部可以包括電動(dòng)機(jī)。電動(dòng)機(jī)可以被構(gòu)造為使旋轉(zhuǎn)窗口旋轉(zhuǎn)。驅(qū)動(dòng)部還可以包括大氣壓力空間。大氣壓力空間可以與腔室分離。大氣壓力空間可以具有大氣壓力。電動(dòng)機(jī)可以設(shè)置在大氣壓力空間之內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，顆粒捕捉器還可以包括狹縫遮板。狹縫遮板可以設(shè)置在顆粒捕捉器之中。狹縫遮板可以限定狹縫。狹縫可以在第一方向上延伸。狹縫可以在基本垂直于第一方向的第二方向上具有寬度。狹縫也可以與主體的開(kāi)口疊置。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，顆粒捕捉器還可以包括靜電發(fā)生器。靜電發(fā)生器可以設(shè)置在主體之內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，激光蝕刻設(shè)備還可以包括氮?dú)獍l(fā)生器。激光蝕刻設(shè)備也可以包括吸氣器。氮?dú)獍l(fā)生器和吸氣器可以設(shè)置在靜電發(fā)生器下面。氮?dú)獍l(fā)生器可以被構(gòu)造為在顆粒捕捉器的下部分處產(chǎn)生氮?dú)狻Ｎ鼩馄骺梢员粯?gòu)造為吸取氮?dú)狻?/p>

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)窗口的旋轉(zhuǎn)軸可能不與狹縫疊置。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)窗口可以對(duì)于將被進(jìn)行激光蝕刻的每個(gè)基底以大約1°旋轉(zhuǎn)。狹縫在第一方向上可以為大約30mm。狹縫在第二方向上可以為大約9mm。旋轉(zhuǎn)窗口可以具有大約150mm的直徑。旋轉(zhuǎn)窗口可以以大約12mm與主體的下表面分隔開(kāi)。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，所述方法還可以包括當(dāng)旋轉(zhuǎn)窗口旋轉(zhuǎn)大約360°時(shí)清潔旋轉(zhuǎn)窗口。

本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了激光蝕刻設(shè)備。所述激光蝕刻設(shè)備包括腔室、激光端口、激光發(fā)射器、顆粒捕捉器和旋轉(zhuǎn)窗口模塊。激光端口設(shè)置在腔室下面。激光發(fā)射器設(shè)置在腔室下面。顆粒捕捉器設(shè)置在腔室之內(nèi)。顆粒捕捉器包括設(shè)置在激光端口上方的主體。開(kāi)口形成為穿過(guò)主體。旋轉(zhuǎn)窗口模塊包括旋轉(zhuǎn)窗口。旋轉(zhuǎn)窗口模塊還包括驅(qū)動(dòng)部。驅(qū)動(dòng)部被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)窗口。旋轉(zhuǎn)窗口設(shè)置在顆粒捕捉器與激光端口之間。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)窗口可以包括圓形形狀。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，激光發(fā)射器可以被構(gòu)造為將激光通過(guò)激光端口發(fā)射至設(shè)置在腔室中的基底。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)窗口對(duì)于對(duì)預(yù)定數(shù)量的基底執(zhí)行的每個(gè)激光蝕刻工藝以預(yù)定角度旋轉(zhuǎn)。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，顆粒捕捉器還包括狹縫遮板。狹縫遮板可以設(shè)置在顆粒捕捉器之中。狹縫遮板可以限定狹縫。狹縫可以在第一方向上延伸。狹縫可以在基本垂直于第一方向的第二方向上具有寬度。狹縫可以與主體的開(kāi)口疊置。

附圖說(shuō)明

通過(guò)結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的下面的描述，這些和/或其它方面將變得更加清楚和更加容易理解，其中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的激光蝕刻設(shè)備的剖視圖；

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖1的激光蝕刻設(shè)備的顆粒捕捉器的沿垂直于第二方向的表面截取的剖視圖；

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖1的激光蝕刻設(shè)備的顆粒捕捉器的沿垂直于第一方向的表面截取的剖視圖；

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖1的激光蝕刻設(shè)備的旋轉(zhuǎn)窗口和顆粒捕捉器的平面圖；

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖1的激光蝕刻設(shè)備的旋轉(zhuǎn)窗口的操作的平面圖；

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的激光蝕刻的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的示例性實(shí)施例可以包括不同形式和不同實(shí)施例，并且不應(yīng)該被解釋為受限于這里闡述的描述。因此，通過(guò)參照附圖，下面描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，以解釋本發(fā)明構(gòu)思的各個(gè)方面。將理解的是，當(dāng)層、區(qū)域或組件被稱作“形成在”另一層、區(qū)域或組件“上”或“設(shè)置在”另一層、區(qū)域或組件“上”時(shí)，該層、區(qū)域或組件可以直接地或間接地形成或設(shè)置在另一層、區(qū)域或組件上。因此，可以存在中間層、中間區(qū)域或中間組件。

現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的示例在附圖中示出，其中，同樣的附圖標(biāo)記在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中可以指同樣的元件。為了便于解釋，可以夸大附圖中元件的尺寸。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的激光蝕刻設(shè)備的剖視圖。

激光蝕刻設(shè)備可以用于有機(jī)薄膜的圖案化。有機(jī)薄膜可以形成有機(jī)發(fā)光元件。

有機(jī)發(fā)光元件可以通過(guò)在基底上順序地堆疊陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極而形成。

有機(jī)薄膜可以具有多層結(jié)構(gòu)。多層結(jié)構(gòu)可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層。電子注入層可以提高發(fā)射效率。發(fā)射層可以包括有機(jī)材料。有機(jī)材料可以包括三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)、n,n’-雙(3-甲基苯基)-n,n’-二苯基聯(lián)苯胺(tpd)、吡咯并苯并二氮雜(pbd)、4,4',4”-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-mtdata)或者三(4-咔唑基-9-基苯基)胺(tcta)；然而，本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限制于此。

有機(jī)發(fā)光元件可以包括陽(yáng)極、陰極和發(fā)射層。發(fā)射層可以設(shè)置在陽(yáng)極與陰極之間。當(dāng)驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光元件時(shí)，空穴可以從陽(yáng)極注入到發(fā)射層中。電子可以從陰極注入到發(fā)射層中。注入到發(fā)射層中的空穴和電子可以結(jié)合并產(chǎn)生激子。激子可以通過(guò)空穴和電子在發(fā)射層之內(nèi)結(jié)合而產(chǎn)生。激子可以從激發(fā)狀態(tài)躍遷到基態(tài)以發(fā)射光。

根據(jù)發(fā)射的光的顏色，有機(jī)發(fā)光元件可以包括單色型?？商娲?，根據(jù)發(fā)射的光的顏色，有機(jī)發(fā)光元件可以包括全色型。全色型有機(jī)發(fā)光元件可以通過(guò)紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍(lán)色發(fā)射層來(lái)實(shí)現(xiàn)。可以將紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍(lán)色發(fā)射層單獨(dú)地圖案化?？梢愿鶕?jù)紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍(lán)色發(fā)射層的材料而不同地執(zhí)行將紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍(lán)色發(fā)射層圖案化的工藝。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，有機(jī)膜12可以形成在基底10上?？梢酝ㄟ^(guò)將有機(jī)膜12圖案化來(lái)形成紅色發(fā)射圖案。紅色發(fā)射圖案可以與紅色子像素對(duì)應(yīng)。然后，可以在基底10上形成有機(jī)膜?？梢酝ㄟ^(guò)將有機(jī)膜圖案化來(lái)形成綠色發(fā)射圖案。綠色發(fā)射圖案可以與綠色子像素對(duì)應(yīng)。可以通過(guò)將有機(jī)膜圖案化來(lái)形成藍(lán)色發(fā)射圖案。藍(lán)色發(fā)射圖案可以與藍(lán)色子像素對(duì)應(yīng)。此外，可以通過(guò)分別對(duì)初步紅色發(fā)射圖案、初步綠色發(fā)射圖案和初步藍(lán)色發(fā)射圖案進(jìn)行激光蝕刻來(lái)形成紅色發(fā)射圖案、綠色發(fā)射圖案和藍(lán)色發(fā)射圖案?？梢酝ㄟ^(guò)使用掩模來(lái)在基底10上形成初步紅色發(fā)射圖案、初步綠色發(fā)射圖案和初步藍(lán)色發(fā)射圖案。

可以在基底10的邊緣處形成密封基底。也可以在基底10的邊緣處形成密封元件?？梢匀コ袡C(jī)膜的位于基底10的邊緣處的部分。因此，可以提高基底10與密封基底之間的粘合度。

因此，可以在形成有機(jī)膜之后對(duì)有機(jī)膜進(jìn)行圖案化?？梢酝ㄟ^(guò)激光蝕刻設(shè)備將有機(jī)膜圖案化。

當(dāng)執(zhí)行使用激光蝕刻設(shè)備的激光蝕刻方法時(shí)，來(lái)自有機(jī)膜的有機(jī)顆粒會(huì)污染激光蝕刻設(shè)備。因此，會(huì)降低工藝的生產(chǎn)率?？梢灾芷谛缘厍鍧嵓す馕g刻設(shè)備的腔室以提高工藝的生產(chǎn)率。因此，激光蝕刻設(shè)備的維護(hù)可能不是有效率的。

根據(jù)依照本發(fā)明的示例性實(shí)施例的激光蝕刻設(shè)備和使用激光蝕刻設(shè)備的激光蝕刻的方法，附著有有機(jī)顆粒的旋轉(zhuǎn)窗口310可以旋轉(zhuǎn)。因此，可以不需要對(duì)激光蝕刻設(shè)備的腔室進(jìn)行額外的清潔。因此，可以提高工藝的生產(chǎn)率。

激光蝕刻設(shè)備可以包括腔室100、顆粒捕捉器200、旋轉(zhuǎn)窗口模塊和激光發(fā)射器400。旋轉(zhuǎn)窗口模塊可以包括旋轉(zhuǎn)窗口310。旋轉(zhuǎn)窗口310可以具有圓形形狀。旋轉(zhuǎn)窗口模塊也可以包括驅(qū)動(dòng)部320。驅(qū)動(dòng)部320可以被構(gòu)造并用于使旋轉(zhuǎn)窗口310旋轉(zhuǎn)。

腔室100可以提供用于基底10的蝕刻工藝的空間。腔室100可以為真空腔室。當(dāng)通過(guò)激光蝕刻工藝去除有機(jī)膜12的一部分以對(duì)設(shè)置在基底10上的有機(jī)膜12進(jìn)行圖案化時(shí)，腔室100中的空間可以保持真空。為了保持合適的真空壓力，可以在腔室100的一側(cè)處提供真空泵?？梢栽谇皇?00的側(cè)壁處形成用于基底10的閘口(gate)?？梢栽陂l口處形成閘門(mén)110。閘門(mén)110可以被構(gòu)造并用于打開(kāi)和關(guān)閉閘口。

可以借助夾持模塊通過(guò)腔室100的閘口將基底10裝載到腔室100中或從腔室100卸載。夾持模塊可以為使用靜電力夾住基底10的es夾盤(pán)。有機(jī)膜12可以在第三方向d3上設(shè)置在基底10上?；?0可以設(shè)置在第一方向d1和第二方向d2的平面中，所述第一方向d1和所述第二方向d2基本垂直于第三方向d3。第二方向d2可以基本垂直于第一方向d1。

激光端口120可以設(shè)置在腔室100下面。激光端口120可以為透明的。因此，來(lái)自激光發(fā)射器400的激光束可以穿過(guò)激光端口120。

顆粒捕捉器200可以設(shè)置在腔室100之內(nèi)。顆粒捕捉器200可以設(shè)置在腔室100的激光端口120上方。因此，顆粒捕捉器200可以設(shè)置在裝載于腔室100中的基底10與激光端口120之間。顆粒捕捉器200可以被構(gòu)造并用于捕捉由有機(jī)膜12形成的有機(jī)顆粒。下面將參照?qǐng)D2至圖5詳細(xì)描述顆粒捕捉器200。

激光發(fā)射器400可以設(shè)置在腔室100下面。因此，激光發(fā)射器400可以設(shè)置在激光端口120下面。激光發(fā)射器400也可以在第三方向d3上與激光端口120分隔開(kāi)。激光發(fā)射器400可以發(fā)射激光以對(duì)設(shè)置在基底10上的有機(jī)膜12進(jìn)行圖案化。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，激光發(fā)射器400可以設(shè)置在腔室100外部。設(shè)置在腔室100外部的激光發(fā)射器400可以將激光發(fā)射到腔室100中。激光發(fā)射器400可以通過(guò)腔室100的激光端口120發(fā)射激光。因此，激光可以到達(dá)設(shè)置在基底10上的有機(jī)膜12。

激光發(fā)射器400可以發(fā)射基本平行于第三方向d3的激光。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，雖然激光可以基本平行于第三方向d3，但可替代地，激光可以相對(duì)于第三方向d3傾斜。

當(dāng)有機(jī)膜12被激光蝕刻時(shí)，會(huì)形成大量有機(jī)顆粒并且這些有機(jī)顆粒會(huì)從有機(jī)膜12分散。此外，有機(jī)顆?？梢杂捎谥亓Χ侣洹Ｒ虼?，有機(jī)顆粒可以在第三方向d3上下落。可以通過(guò)顆粒捕捉器200來(lái)收集有機(jī)顆粒。有機(jī)顆粒也可以附著在旋轉(zhuǎn)窗口310上。因此，可以防止有機(jī)顆粒粘附在激光端口120上。因此，可以減輕因有機(jī)顆粒引起的激光發(fā)射效率的劣化。另外，可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)部320使旋轉(zhuǎn)窗口310自動(dòng)旋轉(zhuǎn)。因此，可以提高激光蝕刻設(shè)備的維護(hù)效率。因此，可以提高該方法的生產(chǎn)率。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖1的激光蝕刻設(shè)備的顆粒捕捉器沿基本垂直于第二方向的表面截取的剖視圖。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖1的激光蝕刻設(shè)備的顆粒捕捉器沿基本垂直于第一方向的表面截取的剖視圖。

參照?qǐng)D2和圖3，顆粒捕捉器200可以包括主體210、狹縫遮板230和靜電發(fā)生器220。主體210可以具有圓柱形狀。狹縫遮板230可以設(shè)置在主體210中。

狹縫遮板230可以限定狹縫232。狹縫232可以沿第一方向d1延伸。狹縫232在第二方向d2上可以具有寬度t1。狹縫遮板230可以具有傾斜的表面。傾斜的表面可以在狹縫232附近。狹縫遮板230可以被構(gòu)造并用于收集會(huì)被分散的有機(jī)顆粒。

狹縫232在第一方向d1上可以具有長(zhǎng)度。狹縫232在第二方向d2上可以具有寬度t1。狹縫232的寬度t1可以為大約9mm。狹縫232的長(zhǎng)度可以為大約30mm。

靜電發(fā)生器220可以設(shè)置在主體210之內(nèi)。靜電發(fā)生器220也可以設(shè)置在狹縫遮板230下方。靜電發(fā)生器220可以被構(gòu)造為產(chǎn)生靜電。靜電發(fā)生器220也可以被用來(lái)收集會(huì)被分散的有機(jī)顆粒。

開(kāi)口212可以形成在主體210的下部處。從激光發(fā)射器400發(fā)射的激光可以穿過(guò)開(kāi)口212。開(kāi)口212可以與狹縫232疊置。靜電發(fā)生器220可以包括彼此面對(duì)的兩個(gè)表面，主體210的開(kāi)口212可以設(shè)置在靜電發(fā)生器220的所述兩個(gè)表面之間。

顆粒捕捉器200可以包括氮?dú)獍l(fā)生器。顆粒捕捉器200也可以包括吸氣器。氮?dú)獍l(fā)生器和吸氣器可以設(shè)置在靜電發(fā)生器220的下面。氮?dú)獍l(fā)生器和吸氣器可以設(shè)置在靜電發(fā)生器220與旋轉(zhuǎn)窗口310之間。吸氣器可以被構(gòu)造為收集會(huì)被分散到狹縫遮板230和顆粒捕捉器200附近的有機(jī)顆粒。氮?dú)獍l(fā)生器可以被構(gòu)造為在腔室100的一部分處產(chǎn)生氮?dú)?。氮?dú)獍l(fā)生器可以被構(gòu)造為在顆粒捕捉器200的下部分處產(chǎn)生氮?dú)狻Ｎ鼩馄骺梢员粯?gòu)造為吸取由氮?dú)獍l(fā)生器產(chǎn)生的氮?dú)??？梢栽谇皇?00之內(nèi)設(shè)置真空。帶有氮?dú)獾挠袡C(jī)顆?？梢员晃鼩馄魑?。因此，可以由此收集有機(jī)顆粒。

顆粒捕捉器200可以被連接到冷卻部。顆粒捕捉器200可以通過(guò)冷卻部被冷卻。因此，由冷卻部冷卻的顆粒捕捉器200可以收集有機(jī)顆粒。

旋轉(zhuǎn)窗口模塊可以包括旋轉(zhuǎn)窗口310、旋轉(zhuǎn)窗口310的旋轉(zhuǎn)軸312和驅(qū)動(dòng)部320。驅(qū)動(dòng)部320可以被構(gòu)造并用于使旋轉(zhuǎn)窗口310旋轉(zhuǎn)。

旋轉(zhuǎn)窗口310可以在第三方向d3上與顆粒捕捉器200的底表面以間隙t2分隔開(kāi)。間隙t2可以為大約12mm。

旋轉(zhuǎn)窗口310可以具有圓盤(pán)形狀。旋轉(zhuǎn)窗口310可以包括透明材料。透明材料可以被構(gòu)造為使來(lái)自激光發(fā)射器400的激光402通過(guò)。例如，旋轉(zhuǎn)窗口310可以包括玻璃。

旋轉(zhuǎn)窗口310的旋轉(zhuǎn)軸312可以被設(shè)置成不與顆粒捕捉器200的主體210的開(kāi)口212疊置。因此，如圖4中所示，在平面圖中，旋轉(zhuǎn)軸312可以在第一方向d1上與開(kāi)口212分隔開(kāi)。

驅(qū)動(dòng)部320可以包括電動(dòng)機(jī)和電力傳輸手段。電力傳輸手段可以為齒輪或皮帶，其中，所述齒輪和皮帶被構(gòu)造為將電動(dòng)機(jī)的旋轉(zhuǎn)力傳輸至旋轉(zhuǎn)窗口310。驅(qū)動(dòng)部320的電動(dòng)機(jī)和電力傳輸手段可以設(shè)置在腔室100之內(nèi)。驅(qū)動(dòng)部320還可以包括大氣壓力空間。該大氣壓力空間可以從腔室100分離出來(lái)。因此，電動(dòng)機(jī)和電力傳輸手段可以設(shè)置在具有大氣壓力的大氣壓力空間中。因此，可以減少在激光蝕刻工藝期間形成的有機(jī)顆粒的流入。因此，可以減少電動(dòng)機(jī)的劣化因素，諸如真空中的等離子體放電。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖1的激光蝕刻設(shè)備的旋轉(zhuǎn)窗口和顆粒捕捉器的平面圖。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖1的激光蝕刻設(shè)備的旋轉(zhuǎn)窗口的操作的平面圖。

參照?qǐng)D4和圖5，狹縫遮板230可以限定狹縫232。狹縫232可以在第一方向d1上延伸。狹縫232在第二方向d2上可以具有寬度t1。狹縫遮板230可以包括傾斜的表面。傾斜的表面可以在狹縫232附近。旋轉(zhuǎn)窗口310可以設(shè)置在顆粒捕捉器200的主體210的下面。旋轉(zhuǎn)窗口310的旋轉(zhuǎn)軸312可以被設(shè)置成不與狹縫232疊置。旋轉(zhuǎn)窗口310的旋轉(zhuǎn)軸312也可以在第一方向d1上與狹縫232分隔開(kāi)。寬度t1可以為大約9mm。長(zhǎng)度可以為大約30mm。

隨著旋轉(zhuǎn)窗口310的旋轉(zhuǎn)，第一區(qū)域a、第二區(qū)域b和第三區(qū)域c會(huì)順序地被有機(jī)顆粒污染。第一區(qū)域a、第二區(qū)域b和第三區(qū)域c中的每個(gè)區(qū)域可以與狹縫232具有基本相同的尺寸。顆粒捕捉器200與旋轉(zhuǎn)窗口310之間的距離可以足夠靠近，使得有機(jī)顆粒在第三方向d3上通過(guò)狹縫232下落。因此，有機(jī)顆粒會(huì)污染旋轉(zhuǎn)窗口310的具有與狹縫232的尺寸基本相同的尺寸的區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)窗口310可以針對(duì)每一個(gè)將被進(jìn)行激光蝕刻的基底以預(yù)定角度α旋轉(zhuǎn)。因此，旋轉(zhuǎn)窗口310的由激光穿過(guò)的部分可以保持清潔狀態(tài)。

例如，當(dāng)狹縫232具有大約9mm的寬度和大約30mm的長(zhǎng)度時(shí)，第一區(qū)域a、第二區(qū)域b和第三區(qū)域c中的每個(gè)區(qū)域可以具有大約9mm寬度和大約30mm長(zhǎng)度。當(dāng)旋轉(zhuǎn)窗口310具有大約150mm的直徑時(shí)，第一長(zhǎng)度d1為大約40mm，第二長(zhǎng)度d2為大約55mm，第三長(zhǎng)度d3為大約70mm。旋轉(zhuǎn)窗口310可以針對(duì)每個(gè)將被進(jìn)行激光蝕刻的基底旋轉(zhuǎn)大約1°。

當(dāng)旋轉(zhuǎn)窗口310基本被完全污染時(shí)，可以清潔旋轉(zhuǎn)窗口310。例如，當(dāng)旋轉(zhuǎn)窗口310旋轉(zhuǎn)大約360°時(shí)，隨后可以清潔旋轉(zhuǎn)窗口310。

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的激光蝕刻的方法的流程圖。

參照?qǐng)D6，激光蝕刻的方法可以包括裝載第一基底s100、執(zhí)行第一基底激光蝕刻工藝s200、使旋轉(zhuǎn)窗口以預(yù)定角度旋轉(zhuǎn)s300、卸載第一基底并裝載第二基底s400以及執(zhí)行第二基底激光蝕刻工藝s500。

在裝載第一基底s100中，可以將形成有有機(jī)膜的第一基底裝載在激光蝕刻設(shè)備的腔室中。激光蝕刻設(shè)備可以包括腔室、激光發(fā)射器、顆粒捕捉器和旋轉(zhuǎn)窗口模塊。激光端口可以在向下的方向上形成在腔室的下面。激光發(fā)射器可以產(chǎn)生激光。激光可以對(duì)有機(jī)膜進(jìn)行蝕刻。顆粒捕捉器可以包括主體。主體可以設(shè)置在激光端口上方。開(kāi)口可以形成為穿過(guò)主體。旋轉(zhuǎn)窗口模塊可以包括旋轉(zhuǎn)窗口。旋轉(zhuǎn)窗口可以設(shè)置在激光端口與顆粒捕捉器之間。旋轉(zhuǎn)窗口模塊還可以包括驅(qū)動(dòng)部。驅(qū)動(dòng)部可以被構(gòu)造為使旋轉(zhuǎn)窗口旋轉(zhuǎn)。

在第一基底激光蝕刻工藝s200中，可以通過(guò)激光端口由來(lái)自激光發(fā)射器的激光對(duì)設(shè)置在第一基底上的有機(jī)膜進(jìn)行蝕刻。

在使旋轉(zhuǎn)窗口以預(yù)定角度旋轉(zhuǎn)s300中，可以使在步驟s200中會(huì)被由有機(jī)膜形成的有機(jī)顆粒污染的旋轉(zhuǎn)窗口旋轉(zhuǎn)。因此，旋轉(zhuǎn)窗口的未污染的部分可以位于激光發(fā)射器與顆粒捕捉器之間。例如，每當(dāng)執(zhí)行了用于預(yù)定數(shù)量的基底的激光蝕刻工藝，可以使旋轉(zhuǎn)窗口以預(yù)定角度旋轉(zhuǎn)。

在卸載第一基底并裝載第二基底s400中，可以從腔室中卸載已經(jīng)完成圖案化工藝的第一基底?？梢詫⒖砂ㄓ袡C(jī)膜的第二基底裝載到腔室中。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，雖然可以在步驟s300之后執(zhí)行步驟s400，但是可以在與步驟s300基本相同的時(shí)間或者在步驟s300之前執(zhí)行步驟s400。

在第二基底激光蝕刻工藝s500中，可以通過(guò)激光端口從激光發(fā)射器發(fā)射激光來(lái)蝕刻設(shè)置在第二基底上的有機(jī)膜。

在激光蝕刻工藝s200和s500中，可以通過(guò)顆粒捕捉器來(lái)收集由有機(jī)膜形成的有機(jī)顆粒。通過(guò)開(kāi)口下落的有機(jī)顆?？梢员恍D(zhuǎn)窗口模塊收集。

當(dāng)旋轉(zhuǎn)窗口基本被完全污染時(shí)，可以清潔旋轉(zhuǎn)窗口。例如，當(dāng)旋轉(zhuǎn)窗口旋轉(zhuǎn)約360°時(shí)，可以清潔旋轉(zhuǎn)窗口。

根據(jù)依照本發(fā)明的示例性實(shí)施例的激光蝕刻設(shè)備和激光蝕刻的方法，可以通過(guò)顆粒捕捉器和旋轉(zhuǎn)窗口收集在工藝期間形成的有機(jī)顆粒。當(dāng)旋轉(zhuǎn)窗口被有機(jī)顆粒污染時(shí)，旋轉(zhuǎn)窗口可以旋轉(zhuǎn)。因此，旋轉(zhuǎn)窗口的未污染的部分可以與激光發(fā)射器對(duì)應(yīng)。因此，可以提高激光蝕刻設(shè)備的維護(hù)效率。因此，可以提高工藝的生產(chǎn)率。

前述是對(duì)本發(fā)明的說(shuō)明，并且不被解釋為對(duì)其的限制。雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的若干示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易地理解的是，在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中可以進(jìn)行許多修改。