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助焊劑組合物的制作方法

文檔序號:2988597閱讀:204來源:國知局
專利名稱:助焊劑組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施例一般涉及集成電路封裝領(lǐng)域,具體來說,涉及與 助焊劑關(guān)聯(lián)和/或使用助焊劑的方法、裝置和系統(tǒng)。
背景技術(shù)
在集成電路(IC)技術(shù)領(lǐng)域,通常將諸如微處理器的IC組件組 裝到物理和電耦合到諸如印刷電路板(PCB)的村底的封裝中。封裝 本身通常包括一個(gè)或多個(gè)IC組件和一個(gè)或多個(gè)襯底。這些組件中的 每個(gè)組件通常包括用于與其它組件耦合的多個(gè)電接點(diǎn)或?qū)щ娨r墊。例 如,電子封裝通常具有用于與例如PCB襯底耦合的多個(gè)接點(diǎn)或?qū)щ娨r 塾。
為了將這些電子封裝電耦合到PCB襯底,可以將電子封裝的接觸 襯墊耦合到諸如焊料凸塊、管腳等導(dǎo)電連接器,這些導(dǎo)電連接器可進(jìn) 一步電耦合到PCB襯底。關(guān)于焊接,可使用助溶劑來改善表面(如接 觸村墊)與焊接材料之間的電連接。


通過結(jié)合附圖閱讀以下詳細(xì)描述,將能容易地理解本發(fā)明的實(shí)施 例。附圖的各圖中舉例而非限制性地說明本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的結(jié)合本發(fā)明的教導(dǎo)的焊接方法;以及 圖2示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的結(jié)合本發(fā)明的教導(dǎo)的系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式
在以下詳細(xì)描述中,參照形成本發(fā)明的一部分的附圖,附圖中說 明性地示出可以在其中實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例。應(yīng)了解,在不背離本發(fā)明的范圍的情況下,可以利用其它實(shí)施例,并且可以做出結(jié)構(gòu)或邏輯 改變。因此,不應(yīng)將以下詳細(xì)描述視為是限制意義的,根據(jù)本發(fā)明的 實(shí)施例的范圍由隨附權(quán)利要求及其等效物限定。
多個(gè)離散的操作依次進(jìn)行描述;但是,描述的順序不應(yīng)理解為意味這 些操作是順序相關(guān)的。
本描述可使用基于透視圖的敘述,如上/下、后/前以及頂部/底部。 使用這些敘述只是為了便于論述,而不是用于限制本發(fā)明的實(shí)施例的 應(yīng)用。
本描述可使用短語"在一個(gè)實(shí)施例中"或"在實(shí)施例中",它們 均表示一個(gè)或多個(gè)相同或不同的實(shí)施例。此外,"包括"、"包含"、 "具有"等術(shù)語在關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例使用時(shí)同義。
短語"A/B,,表示"A或B,,。短語"A和/或B,,表示"(A)、 (B) 或(A和B)"。短語"A、 B和C中至少之一,,表示"(A)、 (B)、 (C)、 (A和B)、 (A和C)、 (B和C)或(A、 B和C)"。短語"(A)B,,表示"(B) 或(AB)",即,A是可選的。
根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例,提供包含表面活性劑和酸添加劑的新 穎助焊劑組合物、助焊劑組合物的使用方法、以及具有使用助焊劑組 合物制造的組件的系統(tǒng)。
在各個(gè)實(shí)施例中,該新穎助焊劑組合物或復(fù)合組合物可用作用于 形成各種集成電路設(shè)備的焊接工藝的一部分。對于這些實(shí)施例,助焊 劑組合物可從即將進(jìn)行焊接的表面上去除氧化物,由此增加焊料粘附 到襯底表面的能力。在一些實(shí)施例中,助焊劑組合物可防止在即將進(jìn) 行焊接的表面上生長氧化物,并且可以減少襯底表面處的空氣和/或污 染物。
對于一些實(shí)施例,助焊劑組合物可包含具有低重量百分比(相對 于助焊劑組合物)的酸添加劑,在這些實(shí)施例的一些實(shí)施例中,該低 重量百分比可以減少助焊劑在熱處理(如回流)過程中的去氣、起泡和/或》更化的量。
在各個(gè)實(shí)施例中,低重量百分比的酸對于無鉛焊接處理中常見的 高溫回流工藝尤其有益。在當(dāng)前的助焊劑配方中,高百分比的酸會(huì)引 起某些破壞性問題。例如,會(huì)導(dǎo)致去氣、起泡和/或助溶劑硬化。去氣 和/或起泡因其可能會(huì)引起芯片不對準(zhǔn)而不合需要。此外,硬化也是高 重量百分比的酸引起的問題,因?yàn)樗釙?huì)與助焊劑的其它組分互相作 用、交聯(lián)和/或產(chǎn)生會(huì)使助溶劑殘留物難以用水去除的酯。因此,在各 個(gè)實(shí)施例中,低重量百分比的酸可減少芯片不對準(zhǔn)和/或改善助溶劑殘 留物的可清潔性。
根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的酸添加劑可以是一種或多種羧酸。例如,在一 些實(shí)施例中,酸添加劑可以是二羧酸。在這些實(shí)施例的各個(gè)實(shí)施例中, 二羧酸可以是例如丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸和/或酒 石酸中的任意一種或多種。在各個(gè)其它實(shí)施例中,酸添加劑可以是包 括例如乙醇酸的其它羧酸中的任意一種或多種。
如之前所提到的,根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的酸添加劑可以具有低重量百
分比。在一些實(shí)施例中,助焊劑組合物可包含小于約20重量%的羧酸。 在各個(gè)實(shí)施例中,可以使用在回流溫度具有小于30重量%損失的酸添 加劑重量百分比。例如,在一些實(shí)施例中,最佳結(jié)果可通過使用包含 約1-7重量%的羧酸的助焊劑組合物來實(shí)現(xiàn)。在這些實(shí)施例的各個(gè)實(shí) 施例中,包含約6.3重量%的羧酸的助焊劑組合物可在回流工藝過程 中提供最小的助溶劑去氣。
如前所述,在各個(gè)實(shí)施例中,助焊劑組合物可包含表面活性添加 劑。在這些實(shí)施例的各個(gè)實(shí)施例中,表面活性添加劑可減少助溶劑殘 留物(如在回流工藝之后殘留的殘留物)與水的界面處的表面張力, 由此使得能夠用水從襯底表面有效地去除助溶劑殘留物。根據(jù)各個(gè)實(shí) 施例的表面活性添加劑可以是一種或多種市售表面活性劑。例如,在 一些實(shí)施例中,可以使用由Air Products and Chemicals, Inc.出售的 Envirogem AD01表面活性劑作為表面活性添加劑。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例,可包含其它表面活性劑。
在各個(gè)實(shí)施例中,助焊劑組合物可包含小于約10重量%的表面活
性添加劑。在這些實(shí)施例的各個(gè)實(shí)施例中,最佳結(jié)果可通過使用包含
約2重量%的表面活性添力口劑的助焊劑組合物來實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的助焊劑組合物可包含胺添加劑。在這些實(shí)施例 的一些實(shí)施例中,胺添加劑可包含例如烷基取代胺、乙醇胺、乙氧基 化胺和/或丙氧基化胺中的一種或多種。在各個(gè)實(shí)施例中,助焊劑組合 物可包含小于約40重量%的胺,在這些實(shí)施例的各個(gè)實(shí)施例中,最佳 結(jié)果可用約20重量%的胺來實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的助焊劑組合物可包含其它添加劑,包括例如樹 脂、溶劑等。在各個(gè)實(shí)施例中,助焊劑組合物可包含小于約40重量% 的樹脂,在這些實(shí)施例的各個(gè)實(shí)施例中,最佳結(jié)果可用約30重量%的 樹脂來實(shí)現(xiàn)。在一些實(shí)施例中,助焊劑組合物可包含溶劑添加劑,包 括例如二醇、醚和/或醚乙酸酯中的一種或多種。
現(xiàn)在參照圖1,示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法。在各個(gè)實(shí)施例中, 如圖1中的10所示,方法100可包括提供襯底。如20所示,根據(jù)需 要,將助焊劑組合物施加到村底表面,在一些實(shí)施例中,可以施加助 焊劑組合物以便從即將進(jìn)行焊接的村底表面去除氧化物。例如,在一 些實(shí)施例中,可以將助焊劑組合物施加到村底上的離散位置,或者可 以施加到襯底的整個(gè)表面。在各個(gè)其它實(shí)施例中,除了或取代將助焊 劑組合物直接施加到村底表面,可以將助焊劑組合物包含在焊料中 (例如,與用于形成焊球的焊料混合在一起)。
在各個(gè)實(shí)施例中,助焊劑組合物可包含任何數(shù)量的添加劑,包括 例如酸、表面活性劑等。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的酸添加劑可以是一種或多 種羧酸,包括例如丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、酒石 酸和/或乙醇酸。在各個(gè)實(shí)施例中,助焊劑組合物可包含小于約20重 量%的羧酸和小于約10重量%的表面活性劑。在這些實(shí)施例的一些實(shí) 施例中,最佳結(jié)果可使用約1-7重量%的羧酸和/或約2重量%的表面活性劑來實(shí)現(xiàn)。
在各個(gè)實(shí)施例中,如圖1中的30所示,在通過施加助焊劑組合
物而去除任何氧化物之后,接著可以將一個(gè)或多個(gè)焊^t置于襯底表面 上。在各個(gè)實(shí)施例中,焊球可包含無鉛或基本無鉛的焊球。如前所述, 在各個(gè)實(shí)施例中,助焊劑組合物可以與用于形成焊球的焊料混合在一 起。此外,在各個(gè)實(shí)施例中,可以將助焊劑組合物直接施加到焊J求表 面。另外,在各個(gè)實(shí)施例中,可以將助焊劑組合物直接施加到襯底表 面。
在各個(gè)實(shí)施例中,如圖1中的40所示,4妻著可以加熱焊球以便 使焊球回流并接合到襯底的不含氧化物的表面。例如,在這些實(shí)施例 的各個(gè)實(shí)施例中,可以使用傳導(dǎo)、紅外線、激光、氣相和/或其它回流 處理技術(shù)來使焊球回流。
在各個(gè)實(shí)施例中,可以在回流工藝之后去除村底的焊劑,以便去 除襯底上殘留的任何殘留物(未示出)。在各個(gè)實(shí)施例中,去焊劑可 包括用水清洗襯底。在這些實(shí)施例的一些實(shí)施例中,可以使用熱水。 在其它實(shí)施例中,襯底可以不需要去焊劑,或者可以使用其它已知的 清洗方法來去焊劑。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖2,示出根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)200。在各 個(gè)實(shí)施例中,如圖所示,系統(tǒng)200可包括集成電路50和耦合到集成 電路50的一個(gè)或多個(gè)大容量存儲設(shè)備80。在這些實(shí)施例的各個(gè)實(shí)施 例中,集成電路50可以有不同的配置。例如,集成電路50可包括襯 底60和耦合到村底60的表面的一個(gè)或多個(gè)焊料凸塊70,在這些實(shí)施 例的各個(gè)實(shí)施例中,可使用本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的助焊劑組合物去除 了襯底表面上的基本上所有的氧化物。
關(guān)于焊料凸塊70,在一些實(shí)施例中,焊料凸塊可以釆用不同的方 式形成并且可以采用不同的方式耦合到襯底60。例如,在一些實(shí)施例 中,焊料凸塊可以通過回流無鉛或基本無鉛的焊球來形成。此外,在 各個(gè)實(shí)施例中,可以將焊料凸塊耦合到襯底60的表面,其中已使用
8包含小于約20重量%的羧酸和小于約10重量%的表面活性劑的助焊 劑組合物去除了襯底60表面上的基本上所有的氧化物。此外,在各 個(gè)實(shí)施例中,可以將助焊劑組合物與用于形成焊球的焊料混合在一 起,直接施加到焊3求表面,和/或直接施加到襯底60的表面。
在各個(gè)實(shí)施例中,除了結(jié)合于本文的本發(fā)明的實(shí)施例的教導(dǎo)外, 大容量存儲設(shè)備80和集成電路50表示本領(lǐng)域中已知的廣泛范圍內(nèi)的 元件。例如,大容量存儲設(shè)備80可以是光存儲設(shè)備、或諸如磁盤驅(qū) 動(dòng)器的磁存儲設(shè)備。此外,系統(tǒng)200可以用廣泛范圍內(nèi)的形狀因子來 實(shí)施,以用于廣泛范圍內(nèi)的一般或特殊應(yīng)用,包括例如無線適配器、 無線移動(dòng)電話、機(jī)頂盒、個(gè)人數(shù)字助理,平板計(jì)算設(shè)備、桌面型計(jì)算 設(shè)備和/或娛樂控制單元。此外,系統(tǒng)200可具有各種操作系統(tǒng)和/或 應(yīng)用以解決各種計(jì)算問題。
盡管本文出于描述優(yōu)選實(shí)施例的目的示出和描述了某些實(shí)施例, 但本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白,在不背離本發(fā)明的范圍的情況下,經(jīng)考 慮用于實(shí)現(xiàn)相同目的的各種各樣的備選和/或等效實(shí)施例或?qū)崿F(xiàn)可替 代所示和描述的實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將能容易地明白,根據(jù)本 發(fā)明的實(shí)施例可以用非常多樣的方式來實(shí)現(xiàn)。本申請意欲涵蓋本文論 述的實(shí)施例的任何改變或變化。因此,意思很明顯,根據(jù)本發(fā)明的實(shí) 施例只由權(quán)利要求及其等效物限定。
權(quán)利要求
1. 一種助焊劑組合物,包含小于約20重量%的羧酸;以及小于約10重量%的表面活性劑。
2. 如權(quán)利要求1所述的助焊劑組合物,包含約2重量%的所述表 面活性劑。
3. 如權(quán)利要求1所述的助焊劑組合物,包含介于約1重量%與7 重量%之間的所述羧酸。
4. 如權(quán)利要求1所述的助焊劑組合物,其中所述羧酸包括二羧酸。
5. 如權(quán)利要求4所述的助焊劑組合物,其中所述二羧酸包括從丙 二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸或酒石酸中選擇的一種。
6. 如權(quán)利要求1所述的助焊劑組合物,其中所述羧酸包括乙醇酸。
7. 如權(quán)利要求1所述的助焊劑組合物,還包含胺。
8. 如權(quán)利要求7所述的助焊劑組合物,其中所述胺包括從烷基取 代胺、乙醇胺、乙氧基化胺或丙氧基化胺中選擇的一種。
9. 如權(quán)利要求7所述的助焊劑組合物,包含小于約40重量%的 所述胺。
10. 如權(quán)利要求9所述的助焊劑組合物,包含約20重量%的所述胺。
11. 如權(quán)利要求1所述的助焊劑組合物,還包含樹脂。
12. 如權(quán)利要求11所述的助焊劑組合物,包含小于約40重量% 的所述樹脂。
13. 如權(quán)利要求12所述的助焊劑組合物,包含約30重量%的所 述樹脂。
14. 如權(quán)利要求1所述的助焊劑組合物,還包含溶劑。
15. 如權(quán)利要求14所述的助焊劑組合物,其中所述溶劑包括從二 醇、醚或醚乙酸酯中選擇的一種。
16. —種方法,包括 提供襯底;將助焊劑組合物施加到所述襯底的表面的至少一部分上以便從 所述村底去除氧化物,所述助焊劑組合物包含小于約20重量%的羧酸 和小于約10重量%的表面活性劑;將一個(gè)或多個(gè)焊球置于所述村底的不含氧化物的表面上;以及 加熱所述焊球以便使所述焊球回流并接合到所述村底的不含氧 4匕物的表面。
17. 如權(quán)利要求16所述的方法,還包括用水清洗在加熱所述焊球 之后殘留在所述襯底上的任何殘留物。
18. 如權(quán)利要求16所述的方法,其中將一個(gè)或多個(gè)焊球置于所述 襯底的不含氧化物的表面上的所述步驟包括將一個(gè)或多個(gè)基本不含 鉛的焊球置于所述襯底的不含氧化物的表面上。
19. 一種系統(tǒng),包括 集成電路,包括襯底;和耦合到所述村底的表面的一個(gè)或多個(gè)焊料凸塊,其中已使用 包含小于約20重量%的羧酸和小于約10重量%的表面活性劑的助焊 劑組合物去除了所述村底表面上的基本上所有的氧化物;以及 耦合到所述集成電路的一個(gè)或多個(gè)大容量存儲設(shè)備。
20. 如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng),其中所述焊料凸塊中的一個(gè)或多 個(gè)焊料凸塊包括基本不含鉛的焊料凸塊。
全文摘要
本文公開助焊劑的組合物、方法和系統(tǒng)。在各個(gè)實(shí)施例中,助焊劑組合物可包含表面活性劑和小于約20%的羧酸。在這些實(shí)施例的一些實(shí)施例中,助焊劑組合物可用于無鉛焊接工藝。
文檔編號B23K35/36GK101454116SQ200780019331
公開日2009年6月10日 申請日期2007年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月31日
發(fā)明者A·普拉卡什, P·科寧, S·勒曼, V·勒邦霍伊爾 申請人:英特爾公司
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