專利名稱：用于引線焊接機的激光清潔系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于引線焊接處理的清潔系統(tǒng)，尤其是涉及一種激光清潔機構，用于清除焊接表面上的污染物，這些表面例如引線焊接片或焊接引線。
背景技術：
引線焊接法是將半導體裝置連接到其支承基座上最常用到的方法。在該方法中，細絲，通常為金、銅或鋁質細絲采用超聲波或熱聲波焊接到半導體裝置和基座上的焊接片上。在G.Harman(McGraw-Hill，New York，1997)的“Wire Bonding in Microelectronics”中給出了對這種引線焊接方法的整個概況。引線焊接法落入了兩個寬泛的類目球形焊接和楔形焊接。本發(fā)明同樣涉及這些方法。
對將引線焊接在半導體裝置或基座上的焊接片上產生負面影響的一個問題是在焊接片上和/或被焊接的引線上存在污染物。這種污染物由于各種原因而存在。例如氧化層很容易形成于某種金屬上，例如銅、或鋁焊接片上，氧化鋁比較硬，并且如果氧化層太厚的話在焊接過程中將不能充分打碎。氧化銅的問題更嚴重。其柔軟而滑溜，其減小了由于球體或引線在該表面上的超聲波運動產生的摩擦并由此妨礙焊接或降低了焊接的質量。
各種形式的有機物也在沉積在暴露在環(huán)境中的焊接表面上。有機物包括油脂，這些油脂的存在源于人們與該表面的接觸。該表面上也可能存在一些在加工過程中留下的一些殘留物，例如沖模粘合劑(die attach adhesive)，切割加工的殘留物或在IC制造工藝中產生的氟污染物。這些都會對該引線焊接法產生負面影響。
通常，位于沖模和基座上的焊接片采用一種間歇式(batch)等離子清潔器中的低壓等離子進行清潔。由于是一種獨立的間歇式工藝，因此通常在焊接處理之前需要花費幾個小時。在清潔和焊接之間耽擱如此長的時間導致焊接表面會被再次濡染或再次氧化。這種等離子清潔也有導致不能有效清除上述多種污染物。等離子清潔對氧化物、氟化物以及切割碎屑中的某些污染物并不是特別有效。這種污染物如果存在的話通常會降低引線焊接操作的生產率或者需要一些交替的清潔工藝。
激光清潔已經被用于獨立的清潔系統(tǒng)中以便清潔各種裝置。參見例如美國專利US6573,702、US6494217、US6291796、US6066032以及US5643472。這些專利的內容將以參引的方式整體包含在本申請中。
目前依然需要一種改進的系統(tǒng)來清潔引線和/或焊接片，以便將引線固定到焊接片上，并且能夠改善該焊接的質量和可靠性。

發(fā)明內容
根據(jù)本發(fā)明的一個示例實施例，提供了一種用于將引線連接在半導體裝置和一基座上的焊接片之間的引線焊接系統(tǒng)。該引線焊接系統(tǒng)包括一框架以及一焊接頭，該焊接頭與該框架相連，并用于將引線連接在半導體裝置和基座上的焊接片之間。該引線焊接系統(tǒng)還包括一激光清潔機構，該機構安裝在該框架上，該激光清潔機構包括一激光器，用于發(fā)射激光，該激光用于照射焊接片上的污染物，該激光清潔機構位于該框架上，以便在焊接頭將引線焊接到該半導體裝置或基座中至少一個的焊接片上之前將激光發(fā)射到該焊接片上。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了另一種用于將引線連接到位于半導體裝置和基座上的焊接片之間的引線焊接系統(tǒng)。該引線焊接系統(tǒng)包括一框架以及與該框架相連的焊接頭，該焊接頭適于接收用于連接在半導體裝置和基座上的焊接片之間的引線。該引線焊接系統(tǒng)還包括一引線和一激光清潔機構，該結構安裝在該框架上。該激光清潔機構包括一激光器，用于發(fā)射激光，該激光用于在焊接該引線之前照射一部分引線。該激光器安裝在框架上以便沿著至少部分對著該引線的方向發(fā)射激光。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了一種用于將引線連接在半導體裝置和基座上的焊接片之間的方法。該方法包括在(a)一部分引線、()半導體裝置的焊接片或()基座的焊接片中的至少一個的附近發(fā)射激光，以便照射其上的污染物，該引線適于連接在半導體裝置和基座的焊接片之間。該方法還包括將該引線連接在該半導體裝置的焊接片和基座的焊接片上。
附圖簡要說明為了說明本發(fā)明，采用附圖表示了本發(fā)明的幾個實施例。不過，需要理解的是，本發(fā)明并不限于這些附圖中的確切結構和手段。


圖1所示的是本發(fā)明的一個實施例的包含有一激光清潔機構的引線焊接機的一部分的示意性立體圖。
圖2所示的是包含有另一種用于直接控制激光器發(fā)射的激光的裝置的引線焊接機的一部分的示意性立體圖。
圖3所示的是包含有一種用于直接控制激光器發(fā)射的激光的可旋轉鏡子的引線焊接機的一部分的示意性立體圖。
圖4所示的是本發(fā)明的包含有一種作為激光清潔機構的一部分的微型激光器的引線焊接機的示意性立體圖。
圖5所示的是根據(jù)本發(fā)明方法的包含有一種用于控制待清潔部件暴露在激光下的程度的掩膜的引線焊接機的一部分的示意性立體圖。
圖6所示的是根據(jù)本發(fā)明方法的包含對用激光進行清潔的區(qū)域使用氣體屏蔽裝置的引線焊接機的一部分的示意性立體圖。
圖7所示的是根據(jù)本發(fā)明的包含有一種用于清潔焊接引線的激光清潔機構的引線焊接機的一部分的示意性立體圖。
具體實施例方式
參見附圖，在所有附圖中，其中相同的標記代表相同的部件，所示的本發(fā)明的各種實施例都涉及用于照射半導體裝置和/或基座上的焊接片上的污染物的激光清潔系統(tǒng)。
如在此處所使用的，術語“污染物”用于指代位于觸點或引線上的任何不需要的物質。例如，該污染物包括有機物染物、無機污染物、氧化物等等。
如在此處所使用的，術語“框架”用于指代任何支撐構件，用于支撐引線焊接頭以及待焊接的部件。盡管在本發(fā)明的附圖中表示出了的例示支撐構件(例如框架)，但是術語框架并不限于所示的實施例。而且，“框架”也可以用于支撐本發(fā)明的激光清潔機構。支撐該激光清潔機構的框架可以同為用于支撐該引線焊接頭的框架?；蛘?，可以使用兩個不同的框架(支撐構件)來分別支撐激光清潔機構和引線焊接頭。因此，在此所描述的單個“框架”可以涉及不同的支撐構件。
如在此處所使用的，術語半導體裝置指代任何一些裝置，包半導體沖模(die)、半導體芯片、集成電路等等，以及任何其它用于引線焊接到基座上的裝置。
如在此處所使用，術語基座指的是其上采用引線焊接有半導體裝置的任何構件，包括但不限于印刷電路板、卡等等。
如在此處所使用的，術語焊接片指的是位于半導體裝置或基座上的任何觸點(該觸點包括成為半導體裝置或基座的一體部分的觸點)，引線焊接在該觸點上。
圖1所示的是包含有本發(fā)明引線焊接機10的一部分的示意圖。本發(fā)明的該激光清潔系統(tǒng)可以用于任何引線焊接機。不過，一種優(yōu)選的機器為Kulicke & Soffa Industrie，Willow Grove，PA以Maxμm為商標出售的機器。該引線焊接機10包括以框架12，該框架支撐以往復運動的引線焊接頭14。該引線焊接頭14通常具有以超音速變換器30，以焊接工具(毛細管或楔形件)32安裝在該變換器上。該引線焊接頭14用于進給一段引線并將引線固定在位于半導體裝置18上的引線焊接片16(圖1未示出，見圖5)和位于基座22上的引線焊接片(未示出)之間。為了實現(xiàn)這項任務，該引線焊接頭14可以沿著兩個水平方向(通常稱之為X方向和Y方向)運動，并且該變換器30以及焊接工具32還可以沿著垂直(Z)方向運動。觀察裝置40通常安裝在焊接頭上以便分辨并定位該焊接片。除了下面所闡述的，引線焊接機10的結構均為普通的結構。
在一優(yōu)選實施例中。一激光清潔機構50安裝在該引線焊接機10上，并且，優(yōu)選的是安裝在框架12上。激光清潔機構包括一激光器52，用于發(fā)射一束激光，該激光用于照射一個或多個引線焊接片的至少一部分以便清除掉至少一部分可能存在焊接片上的污染物。如上所述，在制造半導體裝置和/或基座的過程中，通常會在半導體裝置或基座上的不同地方找到一些污染物例如油脂、碎屑等。一個這樣的區(qū)域就是位于半導體裝置或基座上的觸點和焊接部位(焊接片)。安裝激光機構50并使其構成為可通過采用選擇的適當波長的激光照射焊接片而清除位于這些區(qū)域的至少一部分污染物，從而清除掉該污染物。
優(yōu)選的是，該激光的波長在大約140-1700nm，但是更優(yōu)選的是在大約180-1200nm的范圍內，最優(yōu)選的是在大約200-550nm的范圍內。這些波長范圍能夠充分地與焊接片上的污染物相互作用，使得至少一部分激光被吸收。各種激光器都可以用于本發(fā)明中，例如Nd-YAG、Nd-玻璃、Nd-YLF、Er-YAF、激發(fā)物激光器、Ti-藍寶石、或者二極管激光器。這些激光器為本領域所公知的，因此不需要對其結構和操作方式進一步進行闡述。適當?shù)募す馄髟贛elles Griot，Spectra Physics，Inc.，以及Coherent，Inc.有售。用于本發(fā)明的一種優(yōu)選的光源為采用二極管激光器進行泵送的Nd-YAG激光器(diode-laser pumped Nd-YAG laser)。另一種激光為微型激光器，例如美國專利US5394413所描述的那種激光器，該專利被本文整體參引。一種適當?shù)奈⑿图す馄髟贜orthrop Grumman有售，品名為“ML Series Microlaser”。
在一優(yōu)選實施例中，該激光器為脈沖激光器，脈沖長度在大約5毫微微秒(fs)到500毫微秒(ns)之間。更優(yōu)選的是，該激光器的脈沖范圍在大約100微微秒(ps)到大約100毫微秒(ns)之間。
還可以考慮使得該激光系統(tǒng)包括一非線性的光學裝置，例如一種采用非線性的光學水晶的裝置，該裝置根據(jù)所需要的波長將基礎激光光束波長轉換到其第二、第三、第四諧振波。這種非線性的光學裝置通常用于激光工業(yè)中并且不必在此作進一步描述。可以選擇最佳波長，以便取得最佳的污染物清除效果?？梢钥紤]在一些實施例中使得該清潔工藝能夠包含燒蝕該焊接片金屬的一薄(亞微型)表面層。通常，波長越短，除掉焊接片的表面層所需的功率越低。用于波長變換的非線性光學裝置通常用于產生較短波長的激光。
激光可以采用任何已知的方式進行控制。光纖54是一種控制激光的方便方式。圖1示意性表示出采用一種光纖將激光從安裝在引線焊接機上的任何位置的激光器52上引導到半導體裝置18和/或其基座22上。在一優(yōu)選實施例中，如圖1所示，光纖54的一端和光學系統(tǒng)56連接在該焊接頭14上。采用這種方式，焊接頭14沿X-Y的運動用來使得激光轉向到待清潔的焊接片上。還可以考慮采用從觀察系統(tǒng)40所獲得的信息來精確低將激光指向位于半導體裝置和/或基座上的理想位置。在有些實施例中，激光會需要有相對較高(較強)的聚焦。在該實施例中，焦點的垂直位置可以通過使得激光器的安裝臂58上下移動或者通過以機械方式調節(jié)光學系統(tǒng)56中的透鏡進行調節(jié)。在其它實施例中，激光器可以具有足夠的功率來進行清潔作用，即使該激光并不聚焦或僅僅輕微聚焦在該焊接片上。在該實施例中，透鏡系56的Z方向控制并不需要。
在其它實施例中，激光傳送系統(tǒng)50可以安裝在框架12上，與該焊接頭14分離開。圖2和3中表示出了該實施例的例子。將激光束傳送系統(tǒng)安裝成與焊接頭分離能夠對半導體裝置以及相關基座上的焊接片進行清潔，同時將引線焊接到另一個已經清潔過的半導體裝置上。該實施例包括用于控制激光的X、Y、在有些情況下還有Z方向位置的獨立系統(tǒng)。如圖2所示，激光控制系統(tǒng)可以包括X-Y或X-Y-Z平臺51?；蛘?，具有兩個或多個可旋轉的(或者可以以其它方式進行調節(jié)的)鏡子59的系統(tǒng)可用于控制激光的X和Y方向的位置。該系統(tǒng)如圖3所示。也可以采用運動平臺和可旋轉/可調節(jié)鏡子相結合。為了精確控制激光，還可以采用第二個與焊接頭之一類似的觀察系統(tǒng)。
在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施例中，微型激光器80安裝一可移動的框架構件上，該構件上具有光學系統(tǒng)。圖4示意性表示這種實施例的一個例子。在任何前述實施例中的光纖電纜和透鏡系統(tǒng)可以采用一種微型激光器來替代。將適當?shù)墓鈱W系統(tǒng)82直接連接在該微型激光器上。
盡管已經闡述了一些用于將激光傳送到待清潔區(qū)域的不同方法，但是本發(fā)明并不限于上述這些具體的實施例。
在有些實施例中，對焊接區(qū)域產生有效清潔所需的激光的功率足以對半導體沖?；蚱浠钠渌糠衷斐蓳p害。為了避免在清潔過程中對沖模和/或基座造成損害，優(yōu)選的是對激光光學系統(tǒng)進行控制以便使得對不需要清潔的區(qū)域的照射最小化。例如，優(yōu)選是使得在半導體裝置上的焊接片周圍的暴露面積最小化，以避免對該焊接片周圍的鈍化層以及可能位于該鈍化層之下的結構造成不能接受的損害。正如在上面多個實施例中所論及的，激光束可以聚焦到一個較小的面積，并且可以采用X-Y轉向機構來防止對沖?；蚧拿舾胁糠诌M行過度照射。不過，在有些實施例，激光束本身可能比待清潔的區(qū)面積大。為了防止對待清潔區(qū)域之外的區(qū)域造成損害，可以將一個掩膜安裝在噶激光清潔機構的光學系統(tǒng)中。圖5表示出了一種這樣的結構。掩膜90將屏蔽該沖?；蚧拿舾袇^(qū)域，同時使得激光通過掩膜90中的開口投射在焊接片上。掩膜90優(yōu)選安裝在以移動平臺92上以便使其與沖模和/或基座對齊。采用與在焊接頭上的那個觀察系統(tǒng)分離的一個觀察系統(tǒng)來控制這種對齊。
還考慮在采用激光對該部件進行照射之前、照射期間和/或照射之后采用一種氣體系統(tǒng)。氣體，例如，高壓空氣，可以用來吹走由于激光照射該焊接片產生的碎屑/氣體。如果需要防止氧化沉積在清潔過的區(qū)域上，優(yōu)選是該氣體為惰性氣體，例如氮氣、氬氣或氦氣、或者提供一種化學還原氣體，例如惰性氣體和氫氣的混合物。這對于銅質基座和/或銅質焊接片以及對于在基座上鍍銀導線尤其有利。
除了采用氣體對清潔過的區(qū)域進行吹掃外，尤其是在對氧化敏感的焊接片或引線情況下，理想的是在清潔過后在清潔過的部件周圍形成和保持一種惰性氣體罩。圖6表示出了用于采用惰性氣體屏蔽清潔過的區(qū)域的系統(tǒng)的一個例子。惰性氣體通過管子102進入該屏蔽區(qū)域00?；蛘撸梢栽谝粋€腔室中進行清潔和焊接。還有另一種可能室將中等抽吸力施加在清潔過的區(qū)域。如圖6所示的一種系統(tǒng)可以通過相管子102施加真空而用于這種目的，而不是象前面所述的那樣施加高壓氣體。也可以通過對在如圖5中所示和所述的那中類型的激光遮蔽掩膜的頂部施加輕微的真空來防止由激光清潔產生的碎屑沉積在焊接片上。
本發(fā)明的一個優(yōu)點在于能夠在焊接前立即清潔該裝置和基座，因為該清潔系統(tǒng)直接位于該引線焊接機上。這使得在清潔和焊接步驟之間在焊接片上產生的氧化層或碎屑最小。
盡管描述時說明本發(fā)明用于清潔焊接片，但是還是可以想到采用該激光清潔系統(tǒng)來清潔將焊接到該焊接片上的引線。而且，還可以想到，該激光可以選擇來清潔任何可能位于引線上的涂層，例如，氧化層，潤滑劑以及甚至保護或絕緣涂層。該實施例對清潔引線的產生第二焊接的部分尤其有用，即引線的與其上具有球形的末端相對的末端。圖7示意性表示出了本發(fā)明用于焊接的激光清潔機構。在一實施例中，該激光通過采用一光纖54和一拋物面鏡或柱面反射鏡110直接指向引線24的所有側面。對引線進行照射的優(yōu)選位置時在引線夾36的上面而不是在引線張緊管34的下面。可選擇的是，或者另外，激光可以相對引線移動或者可以采用多個激光器以便對引線的圓周進行輻照?？梢匀菀椎乩斫獾剑厦驷槍η鍧嵑附悠枋龅脑S多特征，例如掩膜、受到控制的環(huán)境等等都可以等效地應用于對引線進行激光清潔。
實例下面的實例表示出了激光清潔對于改進引線焊接裝置的第二焊接強度所產生的效果。三個測試裝置為在Kulicke & Soffa的型號為8028PPS引線焊接器上采用Kulicke & SoffaAW00金線進行焊接的引線。該測試裝置連接在具有鍍金焊接片的塑料球柵區(qū)域(ball grid area)(BGA)基座上。測試裝置A為不進行任何清潔就被焊接的引線，而裝置B和C的基座上的鍍金的第二焊接片則在焊接之前采用New Wave Research QuickLaze II Nd-YAG激光器進行激光清潔。采用532nm的激光使得其通過一個20×的物鏡來進行激光清潔，從而產生一個尺寸大約為100μm的斑點?；洗鍧嵉膮^(qū)域以200μm/s的速度從激光束下經過。該激光以40Hz的脈沖重復頻率工作。該激光器的功率設定為40％(4mW)和50％(5mW)來清潔裝置B和C。采用Dage4000拉力/剪切力測試機對第二焊接點進行毀壞性地拉拔來測試該引線焊接連接的強度。下表表示出了這種拉拔測試的結果。這些測試結果清楚地表示出了采用激光清潔來改進引線焊接強度的有效性。

盡管大部分是根據(jù)位于待清潔表面上的激光清潔機構(同時沿著垂直方向將激光能直接向下發(fā)射)對本發(fā)明進行描述，但是本發(fā)明并不限于此。該激光能可以從多個方向向待清潔的表面發(fā)射。例如，其可以以一個傾斜角(例如20-90度之間的角度)發(fā)射到待清潔的表面上。在這種實施例中，該焊接工具(或相機)可以直接位于待清潔表面(例如焊接部位)上，從而在激光能已經清潔完該表面(從不直接位于該表面的位置)之后該焊接工具立即進行所需的焊接操作。這種結構提供了一種更具有時間效率的清潔和焊接方法。
本發(fā)明可以在不脫離本發(fā)明的精神或基本屬性的情況下以其它特定的方式進行實施，并因此采用附后的權利要求書而不是前面的描述來表明本發(fā)明的范圍。
權利要求
1.一種用于將引線連接在半導體裝置和一基座上的焊接片之間的引線焊接系統(tǒng)，該引線焊接系統(tǒng)包括一框架一焊接頭，該焊接頭與該框架相連，并用于將引線連接在半導體裝置和基座上的焊接片之間；以及一激光清潔機構，該機構安裝在該框架上，該激光清潔機構包括一激光器，用于發(fā)射激光，該激光用于照射焊接片上的污染物，該激光清潔機構位于該框架上，以便在焊接頭將引線焊接到該半導體裝置或基座中至少一個的焊接片上之前將激光發(fā)射到該焊接片上。
2.如權利要求1所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，激光的波長在180nm到1200nm之間。
3.如權利要求1所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，激光的波長在200nm到550nm之間。
4.如權利要求1所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，在輻照污染物的過程中，該激光為脈沖激光，其脈沖寬度在5毫微微秒(fs)到500毫微秒(ns)之間。
5.如權利要求1所述的引線焊接系統(tǒng)，其還包括以用于控制激光的X、Y、和Z方向位置中的至少一個位置的控制系統(tǒng)，該控制系統(tǒng)包括至少一個可旋轉的鏡子。
6.如權利要求1所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，該激光器是微型激光器。
7.如權利要求1所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，該激光器包括一種非線性光學裝置，用于將激光器的基礎激光束波長轉換成所需要的諧振波長。
8.如權利要求1所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，該激光器包括用于遮蔽防止半導體裝置或基座中的至少一個的一部分受到激光輻照的掩膜。
9.如權利要求1所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，引線焊接系統(tǒng)包括一種氣體系統(tǒng)，該系統(tǒng)用于至少在受到激光輻照的焊接片附近提供氣體。
10.如權利要求1所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，該引線焊接系統(tǒng)包括以真空系統(tǒng)，該系統(tǒng)用于至少在受到激光輻照的焊接片附近提供真空。
11.一種用于將引線連接到位于半導體裝置和基座上的焊接片之間的引線焊接系統(tǒng)，該引線焊接系統(tǒng)包括一框架；與該框架相連的焊接頭，該焊接頭適于接收用于連接在半導體裝置和基座上的焊接片之間的引線；一引線；以及一激光清潔機構，該結構安裝在該框架上，該激光清潔機構包括一激光器，用于發(fā)射激光，該激光用于在焊接該引線之前照射一部分引線，該激光器安裝在框架上以便沿著至少部分對著該引線的方向發(fā)射激光。
12.如權利要求11所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，激光的波長在180nm到1200nm之間。
13.如權利要求11所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，激光的波長在200nm到550nm之間。
14.如權利要求11所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，在輻照污染物的過程中，該激光為脈沖激光，其脈沖寬度在5毫微微秒(fs)到500毫微秒(ns)之間。
15.如權利要求11所述的引線焊接系統(tǒng)，其還包括以用于控制激光的X、Y、和Z方向位置中的至少一個位置的控制系統(tǒng)，該控制系統(tǒng)包括至少一個可旋轉的鏡子。
16.如權利要求11所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，該激光器是微型激光器。
17.如權利要求11所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，該激光器包括一種非線性光學裝置，用于將激光器的基礎激光束波長轉換成所需要的諧振波長。
18.如權利要求11所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，該激光器包括用于遮蔽防止半導體裝置或基座中的至少一個的一部分受到激光輻照的掩膜。
19.如權利要求11所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，引線焊接系統(tǒng)包括一種氣體系統(tǒng)，該系統(tǒng)用于至少在受到激光輻照的焊接片附近提供氣體。
20.如權利要求11所述的引線焊接系統(tǒng)，其特征在于，該引線焊接系統(tǒng)包括以真空系統(tǒng)，該系統(tǒng)用于至少在受到激光輻照的焊接片附近提供真空。
21.一種用于將引線連接在半導體裝置和基座上的焊接片之間的方法，該方法包括在(a)一部分引線、(b)半導體裝置的焊接片或(c)基座的焊接片中的至少一個的附近發(fā)射激光，以便照射其上的污染物，該引線適于連接在半導體裝置和基座的焊接片之間；以及將該引線連接在該半導體裝置的焊接片和基座的焊接片之間。
22.如權利要求21所述的方法，該方法還包括將(a)高壓氣體或(b)真空中的至少一種施加到引線、半導體裝置的焊接片或基座的焊接片中的至少其中一個的附近。
全文摘要
一種用于將引線連接在半導體裝置和一基座上的焊接片之間的引線焊接系統(tǒng)，該引線焊接系統(tǒng)包括一框架；一焊接頭，該焊接頭與該框架相連，并用于將引線連接在半導體裝置和基座上的焊接片之間；以及一激光清潔機構，該機構安裝在該框架上，該激光清潔機構包括一激光器，用于發(fā)射激光，該激光用于照射焊接片上的污染物，該激光清潔機構位于該框架上，以便在焊接頭將引線焊接到該半導體裝置或基座中至少一個的焊接片上之前將激光發(fā)射到該焊接片上。
文檔編號B23K20/00GK1716557SQ20051000882
公開日2006年1月4日 申請日期2005年2月23日 優(yōu)先權日2004年2月25日
發(fā)明者霍斯特·克勞貝格, 羅納德·J·福恰, 大衛(wèi)·T·比特森, 肯尼斯·許勒·杜里 申請人:庫力索法投資公司