專利名稱：電子部件的制造方法及電子部件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子部件的制造方法及電子部件，尤其涉及在基體材料的表、背面間進行導通處理的電子部件的制造方法及電子部件。
背景技術：
以往，已知有在基體材料的表、背面上形成布線圖形，同時經(jīng)由所述基體材料連接這些布線圖形的電子部件及印刷布線基板。
另外，提出·公開了多種為形成相同結(jié)構，在基體材料上形成通孔，其后在所述通孔內(nèi)形成導體部的制造方法。圖6A、6B及6C是表示以往的通孔及導體部的形成方法的剖面說明圖。
如圖6A所示，以往，為了在基體材料1上形成通孔2，首先將成為該通孔2的形成對象的基體材料1放置在載物臺(未圖示)上。然后從設在載物臺上的基體材料1的上方，降下具有相當于通孔2的孔徑的外徑的鉆頭3，進行開孔加工，形成通孔2。另外，當在基體材料1上形成多個所述通孔2的情況下，只要使所述載物臺或鉆頭3沿基體材料表面平行移動，反復進行開孔加工就可以。
如此，在基體材料1上形成通孔3后，在該通孔3內(nèi)形成導體部。圖6B表示形成導體部的第1方法，根據(jù)圖6B，在基體材料1上形成通孔2后，采用橡皮滾4，在通孔2內(nèi)充填含有銀、銅、鋁等低電阻金屬的粉末的導電膏糊5，形成導體部6。
此外，圖6C表示形成導體部的第2方法，根據(jù)圖6C，在基體材料1上形成通孔2后，采用化學鍍，在通孔2的內(nèi)壁面上形成金屬膜7，以此作為導體部6。
但是，在所述的通孔形成方法及在通孔內(nèi)形成導體部的方法中，由于隨著電子部件的小型化要求，縮小通孔徑，所以出現(xiàn)以下問題。
即，在形成通孔的方法中，如果因縮小通孔徑而減小鉆頭徑，就存在難用鉆頭加工，或鉆頭壽命(工作壽命)短的問題。
此外，在向通孔內(nèi)充填導電膏糊，形成導體部的方法中，如果通孔小徑化，就存在難采用橡皮滾在通孔內(nèi)充填導電膏糊的問題。此外，導電膏糊，由于除金屬粉末外還含有樹脂，所以導體部的電阻值增大，散熱特性惡化，有不能謀求低電阻化的問題。如果通孔的內(nèi)徑越小，這些問題就越嚴重。
此外，使用化學鍍形成導體部的方法，由于金屬未充填到通孔內(nèi)，產(chǎn)生空隙，所以也與使用導電膏糊的方法同樣，出現(xiàn)導體部的電阻值增大，散熱特性惡化，不能謀求低電阻化的問題。
為解決如此的問題，已知有，通過照射激光形成通孔，同時在該通孔內(nèi)利用電鍍析出金屬，形成導體部(金屬導體)的方法(例如，參照專利文獻1。)。
專利文獻1特開2001-144444號公報(權利要求3、圖1)但是，在通過照射激光形成所述通孔，然后利用電鍍形成金屬導體的方法中，存在以下的問題。
即，在利用電鍍在通孔內(nèi)形成導體部的方法中，與化學鍍相比，雖然析出速度快，能夠在短時間內(nèi)在通孔內(nèi)形成導體部，但是存在所述電鍍析出形成的導體部，與通孔的界面即基體材料端面的接合強度低的問題。因此，如果對基體材料施加外力，或因溫度或濕度的變化反復進行基體材料的尺寸變動，因基體材料的尺寸變動形成的應力，在界面產(chǎn)生剝離，有導體部從通孔脫落的可能。
而且，在利用激光照射的加工中，由于孔的斷面形狀呈梯形，形成錐部，不僅對界面施加縱向的力，而且也施加剝離方向的力，所以剝離更加顯著。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于以上以往的問題而提出的，目的是提供一種電子部件的制造方法及電子部件，其散熱特性優(yōu)良，能夠?qū)崿F(xiàn)低電阻化，同時能夠相對于基體材料防止導體部的脫落。
本發(fā)明，是基于如果在電鍍的中途，增加與基體材料表面的親和性高的化學鍍，或在通孔端面上形成起到栓固(anchor)作用的突起部，就能夠使導體部強固地緊密接合在基體材料上的發(fā)現(xiàn)而形成的。
即，本發(fā)明的電子部件的制造方法，具有，由至少在單面形成導體層的基體材料的另一方表面層側(cè)照射激光，在所述基體材料上形成通孔的工序、以所述導體層作為電極，使鍍膜向所述通孔內(nèi)析出，在通孔內(nèi)形成導體部的工序；同時具有，以在所述導體部的厚度方向，存在與所述通孔的內(nèi)壁面緊密接合的化學鍍層的方式，使化學鍍膜向通孔內(nèi)析出的工序。
更具體地，是在具有芯體材料，在單面形成導體層的基體材料的表、背面間實施導通處理的電子部件的制造方法，至少具有，從形成所述導體層的所述基體材料的另一方表面?zhèn)燃す庹丈?，在所述基體材料上形成通孔，以所述導體層作為電極，在使鍍層析出到覆蓋在所述通孔的內(nèi)壁面露出的所述芯體材料后，形成與所述通孔的內(nèi)壁面緊密接合的化學鍍層，然后以覆蓋所述化學鍍層的所述導體層作為電極，再次析出鍍膜，在通孔內(nèi)形成導體部的工序。
另外，優(yōu)選，通過所述激光照射，使所述芯體材料從所述通孔的內(nèi)壁面突出，相對于導體部形成栓固結(jié)構。
此外，本發(fā)明的電子部件的制造方法的另一方式，是在具有芯體材料，在單面形成導體層的基體材料的表、背面間實施導通處理的電子部件的制造方法，至少具有，從形成所述導體層的所述基體材料的另一方表面?zhèn)日丈浼す?，在所述基體材料上形成通孔，同時由所述通孔的內(nèi)壁面突出芯體材料，然后以所述導體層作為電極，以形成向所述通孔的內(nèi)壁面突出的所述芯體材料和栓固結(jié)構的方式析出鍍層，在所述通孔內(nèi)形成導體部的工序。
另外，優(yōu)選，所述芯體材料由玻璃布(glass cloth)構成。
此外，本發(fā)明的電子部件，其構成具備至少在單面形成導體層的基體材料；通孔，通過從所述基體材料的另一方表面?zhèn)日丈浼す舛纬?；化學鍍層，與所述通孔的內(nèi)壁面緊密接合；導體部，覆蓋所述化學鍍層，同時形成在所述通孔內(nèi)。
更具體地，具備，基體材料，具有芯體材料，至少在單面形成導體層，通孔，通過從所述基體材料的另一方的表面?zhèn)?，照射激光而形成，?鍍層，以所述導體層作為電極，以覆蓋在所述通孔的內(nèi)壁面露出的所述芯體材料的方式形成，化學鍍層，形成在所述第1鍍層的上層側(cè)，與所述通孔的內(nèi)壁面緊密接合，第2鍍層，以覆蓋所述化學鍍層的所述導體層作為電極形成；用所述第1鍍層、所述化學鍍層和所述第2鍍層，在所述通孔內(nèi)構成導體部。
另外，優(yōu)選，在所述通孔的內(nèi)壁面形成突起部，由該突起部和所述導體部，形成栓固結(jié)構；此外，優(yōu)選，所述突起部，通過從所述通孔的內(nèi)壁面突出所述芯體材料而形成，而且所述芯體材料由玻璃布構成。
此外，本發(fā)明的電子部件的制造方法的另一方式，具備至少在單面形成導體層的基體材料；通孔，通過從所述基體材料的另一方表面?zhèn)日丈浼す舛纬?；突起部，從所述通孔的?nèi)壁面突出；導體部，通過與形成在所述通孔內(nèi)的所述突起部的栓固結(jié)構，謀求防止從所述突起部脫落。
而且，優(yōu)選，所述突起部，通過從所述通孔的內(nèi)壁面突出所述基體材料中所含的芯體材料而形成，另外，優(yōu)選，所述芯體材料由玻璃布構成。
根據(jù)以上的構成，由于形成導體部的電鍍膜的工序至少分割成2階段，在此期間進行化學鍍，所以能夠在通孔的內(nèi)壁面上形成化學鍍層。因此，所述化學鍍層強固地緊密接合在通孔內(nèi)壁面和電鍍層側(cè)，其結(jié)果，例如即使對基體材料施加應力，導體部也不易在與通孔端面的之間產(chǎn)生剝離，能夠謀求防止導體部的脫落。
根據(jù)本發(fā)明的構成，從通孔的內(nèi)壁面突出芯體材料，同時以該芯體材料不與化學鍍層接觸的方式，與第1鍍層形成栓固結(jié)構，這是基于以下的理由形成的。
即，如果以導體層作為電極進行電鍍，鍍層由所述導體層側(cè)生長，但如果預先在通孔的內(nèi)壁面形成化學鍍層，在該化學鍍層也流動電流，在容易發(fā)生電場集中的邊緣部分，即通孔的開口邊緣部，或從通孔的內(nèi)壁面突出的芯體材料的部分，有鍍層厚度增大的可能。而且，由于鍍層厚度增大，通孔的開口部堵塞，如果在導體部內(nèi)部產(chǎn)生空隙，導體部的電阻值就會增大，散熱特性降低。為了防止如此的問題，如上所述，在本發(fā)明中，形成化學鍍層不與芯體材料接觸的構成。另外在涂化學鍍液的工序中，由于長時間使用對基體材料有損傷的液體，所以對樹脂，尤其對芯體材料產(chǎn)生損傷，容易殘存液殘渣。如此如果芯體材料受到損傷，或有殘渣，在成品時，有引起耐濕性下降等可能。在本發(fā)明中，即使對于上述諸問題，也能夠回避，能夠有助于提高成品時的可靠性。
此外，如果與上述構成不同，從通孔的端面突出芯體材料，用比該端面突出的芯體材料和導體部形成栓固結(jié)構，與上述構成同樣，即使導體部對基體材料施加應力，也能夠謀求防止導體部脫落。
另外，上述的兩種構成，不是相互獨立的，如果組合上述兩種構成，當然能夠進一步提高可靠性。


圖1是根據(jù)本實施方式的電子部件的主要部位剖面圖。
圖2A、2B及2C是說明根據(jù)本實施方式的電子部件的制造方法的工序說明圖。
圖3A、3B及3C是說明根據(jù)本實施方式的電子部件的制造方法的工序說明圖。
圖4A及4B是表示根據(jù)本實施方式的電子部件的應用例的主要部位剖面圖。
圖5是表示只通過栓固結(jié)構實現(xiàn)提高導體部與通孔的接合強度的構成的主要部位剖面圖。
圖6A、6B及6C是表示以往的通孔及導體部的形成方法的剖面說明圖。
具體實施例方式
以下，對于根據(jù)本發(fā)明的電子部件的制造方法及電子部件，參照附圖，說明優(yōu)選的具體實施方式
。
圖1是根據(jù)本實施方式的電子部件的主要部位剖面圖。
此處，所謂基體材料，是形成所述電子部件的骨架，在所述基體材料的表、背面分別疊層布線層，形成布線圖形。然后，分別形成在基體材料的表、背面的布線圖形，分別通過形成在后述的基體材料的通孔上的導體部電連接。
如該圖所示，構成本實施方式的電子部件的基體材料10，由樹脂形成平板狀，在其中央部分，設置確保基體材料10自體的強度的芯體材料12。另外在本實施方式中，用織入玻璃纖維的玻璃布構成所述芯體材料12，但也不局限于此，只要能夠加強基體材料12自體，也可以使用其它材料。
在該圖上的基體材料12的下面?zhèn)?，設置由銅箔構成的布線層14，在后述的本實施方式的電子部件的制造方法中，起到用于電鍍形成導體部的電極的作用。此外，在該圖的中央部分，形成貫通基體材料10的倒圓錐形狀的通孔16，然后在通孔16的內(nèi)部形成導體部18，用于進行形成在基體材料10的表背側(cè)的布線圖形(未圖示)的電導通。而且，該導體部18，通過從基體材料10的下面?zhèn)?即布線層14側(cè))疊層第1鍍層20、化學鍍層22、第2鍍層24等3層而構成。
所述第1鍍層20，通過以布線層14為電極的電鍍而形成，其高度至少按從所述布線層14的表面26覆蓋到芯體材料12的尺寸設定?？墒牵瑥耐?6的內(nèi)壁面，如圖中所示，突出芯體材料12，該芯體材料12的突出部28設在所述第1鍍層20內(nèi)，構成栓固結(jié)構。
并且，位于所述第1鍍層20上層的化學鍍層22，以覆蓋第1鍍層20的上面部分和在通孔16的內(nèi)壁面形成第1鍍層20的上側(cè)的方式形成。另外，化學鍍層22，為所謂的化學鍍，因此與電鍍形成的層相比，與基體材料10的親和性(密接性)高，通過化學鍍層22，強固地連接基體材料10和導體部18。因此關于化學鍍層22，不需要相當于第1鍍層20及第2鍍層24的程度的厚度，只要是能謀求接合強度的最低限的厚度就可以。此外，從提高化學鍍層22與通孔16的內(nèi)壁面的接合強度的目的考慮，以化學鍍層22不與芯體材料12接觸的方式，將第1鍍層20形成到覆蓋芯體材料12的高度。
然后，在化學鍍層22的上層上，形成第2鍍層24，但該第2鍍層24與所述第1鍍層20同樣，通過以布線層14為電極的電鍍而形成。
如此埋沒通孔16的導體部18，由于通過夾持化學鍍層的2個電鍍層而形成，因此由純度高的金屬部件構成，以謀求低電阻化。此外在如此的導體部18上，通過由從通孔16突出的芯體材料12構成的突出部28、和第1鍍層20，形成栓固結(jié)構，另外由于通過化學鍍層22，謀求提高與基體材料10的接合強度，因此例如即使對通孔16施加外力，也能夠防止導體部18從所述通孔16脫落。
以下，說明制造如此構成的電子部件的方法。
圖2A、圖2B、圖2C、圖3A、圖3B及圖3C，是說明本實施方式的電子部件的制造方法的工序說明圖。
首先，如圖2A所示，在對基體材料10形成通孔12時，首先，以布線層14為下面的方式，將成為加工對象的基體材料10設置在未圖示的載物臺上。然后，在將所述基體材料10設置在載物臺上后，采用設在基體材料10的上方的激光加工機(例如碳酸氣體激光)30，對基體材料10上的加工對象位置照射激光32。另外，配置在激光32的光路途中的第1部件34、第2部件36，是用于調(diào)整所述激光32的前進路等的光學部件，這些部件只要能根據(jù)加工的種種條件適宜使用就可以。如此，如果采用激光加工機30，對基體材料10照射激光32，如圖2B所示，構成基體材料10的樹脂熔融，形成通孔16。另外，如果著眼于構成基體材料10的樹脂和芯體材料12的熔融溫度的差異，從通孔16的內(nèi)壁面，以突出芯體材料12的方式，調(diào)整激光32的功率，就能夠從通孔16的內(nèi)壁面形成突出部28。
如圖2B所示，在通過對基體材料10照射激光32，形成通孔16后，如圖2C所示，以布線層14為電極，在通孔16內(nèi)利用電鍍形成第1鍍層20。然后，該第1鍍層20，以化學鍍層22不與突出部28接觸的方式，形成覆蓋該突出部28的程度的高度。另外，第1鍍層20的高度尺寸的設定，只要根據(jù)電鍍時的時間設定進行管理就可以。
如此當在通孔16內(nèi)形成第1鍍層20后，如圖3A所示，將基體材料10的上面浸漬在化學鍍液內(nèi)，進行化學鍍。如果如此對基體材料10進行化學鍍，能夠在基體材料10的上面、第1鍍層20的上面及通孔16的內(nèi)壁面上，形成化學鍍層22。
然后，如圖3A所示，當在基體材料10的上面?zhèn)刃纬苫瘜W鍍層22后，如圖3B所示，與形成第1鍍層20時同樣，以布線層14為電極，在化學鍍層22的上面?zhèn)刃纬傻?鍍層24。然后，在結(jié)束第2電鍍工序后，只要采用光刻蝕工序等，進行形成在基體材料10的上面的化學鍍層22及第2鍍層24的除去，在通孔16內(nèi)形成由3層結(jié)構構成的導體部18就可以。圖3C表示在通孔16內(nèi)形成導體部18的狀態(tài)。
經(jīng)由如此的順序構成的導體部18，由于不含有例如導電性膏糊這樣的樹脂成分，所以能夠?qū)崿F(xiàn)低電阻率。另外，由于金屬成分的純度高，所以散熱特性優(yōu)良，例如，當在該基體材料10的表、背面形成布線圖形的情況下，能夠經(jīng)由重疊在所述導體部18上的金屬導體部，高效率地向外部散發(fā)在電子部件內(nèi)部產(chǎn)生的熱。
另外，在本實施方式中，以導體部18作為3層結(jié)構進行了說明，但也不局限于此方式，能夠采用多種方式。
圖4是表示本實施方式的電子部件的應用例的主要部位剖面圖。
如圖4A所示，當在基體材料10不存在芯體材料12的情況下，或即使存在芯體材料12，與化學鍍層22接觸也沒有問題時，也可以適宜變更導體部18的各層的厚度尺寸。即在圖4A中，減薄第1鍍層20的厚度，增大形成在通孔16上的無電鍍層22的形成面積。由此，能夠利用化學鍍層22進一步強固接合強度。
此外，如圖4B所示，也可以廢止第1鍍層20，更加加大化學鍍層22的形成面積。如果采用如此的構成，可使化學鍍層22上的接合強度達到最大。
另外，在本實施方式中，通過突出部28形成的栓固結(jié)構和化學鍍層22形成的組合，提高導體部18與通孔16的接合強度，但也不局限于此方式，也可以只通過栓固結(jié)構，提高導體部18與通孔16的接合強度。圖5是表示只通過栓固結(jié)構實現(xiàn)提高導體部與通孔的接合強度的構成的主要部位剖面圖。
如該圖所示，從通孔16的內(nèi)側(cè)壁突出突出部28，以包括該突出部28的方式實施電鍍，如果形成第1鍍層20，就能夠通過所述突出部28物理地保持導體部18，即使采用如此的構成，也能夠謀求提高接合強度。
此外，在本實施方式中，在形成導體部18后，也可將用于在通孔16內(nèi)形成導體部18的導體層用作布線層14，當然也不局限于此方式，例如，也可以通過在利用刻蝕等從基體材料10全面剝離所述導體層后，進行化學鍍、電鍍等，形成供電膜，然后在粘貼干膜進行曝光、顯影后，進行電鍍，制作新的布線層，提供適合更高密度布線的電子部件。此外，關于形成新的布線層的順序，當然也能夠根據(jù)制品的規(guī)格適宜變更鍍膜的種類或曝光、顯影等工序。
如以上說明，根據(jù)本發(fā)明，由于具備至少在單面形成導體層的基體材料、通過由所述基體材料的另一面?zhèn)日丈浼す庑纬傻耐?、與所述通孔的內(nèi)壁面緊密相接的化學鍍層、覆蓋所述化學鍍層同時形成在所述通孔內(nèi)的導體部，所以能夠?qū)崿F(xiàn)提高導體部的散熱特性和低電阻化，同時提高導體部與基體材料的接合強度，從而能夠提高部件本身的可靠性。
權利要求
1.一種電子部件的制造方法，其特征在于包括，通過從至少在單面形成有導體層的基體材料的另一方表面?zhèn)日丈浼す?，在所述基體材料上形成通孔的工序；以所述導體層作為電極，使鍍層向所述通孔內(nèi)析出，在所述通孔內(nèi)形成導體部的工序；并包括，以在所述導體部的厚度方向，存在與所述通孔的內(nèi)壁面緊密接合的化學鍍層的方式，使化學鍍層向所述通孔內(nèi)析出的工序。
2.一種電子部件的制造方法，用于在電子部件的具有芯體材料、在單面形成有導體層的基體材料的表、背面間實施導通處理，其特征在于包括，至少從形成有所述導體層的所述基體材料的另一方表面?zhèn)日丈浼す?，在所述基體材料上形成通孔，以所述導體層作為電極，在使鍍層析出覆蓋在所述通孔的內(nèi)壁面露出的所述芯體材料后，形成與所述通孔的內(nèi)壁面緊密接合的化學鍍層，然后以所述導體層作為電極，再次析出鍍層，以覆蓋所述化學鍍層的方式，在所述通孔內(nèi)形成導體部的工序。
3.如權利要求2所述的電子部件的制造方法，其特征在于通過所述激光照射，使所述芯體材料從所述通孔的內(nèi)壁面突出，相對于所述導體部形成栓固結(jié)構。
4.一種電子部件的制造方法，用于在電子部件的具有芯體材料、在單面形成有導體層的基體材料的表、背面間實施導通處理，其特征在于包括，至少從形成有所述導體層的所述基體材料的另一方表面?zhèn)日丈浼す猓谒龌w材料上形成通孔，并使芯體材料從所述通孔的內(nèi)壁面突出，然后以所述導體層作為電極，以與在所述通孔的內(nèi)壁面突出的所述芯體材料形成栓固結(jié)構的方式使鍍層析出，在所述通孔內(nèi)形成導體部的工序。
5.如權利要求2～4中任何一項所述的電子部件的制造方法，其特征在于所述芯體材料由玻璃布構成。
6.一種電子部件，其特征在于，具備至少在單面形成有導體層的基體材料；通過從所述基體材料的另一方表面?zhèn)日丈浼す舛纬傻耐祝慌c所述通孔的內(nèi)壁面緊密接合的化學鍍層；覆蓋所述化學鍍層，并在所述通孔內(nèi)形成的導體部。
7.一種電子部件，其特征在于具備，基體材料，具有芯體材料，至少在單面形成布導體層，通孔，通過從所述基體材料的另一方的表面?zhèn)日丈浼す舛纬?，?鍍層，以所述導體層作為電極，以覆蓋從所述通孔的內(nèi)壁面露出的所述芯體材料的方式形成，化學鍍層，在所述第1鍍層的上層側(cè)形成，與所述通孔的內(nèi)壁面緊密接合，第2鍍層，以所述導體層作為電極，以覆蓋所述化學鍍層的方式形成；用所述第1鍍層、所述化學鍍層和所述第2鍍層，在所述通孔內(nèi)構成導體部。
8.如權利要求7所述的電子部件，其特征在于在所述通孔的內(nèi)壁面形成有突起部，由該突起部和所述導體部，形成栓固結(jié)構。
9.如權利要求8所述的電子部件，其特征在于所述突起部，通過從所述通孔的內(nèi)壁面使所述芯體材料突出而形成。
10.如權利要求9所述的電子部件，其特征在于所述芯體材料由玻璃布構成。
11.一種電子部件，其特征在于，具備至少在單面形成有導體層的基體材料；通過從所述基體材料的另一方表面?zhèn)日丈浼す舛纬傻耐祝粡乃鐾椎膬?nèi)壁面突出的突起部；通過與形成在所述通孔內(nèi)的所述突起部的栓固結(jié)構，防止從所述突起部脫落的導體部。
12.如權利要求11所述的電子部件，其特征在于所述突起部，通過從所述通孔的內(nèi)壁面使所述基體材料中所含的芯體材料突出而形成。
13.如權利要求12所述的電子部件，其特征在于所述芯體材料由玻璃布構成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子部件的制造方法及電子部件，其散熱特性優(yōu)良，能夠?qū)崿F(xiàn)低電阻化，同時能夠相對于基體材料防止導體部的脫落。具備基體材料，具有芯體材料，至少在單面形成導體層；通孔，通過由基體材料的另一面?zhèn)日丈浼す庑纬?；?鍍層，以導體層作為電極，以覆蓋在通孔的內(nèi)壁面露出的芯體材料的方式形成；化學鍍層，形成在該第1鍍層的上層側(cè)，與通孔的內(nèi)壁面緊密相接；第2鍍層，以導體層作為電極覆蓋化學鍍層地形成。用第1鍍層、所述化學鍍層和第2鍍層，在所述通孔內(nèi)構成導體部。
文檔編號B23K26/38GK1762185SQ200480007068
公開日2006年4月19日 申請日期2004年3月18日 優(yōu)先權日2003年3月20日
發(fā)明者后藤真史, 川崎薰, 山本洋, 中野睦子 申請人:Tdk株式會社