一種利用類金剛石薄膜提高碳納米管場發(fā)射性能的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種利用類金剛石薄膜(DLC)提高碳納米管(CNT)場發(fā)射性能的方法。所述方法在CNT表面包覆DLC，從而提高CNT的場發(fā)射性能。DLC薄膜具有負的表面親和勢特性，可以改變CNT的表面性質，降低CNT場致發(fā)射的開啟場強，提高CNT的場發(fā)射電流密度；DLC薄膜含有碳原子sp3雜化結構成分，具有較好的機械性能，在一定程度上能夠對包裹的CNT起到保護作用，提高CNT場發(fā)射性能的穩(wěn)定性；該方法可以生長整齊排列的直立CNT和DLC復合材料的陣列結構，并且可以通過調控生長參數(shù)獲得理想的CNT和DLC復合材料，便于實際應用。
【專利說明】
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種利用類金剛石薄膜（DLC)提高碳納米管（CNT)場發(fā)射性能的方 法。 一種利用類金剛石薄膜提高碳納米管場發(fā)射性能的方法
【背景技術】
[0002] 場致電子發(fā)射依靠外部施加電場抑制材料的表面勢壘，當勢壘降低、變窄到一定 程度時，自由電子可以利用隧穿效應進入真空。這種電子發(fā)射方式由于不需要對陰極加熱， 也被稱為冷陰極電子發(fā)射。相對于傳統(tǒng)的熱電子發(fā)射，冷陰極發(fā)射避免了對發(fā)射體的加熱 過程，無預熱延遲，顯著降低了陰極功耗。同時，場致發(fā)射冷陰極還具有發(fā)射電流密度大，電 子能量分布集中，并且可以在相對較低的電壓下工作等優(yōu)點。常見的場致發(fā)射冷陰極材料 包括CNT(CNT)、DLC(DLC)、石墨烯和其它一些表面功函數(shù)較小的材料。
[0003] 自1991年日本NEC研究員S. Iijima首次通過掃描電鏡發(fā)現(xiàn)CNT結構以來，由于 其優(yōu)異的電學和力學性能而備受關注。CNT導電性能優(yōu)異，機械強度高，具有較高的比表面 積，化學性能穩(wěn)定，具有較小的電子親和勢，有很低的開啟電壓，特別是具有較高的長徑比， 因此非常有利于實現(xiàn)場致發(fā)射，制備場致發(fā)射冷陰極。DLC是由碳原子組成的一種非晶亞 穩(wěn)結構，主要是由一定比例的sp 3和sp2雜化碳原子隨機構成的空間網(wǎng)絡結構，同時會含有 一定量的氫原子。DLC最顯著的特點是具有較低的電子親和勢，電子容易從其表面發(fā)射到真 空，因而也是一種性能優(yōu)異的冷陰極場發(fā)射材料。
[0004] 目前，場致發(fā)射材料的研究仍存在許多問題，主要是如何獲得高長徑比材料，如何 提高場發(fā)射材料的穩(wěn)定性，以及如何進一步降低場發(fā)射閾值電壓等問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有場致發(fā)射材料存在的問題，提出一種利用DLC來降低 CNT場發(fā)射的開啟電壓、提高陰極發(fā)射電流的方法，從而可有效提高其場致發(fā)射性能，且便 于實際應用。
[0006] 為達此目的，本發(fā)明采用以下技術方案：
[0007] -種利用DLC提高CNT場發(fā)射性能的方法，所述方法在CNT上覆蓋DLC，從而提高 CNT的場發(fā)射性能。
[0008] 目前關于CNT的合成方法主要有以下幾種：石墨電弧法、化學氣相沉積法、激光蒸 發(fā)法、熱解聚合物法、原位合成法、離子輻射法等。作為優(yōu)選，本發(fā)明采用化學氣相沉積法生 長具有較好直立性的CNT陣列。化學氣相沉積法生長CNT的基本原理是利用在高溫退火過 程中鐵、鈷、鎳、銅等催化劑團聚形成納米尺度金屬小球催化裂解乙炔、甲烷等碳源氣體，同 時催化劑吸收碳原子。催化劑飽和后析出的碳原子在高溫下重新成鍵，生長成為CNT。
[0009] DLC的合成主要有以下幾種方法：直接離子束沉積法、離子束輔助沉積技術、磁控 濺射技術、脈沖激光沉積技術、等離子體增強化學氣相沉積等方法。本發(fā)明采用的是利用 磁控濺射技術形成DLC薄膜層作為優(yōu)選。在磁控濺射法中，磁場的存在使電子的電離效率 大幅提高，而且由于工作真空度較高，導致濺射原子被散射的幾率減小，因而磁控濺射的沉 積速率比其他濺射法高很多。磁控濺射的優(yōu)點是薄膜的沉積速率高，工作真空高，因而污染 小，成膜質量高，是目前應用最廣泛的一種濺射沉積方法。
[0010] 本發(fā)明涉及的CNT和DLC的生長方法可以采用上述對應方法中的任意一種。
[0011] 本發(fā)明涉及到的CNT和DLC的生長過程基本包括：基底準備、CNT生長、DLC沉積 三部分，實現(xiàn)在CNT上覆蓋DLC，從而提高CNT的場發(fā)射性能。
[0012] 優(yōu)選地，一種利用DLC提高CNT場發(fā)射性能的方法，所述方法包括以下步驟：
[0013] (1)基底準備：將目標基片除雜，在目標基片表面依次蒸鍍導電粘合層、隔離金屬 層和催化劑層，得到CNT的生長基底；
[0014] (2)CNT生長：將生長基底置于密閉加熱系統(tǒng)中，抽真空后通入氫氣，使得系統(tǒng)壓 強保持在1?30mbar，升溫至550?750°C，通入乙炔進行CNT生長，系統(tǒng)穩(wěn)定后取出；
[0015] (3)DLC沉積：將生長CNT后的樣品放置在磁控濺射儀器中，以石墨為濺射靶材，系 統(tǒng)抽真空后通入氬氣，進行磁控濺射生長DLC。
[0016] 步驟⑴所述目標基片為硅片、不銹鋼片或銅片。
[0017] 優(yōu)選地，利用電子束光刻技術、紫外光刻技術或納米壓印光刻技術，在除雜后的目 標基片表面制作圖形化陣列后利用電子束蒸鍍技術進行蒸鍍。
[0018] 步驟⑴所述導電粘合層的厚度為20?150nm，例如可選擇20. 02?148nm，28? 135nm，40 ?120nm，55 ?104nm，80 ?96nm 等。
[0019] 所述隔離金屬層的厚度為5?30nm，例如可選擇5. 1?29. 6nm，6?24nm，7. 6? 22nm, 10 ?18. 4nm, 12 ?16nm, 14nm 等。
[0020] 所述催化劑層的厚度為0· 5?15nm，例如可選擇0· 6?14. 2nm，1?11. 3nm，4. 3? 10nm, 6 ?8. 2nm, 7nm 等。
[0021] 步驟⑴所述導電粘合層材料為Ti、Cu、W、M〇、Au或石墨烯；所述隔離金屬層材料 為Al、ITO、TiN或Si0 2 ;所述催化劑層材料為Fe、Co、Ni或二茂鐵。
[0022] 步驟⑵所述的抽真空為將系統(tǒng)抽真空至0. lmbar以下。
[0023] 所述氧氣的流量為600?700sccm，例如可選擇600. 2?693sccm，608?680sccm， 620 ?664sccm,635 ?660sccm,650sccm 等。
[0024] 先將系統(tǒng)升溫至500?600°C進行預處理1?lOmin，隨后將系統(tǒng)升溫至反應溫 度 550 ?750°C。所述反應溫度可選擇 550. 2°C，575°C，590°C，621°C，650°C，685°C，700°C， 714°C，73(TC，748t：等。
[0025] 步驟⑵所述乙炔的流量為20?60sccm，例如可選擇20. 01?59sccm，25? 52sccm, 30 ?43sccm, 37sccm 等。
[0026] 所述CNT的生長時間為15?600s，例如可選擇15. 3?598s，50?527s，102? 500s，180 ?400s，220 ?367s，250 ?312s，284s 等。
[0027] 生長結束后等待60s以使系統(tǒng)穩(wěn)定后取出樣品。
[0028] 步驟（3)所述的抽真空為將系統(tǒng)抽真空至l(T6Pa，
[0029] 所述気氣的流量為15?50sccm，例如可選擇15. 02?48. 6sccm，18?44sccm, 23 ?40sccm，28 ?37sccm，34sccm 等。
[0030] 調節(jié)系統(tǒng)濺射功率至50?200W，例如可選擇50. 01?196W，58?180W，70? 164W，95 ?140W，105 ?134W，118 ?120W 等。
[0031] 進行磁控濺射生長DLC的生長時間為30?180min。例如可選擇30. 02min，36min， 50min,72min,80min,102min,128min,140min,156min,175min 等。
[0032] -種利用DLC提高CNT場發(fā)射性能的方法，所述方法經(jīng)工藝條件優(yōu)化后包括以下 步驟：
[0033] (1)基底準備：將目標基片除雜，利用電子束光刻技術、紫外光刻技術或納米壓印 光刻技術，在除雜后的目標基片表面制作圖形化陣列后利用電子束蒸鍍技術依次蒸鍍導電 粘合層、隔離金屬層和催化劑層，得到CNT的生長基底；所述目標基片為硅片、不銹鋼片或 銅片；
[0034] 所述導電粘合層的厚度為20?150nm，材料為Ti、Cu、W、Mo、Au或石墨烯；所述隔 離金屬層的厚度為5?30nm，材料為Al、ΙΤ0、TiN或Si0 2 ;所述催化劑層的厚度為0. 5? 15nm，材料為Fe、Co、Ni或二茂鐵；
[0035] (2)CNT生長：將生長基底置于密閉加熱系統(tǒng)中，將系統(tǒng)抽真空至0. lmbar以下 后通入流量為600?700sCCm的氫氣，使得系統(tǒng)壓強保持在1?30mbar，先將系統(tǒng)升溫至 500?600°C進行預處理1?lOmin，隨后將系統(tǒng)升溫至反應溫度550-750°C，通入流量為 20?60sccm的乙炔進行CNT生長，生長時間為15?600s，生長結束后等待60s以使系統(tǒng) 穩(wěn)定后取出樣品；
[0036] (3)DLC沉積：將生長CNT后的樣品放置在磁控濺射儀器中，以石墨為濺射靶材，將 系統(tǒng)抽真空至l(T 6Pa后通入流量為15?5〇SCCm的氬氣，調節(jié)系統(tǒng)濺射功率至50?200W， 進行磁控濺射生長DLC，生長時間為30-180min。
[0037] 與已有技術方案相比，本發(fā)明具有以下有益效果：
[0038] (1) DLC薄膜具有負的表面親和勢特性，可以改變CNT的表面性質，降低CNT場致發(fā) 射的開啟場強，提高CNT的場發(fā)射電流密度；
[0039] (2)DLC薄膜含有sp3雜化結構成分，具有較好的機械性能，在一定程度上能夠對包 裹的CNT起到保護作用，提高CNT場發(fā)射性能的穩(wěn)定性；
[0040] (3)該方法可以生長整齊排列的直立CNT和DLC復合材料的陣列結構，并且可以通 過調控生長參數(shù)獲得理想的CNT和DLC復合材料，便于實際應用。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0041] 圖1是本發(fā)明實施例1所述的利用DLC提高CNT場發(fā)射性能的方法的基本過程示 意圖；
[0042] 圖2是未覆蓋DLC前CNT整體形貌；
[0043] 圖3是未覆蓋DLC前CNT形貌；
[0044] 圖4是覆蓋DLC后CNT整體形貌；
[0045] 圖5是覆蓋DLC后CNT形貌；
[0046] 圖6是覆蓋DLC薄膜前后CNT拉曼光譜測試；
[0047] 圖7是覆蓋DLC薄膜前后CNT場致發(fā)射性能對比。
[0048] 下面對本發(fā)明進一步詳細說明。但下述的實例僅僅是本發(fā)明的簡易例子，并不代 表或限制本發(fā)明的權利保護范圍，本發(fā)明的保護范圍以權利要求書為準。
【具體實施方式】
[0049] 下面結合附圖并通過【具體實施方式】來進一步說明本發(fā)明的技術方案。
[0050] 為更好地說明本發(fā)明，便于理解本發(fā)明的技術方案，本發(fā)明的典型但非限制性的 實施例如下：
[0051] 實施例1
[0052] -種利用DLC提高CNT場發(fā)射性能的方法，其基本過程如圖1所示，包括以下步 驟：
[0053] (1)基底準備。將硅片分別置于丙酮、酒精、去離子水中各超聲振蕩lOmin，以去除 硅片表面的雜質。利用紫外光刻技術在干凈的硅片表面制作圖形化陣列。若CNT不需要圖 案化生長，則不需要圖形化過程。隨后利用電子束蒸鍍技術在硅片表面制作lOOnm鈦（Ti)、 50nm 銅（Cu)、30nm 鋁（A1)、0· 5nm 鐵（Fe)，得到 CNT 的生長基底。
[0054] (2) CNT生長。將樣品放置在密閉加熱系統(tǒng)中，首先將系統(tǒng)抽真空至0. lmbar以下。 隨后向系統(tǒng)中通入700sccm氫氣（H2)，使得系統(tǒng)壓強保持在30mbar。系統(tǒng)升溫至500°C進 行預處理10分鐘，隨后將系統(tǒng)升溫至反應溫度665°C ;也可以直接將系統(tǒng)升溫至665°C，不 進行預處理。當系統(tǒng)溫度到達665°C后，通入2〇SCCm的乙炔（C 2H2)氣體進行CNT生長，生 長時間為600s，生長時間越長，CNT高度越高。生長結束后等待60s以使系統(tǒng)穩(wěn)定后取出樣 品。
[0055] (3)DLC沉積。將生長CNT后的樣品放置在磁控濺射儀器中，以石墨為濺射靶材，系 統(tǒng)抽真空至l〇_ 6Pa。隨后向系統(tǒng)中通入15sCCm氬氣（Ar)，調節(jié)系統(tǒng)濺射功率至200W，進行 磁控濺射生長7200s。
[0056] 實施例2
[0057] -種利用DLC提高CNT場發(fā)射性能的方法，包括以下步驟：
[0058] (1)基底準備。將不銹鋼片分別置于丙酮、酒精、去離子水中各超聲振蕩lOmin，以 去除不銹鋼片表面的雜質。利用電子束光刻技術在干凈的不銹鋼片表面制作圖形化陣列。 若CNT不需要圖案化生長，則不需要圖形化過程。隨后利用電子束蒸鍍技術在硅片表面制 作lOOnm金（Au)、50nm石墨烯、5nmTiN、15nm鈷（Co),得到CNT的生長基底。
[0059] (2) CNT生長。將樣品放置在密閉加熱系統(tǒng)中，首先將系統(tǒng)抽真空至0. lmbar以下。 隨后向系統(tǒng)中通入60〇SCCm氫氣（H2)，使得系統(tǒng)壓強保持在lmbar。系統(tǒng)升溫至600°C進行 預處理1分鐘，隨后將系統(tǒng)升溫至反應溫度550°C;也可以直接將系統(tǒng)升溫至550°C，不進行 預處理。當系統(tǒng)溫度到達550°C后，通入60sccm的乙炔（C 2H2)氣體進行CNT生長，生長時 間為15s，生長時間越長，CNT高度越高。生長結束后等待60s以使系統(tǒng)穩(wěn)定后取出樣品。
[0060] (3)DLC沉積。將生長CNT后的樣品放置在磁控濺射儀器中，以石墨為濺射靶材，系 統(tǒng)抽真空至l〇_ 6Pa。隨后向系統(tǒng)中通入5〇SCCm氬氣（Ar)，調節(jié)系統(tǒng)濺射功率至50W，進行 磁控溉射生長30min。
[0061] 實施例3
[0062] 一種利用DLC提高CNT場發(fā)射性能的方法，包括以下步驟：
[0063] (1)基底準備。將銅片分別置于丙酮、酒精、去離子水中各超聲振蕩lOmin，以去除 銅片表面的雜質。利用納米壓印光刻技術在干凈的銅片表面制作圖形化陣列。若CNT不需 要圖案化生長，則不需要圖形化過程。隨后利用電子束蒸鍍技術在硅片表面制作20nm鑰 (Mo)、35nm 鎢（W)、12nm ITO、llnm 二茂鐵，得到 CNT 的生長基底。
[0064] (2) CNT生長。將樣品放置在密閉加熱系統(tǒng)中，首先將系統(tǒng)抽真空至0. lmbar以下。 隨后向系統(tǒng)中通入630sccm氫氣（H2)，使得系統(tǒng)壓強保持在20mbar。系統(tǒng)升溫至560°C進 行預處理6分鐘，隨后將系統(tǒng)升溫至反應溫度750°C;也可以直接將系統(tǒng)升溫至750°C，不進 行預處理。當系統(tǒng)溫度到達750°C后，通入4〇 SCCm的乙炔（C2H2)氣體進行CNT生長，生長時 間為250s，生長時間越長，CNT高度越高。生長結束后等待60s以使系統(tǒng)穩(wěn)定后取出樣品。
[0065] (3)DLC沉積。將生長CNT后的樣品放置在磁控濺射儀器中，以石墨為濺射靶材，系 統(tǒng)抽真空至l〇_ 6Pa。隨后向系統(tǒng)中通入3〇SCCm氬氣（Ar)，調節(jié)系統(tǒng)濺射功率至140W，進行 磁控溉射生長180min。
[0066] 圖2和圖3為實施例1-3步驟⑵得到的CNT的掃描電子顯微鏡圖片，可以看出 本發(fā)明的CNT生長方法可以保證在預期位置得到直立的CNT陰極材料。
[0067] 圖4、圖5為CNT表面覆蓋DLC后的掃描電子顯微鏡圖片，從圖中可以看到CNT生 長的基本形貌保持不變，但外表面覆蓋了一層非定型物質。圖6為CNT表面覆蓋DLC前后 的拉曼光譜，可以看到光譜強度明顯增強，相應的D峰（1342CHT 1)和G峰（1577CHT1)，相對 于單獨CNT的峰位出現(xiàn)寬化，證明DLC已經(jīng)成功包覆在CNT之上。
[0068] 圖7所示的是CNT包覆DLC前后的場發(fā)射性能的測試結果。從實際測試的數(shù)據(jù) 可以看出，若以ImA/cm 2的發(fā)射電流密度作為開啟電壓的參考值，包覆DLC后CNT的開啟電 壓從2. 7V/ μ m下降到1. 3V/ μ m，約為原來的1/2 ;同樣，在3. 5V/ μ m場強下的發(fā)射電流從 20mA/cm2提升到50mA/cm2,為不包覆DLC情況下的2. 5倍。可見，通過在CNT表面包覆DLC 可以明顯降低材料的開啟電壓和發(fā)射電流。
[0069] 申請人:聲明，本發(fā)明通過上述實施例來說明本發(fā)明的方法，但本發(fā)明并不局限于 上述操作步驟，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述操作步驟才能實施。所屬【技術領域】的技術 人員應該明了，對本發(fā)明的任何改進，對本發(fā)明所選用原料的等效替換及輔助成分的添加、 具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護范圍和公開范圍之內(nèi)。
[0070] 以上詳細描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但是，本發(fā)明并不限于上述實施方式中 的具體細節(jié)，在本發(fā)明的技術構思范圍內(nèi)，可以對本發(fā)明的技術方案進行多種簡單變型，這 些簡單變型均屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0071] 另外需要說明的是，在上述【具體實施方式】中所描述的各個具體技術特征，在不矛 盾的情況下，可以通過任何合適的方式進行組合，為了避免不必要的重復，本發(fā)明對各種可 能的組合方式不再另行說明。
[0072] 此外，本發(fā)明的各種不同的實施方式之間也可以進行任意組合，只要其不違背本 發(fā)明的思想，其同樣應當視為本發(fā)明所公開的內(nèi)容。
【權利要求】
1. 一種利用DLC提高CNT場發(fā)射性能的方法，其特征在于，所述方法在CNT上覆蓋DLC， 從而提高CNT的場發(fā)射性能。
2. 如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟： (1) 基底準備：將目標基片除雜，在目標基片表面依次蒸鍍導電粘合層、隔離金屬層和 催化劑層，得到CNT的生長基底； (2) CNT生長：將生長基底置于密閉加熱系統(tǒng)中，抽真空后通入氫氣，使得系統(tǒng)壓強保 持在1?30mbar，升溫至550-750°C，通入乙炔進行CNT生長，系統(tǒng)穩(wěn)定后取出； (3) DLC沉積：將生長CNT后的樣品放置在磁控濺射儀器中，以石墨為濺射靶材，系統(tǒng)抽 真空后通入氬氣，進行磁控濺射生長DLC。
3. 如權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟（1)所述目標基片為硅片、不銹鋼片或 銅片； 優(yōu)選地，利用電子束光刻技術、紫外光刻技術或納米壓印光刻技術，在除雜后的目標基 片表面制作圖形化陣列后利用電子束蒸鍍技術進行蒸鍍。
4. 如權利要求2或3所述的方法，其特征在于，步驟（1)所述導電粘合層的厚度為20? 150nm ； 優(yōu)選地，所述隔離金屬層的厚度為5?30nm ; 優(yōu)選地，所述催化劑層的厚度為0. 5?15nm。
5. 如權利要求2-4之一所述的方法，其特征在于，步驟（1)所述導電粘合層材料為Ti、 Cu、W、Mo、Au或石墨烯； 優(yōu)選地，所述隔離金屬層材料為Al、ITO、TiN或Si02 ; 優(yōu)選地，所述催化劑層材料為Fe、Co、Ni或二茂鐵。
6. 如權利要求2-5之一所述的方法，其特征在于，步驟（2)所述的抽真空為將系統(tǒng)抽真 空至0. lmbar以下； 優(yōu)選地，所述氫氣的流量為600?700sccm ; 優(yōu)選地，先將系統(tǒng)升溫至500?60(TC進行預處理1?lOmin，隨后將系統(tǒng)升溫至反應 溫度550?750°C。
7. 如權利要求1-6之一所述的方法，其特征在于，步驟（2)所述乙炔的流量為20? 60sccm ； 優(yōu)選地，所述CNT的生長時間為15?600s ; 優(yōu)選地，生長結束后等待60s以使系統(tǒng)穩(wěn)定后取出樣品。
8. 如權利要求1-7之一所述的方法，其特征在于，步驟（3)所述的抽真空為將系統(tǒng)抽真 空至 l(T6Pa ; 優(yōu)選地，所述氦氣的流量為15?50sccm ; 優(yōu)選地，調節(jié)系統(tǒng)濺射功率至50?200W ; 優(yōu)選地，進行磁控濺射生長DLC的生長時間為30?180min。
9. 如權利要求1-8之一所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟： (1)基底準備：將目標基片除雜，利用電子束光刻技術、紫外光刻技術或納米壓印光刻 技術，在除雜后的目標基片表面制作圖形化陣列后利用電子束蒸鍍技術依次蒸鍍導電粘合 層、隔離金屬層和催化劑層，得到CNT的生長基底；所述目標基片為硅片、不銹鋼片或銅片； 所述導電粘合層的厚度為20?150nm，材料為Ti、Cu、W、Mo、Au或石墨烯；所述隔離金 屬層的厚度為5?30nm，材料為Al、ITO、TiN或Si02 ;所述催化劑層的厚度為0· 5?15nm， 材料為Fe、Co、Ni或二茂鐵； (2) CNT生長：將生長基底置于密閉加熱系統(tǒng)中，將系統(tǒng)抽真空至0. lmbar以下后通入 流量為600?700sccm的氫氣，使得系統(tǒng)壓強保持在1?30mbar，先將系統(tǒng)升溫至500? 600°C進行預處理1?lOmin，隨后將系統(tǒng)升溫至反應溫度550?750°C，通入流量為20? 60sccm的乙炔進行CNT生長，生長時間為15?600s，生長結束后等待60s以使系統(tǒng)穩(wěn)定后 取出樣品； (3) DLC沉積：將生長CNT后的樣品放置在磁控濺射儀器中，以石墨為濺射靶材，將系統(tǒng) 抽真空至l(T6Pa后通入流量為15?5〇 SCCm的氬氣，調節(jié)系統(tǒng)濺射功率至50?200W，進行 磁控濺射生長DLC，生長時間為30?180min。
【文檔編號】H01J9/02GK104124122SQ201410373870
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年7月31日 優(yōu)先權日:2014年7月31日
【發(fā)明者】李振軍, 和峰, 白冰, 楊曉霞, 李馳, 裘曉輝, 戴慶 申請人:國家納米科學中心