發(fā)光模塊以及使用該發(fā)光模塊的照明用光源的制作方法
【專利摘要】發(fā)光模塊具備發(fā)光元件、第一波長變換部件以及第二波長變換部件。發(fā)光元件出射光。第一波長變換部件配置在從發(fā)光元件出射的光所通過的光路上，將從發(fā)光元件出射的光的一部分變換為第一可見波段的光。第二波長變換部件夾著光路上的第一波長變換部件而配置在與發(fā)光元件相反一側(cè)，將從發(fā)光元件出射的光中的未被第一波長變換部件變換的未變換的光的至少一部分變換為與第一可見波段不同的第二可見波段的光。在光路上的發(fā)光元件與第二波長變換部件之間，存在至少吸收570nm至590nm的波段的光的光吸收物質(zhì)，在第二波長變換部件內(nèi)不存在光吸收物質(zhì)。
【專利說明】發(fā)光模塊以及使用該發(fā)光模塊的照明用光源
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光模塊以及使用該發(fā)光模塊的照明用光源，特別涉及店鋪等中的照明技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]一直以來，在店鋪等中使用出射白色光的照明用光源。例如，在銷售食品等的店鋪中，為了使食品的顏色看起來鮮艷，有時(shí)使用出射所謂的彩度較高的白色光的照明用光源來進(jìn)行店鋪照明。
[0003]作為這種照明用光源，例如提出有具備在透光性基材中分散氧化釹而形成的濾波器的照明用光源(參照W02011/108203 )。
[0004]W02011/108203公開有一種具備發(fā)光部和覆蓋發(fā)光部的濾波器的照明用光源。濾波器吸收從發(fā)光部出射的白色光中、特定波段(570nm至590nm)的光。由此，照明用光源能夠產(chǎn)生彩度較高的白色光。此外，作為表示該彩度的指標(biāo)，例如使用顯著指數(shù)FCI (例如參照日本特開平11-73923號公報(bào))。特定波段(570nm至590nm的波段)的分光放射強(qiáng)度越低，則白色光的顯著指數(shù)FCI越提高。
[0005]然而，在W02011/108203所記載的照明用光源中，白色光的一部分被濾波器吸收，因此相應(yīng)地從發(fā)光部出射的光的取出效率降低。
[0006]另一方面，當(dāng)使光的取出效率優(yōu)先而成為無濾波器的構(gòu)成時(shí)，上述特定波段(570nm至590nm的波段)的分光放射強(qiáng)度變高，相應(yīng)地白色光的彩度降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明是鑒于上述事由而進(jìn)行的，其目的在于提供一種發(fā)光模塊，能夠抑制白色光的彩度降低，并且實(shí)現(xiàn)光的取出效率提高。
[0008]本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光模塊具備發(fā)光元件、第一波長變換部件以及第二波長變換部件。發(fā)光元件出射光。第一波長變換部件配置在從發(fā)光元件出射的光所通過的光路上，將從發(fā)光元件出射的光的一部分變換為第一可見波段的光。第二波長變換部件夾著光路上的第一波長變換部件而配置在與發(fā)光元件相反的一側(cè)，將從發(fā)光元件出射的光之中未被第一波長變換部件變換的未變換的光的至少一部分變換為與第一可見波段不同的第二可見波段的光。在光路上的發(fā)光元件與第二波長變換部件之間，存在至少吸收570nm至590nm的波段的光的光吸收物質(zhì)，在第二波長變換部件內(nèi)不存在光吸收物質(zhì)。
[0009]發(fā)明的效果
[0010]根據(jù)本構(gòu)成，在發(fā)光元件與第二波長變換部件之間，存在至少吸收570nm至590nm的波段的光的光吸收物質(zhì)，在第二波長變換部件內(nèi)不存在光吸收物質(zhì)。由此，從發(fā)光元件出射的光中、由第二波長變換部件變換后的光不會(huì)被上述光吸收物質(zhì)吸收而被取出到發(fā)光模塊的外部。另一方面，從發(fā)光元件出射的光之中在第一波長變換部件中被變換后的光，至少570nm至590nm的波段的光被光吸收物質(zhì)吸收，剩余的波段的光被取出到發(fā)光模塊的外部。如此，由第二波長變換部件變換后的光直接被取出到發(fā)光模塊的外部，相應(yīng)地能夠增加光的取出效率。此外，對于由第一波長變換部件變換后的光，至少570nm至590nm的波段的分光放射強(qiáng)度由于光吸收物質(zhì)的作用而降低，由此相應(yīng)地能夠抑制被取出到發(fā)光模塊的外部的白色光的彩度的降低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是實(shí)施方式I的發(fā)光模塊的分解立體圖。
[0012]圖2表不實(shí)施方式I的發(fā)光模塊,是圖1的A-A截面的局部向視圖。
[0013]圖3是比較例的發(fā)光模塊的分解立體圖。
[0014]圖4A是表示使用了含有短波長側(cè)熒光體、不含有氧化釹的波長變換部件的情況下的分光分布、和使用了含有短波長側(cè)熒光體和氧化釹雙方的波長變換部件的情況下的分光分布的圖。圖4B是表示圖4A的兩個(gè)分光分布的差分的圖。
[0015]圖5A是表示使用了含有長波長側(cè)熒光體、不含有氧化釹的波長變換部件的情況下的分光分布、和使用了含有長波長側(cè)熒光體和氧化釹雙方的波長變換部件的情況下的分光分布的圖。圖5B是表不圖5A的兩個(gè)分光分布的差分的圖。
[0016]圖6A是表不實(shí)施方式I的第一實(shí)施例的發(fā)光模塊的光的變換的情況的圖。圖6B是表示實(shí)施方式I的第二實(shí)施例的發(fā)光模塊的光的變換的情況的圖。圖6C是表示比較例的發(fā)光模塊的光的變換的情況的圖。
[0017]圖7A是表不實(shí)施方式I的第一實(shí)施例的發(fā)光模塊的分光分布的圖。圖7B是表不實(shí)施方式I的第二實(shí)施例的發(fā)光模塊的分光分布的圖。圖7C是表示比較例的發(fā)光模塊的分光分布的圖。
[0018]圖8是表示顯著指數(shù)較高的理想的光的分光分布的圖。
[0019]圖9是表示從實(shí)施方式I的第一實(shí)施例的發(fā)光模塊出射的白色光的分光分布的概略圖。
[0020]圖10是表示從實(shí)施方式I的第二實(shí)施例的發(fā)光模塊出射的白色光的分光分布的概略圖。
[0021]圖1lA是實(shí)施方式2的第一實(shí)施例的燈單元的立體圖。圖1lB是圖1lA的燈單元所含有的發(fā)光單元的俯視圖。
[0022]圖12是實(shí)施方式2的第二實(shí)施例的燈單元的分解立體圖。
[0023]圖13A是變形例的發(fā)光模塊的截面圖。圖13B是變形例的發(fā)光模塊的截面圖。
[0024]圖14是變形例的發(fā)光模塊的截面圖。
[0025]圖15A是變形例的發(fā)光模塊的立體圖。圖15B是圖15A的發(fā)光模塊的Bl-Bl截面的局部向視圖。
[0026]圖16是變形例的發(fā)光模塊的立體圖。
[0027]圖17A是變形例的發(fā)光模塊的立體圖。圖17B是圖17A的發(fā)光模塊的B2-B2截面的局部向視圖。
[0028]圖18A是變形例的發(fā)光模塊的立體圖。圖18B是圖18A的發(fā)光模塊的B3-B3截面的局部向視圖。【具體實(shí)施方式】
[0029]〈實(shí)施方式I>
[0030]圖1表不本實(shí)施方式的發(fā)光模塊I的分解立體圖，圖2表不圖1的A-A截面的局部向視圖。
[0031]發(fā)光模塊I具備基板11、LED13、密封部件15、電極焊盤17、框體19以及波長變換部件25、35。
[0032]基板11形成為矩形板狀?；?1例如具有雙層構(gòu)造，該雙層構(gòu)造包括由鋁等金屬形成的板材、和由聚碳酸酯等絕緣性材料形成的對該板材的配設(shè)有LED13的面整體進(jìn)行覆蓋的絕緣膜。此外，基板11也可以由樹脂、陶瓷等絕緣性材料單體構(gòu)成。
[0033]LED13是由GaN系材料形成的LED，出射可見波段(400nm至780nm的波段)的一部分、即藍(lán)色的波段(410nm至500nm的波段、進(jìn)一步限定為440nm至460nm的波段)的藍(lán)色光。在基板11上安裝有多個(gè)LED13。
[0034]密封部件15遍及可見光波段(400nm至780nm的波段)地由透明的樹脂材料形成。作為該樹脂材料，例如能夠使用硅酮樹脂、氟樹脂、硅酮-環(huán)氧的混合樹脂、尿素樹脂等。密封部件15被配置為覆蓋多個(gè)LED13。通過用這種透明的密封部件15來密封LED13，由此從LED13放射的藍(lán)色光被向密封部件15整體導(dǎo)光，因此亮度不均減少。
[0035]電極焊盤17形成在基板11上的框體19的外側(cè)。電極焊盤17設(shè)置為用于向多個(gè)LED13供給電力。
[0036]框體19形成為俯視圓環(huán)狀，被配置為包圍密封部件15的周圍?？蝮w19例如由白色聚碳酸酯等對于可見光的反射率較高的顏色的絕緣性材料形成。
[0037]波長變換部件25、35均形成為大致圓板狀，與俯視圓環(huán)狀的框體19的內(nèi)側(cè)嵌合。然后，波長變換部件25被配置為對多個(gè)LED13以及密封部件15進(jìn)行覆蓋，波長變換部件35被配置為對波長變換部件25進(jìn)行覆蓋。換言之，波長變換部件25配置在LED13的出射光所通過的光路上，波長變換部件35配置在光路上的夾著波長變換部件25而與LED13相反的一側(cè)。
[0038]波長變換部件25將從LED13出射的藍(lán)色光的一部分變換為第一可見波段的光。作為第一可見波段，例如能夠列舉480nm至630nm的范圍的波段(以下稱為“短波段”)、540nm至780nm的范圍的波段(以下稱為“長波段”)。從LED13出射的藍(lán)色光的一部分由波長變換部件25變換為第一可見波段的光。從LED13出射的藍(lán)色光的剩余部分未被波長變換部件25變換而直接通過。波長變換部件35將從LED13出射的藍(lán)色光中、未被波長變換部件25變換的未變換的光變換為第二可見波段的光。作為第二可見波段，例如能夠列舉短波段、長波段。此外，第二可見波段與第一可見波段不同。例如，在第一可見波段為長波段的情況下，第二可見波段為短波段。此外，在第一可見波段為短波段的情況下，第二可見波段為長波段。然后，從發(fā)光模塊I出射將藍(lán)色光、第一可見波段的光以及第二可見波段的光混合而成的白色光。
[0039]在此，波長變換部件25、35均包括透光性基材、和分散在透光性基材中的熒光體。作為突光體，能夠列舉將藍(lán)色光變換為短波段的光的突光體(以下稱為“短波長側(cè)突光體”)、將藍(lán)色光變換為長波段的光的熒光體(以下稱為“長波長側(cè)熒光體”)。透光性基材例如由具有透光性的玻璃、陶瓷或具有透光性的樹脂材料形成。此外，作為樹脂材料，例如能夠使用硅酮樹脂、氟樹脂、硅酮-環(huán)氧的混合樹脂、尿素樹脂等。各波長變換部件25、35所含有的熒光體的種類，根據(jù)應(yīng)由各波長變換部件25、35變換的光的波段來選擇。
[0040]此外，波長變換部件25進(jìn)一步含有至少吸收570nm至590nm的波段的光的光吸收物質(zhì)(以下將具有上述吸收特性的“光吸收物質(zhì)”簡稱為“光吸收物質(zhì)”)。光吸收物質(zhì)分散在構(gòu)成波長變換部件25的一部分的透光性基材中。另一方面，波長變換部件35不含有光吸收物質(zhì)。如此，波長變換部件25含有光吸收物質(zhì)、波長變換部件35不含有光吸收物質(zhì)，由此在LED13的出射光所通過的光路上的LED13與波長變換部件35之間存在光吸收物質(zhì)，在波長變換部件35內(nèi)不存在光吸收物質(zhì)。此外，對光吸收物質(zhì)要求的吸收波段，根據(jù)從發(fā)光模塊I出射的白色光的目標(biāo)的彩度來設(shè)定，在使該白色光的彩度提高時(shí)，需要減少至少570nm至590nm的范圍的波段的分光放射強(qiáng)度。因此，在本實(shí)施方式中，作為光吸收物質(zhì)，采用對515nm至535nm的范圍的波段和570nm至590nm的范圍的波段的光進(jìn)行吸收的釹化合物即氧化釹。此外，波長變換部件25的氧化釹的含有量，根據(jù)從發(fā)光模塊I出射的白色光的目標(biāo)的彩度來設(shè)定。例如，在想使570nm至590nm的分光放射強(qiáng)度進(jìn)一步減少的情況下,相應(yīng)地使氧化釹的含有量增加。
[0041]此外，通過變更波長變換部件25所含有的熒光體的濃度以及波長變換部件25的厚度Tl、波長變換部件35所含有的熒光體的濃度以及波長變換部件35的厚度T2，能夠?qū)陌l(fā)光模塊I出射的白色光的分光分布進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0042]接下來，在與比較例的發(fā)光模塊進(jìn)行對比的同時(shí)，對本實(shí)施方式的發(fā)光模塊I的2個(gè)實(shí)施例(第一、第二實(shí)施例)進(jìn)行說明。此外，在以下的說明中，將第一實(shí)施例的發(fā)光模塊I以及波長變換部件25、35作為發(fā)光模塊IA以及波長變換部件25A、35A、將第二實(shí)施例的發(fā)光模塊I以及波長變換部件25、35作為發(fā)光模塊IB以及波長變換部件25B、35B進(jìn)行說明。
[0043]圖3是比較例的發(fā)光模塊101的分解立體圖。此外，對于與本實(shí)施方式同樣的構(gòu)成賦予相同的附圖標(biāo)記而適當(dāng)?shù)厥÷哉f明。比較例的發(fā)光模塊101與本實(shí)施方式的不同點(diǎn)為，僅具備一個(gè)波長變換部件125。
[0044]波長變換部件125被配置為對多個(gè)LED13以及密封部件15進(jìn)行覆蓋。然后，波長變換部件125包括透光性基材、和分散在透光性基材中的熒光體以及氧化釹。此外，透光性基材的材料等與本實(shí)施方式同樣。
[0045][第一實(shí)施例]
[0046](構(gòu)造)
[0047]在第一實(shí)施例的發(fā)光模塊IA中，波長變換部件25A含有長波長側(cè)熒光體和氧化釹。此外，波長變換部件35A含有短波長側(cè)熒光體。波長變換部件25A、35A的厚度Tl、T2被設(shè)定為大致相同。然后，波長變換部件25A所含有的長波長側(cè)熒光體的濃度被設(shè)定為5至6wt%,波長變換部件25B所含有的短波長側(cè)熒光體的濃度被設(shè)定為15至20Wt%。此外，該長波長側(cè)熒光體以及短波長側(cè)熒光體各自的濃度為將從發(fā)光模塊IA放射的白色光的色溫度設(shè)定為3000K左右的情況下的濃度。在將從發(fā)光模塊IA放射的白色光的色溫度設(shè)定為6500K、5000K的情況下，對上述各濃度進(jìn)行變更即可。
[0048]在此，作為長波長側(cè)熒光體，也可以使用硫化物熒光體，例如(Sr，Ca) S =Eu2+,La2O2S: (Eu3+, Sm3+);娃酸鹽(silicate)突光體，例如 Ba3MgSi2O8 -.Eu2 + (Mn2+);氮化物(酸氮化物)熒光體，例如(Ca，Sr) SiN2 =Eu2+, (Ca，Sr) AlSiN3:Eu2+、Sr2Si5_xAlxOxN8_x =Eu2+(O < X < I)。
[0049]作為短波長側(cè)突光體,也可以使用招酸鹽突光體,例如BaMgAlltlO17: (Eu2+ , Mn2+)、(Ba, Sr, Ca) Al2O4 -.Eu2 + ;娃酸鹽(silicate)突光體，例如(Ba，SiO2SiO4 -.Eu2 + ； α -塞隆突光體，例如 Sr1.5A13Si9N16 =Eu2+,Ca- a -SiAlON =Yb2 + ；β-塞隆熒光體，例如 β -Si3N4 =Eu2 + ；酸氮化物熒光體，例如(Ba，Sr, Ca) Si2O2N2 =Eu2+, (Ba，Sr, Ca) 2Si4A10N7:Ce3 +、(Ba，Sr, Ca)Al2_xSix04_xNx =Eu2+ (O < X < 2);氮化物熒光體，例如(Ba，Sr，Ca) 2Si具:Ce3 + ;硫化物熒光體，例如 SrGa2S4:Eu2 + ;石槽石突光體，例如 Ca3Sc2Si3O12:Ce3 + > BaY2SiAl4O12:Ce3 + > Y3 (Al,Ga) 5012:Ce3 +、Lu3 (Al,Ga) 5012:Ce3 +、Tb3 (Al,Ga) 5012:Ce3 + ;氧化物突光體，例如 CaSc2O4:
3 +
Ce ο
[0050]另一方面，在比較例中，波長變換部件125包括長波長側(cè)熒光體、短波長側(cè)熒光體以及氧化釹。長波長側(cè)熒光體、短波長側(cè)熒光體以及氧化釹分散在透光性基材中。
[0051](實(shí)施例1的發(fā)光模塊的光的取出效率的研究)
[0052]圖4A表示使用了含有短波長側(cè)熒光體而不含有氧化釹的波長變換部件的情況下的分光分布、和使用了含有短波長側(cè)突光體和氧化釹雙方的波長變換部件的情況下的分光分布。圖4B表不圖4A的兩個(gè)分光分布的差分。此外,在圖4A、圖4B中，縱軸表不分光放射強(qiáng)度，橫軸表示光的波長。在圖4A中，“k-l”(k=l、2、3、4)表示從含有分別不同的短波長側(cè)熒光體的波長變換部件放射的光的分光分布?！発-2”(k=l、2、3、4)表示從對“k-1” Ck= K
2、3、4)進(jìn)一步添加了氧化釹的波長變換部件放射的光的分光分布。此外，在圖4B中，“k-3”(k=l、2、3、4)表不上述“k_l”的分光分布與上述“k_2”的分光分布(k=l、2、3、4)的差分。
[0053]如圖4A以及圖4B所示那樣，從含有短波長側(cè)熒光體以及氧化釹的波長變換部件放射的光的分光分布的特征為，與從含有短波長側(cè)熒光體而不含有氧化釹的波長變換部件放射的光的分光分布相比，515nm至535nm的范圍的波段和570nm至590nm的范圍的波段的分光放射強(qiáng)度減少。
[0054]此外，圖5A表不從僅含有長波長側(cè)突光體的波長變換部件放射的光的分光分布和從含有長波長側(cè)突光體以及氧化釹的波長變換部件放射的光的分光分布，圖5B表不圖5A中的2個(gè)分光分布的差分。此外,在圖5A、圖5B中，縱軸表不分光放射強(qiáng)度,橫軸表不光的波長。在圖5A中,“k_l”(k=5、6、7、8)表不從含有分別不同的長波長側(cè)突光體的波長變換部件放射的光的分光分布。“k-2”(k=5、6、7、8)表示從對“k-1”添加了氧化釹的波長變換部件放射的光的分光分布。此外，在圖5B中，“k-3”(k=5、6、7、8)表示上述“k-1”的分光分布與上述“k_2”的分光分布(k=5、6、7、8)的差分。
[0055]如圖5A以及圖5B所示那樣，從含有長波長側(cè)熒光體以及氧化釹的波長變換部件放射的光的分光分布的特征為，與從僅含有長波長側(cè)熒光體的波長變換部件放射的光的分光分布相比，570nm至590nm的范圍的波段的分光放射強(qiáng)度減少。此外，從僅含有長波長側(cè)熒光體的波長變換部件放射的光的分光分布為，515nm至535nm的范圍的波段的分光放射強(qiáng)度比峰值波長的半值(50%)小，而幾乎接近于零。因此，對于僅含有長波長側(cè)熒光體的波長變換部件，即使使其進(jìn)一步含有氧化釹，由于原本515nm至535nm的范圍的波段的分光放射強(qiáng)度就接近于零，因此該波段的分光放射強(qiáng)度也難以由于氧化釹對光的吸收而受到影響。[0056]圖6A、圖6B、圖6C表不各發(fā)光模塊的光的變換的情況。圖6A表不第一實(shí)施例，圖6B表示第二實(shí)施例，圖6C表示變形例。此外，圖7A、圖7B、圖7C表示各發(fā)光模塊的分光分布。圖7A表示第一實(shí)施例，圖7B表示第二實(shí)施例，圖7C表示變形例。此外，在圖7A、圖7B、圖7C中，縱軸表不分光放射強(qiáng)度,橫軸表不光的波長。如圖6A所不那樣,在第一實(shí)施例的發(fā)光模塊IA中，從LED13出射的藍(lán)色光的一部分直接向發(fā)光模塊IA的外部出射。此夕卜，從LED13出射并被波長變換部件25A吸收的藍(lán)色光，由波長變換部件25A變換為540nm至780nm的范圍的波段的長波段的光(圖6A的交叉影線箭頭)而向發(fā)光模塊IA的外部出射。并且，從LED13出射并被波長變換部件35A吸收的藍(lán)色光，由波長變換部件35A變換為480nm至630nm的范圍的波段的短波段光(圖6A的點(diǎn)花紋箭頭)而向發(fā)光模塊IA的外部出射。其中，長波段光(圖6A的交叉影線箭頭)為，570nm至590nm的范圍的波段的光在被氧化釹吸收了的狀態(tài)下向發(fā)光模塊IA的外部取出。然后，向第一實(shí)施例的發(fā)光模塊IA的外部取出的白色光由上述藍(lán)色光、上述短波段光以及上述長波段光混合而成。
[0057]圖7A左側(cè)的分光分布示意地表示圖4A的k_l (k=l、2、3、4)的分光分布。即，表示使用了含有短波長側(cè)熒光體而不含有氧化釹的波長變換部件35A的情況下的分光分布。此外，圖7A中央的分光分布不意地表不圖5A的k_2 (k=5、6、7、8)的分光分布。S卩，表不使用了含有長波長側(cè)熒光體以及氧化釹的波長變換部件25A的情況下的分光分布。然后，圖7A右側(cè)的分光分布不意地表不從發(fā)光模塊IA取出的白色光的分光分布。
[0058]如圖7A所示那樣，從發(fā)光模塊IA取出的白色光的分光分布，成為將使用了含有長波長側(cè)熒光體以及氧化釹的波長變換部件的情況下的分光分布、和使用了含有短波長側(cè)熒光體而不含有氧化釹的波長變換部件的情況下的分光分布相加了的形狀。
[0059]另一方面，如圖6C所示那樣，在比較例的發(fā)光模塊101中，從LED13出射的藍(lán)色光的一部分直接向發(fā)光模塊101的外部出射。此外，從LED13出射并被波長變換部件125吸收的藍(lán)色光，由波長變換部件125變換為將540nm至780nm的范圍的波段的長波段的光以及480nm至630nm的范圍的波段的短波段的光混合而成的光(圖6A的格子花紋箭頭)，并向發(fā)光模塊101的外部出射。在此，長波段的光為，570nm至590nm的范圍的波段的光在被氧化釹吸收了的狀態(tài)下向發(fā)光模塊101的外部出射。此外，短波段的光為，515nm至535nm的范圍的波段的光和570nm至590nm的范圍的波段的光的雙方在被氧化釹吸收了的狀態(tài)下向發(fā)光模塊101的外部出射。然后，從本比較例的發(fā)光模塊101取出的白色光由上述藍(lán)色光、長波段光以及短波段光混合而成。
[0060]圖7C左側(cè)的分光分布示意地表示圖4A的k-2 (k=l、2、3、4)的分光分布，圖7C中央的分光分布不意地表不圖5A的k-2 (k=5、6、7、8)的分光分布。然后，圖7C右側(cè)的分光分布不意地表不從發(fā)光模塊101取出的白色光的分光分布。
[0061]如圖7C所不那樣,從發(fā)光模塊101出射的光的分光分布,成為將使用了含有短波長側(cè)熒光體以及氧化釹的波長變換部件時(shí)的分光分布、和使用了含有長波長側(cè)熒光體以及氧化釹的波長變換部件時(shí)的分光分布相加了的形狀。
[0062]如根據(jù)圖7A以及圖7C可知的那樣，在第一實(shí)施例的發(fā)光模塊IA中，在515nm至535nm的范圍的波段內(nèi)未產(chǎn)生分光放射強(qiáng)度的降低，而與比較例的發(fā)光模塊101相比，570nm至590nm附近的波段的分光放射強(qiáng)度的降低也被抑制。其原因?yàn)?，從波長變換部件35A放射的短波段的光不受氧化釹對光吸收的影響。然后，第一實(shí)施例的發(fā)光模塊IA與比較例的發(fā)光模塊101相比，分光放射強(qiáng)度的波長積分值增大。換言之，發(fā)光模塊IA與發(fā)光模塊101相比，光的取出效率提高。
[0063](從第一實(shí)施例的發(fā)光模塊放射的白色光的彩度的研究)
[0064]接下來，對從第一實(shí)施例的發(fā)光模塊IA出射的白色光的彩度進(jìn)行說明。
[0065]圖8表示彩度較高的理想的白色光的分光分布。
[0066]該白色光的色溫度為2989 [K]，顯著指數(shù)為171。在此，“顯著指數(shù)”是表示照明對象物的顯著程度(彩度)的指標(biāo)。該顯著指數(shù)根據(jù)由基于非線形色覺模型的色系表示的4色試驗(yàn)色的顏色面積的大小來計(jì)算的(例如參照日本特開平11-73923號公報(bào))。具體地說，以紅色試驗(yàn)色為基準(zhǔn)，將由紅色、藍(lán)色、綠色試驗(yàn)色包圍的面積和由紅色、黃色、綠色試驗(yàn)色包圍的面積的總和定義為4色試驗(yàn)色(紅、黃、綠、藍(lán))的色域面積。然后，根據(jù)該4色試驗(yàn)色的色域面積，根據(jù)式(I)的關(guān)系式導(dǎo)出顯著指數(shù)FCI。
[0067]【數(shù)式I】
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光模塊，其特征在于， 具備: 出射光的發(fā)光元件； 第一波長變換部件，配置在從上述發(fā)光元件出射的光所通過的光路上，將從上述發(fā)光元件出射的光的一部分變換為第一可見波段的光；以及 第二波長變換部件，在上述光路上夾著上述第一波長變換部件而配置在與上述發(fā)光元件相反的一側(cè)，將從上述發(fā)光元件出射的光之中未被上述第一波長變換部件變換的未變換的光的至少一部分變換為與上述第一可見波段不同的第二可見波段的光， 在上述光路上的上述發(fā)光元件與上述第二波長變換部件之間，存在至少吸收570nm至590nm的波段的光的光吸收物質(zhì)，在上述第二波長變換部件內(nèi)不存在上述光吸收物質(zhì)。
2.如權(quán)利要求1記載的發(fā)光模塊，其特征在于， 上述第一波長變換部件包括:第一透光性基材和第一熒光體，該第一熒光體分散在上述第一透光性基材中，將從上述發(fā)光元件出射的光的一部分變換為上述第一可見波段的光; 上述第二波長變換部件包括:第二透光性基材和第二熒光體，該第二熒光體分散在上述第二透光性基材中，將從上述發(fā)光元件出射的光中的上述未變換的光的至少一部分變換為上述第二可見波段的光。
3.如權(quán)利要求2記載的發(fā)光模塊，其特征在于， 上述光吸收物質(zhì)混和在上述第一透光性基材中。
4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)記載的發(fā)光模塊,其特征在于， 上述光吸收物質(zhì)包含在夾在上述第一波長變換部件與上述第二波長變換部件之間的光吸收部件中。
5.如權(quán)利要求1記載的發(fā)光模塊，其特征在于， 上述光吸收物質(zhì)為釹化合物。
6.如權(quán)利要求1記載的發(fā)光模塊，其特征在于， 根據(jù)上述發(fā)光元件出射的光、上述第一可見波段的光以及上述第二可見波段的光混合而成的白色光的目標(biāo)彩度，來設(shè)定上述光吸收物質(zhì)的含有量。
7.如權(quán)利要求1記載的發(fā)光模塊，其特征在于， 上述發(fā)光元件出射的光的波段為410nm至500nm， 上述第一可見波段為480nm至630nm, 上述第二可見波段為540nm至780nm。
8.如權(quán)利要求1記載的發(fā)光模塊，其特征在于， 上述發(fā)光元件出射的光的波段為410nm至500nm， 上述第一可見波段為540nm至780nm, 上述第二可見波段為480nm至630nm。
9.一種發(fā)光模塊，其特征在于， 具備: 出射光的發(fā)光兀件； 第一波長變換部件，配置在從上述發(fā)光元件出射的光的一部分所通過的第一光路上，將從上述發(fā)光元件出射的上述光的一部分中的至少一部分變換為第一可見波段的光；以及第二波長變換部件，配置在從上述發(fā)光元件出射的光的剩余的一部分所通過的第二光路上，將從上述發(fā)光元件出射的上述光的剩余的一部分中的至少一部分變換為與上述第一可見波段不同的第二可見波段的光， 上述第一以及第二光路，在上述第一光路的夾著上述第一波長變換部件而與上述發(fā)光元件相反的一側(cè)且在上述第二光路的夾著上述第二波長變換部件而與上述發(fā)光元件相反的一側(cè)的結(jié)合位置上結(jié)合， 在上述第一光路的上述發(fā)光元件與上述結(jié)合位置之間，存在至少吸收570nm至590nm的波段的光的光吸收物質(zhì)，在上述第二光路的上述發(fā)光元件與上述結(jié)合位置之間不存在上述光吸收物質(zhì)。
10.如權(quán)利要求9記載的發(fā)光模塊,其特征在于， 上述第一波長變換部件被配置為，對包圍上述發(fā)光元件的區(qū)域的一部分進(jìn)行覆蓋， 上述第二波長變換部件被配置為，對包圍上述發(fā)光元件的區(qū)域之中未被上述第一波長變換部件覆蓋的區(qū)域進(jìn)行覆蓋， 上述光吸收物質(zhì)存在于上述第一波長變換部件內(nèi)，而不存在于上述第二波長變換部件內(nèi)。
11.如權(quán)利要求9記載的發(fā)光模塊,其特征在于， 還具備光反射性基板， 上述第一波長變換部件被配置為覆蓋上述光反射性基板， 上述第二波長變換部件為，夾著上述第一波長變換部件而配置在與上述光反射性基板相反的一側(cè)， 上述發(fā)光元件配置在上述第一波長變換部件與上述第二波長變換部件之間， 上述光吸收物質(zhì)存在于上述第一波長變換部件內(nèi)，而不存在于上述第二波長變換部件內(nèi)。
12.如權(quán)利要求9記載的發(fā)光模塊,其特征在于， 上述第一波長變換部件包括:第一透光性基材和第一熒光體，該第一熒光體分散在上述第一透光性基材中，將從上述發(fā)光元件出射的光的一部分變換為上述第一可見波段的光， 上述第二波長變換部件包括:第二透光性基材和第二熒光體，該第二熒光體分散在上述第二透光性基材中，將從上述發(fā)光元件出射的光的一部分變換為上述第二可見波段的光。
13.如權(quán)利要求12記載的發(fā)光模塊，其特征在于， 上述光吸收物質(zhì)混合在上述第一透光性基材中。
14.如權(quán)利要求9記載的發(fā)光模塊,其特征在于， 上述光吸收物質(zhì)為釹化合物。
15.如權(quán)利要求9記載的發(fā)光模塊,其特征在于， 上述發(fā)光元件出射的光的波段為410nm至500nm， 上述第一可見波段為480nm至630nm, 上述第二可見波段為540nm至780nm。
16.如權(quán)利要求9記載的發(fā)光模塊,其特征在于，上述發(fā)光元件出射的光的波段為410nm至500nm，上述第一可見波段為540nm至780nm,上述第二可見波段為480nm至630nm。
17.一種照明用光源，其特征在于，具備權(quán)利要求1或者9所記載的發(fā)光模塊。`
【文檔編號】F21V31/00GK103883974SQ201310705956
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月19日
【發(fā)明者】杉浦健二 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社