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一種適用于常壓環(huán)境材料表面等離子體處理裝置制造方法

文檔序號:2856607閱讀:151來源:國知局
一種適用于常壓環(huán)境材料表面等離子體處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種適用于常壓環(huán)境材料表面等離子體處理裝置,包括外殼、電極組件和電源,外殼內(nèi)設(shè)置有反應(yīng)腔室,外殼一側(cè)壁體上開設(shè)有氣體入口,外殼與設(shè)有氣體入口相對的壁體上設(shè)置有溢氣口,電極組件設(shè)置于反應(yīng)腔室內(nèi),電極組件為一對相互平行設(shè)置的平板電極,兩個平板電極相對應(yīng)的電極面上設(shè)置有絕緣板。本發(fā)明物料放置于絕緣板上,反應(yīng)氣體從氣體入口進入反應(yīng)腔室中,同時溢氣口向外排氣,反應(yīng)氣體在反應(yīng)腔室中穩(wěn)定后,電源驅(qū)動電極組件工作形成電場將反應(yīng)氣體電離并對物料進行表面處理,實現(xiàn)常壓下物料表面等離子體處理;當需要更換反應(yīng)氣體,只需要通入其他反應(yīng)氣體進入反應(yīng)腔室中,前一種反應(yīng)氣體逐漸從溢氣口中排出,實現(xiàn)更換反應(yīng)氣體。
【專利說明】—種適用于常壓環(huán)境材料表面等離子體處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種適用于常壓環(huán)境材料表面等離子體處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]低溫等離子體技術(shù)作為一種新的表面改性手段,能快速、高效、無污染地改善材料的表面性能,賦予新的特征,同時又不改變材料的本體特點,已經(jīng)越來越被世界各國的研究人員所重視,等離子體表面處理是利用氣體放電產(chǎn)生的等離子體對材料表面進行物理和化學(xué)反應(yīng)。參與反應(yīng)的有激發(fā)態(tài)粒子、自由基和離子,也包括等離子體輻射紫外線的作用。通過表面反應(yīng)有可能在表面引入特定官能團,產(chǎn)生表面活化和刻蝕,形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)或生成表面自由基。這些作用一般不是單一的,往往某種作用為主,幾種作用并存。正是這些作用決定了等離子體表面處理的有效性。
[0003]目前,絕大部分等離子體表面處理都是在低氣壓環(huán)境下進行的。由于低氣壓的真空設(shè)備成本高,現(xiàn)有技術(shù)中公開的專利號為201220480568.4,公開了一種常壓下利用等離子體接枝聚合進行材料表面改性的裝置,包括等離子體活化區(qū)和等離子體接枝聚合區(qū),在等離子體活化區(qū)和等離子體接枝聚合區(qū)之間位接枝氣體喂入?yún)^(qū),等離子體活化區(qū)包括金屬電極組、介質(zhì)阻擋層,等離子體接枝聚合區(qū)包括金屬電極組、介質(zhì)阻擋層。該專利在運行的過程中只能通入一種氣體,無法實現(xiàn)換氣,難以實現(xiàn)工業(yè)化連續(xù)處理。
[0004]因此,亟需一種可更換反應(yīng)氣體的適用于常壓環(huán)境材料表面等離子體處理裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供一種適用于常壓環(huán)境材料表面等離子體處理裝置。
[0006]實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是:一種適用于常壓環(huán)境材料表面等離子體處理裝置,包括外殼、電極組件和電源,所述外殼內(nèi)設(shè)置有反應(yīng)腔室,所述外殼一側(cè)壁體上開設(shè)有氣體入口,所述外殼與設(shè)有氣體入口相對的壁體上設(shè)置有溢氣口,所述電極組件設(shè)置于所述反應(yīng)腔室內(nèi),所述電極組件為一對相互平行設(shè)置的平板電極,兩個平板電極相對應(yīng)的電極面上設(shè)置有絕緣板。
[0007]進一步的,所述電源為高頻發(fā)生器。
[0008]進一步的,還包括用于送入反應(yīng)氣體的氣源,所述氣源與所述氣體入口連接。
[0009]本發(fā)明具有積極的效果:本發(fā)明物料放置于絕緣板上,反應(yīng)氣體從氣體入口進入反應(yīng)腔室中,同時溢氣口向外排氣,反應(yīng)氣體在反應(yīng)腔室中穩(wěn)定后,電源驅(qū)動電極組件工作形成電場將反應(yīng)氣體電離并對物料進行表面處理,實現(xiàn)常壓下物料表面等離子體處理;當需要更換反應(yīng)氣體,只需要通入其他反應(yīng)氣體進入反應(yīng)腔室中,前一種反應(yīng)氣體逐漸從溢氣口中排出,實現(xiàn)更換反應(yīng)氣體。
【專利附圖】

【附圖說明】[0010]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解,下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖,對本發(fā)明作進一步詳細的說明,其中:
圖1為本發(fā)明第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]其中:1、外殼,2、溢氣口,3、反應(yīng)腔室,4、絕緣板,5、電極組件,6、電源,7、氣體入口,8、氣源。
【具體實施方式】
[0012]實施例1
如圖1所示,本發(fā)明第一實施例提供一種適用于常壓環(huán)境材料表面等離子體處理裝置,包括外殼1、電極組件5和電源6,外殼I內(nèi)設(shè)置有反應(yīng)腔室3,外殼I 一側(cè)壁體上開設(shè)有氣體入口 7,外殼I與設(shè)有氣體入口 7相對的壁體上設(shè)置有溢氣口 2,電極組件5設(shè)置于反應(yīng)腔室3中,電極組件5為一對相互平行設(shè)置的平板電極,兩個平板電極相對應(yīng)的電極面上設(shè)置有絕緣板4。
[0013]本實施例物料放置于絕緣板4上,反應(yīng)氣體從氣體入口 7進入反應(yīng)腔室3中,同時溢氣口 2向外排氣,反應(yīng)氣體在反應(yīng)腔室3中穩(wěn)定后,電源6驅(qū)動電極組件5工作形成電場將反應(yīng)氣體電離并對物料進行表面處理,實現(xiàn)常壓下物料表面等離子體處理;當需要更換反應(yīng)氣體,只需要通入其他反應(yīng)氣體進入反應(yīng)腔室3中,前一種反應(yīng)氣體逐漸從溢氣口 2中排出,實現(xiàn)更換反應(yīng)氣體。
[0014]實施例2
如圖2所示,其余與實施例1相同,不同之處在于,還包括用于送入反應(yīng)氣體的氣源8,支氣源8與氣體入口 7連接,電源6為高頻發(fā)生器。
[0015]以上所述的具體實施例,對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已,并不用于限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種適用于常壓環(huán)境材料表面等離子體處理裝置,其特征在于,包括外殼、電極組件和電源,所述外殼內(nèi)設(shè)置有反應(yīng)腔室,所述外殼一側(cè)壁體上開設(shè)有氣體入口,所述外殼與設(shè)有氣體入口相對的壁體上設(shè)置有溢氣口,所述電極組件設(shè)置于所述反應(yīng)腔室內(nèi),所述電極組件為一對相互平行設(shè)置的平板電極,兩個平板電極相對應(yīng)的電極面上設(shè)置有絕緣板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于常壓環(huán)境材料表面等離子體處理裝置,其特征在于,所述電源為高頻發(fā)生器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的適用于常壓環(huán)境材料表面等離子體處理裝置,其特征在于,還包括用于送入反應(yīng)氣體的氣源,所述氣源與所述氣體入口連接。
【文檔編號】H01J37/32GK103594320SQ201310610341
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月27日
【發(fā)明者】沈文凱, 王紅衛(wèi) 申請人:蘇州市奧普斯等離子體科技有限公司
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