具有可加熱場(chǎng)致發(fā)射電子發(fā)射器的x射線管和操作其的方法
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種X射線管、一種包括這種X射線管的醫(yī)療X射線設(shè)備以及一種用于操作這種X射線管的方法。所述X射線管(1)包括具有襯底(4)的電子發(fā)射器(3)，所述襯底具有電子發(fā)射表面(5)。所述電子發(fā)射表面(5)適于通過(guò)提供顯著的粗糙度而進(jìn)行從所述電子發(fā)射表面的電子的場(chǎng)致發(fā)射?？梢酝ㄟ^(guò)向所述電子發(fā)射表面(5)上施加碳納米管(19)來(lái)獲得這樣的粗糙度。提供場(chǎng)發(fā)生器(7)以生成與所述電子發(fā)射表面(5)毗鄰的電場(chǎng)，以誘發(fā)從所述電子發(fā)射表面的電子的場(chǎng)致發(fā)射。此外，加熱器裝置(15)被提供，并且適于與電子的所述場(chǎng)致發(fā)射同時(shí)地加熱所述電子發(fā)射表面(5)。因此，在由于場(chǎng)效應(yīng)而從所述電子發(fā)射表面(5)發(fā)射電子的同時(shí)，還可以將該電子發(fā)射表面(5)加熱到100℃和1000℃之間的大量溫度。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，這樣加熱可以穩(wěn)定如所述發(fā)射器(3)的電子發(fā)射特性，因?yàn)榭梢詼p少所述碳納米管的吸附物或污染。
【專利說(shuō)明】具有可加熱場(chǎng)致發(fā)射電子發(fā)射器的X射線管和操作其的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種X射線管、一種包括這樣的X射線管的醫(yī)療X射線設(shè)備以及一種操作這樣的X射線管的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]X射線照相裝置可以用于各種醫(yī)療、分析或其他應(yīng)用。例如，X射線管可以用于發(fā)射X射線以透射要分析的對(duì)象，其中，隨后探測(cè)透射的X射線，并可以從探測(cè)的X射線吸收導(dǎo)出被分析對(duì)象的特性。
[0003]對(duì)于下一代X射線照相裝置而言，可以期望大電流與電子束的小焦斑相組合以實(shí)現(xiàn)高空間分辨率。例如，為了使諸如心臟的運(yùn)動(dòng)器官的圖像的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)的模糊最小化，可以期望有高的時(shí)間分辨率，這尤其可能取決于用于采集圖像的X射線源的開關(guān)時(shí)間等。
[0004]在X射線源中，電子從作為電子發(fā)射器的陰極被發(fā)射，并被電場(chǎng)向著陽(yáng)極加速。常規(guī)上，熱陰極用于熱電子發(fā)射，其中，將陰極加熱到極高的溫度，使得陰極中電子的能量可以超過(guò)用于陰極的材料的逸出功，使得電子可以從熱陰極的表面逃逸，并且之后可以向著陽(yáng)極加速自由的電子。
[0005]然而，空間和時(shí)間分辨率要求的上述組合可以致使常規(guī)熱陰極分別由于其非高斯射束和慢響應(yīng)時(shí)間的原因而變得更不適合。此外，常規(guī)電子發(fā)射器一般不適于X射線管的小型化。
[0006]使用場(chǎng)致發(fā)射效應(yīng)的電子發(fā)射器似乎滿足以上空間和時(shí)間分辨率要求，并且具有成為用于下一代X射線管的理想電子源的潛力。
[0007]例如，W02010/131209A1描述了一種X射線源，其具有使用場(chǎng)致發(fā)射的多個(gè)電子發(fā)射器。
[0008]然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，電子的場(chǎng)致發(fā)射可能取決于多種參數(shù)，這可能導(dǎo)致不穩(wěn)定的電子發(fā)射。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]需要允許改善電子發(fā)射特性的一種X射線管、一種包括X射線管的醫(yī)療X射線設(shè)備和一種操作X射線管的方法。具體而言，需要穩(wěn)定的電子發(fā)射。
[0010]這樣的需求可以由獨(dú)立權(quán)利要求中定義的X射線管、醫(yī)療X射線設(shè)備和方法來(lái)滿足。在從屬權(quán)利要求中定義了本發(fā)明的實(shí)施例。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出了一種X射線管，其包括電子發(fā)射器、場(chǎng)發(fā)生器和加熱器裝置。所述電子發(fā)射器包括具有電子發(fā)射表面的襯底。這一表面具有粗糙度，所述電子發(fā)射表面適于在施加電場(chǎng)時(shí)，從這個(gè)表面的電子的場(chǎng)致發(fā)射。所述場(chǎng)發(fā)生器適于生成與所述電子發(fā)射器的所述電子發(fā)射表面毗鄰的電場(chǎng)，以誘發(fā)所述電子發(fā)射表面的電子的場(chǎng)致發(fā)射。所述加熱器裝置適于與電子的場(chǎng)致發(fā)射同時(shí)地加熱所述電子發(fā)射表面。[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出了一種操作上文結(jié)合第一方面定義的X射線管的方法。該方法包括生成與所述電子發(fā)射表面毗鄰的電場(chǎng)，以誘發(fā)所述電子發(fā)射表面的場(chǎng)致發(fā)射，并且優(yōu)選與其同時(shí)地向所述加熱器裝置供應(yīng)能量，以加熱所述電子發(fā)射表面。作為選項(xiàng)，可以在生成電場(chǎng)之前向所述加熱器裝置供應(yīng)能量，以預(yù)先處理所述電子發(fā)射表面。
[0013]所述電子發(fā)射器的所述電子發(fā)射表面可以包括碳納米管(CNT)。這樣的碳納米管可以被涂覆到電子發(fā)射器襯底的表面上，并可以提供具有高粗糙度的電子發(fā)射表面，因?yàn)樘技{米管可以具有僅幾納米的直徑，但長(zhǎng)度長(zhǎng)得多，使得多個(gè)納米管可以像針一樣從所述電子發(fā)射表面伸出，由此支持由于場(chǎng)效應(yīng)導(dǎo)致的電子發(fā)射。
[0014]可以將碳納米管直接涂覆到電子發(fā)射器襯底的表面上?？梢圆皇褂弥虚g層和/或粘結(jié)劑來(lái)將碳納米管附著到電子發(fā)射器襯底的表面。
[0015]在操作X射線管期間，可以將所述電子發(fā)射表面加熱到超過(guò)100°C但低于溫度上限的提高的溫度，在所述溫度上限處，熱電子發(fā)射變得大于總電子發(fā)射的10%或大于場(chǎng)誘發(fā)的電子發(fā)射的10%。例如，所述加熱器裝置可以適于將電子發(fā)射表面加熱到100攝氏度(°C )和1000攝氏度(°C )之間的，優(yōu)選200°C和900°C之間的溫度。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，將電子發(fā)射表面加熱到遠(yuǎn)超環(huán)境溫度但優(yōu)選遠(yuǎn)低于發(fā)生顯著熱電子發(fā)射的溫度的這種提高的溫度，在將場(chǎng)效應(yīng)用于電子發(fā)射時(shí)，提高了穩(wěn)定的電子發(fā)射特性。所述電子發(fā)射表面的加熱應(yīng)當(dāng)顯著低于發(fā)生顯著熱電子發(fā)射的溫度，因?yàn)榧訜醿H僅進(jìn)一步優(yōu)化了場(chǎng)致發(fā)射。將所述電子發(fā)射表面加熱到的提高的溫度應(yīng)當(dāng)保持低于這樣的溫度:在該溫度下，從電子發(fā)射表面或CNT的熱電子發(fā)射是顯著的。優(yōu)選地，這樣的熱電子發(fā)射保持低于總發(fā)射的10%。
[0016]所述加熱器裝置可以是適于直接或間接加熱電子發(fā)射器襯底的電子發(fā)射表面的任何裝置?？梢詰?yīng)用任何類型的加熱機(jī)制。例如，可以使用利用例如紅外光源或激光器的輻射加熱來(lái)加熱所述電子發(fā)射表面?；蛘撸梢詰?yīng)用通過(guò)介質(zhì)的熱傳遞，例如通過(guò)承載被加熱液體的通道或介質(zhì)的熱傳遞。
[0017]作為另一范例，所述加熱器裝置可以使用焦耳加熱，有時(shí)也稱為電阻加熱。例如，所述加熱器裝置可以包括被布置在電子發(fā)射器襯底處的電阻式元件，以在向所述電阻式元件施加電流時(shí)加熱所述電子發(fā)射表面。通過(guò)將例如電阻式元件布置為與所述電子發(fā)射表面熱接觸來(lái)使用焦耳加熱的加熱器裝置可以允許將這個(gè)表面加熱到提高的溫度的簡(jiǎn)單選項(xiàng)。
[0018]此外，所述X射線管可以包括加熱器裝置控制器，所述加熱器裝置控制器可以適于控制向所述電子發(fā)射器的所述加熱器裝置的能量供應(yīng)，以將所述電子發(fā)射表面加熱到預(yù)定義溫度。其中，所述加熱器裝置可以包括用于測(cè)量所述電子發(fā)射表面的實(shí)際溫度的傳感器，使得基于這樣的信息，可以控制所述加熱器裝置以將所述電子發(fā)射表面加熱并保持在預(yù)定溫度范圍內(nèi)，所述預(yù)定溫度范圍例如為平均溫度+/_例如50°C的可接受的溫度偏差。將所述電子發(fā)射表面的溫度保持在這樣的預(yù)定義溫度范圍中可以幫助穩(wěn)定電子發(fā)射特性。
[0019]在一種實(shí)施方式中，所述加熱器裝置控制器可以適于控制供應(yīng)給在所述電子發(fā)射器襯底處提供的電阻式元件的電流，以加熱所述電子發(fā)射表面?？梢匀菀椎乜刂七@樣電流供應(yīng)，由此獲得所述電子發(fā)射表面的穩(wěn)定的提高的溫度。
[0020]提出的X射線管的場(chǎng)發(fā)生器可以包括導(dǎo)電網(wǎng)格。這個(gè)網(wǎng)格可以被布置為與所述電子發(fā)射表面毗鄰。所述場(chǎng)發(fā)生器可以包括與所述電子發(fā)射表面以及與所述網(wǎng)格的電連接，使得可以向這些部件施加場(chǎng)發(fā)生器中生成的電壓，由此在所述電子發(fā)射表面和所述網(wǎng)格之間生成電場(chǎng)。由于這樣的電場(chǎng)的原因，電子可以由于場(chǎng)效應(yīng)而從粗糙電子發(fā)射表面中包括的尖端被釋放。所述網(wǎng)格可以進(jìn)一步適于使得從所述電子發(fā)射表面發(fā)射的這些被釋放的電子可以向著所述X射線管的陽(yáng)極透射通過(guò)所述網(wǎng)格。
[0021]包括所提出的X射線管的實(shí)施例的醫(yī)療X射線設(shè)備可以是任何類型的X射線照相裝置，例如計(jì)算機(jī)斷層攝影(CT)設(shè)備。
[0022]應(yīng)注意，在本文中部分地相對(duì)于所提出的X射線管，部分相對(duì)于所提出的醫(yī)療X射線設(shè)備，并且部分相對(duì)于所提出的操作X射線管的方法，描述了本發(fā)明實(shí)施例的可能特征和優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以在各實(shí)施例之間組合或交換所描述的特征，以便獲得備選實(shí)施例以及可能實(shí)現(xiàn)的協(xié)同效應(yīng)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]在下文中，結(jié)合附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，附圖或說(shuō)明書都不應(yīng)被解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0024]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的X射線管。
[0025]附圖僅僅是示意性的，并不成比例。
[0026]附圖標(biāo)記列表:
[0027]I X射線管
[0028]3電子發(fā)射器
[0029]4電子發(fā)射器襯底
[0030]5電子發(fā)射表面
[0031]7場(chǎng)發(fā)生器
[0032]9 網(wǎng)格
[0033]11控制器
[0034]13襯底表面
[0035]15加熱器裝置
[0036]17電阻式元件
[0037]19碳納米管
[0038]21電子光學(xué)器件
[0039]22加熱器裝置控制器
[0040]25場(chǎng)發(fā)生器控制器
[0041]27電子光學(xué)器件控制器
[0042]29旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極
[0043]31 外殼
[0044]33 窗口
[0045]35電子束
[0046]37 X射線束
[0047]39 焦斑
【具體實(shí)施方式】[0048]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的X射線管I的實(shí)施例。
[0049]在外殼31圍繞的真空空間中，電子發(fā)射器3和旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極29被布置。電子發(fā)射器3包括電子發(fā)射器襯底4。在指向旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極29的表面13上，通過(guò)利用很多碳納米管19涂覆電子發(fā)射表面5來(lái)提供這個(gè)表面。
[0050]碳納米管(CNT)是碳的同素異形體，其通常具有圓柱形納米結(jié)構(gòu)。納米管的長(zhǎng)度可以明顯地大于其直徑。
[0051]納米管19被布置在電子發(fā)射表面5上，從而生產(chǎn)出非常粗糙的表面，其中，至少一些納米管19像細(xì)針一樣向陽(yáng)極29伸出。納米管19的尖端可以充當(dāng)由于場(chǎng)致發(fā)射而發(fā)射電子的源，因?yàn)樵谶@種尖端處，與電子發(fā)射表面毗鄰的所生成的電場(chǎng)可能在局部集中，并可能具有局部提高的場(chǎng)強(qiáng)。由于這樣提高的場(chǎng)強(qiáng)，可能在這種尖端處釋放納米管中包括的電子。其中，取決于納米管的特有性質(zhì)，像納米管的橫搖角和半徑，納米管可能具有金屬或半導(dǎo)體特性。
[0052]可以使用被布置為與電子發(fā)射表面5毗鄰的導(dǎo)電網(wǎng)格9生成電場(chǎng)。可以將X射線管I的控制器11中包括的場(chǎng)發(fā)生器控制器23電連接到電子發(fā)射表面5和網(wǎng)格11兩者，使得可以在這些部件之間施加例如2kV的電壓。獲得的電場(chǎng)可以具有充分大的強(qiáng)度，以由于場(chǎng)致發(fā)射而從納米管尖端釋放電子。
[0053]從電子發(fā)射表面5釋放并形成電子束35的電子之后可以由電子光學(xué)裝置控制器23控制的電子光學(xué)裝置21聚焦，并可以在焦點(diǎn)39處撞擊到旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極29上。在這樣的焦點(diǎn)39處，X射線束37作為韌致輻射而被生成。這一 X射線束37能夠通過(guò)X射線透明窗口 33離開外殼31。
[0054]在現(xiàn)有的使用場(chǎng)效應(yīng)電子發(fā)射器的X射線管中，根據(jù)X射線管I的各種工作條件，已經(jīng)觀察到電子發(fā)射特性的變化。這種時(shí)變的電子發(fā)射特性可能導(dǎo)致變化的X射線發(fā)射，這之后可能會(huì)不利地影響使用X射線束37的任何應(yīng)用，例如影響將X射線束37用于生成要檢查的對(duì)象的射線照片的醫(yī)療設(shè)備。
[0055]現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)，觀察到的電子發(fā)射特性的變化可能是由于具有碳納米管的電子發(fā)射表面的變化特性造成的。
[0056]例如，碳納米管的污染或吸附物可能改變其電學(xué)和/或幾何性質(zhì)，由此還改變了電子發(fā)射特性。此外，在常規(guī)的CNT電子發(fā)射器中，頻繁使用有機(jī)粘結(jié)劑將碳納米管粘結(jié)到襯底表面上。然而，這樣的有機(jī)粘結(jié)劑可能會(huì)在X射線管I之內(nèi)的真空條件下放氣，這種放氣可能對(duì)于真空度和/或電子發(fā)射特性是有害的。
[0057]現(xiàn)在已經(jīng)觀察到，將電子發(fā)射表面5的碳納米管加熱到遠(yuǎn)超常規(guī)X射線管的場(chǎng)致發(fā)射發(fā)射器中通常出現(xiàn)的溫度的提高的溫度，可以使電子發(fā)射器的電子發(fā)射特性穩(wěn)定?？梢耘cX射線管I中電子發(fā)射器3的操作同時(shí)地，即與生成與電子發(fā)射表面5毗鄰的電場(chǎng)同時(shí)地，執(zhí)行這樣的加熱流程。額外地或備選地，所述加熱流程可以在電子發(fā)射器3的正常電子發(fā)射操作之前，并且可以用于預(yù)先處理的X射線管I。
[0058]可以執(zhí)行電子發(fā)射表面5的加熱,使得在電子發(fā)射表面5處獲得200°C和900°C之間的，優(yōu)選400°C和900°C之間的溫度。這樣的溫度遠(yuǎn)高于環(huán)境溫度或沒(méi)有任何額外加熱時(shí)電子發(fā)射器3的溫度。另一方面，該溫度范圍的上限遠(yuǎn)低于熱電子發(fā)射器中使用的典型溫度。換言之，盡管由于提高的溫度可以向電子發(fā)射表面的碳納米管中包括的電子提供額外的動(dòng)能，但可以選擇溫度的上限，使得這一額外能量仍然遠(yuǎn)低于電子發(fā)射表面材料，即例如碳納米管的逸出功能量，使得不會(huì)由于熱電子發(fā)射而出現(xiàn)顯著的釋放電子流。
[0059]因此，盡管溫度提高了，但電子發(fā)射器3仍然作為場(chǎng)效應(yīng)電子發(fā)射器而工作，使得可以通過(guò)控制網(wǎng)格9和電子發(fā)射表面5之間生成的電場(chǎng)來(lái)控制釋放電子流。通過(guò)改變這樣的電場(chǎng)，向陽(yáng)極29發(fā)射的電子束可以被改變并可以例如被開啟和關(guān)閉，由此還能夠改變X射線束37。
[0060]為了加熱電子發(fā)射表面5，為X射線管I提供加熱器裝置15。盡管通?？梢允褂媚軌?qū)㈦娮影l(fā)射表面5加熱到所需的提高的溫度的任何加熱器裝置，但在下文中將更詳細(xì)地描述一種特定類型的加熱器裝置15。然而，應(yīng)注意，可以使用依賴于例如電阻加熱、輻射加熱、傳導(dǎo)加熱、感應(yīng)加熱等的其他類型的直接或間接加熱器裝置。
[0061]在圖1中所示的實(shí)施例中，電阻式元件17被包括在電子發(fā)射器3的襯底4中。這樣的電阻式元件17可以形成襯底4的一部分或可以形成整個(gè)襯底4。事實(shí)是電阻式元件可以具有電阻，使得在施加電壓并從而感生電流時(shí)，焦耳熱在電阻式元件17之內(nèi)被生成并被傳遞到電子發(fā)射表面5。
[0062]可以經(jīng)由線路將電阻式元件17與加熱器裝置控制器23的能量源電連接，以向電阻式元件17可控地供應(yīng)電能。
[0063]例如，加熱器裝置控制器23可以適于控制供應(yīng)給電阻式元件17的電流，使得將電子發(fā)射表面5加熱到預(yù)定義溫度范圍之內(nèi)的溫度，例如加熱到850°C +/_50°C的溫度。將電子發(fā)射表面5的溫度保持在這樣的溫度范圍中可以例如防止電子發(fā)射表面5的碳納米管的污染，并可以進(jìn)一步降低使由于場(chǎng)效應(yīng)而從碳納米管釋放電子所需的逸出功降低。結(jié)果，可以使從電子發(fā)射表面5的電子發(fā)射變得穩(wěn)定。
[0064]加熱器裝置控制器23可以是外部包括的或X射線管I內(nèi)部包括的X射線管I的一般控制器11的一部分，并且一般控制器11還包括場(chǎng)發(fā)生器控制器25,以控制施加于場(chǎng)發(fā)生器7的電極的電壓，并且一般控制器11還包括電子光學(xué)器件控制器27，以控制電子光學(xué)器件21。
[0065]應(yīng)注意，術(shù)語(yǔ)“包括”不排除其他元件或步驟，并且量詞“一”或“一個(gè)”不排除多個(gè)。也可以組合與不同實(shí)施例相關(guān)聯(lián)描述的元件。還應(yīng)注意，權(quán)利要求中的附圖標(biāo)記不得被解釋為對(duì)權(quán)利要求范圍的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種X射線管(1)，包括: 電子發(fā)射器(3)，其具有電子發(fā)射表面(5)，所述電子發(fā)射表面具有粗糙度，所述電子發(fā)射表面適于在施加電場(chǎng)時(shí)，從所述電子發(fā)射表面的電子的場(chǎng)致發(fā)射； 場(chǎng)發(fā)生器(7)，其用于生成與所述電子發(fā)射器的所述電子發(fā)射表面毗鄰的電場(chǎng)，以誘發(fā)從所述電子發(fā)射表面的電子的場(chǎng)致發(fā)射； 加熱器裝置(15)，其適于與電子的所述場(chǎng)致發(fā)射同時(shí)地加熱所述電子發(fā)射表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線管，其中，所述電子發(fā)射表面包括碳納米管(19)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的X射線管，其中，所述碳納米管被直接涂覆到所述電子發(fā)射器襯底的表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的X射線管，其中，所述加熱器裝置適于將所述電子發(fā)射表面加熱到100°C和1000°C之間的提高的溫度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)所述的X射線管，其中，所述加熱器裝置適于使用焦耳加熱、輻照加熱和通過(guò)介質(zhì)的熱傳遞之一來(lái)加熱所述電子發(fā)射表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的X射線管，其中，所述加熱器裝置包括被布置于電子發(fā)射器襯底(4)處的電阻式元件(17)，以在向所述電阻式元件施加電流時(shí)加熱所述電子發(fā)射表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一項(xiàng)所述的X射線管，還包括加熱器裝置控制器(23)，所述加熱器裝置控制器適于控制向所述電子發(fā)射器的所述加熱器裝置的能量供應(yīng)，以將所述電子發(fā)射表面加熱到預(yù)定義溫度范圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的X射線管，其中，所述加熱器裝置控制器適于控制供應(yīng)給被布置于所述電子發(fā)射器的所述電子發(fā)射器襯底處的電阻式元件的電流，以加熱所述電子發(fā)射表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到8中任一項(xiàng)所述的X射線管，其中，所述場(chǎng)發(fā)生器包括被布置為與所述電子發(fā)射表面毗鄰的導(dǎo)電網(wǎng)格(II)，并且所述場(chǎng)發(fā)生器還包括與所述電子發(fā)射表面以及與網(wǎng)格(9)的電連接，以在所述電子發(fā)射表面和所述網(wǎng)格之間生成電場(chǎng)，并且 其中，所述網(wǎng)格適于使得從所述電子發(fā)射表面發(fā)射的電子可以向著所述X射線管的陽(yáng)極透射通過(guò)所述網(wǎng)格。
10.一種醫(yī)療X射線設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一項(xiàng)所述的X射線管。
11.一種操作根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一項(xiàng)所述的X射線管(I)的方法，所述方法包括: 生成與所述電子發(fā)射表面(5)毗鄰的電場(chǎng)，以誘發(fā)從所述電子發(fā)射表面的電子的場(chǎng)致發(fā)射；并且 向所述加熱器裝置(15)供應(yīng)能量以加熱所述電子發(fā)射表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，同時(shí)執(zhí)行所述電場(chǎng)的生成和向所述加熱器裝置的能量供應(yīng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中，在生成所述電場(chǎng)之前向所述加熱器裝置供應(yīng)能量，以預(yù)先處理所述電子發(fā)射表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求11到13中任一項(xiàng)所述的方法，將所述電子發(fā)射表面加熱到超過(guò)100°C但低于溫度上限的提高的溫度，在所述溫度上限處，熱電子發(fā)射變得大于場(chǎng)誘發(fā)的電子發(fā)射的10%。
【文檔編號(hào)】H01J35/06GK103959422SQ201280058403
【公開日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月28日
【發(fā)明者】A·K·多卡尼亞, G·福格特米爾, P·K·巴赫曼 申請(qǐng)人:皇家飛利浦有限公司