用于控制抗蝕劑特征中的臨界尺寸和粗糙度的方法和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種處理具有初始線粗糙度和初始臨界尺寸的光致抗蝕劑凸紋特征(402)的方法。所述方法可包含在第一暴露中以第一角范圍和第一劑量率朝向光致抗蝕劑引導(dǎo)離子(404)，所述第一劑量率用以將初始線粗糙度減小到第二線粗糙度。所述方法還可包含在第二暴露中以大于第一劑量率的第二離子劑量率朝向光致抗蝕劑凸紋特征引導(dǎo)離子，其中所述第二離子劑量率用以使光致抗蝕劑凸紋特征膨脹。
【專利說(shuō)明】用于控制抗蝕劑特征中的臨界尺寸和粗糙度的方法和系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例涉及裝置制造的領(lǐng)域。更特定來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及用于控制圖案化抗蝕劑特征(patterned resist feature)中的粗糖度(roughness)和臨界尺寸(criticaldimension)的方法、系統(tǒng)和結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]制造電子裝置時(shí)常常會(huì)用到光刻(optical lithography)技術(shù)。這種工藝可用來(lái)將襯底圖案化，從而可根據(jù)圖案，在襯底上形成電路。參見(jiàn)圖1a到le，圖中顯示了光刻工藝的簡(jiǎn)化說(shuō)明。大體上，襯底112涂覆有可光固化的聚合光致抗蝕劑114，如圖1a所示。隨后，將具有所需孔口圖案(aperture pattern)的掩模(mask) 142安置于襯底112與光源(未圖示)之間。來(lái)自光源的光10經(jīng)由掩模142的孔口照射到襯底112上，且透射經(jīng)過(guò)掩模的孔口的光(或圖案的圖像)投影到光致抗蝕劑114上。光致抗蝕劑的一部分114a暴露于光10且固化，而光致抗蝕劑的其余部分114b保持未固化，如圖1b中說(shuō)明。因此，掩模的孔口的圖像由光致抗蝕劑的固化部分114a形成。
[0003]如圖1c說(shuō)明，光致抗蝕劑的未固化部分114b剝落,且對(duì)應(yīng)于掩模的孔口圖案的三維(3D)光致抗蝕劑凸紋特征114a可保留在襯底112上。隨后，蝕刻襯底，且可形成對(duì)應(yīng)于掩模的孔口圖案的負(fù)圖像(negative image)的溝槽(trench) 116(圖1d)。在移除剩余光致抗蝕劑114b之后，形成經(jīng)圖案化襯底112，如圖1e中說(shuō)明。如果在溝槽上沉積金屬層，那么可在襯底112上形成具有所需圖案的電路。
[0004]雖然光刻是具有高處理量的有效工藝，但所述工藝也有缺點(diǎn)。一個(gè)缺點(diǎn)可包含線寬粗糙度(line width roughness, LffR)或線邊緣粗糙度(LER)。如所屬領(lǐng)域中已知，LffR是在光致抗蝕劑的未固化部分114b從襯底剝落之后形成的光致抗蝕劑凸紋特征的寬度的過(guò)量變化。如果變化發(fā)生在光致抗蝕劑凸紋或特征的側(cè)表面上，那么所述變化稱為L(zhǎng)ER。由于LWR或LER所致的粗糙度或變化可為不利的，因?yàn)樗鲎兓赡軙?huì)在蝕刻期間轉(zhuǎn)移到溝槽上且最終轉(zhuǎn)移到電路。所述變化隨著光致抗蝕劑凸紋或溝槽的特征大小的減小會(huì)變得更加顯著。對(duì)于32nm裝置，已觀察到4nm或更大的變化。因?yàn)榻?jīng)圖案化抗蝕劑特征的幾何形狀(包含例如LWR和LER等線粗糙度作用)在下伏層(underlying layer)的圖案化期間從抗蝕劑層轉(zhuǎn)移到裝置的下伏永久層，所以LWR和LER可限制針對(duì)低于約IOOnh的尺寸形成具有可接受質(zhì)量的裝置的能力。這些變化可導(dǎo)致電路不均勻，最終導(dǎo)致裝置劣化或故障。另外，取決于設(shè)計(jì)準(zhǔn)則，短程、中程或長(zhǎng)程粗糙度中的一個(gè)可能對(duì)裝置性能影響較多。
[0005]已嘗試若干方法來(lái)解決LWR和LER效應(yīng)(LWR、LER中的任一個(gè)或LWR和LER兩者的組合可在下文統(tǒng)稱為“線粗糙度”)。可能會(huì)減小線粗糙度的一種技術(shù)是離子束平滑(ionbeam smoothening),其中朝向經(jīng)圖案化光致抗蝕劑凸紋特征,在某一范圍的角度上引導(dǎo)離子。此技術(shù)已成功地修改了臨界尺寸小于約IOOnm的窄光致抗蝕劑凸紋特征中的線粗糙度。在使用在經(jīng)圖案化光致抗蝕劑上在某一范圍的角度上引導(dǎo)的離子的典型離子束平滑工藝中，LWR / LER可減小高達(dá)約50%。然而，在執(zhí)行離子束平滑工藝之后，臨界尺寸(⑶)也可能減小高達(dá)約10nm，根據(jù)所需的裝置特性，這種減小程度過(guò)大，可能無(wú)法接受。
[0006]我們觀察到，如果增加在離子束平滑過(guò)程期間使用的等離子源的功率，則可減少或消除CD減小，但也觀察到增加功率在減小線粗糙度方面成效不大(舉例來(lái)說(shuō)，在300W下執(zhí)行離子束平滑過(guò)程可導(dǎo)致LWR減小?25 %，但也可能使⑶減小?20 %。在500W功率下，CD的損失可接近零，然而，LWR的減小可僅為約15%，這可能無(wú)法滿足設(shè)計(jì)者規(guī)格)。因此，當(dāng)今的離子束平滑工藝呈現(xiàn)了改善的粗糙度與臨界尺寸損失之間的折中。鑒于上述內(nèi)容將了解，需要針對(duì)需要極小特征大小(例如，亞IOOnm CD裝置)的技術(shù)改善光致抗蝕劑處理技術(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的實(shí)施例是針對(duì)改善圖案化襯底的方法和系統(tǒng)，尤其通過(guò)改善光致抗蝕劑凸紋特征的粗糙度且控制所述光致抗蝕劑凸紋特征中的臨界尺寸來(lái)改善圖案化襯底的方法和系統(tǒng)，所述光致抗蝕劑凸紋特征是用以圖案化下伏襯底。在一個(gè)實(shí)施例中，一種處理具有初始線粗糙度和初始臨界尺寸的光致抗蝕劑凸紋特征的方法包含在第一暴露中以第一角范圍和第一劑量率朝向光致抗蝕劑引導(dǎo)離子，所述第一劑量率用以將初始線粗糙度減小到第二線粗糙度。所述方法進(jìn)一步包含在第二暴露中以大于第一劑量率的第二離子劑量率朝向光致抗蝕劑凸紋特征引導(dǎo)離子，所述第二離子劑量率用以使光致抗蝕劑凸紋特征膨脹。
[0008]在另一實(shí)施例中，一種用于處理安置于襯底上的光致抗蝕劑凸紋特征的系統(tǒng)包含:等離子源，其用以產(chǎn)生具有等離子殼層的等離子；以及提取板，其安置于所述等離子與所述襯底之間，且用以在一角范圍上朝向所述襯底引導(dǎo)離子。所述系統(tǒng)進(jìn)一步包含控制器，其可用以改變襯底對(duì)等離子的暴露條件，其中在第一暴露期間以第一離子劑量率和第一角展度朝向光致抗蝕劑引導(dǎo)離子，其中在第二暴露期間以大于所述第一劑量率的第二離子劑量率朝向光致抗蝕劑引導(dǎo)離子。所述第一暴露可經(jīng)配置以將初始線粗糙度減小到第二線邊緣粗糙度，且所述第二暴露使所述光致抗蝕劑凸紋特征膨脹，其中在所述第一暴露和第二暴露之后，所述光致抗蝕劑凸紋特征的第三邊緣粗糙度小于初始線粗糙度，且第三臨界尺寸大于第二臨界尺寸。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1a到圖1e是說(shuō)明常規(guī)光刻工藝的步驟的襯底的示意性橫截面。
[0010]圖2a是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的襯底處理系統(tǒng)的示意性顯示。
[0011]圖2b說(shuō)明由本發(fā)明的實(shí)施例提供的襯底上的入射微粒的示范性角分布。
[0012]圖3顯示說(shuō)明本發(fā)明的示范性特征的等離子殼層修改器和光致抗蝕劑凸紋特征的示意性橫截面。
[0013]圖4a到圖4d和圖4e到圖4g顯示經(jīng)圖案化光致抗蝕劑凸紋特征的側(cè)視橫截面圖和俯視平面圖，其顯示用于處理光致抗蝕劑凸紋特征的示范性工藝。
[0014]圖5a顯示示范性等離子功率曲線。
[0015]圖5b顯示另一示范性等離子功率曲線。
[0016]圖6a到圖6c顯示脈沖等離子處理的替代實(shí)施例，其中平均離子劑量率在相對(duì)較低值與較高值之間變化。
【具體實(shí)施方式】
[0017]現(xiàn)在將參看附圖在下文更全面地描述本發(fā)明，附圖中顯示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以許多不同的形式來(lái)體現(xiàn)，且不應(yīng)解釋為限于本文所陳述的實(shí)施例。實(shí)際上，提供這些實(shí)施例以使得本發(fā)明將為詳盡和完整的，且將把本發(fā)明的范圍完整地傳達(dá)給所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中，相同標(biāo)號(hào)始終指代相同元件。
[0018]為了解決與上文提到的方法相關(guān)聯(lián)的缺陷，介紹用于圖案化襯底的新穎且具發(fā)明性的技術(shù)和系統(tǒng)。特定來(lái)說(shuō)，本發(fā)明著重于與離子植入工藝相關(guān)的技術(shù)，以改善光致抗蝕劑凸紋特征的質(zhì)量，例如改善線粗糙度和控制光致抗蝕劑凸紋特征中的臨界尺寸(CD)。本文揭示的工藝可結(jié)合用于形成窄特征的工藝來(lái)使用，包含并入間距(Pitch)極小的陣列中的特征，例如小于約250nm的間距。這些工藝包含常規(guī)的DUV光刻、雙圖案化光刻、自對(duì)準(zhǔn)雙圖案化光刻，以及其它光刻工藝。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，本文揭示的技術(shù)不限于結(jié)合任一特定光刻或任一范圍的光致抗蝕劑凸紋特征尺寸來(lái)使用。
[0019]本發(fā)明的一些實(shí)施例采用等離子類離子植入工藝來(lái)處理具有極小尺寸的抗蝕劑特征。參見(jiàn)圖2a，顯示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于處理光致抗蝕劑凸紋特征的襯底處理系統(tǒng)300。圖2b說(shuō)明處理光致抗蝕劑的粒子的角分布(angular distribution)的一個(gè)實(shí)例。圖式不一定按比例繪制。
[0020]如圖2a中說(shuō)明，系統(tǒng)300可包含工藝腔室(process chamber) 302,其中襯底固持器(holder) 304支撐襯底112。襯底112可為基于金屬、半導(dǎo)電或絕緣材料的襯底。在一些實(shí)施例中，襯底固持器可具備主動(dòng)冷卻裝置，其使用耦合到例如流體源(未圖示)等冷卻源的冷卻線336。經(jīng)圖案化光致抗蝕劑(圖2a中未圖示)安置于襯底上，其可為光致抗蝕劑在未固化部分剝落之后保留在襯底上的固化部分。
[0021]系統(tǒng)300還可包含用于產(chǎn)生等離子306的等離子源，其包含在工藝腔室302中。在各種實(shí)施例中，等離子源可為原位(in situ)或遠(yuǎn)程(remote)的、DC或RF等離子源、電感性耦合的等離子源、電容性耦合的等離子源、螺旋波(helicon)源、微波源或任一其它類型的等離子源。
[0022]如圖2a中顯示，在采用RF等離子源的一些實(shí)施例中，RF電源330提供RF信號(hào)，所述RF信號(hào)可驅(qū)動(dòng)天線332以產(chǎn)生等離子306。RF電源330可改變供應(yīng)到天線332的所產(chǎn)生信號(hào)的振幅，且進(jìn)而改變等離子306內(nèi)的等離子功率。如下文所述，這可用來(lái)控制朝向襯底112引導(dǎo)的尚子劑量率(dose rate)。
[0023]一個(gè)或一個(gè)以上等離子殼層(plasma sheath)修改器312可安置于等離子306與襯底112之間。在本實(shí)施例中，等離子殼層修改器312可包括一對(duì)修改器零件312a和312b，其通過(guò)間隙“y”彼此間隔開(kāi)。在另一實(shí)施例中，等離子殼層修改器312可包括單個(gè)修改器零件。但在其它實(shí)施例中，等離子殼層修改器312可包括彼此間隔開(kāi)而界定間隙的三個(gè)或三個(gè)以上修改器零件。
[0024]等離子殼層修改器312能夠調(diào)整等離子殼層的電場(chǎng)。在一些實(shí)施例中，等離子殼層修改器312可帶正電或帶負(fù)電。等離子殼層修改器312可由電絕緣(例如，玻璃)或?qū)щ?例如，金屬)材料或其組合制成。如果系統(tǒng)300包含一個(gè)以上修改器零件，那么所述零件可由相同或不同材料制成。舉例來(lái)說(shuō)，系統(tǒng)300可包含等離子殼層修改器312，且等離子殼層修改器312可包括兩個(gè)修改器零件312a和312b。修改器零件312a和312b可由相同或不同材料制成。
[0025]如果等離子殼層修改器312包括兩個(gè)或兩個(gè)以上零件，那么所述零件可安置于同一平面或不同平面上。舉例來(lái)說(shuō)，處理系統(tǒng)300中包含的等離子殼層修改器312可包括兩個(gè)修改器零件312a和312b。零件312a和312b可安置于同一平面中，使得襯底112與每一修改器零件之間的垂直間距“z”相同。在另一實(shí)施例中，等離子殼層修改器312可包括兩個(gè)修改器零件312a和312b，且每一零件312a和312b可通過(guò)不同的垂直間距“z”與襯底112間隔開(kāi)。具有等離子殼層修改器的處理系統(tǒng)的額外描述可參見(jiàn)審查中的第12 / 418，120號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案；2009年4月3日申請(qǐng)且作為第7，767，977號(hào)美國(guó)專利頒發(fā)的第12 /417929號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案；以及審查中的第12 / 644103號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案，以上每一個(gè)以全文引用方式并入本文。
[0026]在操作中，原位(in situ)或遠(yuǎn)程產(chǎn)生的等離子可包含于工藝腔室302中。等離子306可含有若干部分，其包含電子、質(zhì)子以及原子或分子離子、中子以及所需物質(zhì)的自由基。如圖3a中說(shuō)明，等離子306還可包含在外圍附近的等離子殼層308。在本實(shí)施例中，等離子殼層308可包括帶正電的離子。如圖中顯示，等離子殼層308由殼層與等離子306的邊界表示。然而將了解，等離子殼層308可從等離子306的邊緣延伸有限距離，到達(dá)等離子306周圍的物件的表面，例如，工藝腔室302的壁，和襯底112的表面。
[0027]等離子殼層308或等離子306中的離子310可朝向襯底112引導(dǎo)，因?yàn)橐r底112由DC或RF偏壓供應(yīng)源(未圖示)施以偏壓。施加到襯底112的偏壓信號(hào)(無(wú)論是DC還是RF)可為連續(xù)的或脈沖的。
[0028]等離子殼層修改器312可修改等離子殼層308的形狀以便控制離子310的入射角分布。舉例來(lái)說(shuō)，等離子殼層修改器312可修改等離子殼層242中的電場(chǎng)且修改等離子殼層308的形狀。在本實(shí)施例中，等離子殼層修改器312可將等離子殼層308的至少一部分修改為相對(duì)于等離子306呈凹入形狀的等離子殼層308b (經(jīng)修改殼層308b)，或相對(duì)于等離子主體(bulk plasma)呈圓頂(dome)形狀(凸出)的等離子。當(dāng)襯底112經(jīng)偏壓時(shí),朝向襯底112吸引的離子310可以一大范圍的入射角行進(jìn)經(jīng)過(guò)修改器零件312a與312b之間的具有寬度“y”的間隙322。在常規(guī)的等離子類處理系統(tǒng)中，最靠近襯底的等離子殼層平行于襯底。當(dāng)襯底經(jīng)偏壓時(shí)，離子在實(shí)質(zhì)上垂直于等離子殼層、因此實(shí)質(zhì)上垂直于襯底的路徑中行進(jìn)。因此，常規(guī)等離子處理系統(tǒng)中的離子具有范圍在-3° -+3°之間的入射角。然而在本實(shí)施例中，離子310的入射角可通過(guò)經(jīng)修改殼層308b來(lái)修改。如圖2a中說(shuō)明，經(jīng)修改殼層308b相對(duì)于襯底為多角度的。因此，垂直于經(jīng)修改殼層308b行進(jìn)的離子310可在多個(gè)角度中行進(jìn)。從經(jīng)修改殼層308b的不同部分朝向襯底112行進(jìn)的離子310可從一大范圍的不同角度離開(kāi)等離子306，使得離子310因此在襯底112上具有一大范圍的入射角。如圖2b中說(shuō)明，離子310的入射角的范圍可在約+60°到約-60°之間，以相對(duì)于垂直方向約0°為中心。在一些實(shí)施例中，離子310的入射角可另外由等離子殼層修改器312所產(chǎn)生的電場(chǎng)來(lái)修改，且離子310的入射角的范圍可通過(guò)控制其它系統(tǒng)參數(shù)來(lái)調(diào)整，如下文論述。
[0029]取決于若干因素，包含(但不限于)等離子殼層修改器312的配置和性質(zhì)，可另外修改離子的入射角。這些因素的實(shí)例可包含修改器零件312a與312b之間的水平間距(y)、修改器312與襯底112之間的垂直間距(z)、襯底112與每一修改器零件312a和312b (未圖示)之間的垂直間距(z)，以及等離子殼層修改器312的電性質(zhì)。也可調(diào)整其它等離子工藝參數(shù)以調(diào)整離子的入射角和/或入射角分布。額外的描述可參見(jiàn)審查中的第12 / 418，120號(hào)、第12 / 417929號(hào)、第12 / 644103號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案，以上申請(qǐng)案中的每一個(gè)如上所述以全文引用方式并入本文中。
[0030]通過(guò)修改等離子殼層308,可共形地(conformally)或各向同性地(isotropically)處理具有以不同角度定向的表面的三維結(jié)構(gòu)。參見(jiàn)圖3,顯示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于處理3D結(jié)構(gòu)的技術(shù)。在本實(shí)施例中，所述技術(shù)可用以減小3D光致抗蝕劑凸紋特征114a中含有的LER和LWR。如上所述，LER和LWR可在光刻期間在移除光致抗蝕劑的未固化部分之后獲得的3D光致抗蝕劑凸紋特征114a中發(fā)生。在本實(shí)施例中，光致抗蝕劑凸紋特征114a中含有的LER和LWR可通過(guò)使光致抗蝕劑凸紋特征暴露于離子310來(lái)減小。
[0031]如圖3中說(shuō)明，具有側(cè)表面114a_l和頂表面114a_2的3D光致抗蝕劑凸紋特征114a可安置于襯底112上。襯底112和光致抗蝕劑凸紋特征114a安置于含有等離子殼層修改器312的等離子處理系統(tǒng)中，且等離子安置于襯底112附近。隨后，等離子中的離子310可被引導(dǎo)穿過(guò)等離子殼層修改器零件312a和312b之間的間隙，并被弓I導(dǎo)朝向光致抗蝕劑凸紋特征114a的表面。如圖中說(shuō)明，可以多個(gè)入射角引導(dǎo)離子310。
[0032]在各種實(shí)施例中，離子310可植入到光致抗蝕劑凸紋特征114a的側(cè)表面114a_l和頂表面114a-2中。雖然可植入各種離子物質(zhì)，但在一些實(shí)施例中可植入氦(He)或氬(Ar)離子。雖然光致抗蝕劑暴露于離子的持續(xù)時(shí)間可涵蓋較廣范圍，但在一些實(shí)施例中，總暴露時(shí)間可從約十分之幾秒變化到幾分鐘。
[0033]進(jìn)行實(shí)驗(yàn)以研究LWR / LER和⑶對(duì)根據(jù)本發(fā)明布置的等離子處理系統(tǒng)(PSM系統(tǒng))的影響。如下文中使用，術(shù)語(yǔ)“PSM系統(tǒng)”或“PSM等離子系統(tǒng)”指代采用等離子殼層修改器來(lái)朝向鄰近于等離子的一部分定位的襯底提供廣范圍的離子角分布的等離子處理系統(tǒng)。結(jié)合離子入射角使用的術(shù)語(yǔ)“廣”、“廣范圍”或“廣角范圍”指代總范圍跨越約5度或更大的角的集合。等離子殼層修改器用以提供具有廣角范圍分布的離子劑量的離子暴露，如圖2b中說(shuō)明。等離子殼層修改器可包括具有一個(gè)或一個(gè)以上孔口的板，其引起經(jīng)修改等離子殼層(見(jiàn)元件308b)的形成且進(jìn)而從等離子提取離子，使得離子以一廣角范圍撞擊襯底。在一些實(shí)施例中，等離子殼層修改器的孔口可具有約0.1mm到IOmm的寬度。為了暴露襯底的較大區(qū)域，可相對(duì)于等離子殼層修改器的孔口來(lái)掃描襯底，通過(guò)掃描長(zhǎng)度來(lái)控制襯底的暴露于離子的區(qū)的大小。
[0034]再次參見(jiàn)圖3，在一系列單獨(dú)實(shí)驗(yàn)中，具有約40nm的標(biāo)稱(nominal)⑶的一組光致抗蝕劑線暴露于4kV Ar等離子，其使用對(duì)應(yīng)一系列不同等離子功率位準(zhǔn)的示范性提取板(extraction plate)。當(dāng)光致抗蝕劑線暴露于功率為300W的等離子時(shí),觀察到約26%的LffR減小，同時(shí)還發(fā)現(xiàn)光致抗蝕劑線的CD的約20%的減小。當(dāng)光致抗蝕劑線改為暴露于處于500W的等離子功率位準(zhǔn)的等離子時(shí)，觀察到CD的極少(如果存在)減小。然而，LWR的減小僅為約11%。因此，較高等離子功率的使用可有效地避免不希望的CD減小，但在平滑光致抗蝕劑凸紋特征方面可能較低效。
[0035]為了克服減小LWR與保留CD之間的折中情形，本發(fā)明的實(shí)施例采用新穎的技術(shù)，其中光致抗蝕劑凸紋特征經(jīng)受處于第一離子劑量率的一個(gè)或一個(gè)以上離子暴露，且經(jīng)受處于高于第一離子劑量率的第二離子劑量率的一個(gè)或一個(gè)以上暴露。在一些實(shí)施例中，暴露可為一次或一次以上掃描，其中相對(duì)于含有經(jīng)圖案化光致抗蝕劑凸紋特征114a的襯底，沿著方向320掃描等離子殼層修改器312。因?yàn)榈入x子殼層修改器312可為具有經(jīng)由其提取離子310的孔口 322的板，所以等離子殼層修改器的一些實(shí)施例在本文稱為“提取板”。提取板可具有一個(gè)或一個(gè)以上孔口，其如上所述修改等離子殼層的形狀。在各種實(shí)施例中，可相對(duì)于提取板的孔口沿著方向320掃描襯底112。因此，無(wú)論孔口 322的寬度如何，整個(gè)襯底或其所需部分(其可包含許多光致抗蝕劑凸紋特征114a)均可在掃描期間暴露于離子310。在各種實(shí)施例中，等離子306可為連續(xù)的或脈沖等離子，且襯底固持器304與等離子306之間的偏壓可為連續(xù)的或脈沖的。
[0036]根據(jù)一些實(shí)施例，使用氬等離子和約750eV的離子能量在經(jīng)圖案化光致抗蝕劑凸紋特征上執(zhí)行對(duì)提取板的一系列掃描。掃描可作為多設(shè)定點(diǎn)RF等離子(mult1-setpointRF plasma, MSPRF)工藝的一部分來(lái)執(zhí)行，其中等離子的功率設(shè)定點(diǎn)可改變。因此，第一暴露可為在經(jīng)圖案化光致抗蝕劑凸紋特征上對(duì)提取板的一次或一次以上掃描，其中RF功率設(shè)定于第一位準(zhǔn)，且第二暴露可為對(duì)提取板的一次或一次以上掃描，其中RF功率設(shè)定于高于第一位準(zhǔn)的第二位準(zhǔn)。在一些實(shí)施例中，包含一次或一次以上掃描的第一暴露是在相對(duì)較低等離子功率下進(jìn)行。所述相對(duì)較低等離子功率導(dǎo)致朝向經(jīng)圖案化光致抗蝕劑凸紋特征引導(dǎo)的離子具有相對(duì)較低的離子劑量率。在此較低離子劑量率下，在暴露之后可觀察到線LffR / LER和CD兩者從初始值到相應(yīng)第二值的減小。隨后，在相對(duì)較高等離子功率下進(jìn)行一次或一次以上掃描，其產(chǎn)生相對(duì)較高的離子劑量率。在第二組掃描之后，可觀察到CD從第二值增加到第三值。在一組實(shí)例中，在此多離子劑量率處理執(zhí)行之后，LWR / EWR減小高達(dá)50%，而⑶變化取決于第二暴露中的離子劑量率而在從_2nm到+5nm的范圍內(nèi)變動(dòng)。
[0037]圖4a到圖4d以及圖4e到圖4g顯示經(jīng)圖案化光致抗蝕劑凸紋特征的側(cè)視橫截面和俯視平面圖，其提供用于處理光致抗蝕劑凸紋特征的示范性工藝的細(xì)節(jié)。所述工藝組合了較低離子劑量率與較高離子劑量率暴露。在圖4a和圖4e中，具有初始寬度(CD)W1的一組光致抗蝕劑凸紋特征402經(jīng)受使用第一離子劑量率在第一角范圍上的離子404的暴露。離子404可影響側(cè)壁406，從而導(dǎo)致側(cè)壁粗糙度(例如LWR / LER)的減小。在各種實(shí)施例中，離子404可由例如系統(tǒng)300等系統(tǒng)提供，且離子劑量率可通過(guò)調(diào)整參數(shù)來(lái)控制，所述參數(shù)包含等離子功率、工藝腔室中的壓力、工藝腔室中的氣體流量。離子劑量率也可取決于離子能量。根據(jù)各種實(shí)施例，在暴露于離子404之后，離子暴露的光致抗蝕劑凸紋特征408展現(xiàn)較?、?W2)和較少的線粗糙度，如側(cè)壁410說(shuō)明。在圖4c和圖4f顯示的后續(xù)暴露中，離子412以第二角范圍(可類似于或不同于第一角范圍)上以及第二離子劑量率朝向光致抗蝕劑凸紋特征408引導(dǎo)，所述第二離子劑量率高于在離子404的暴露中使用的第一離子劑量率。在第二較高離子劑量率下的暴露之后，所得光致抗蝕劑凸紋特征414展現(xiàn)比光致抗蝕劑凸紋特征408的CD大的CD(W3)。在各種實(shí)施例中，在離子412的暴露期間，離子劑量率和總離子劑量可經(jīng)修整以將CD恢復(fù)到所需值。舉例來(lái)說(shuō)，離子劑量率可經(jīng)修整以將CD恢復(fù)到原始CD W1，或可經(jīng)修整以將CD恢復(fù)到原始CD W1的預(yù)定容限內(nèi)。
[0038]在暴露于離子412之后，所得光致抗蝕劑凸紋特征414的側(cè)壁416可保持比在暴露于離子404和離子412之前的側(cè)壁406更平滑。[0039]如上所述，在一些實(shí)施例中，較低與較高離子劑量率暴露的組合可經(jīng)設(shè)計(jì)，使初始CD W1與最終CD W3之間彼此匹配。因此，圖4中顯示的多離子暴露處理的作用可為平滑光致抗蝕劑側(cè)壁而不會(huì)顯著地改變CD。
[0040]在其它實(shí)施例中，離子412的劑量率和劑量可經(jīng)設(shè)計(jì)以產(chǎn)生大于初始CDW3的最終CD。舉例來(lái)說(shuō)，在光刻工藝之后，所關(guān)注的光致抗蝕劑凸紋特征的所測(cè)得CD (對(duì)應(yīng)于W1)可小于所述工藝的標(biāo)稱或目標(biāo)CD。因此，在暴露于離子404以改善線粗糙度之后，可期望將光致抗蝕劑特征的⑶恢復(fù)到標(biāo)稱值。因此，暴露于離子412的步驟可經(jīng)布置以產(chǎn)生大于W1且反映目標(biāo)⑶的對(duì)應(yīng)于W3的⑶。
[0041]在其它實(shí)施例中，對(duì)離子404和412的暴露次序可顛倒，使得高離子劑量率暴露在低離子劑量率暴露之前發(fā)生。以此方式，初始光致抗蝕劑凸紋特征CD W1可在應(yīng)用第二較低離子劑量率暴露之前增加到值W4(未圖示)。在較低離子劑量率暴露之后，可減小線粗糙度，且⑶可從W4減小到W3，W3可接近于W1或與W1相同。然而，在光致抗蝕劑凸紋特征間距很小的情況下，首先執(zhí)行低離子劑量率暴露可能較方便，因?yàn)榫哂写笥赪1的寬度W4的相鄰光致抗蝕劑凸紋特征可能會(huì)擠在一起，在后續(xù)的低離子劑量率暴露期間會(huì)阻礙其側(cè)壁的部分接收離子通量。
[0042]在各種實(shí)施例中，如先前所述，可通過(guò)改變引導(dǎo)離子的系統(tǒng)的等離子功率來(lái)控制離子劑量率，所述系統(tǒng)在某一范圍的角上引導(dǎo)離子朝向經(jīng)圖案化光致抗蝕劑凸紋特征。再次參見(jiàn)圖2a，在RF等離子的情況下，可通過(guò)改變從RF產(chǎn)生器330發(fā)送到天線332的信號(hào)振幅來(lái)改變等離子功率。等離子功率位準(zhǔn)較高時(shí)，等離子中的離子密度可較高，這可提供以較高離子劑量率從等離子306提取離子的能力。
[0043]圖5a顯示示范性等離子功率曲線502，其中等離子功率在曲線的第一部分504上的位準(zhǔn)Pl與等離子功率曲線502的第二部分506上的位準(zhǔn)P2之間變化。在各種實(shí)施例中，位準(zhǔn)Pl可對(duì)應(yīng)于可初始施加到襯底的較低離子劑量率，而位準(zhǔn)P2對(duì)應(yīng)于可在較低離子劑量率之后施加的較高離子劑量率。還參見(jiàn)圖3，第一功率位準(zhǔn)Pl可在襯底112相對(duì)于提取板(例如，等離子殼層修改器312，其朝向光致抗蝕劑凸紋特征114a引導(dǎo)離子)沿著方向320的三次連續(xù)通過(guò)(掃描I到掃描3)的持續(xù)時(shí)間期間施加。第二功率位準(zhǔn)P2可在又一組掃描(掃描4、5)期間施加。將了解，掃描的總數(shù)目和持續(xù)時(shí)間以及等離子功率位準(zhǔn)Pl和P2可經(jīng)調(diào)整，以修整光致抗蝕劑凸紋特征114a的所需平滑度和最終CD。如所述，可在將襯底暴露于離子的同時(shí)，以連續(xù)方式施加等離子功率，或者可以脈沖施加等離子功率。
[0044]圖5b顯不其中一系列聞尚子劑量率與一系列低尚子劑量率掃描交替的另一實(shí)施例。在此實(shí)施例中，這是通過(guò)在連續(xù)掃描(掃描I到掃描6)期間在Pl與P2之間交替等離子功率位準(zhǔn)來(lái)實(shí)現(xiàn)。每一掃描可對(duì)應(yīng)于襯底相對(duì)于提取板的單個(gè)掃描。曲線512呈現(xiàn)等離子功率曲線，其在部分514 (等離子功率維持于Pl)與部分516 (等離子功率維持于P2)之間交替。如所說(shuō)明，可在一次掃描的持續(xù)時(shí)間中施加單個(gè)功率位準(zhǔn)。在掃描I之后，光致抗蝕劑凸紋特征的側(cè)壁粗糙度可遞增地改善，且伴隨著CD的遞增減小。在掃描2之后，由掃描I產(chǎn)生的CD的遞增損失可部分地或完全地恢復(fù)(或增加超過(guò)掃描I之前的初始值)。在掃描I和2期間的暴露過(guò)程在后續(xù)掃描中重復(fù)，使得光致抗蝕劑凸紋特征線粗糙度在一系列步驟(對(duì)應(yīng)于奇數(shù)編號(hào)的掃描)中減小，所述步驟與其中可通過(guò)相對(duì)較高離子劑量率來(lái)遞增地恢復(fù)CD的一系列步驟交替。[0045]圖5b還顯示根據(jù)等離子功率曲線512在抗蝕劑線的處理期間在各個(gè)點(diǎn)處的示范性光致抗蝕劑測(cè)量值。在暴露之前的初始線粗糙度和CD測(cè)量值分別由LWR1和CD1表示。在功率位準(zhǔn)Pl和P2處各包括一次掃描的第一暴露循環(huán)之后，LffR可減小到值LWR2。⑶可與暴露之前相同，即⑶i。在第二循環(huán)之后，LWR可減小到值LWR3，而⑶可再次維持于⑶工。在第三循環(huán)之后，LWR可減小到值LWR4，而⑶可再次維持于⑶卩因此，結(jié)合等離子殼層修改器施加等離子功率曲線512以處理光致抗蝕劑凸紋特征的作用可為將粗糙度從LWR1減小到LWR4而不影響CD。應(yīng)注意，光致抗蝕劑側(cè)壁平滑，例如線粗糙度的減小，也可在掃描2、掃描4和掃描6期間發(fā)生。
[0046]除了改變連續(xù)等離子的等離子功率外，還可通過(guò)以脈沖方式將功率施加到等離子來(lái)控制離子劑量率?？蓪?duì)等離子脈沖中的一部分(例如每10個(gè)脈沖中的I個(gè)脈沖)設(shè)定高等離子功率以產(chǎn)生第一離子劑量率，其余部分產(chǎn)生第二較低離子劑量率。在這些情況下，尚子劑量率的特征在于如下文進(jìn)一步詳述的平均尚子劑量率。
[0047]脈沖等離子的使用可提供對(duì)最終光致抗蝕劑凸紋特征線粗糙度和CD的另一程度的控制，如下文所述。舉例來(lái)說(shuō)，等離子脈沖可通過(guò)調(diào)整基線(baseline)工藝的等離子脈沖的配方(recipe)，來(lái)提供按需要修改離子劑量率的靈活性。在一個(gè)實(shí)例中，使用對(duì)脈沖等離子中的每個(gè)脈沖施加的300W RF等離子功率設(shè)定點(diǎn)的基線工藝配方，可產(chǎn)生線粗糙度的目標(biāo)減小。使用在脈沖等離子的每個(gè)脈沖處施加的500W RF等離子功率設(shè)定點(diǎn)的配方，可發(fā)現(xiàn)使⑶增加約10nm。對(duì)于第一組襯底，300W等離子功率與500W等離子功率工藝配方的組合可因此產(chǎn)生光致抗蝕劑凸紋特征的所需線粗糙度和⑶。
[0048]然而，可確定，對(duì)于另一組襯底，在執(zhí)行300W和500W RF等離子功率暴露之后，光致抗蝕劑凸紋特征的最終CD為5nm，這個(gè)CD過(guò)大。因此，可期望更改較高離子劑量率(500W)過(guò)程以減少光致抗蝕劑膨脹。在此情況下，在第二暴露中，可每隔一個(gè)脈沖施加高等離子功率設(shè)定點(diǎn)(500W)，同時(shí)每隔一個(gè)脈沖施加較低等離子功率設(shè)定點(diǎn)(例如300W)，這可產(chǎn)生在基線300W等離子功率配方與均勻500W等離子功率配方之間的中間的離子劑量率。此中間的離子劑量率可帶來(lái)第二組襯底的CD的所需增加。
[0049]圖6a到圖6c顯示脈沖等離子處理的替代實(shí)施例，其中平均離子劑量率在相對(duì)較低值與較高值之間變化。在圖6a中，曲線602顯示等離子功率曲線，其中在第一部分604期間施加一系列較低功率脈沖608,隨后在第二部分606期間施加一系列較高功率脈沖610。在等離子接通時(shí)的功率位準(zhǔn)，對(duì)較低功率脈沖608來(lái)說(shuō)是P3，對(duì)較高功率脈沖610來(lái)說(shuō)是P4。
[0050]在一些實(shí)施例中，可在大約一百微秒直到幾毫秒的脈沖持續(xù)時(shí)間中施加脈沖608和610。在各種實(shí)施例中，部分604和/或606可延伸歷時(shí)許多毫秒直到許多秒，且可對(duì)應(yīng)于例如圖5中顯不的一個(gè)或一個(gè)以上掃描的持續(xù)時(shí)間。因此，在單個(gè)部分604或606期間，可施加許多脈沖，例如數(shù)十個(gè)、數(shù)百個(gè)或數(shù)千個(gè)脈沖。因此，在單個(gè)部分604或606期間的離子劑量率可以在所述部分的持續(xù)時(shí)間中的平均離子劑量率來(lái)表征。特定來(lái)說(shuō)，所述離子劑量率可由曲線640表示，其中可算出一段時(shí)間中的平均離子劑量率以考慮等離子的“接通”和“斷開(kāi)”時(shí)間。舉例來(lái)說(shuō)，可計(jì)算一段脈沖時(shí)間的平均離子劑量率，此段脈沖時(shí)間等于脈沖的接通和斷開(kāi)的持續(xù)時(shí)間的總和。因此，曲線640表示在一個(gè)或一個(gè)以上脈沖周期上的時(shí)間平均離子劑量率(通量)。[0051]如圖6b和圖6c中顯示，同一平均離子劑量曲線640可得自不同的脈沖組合。在圖6b中，等尚子功率曲線612的第一部分604對(duì)應(yīng)于如圖6a的部分604表不的低尚子劑量率暴露，其中針對(duì)一系列較低功率脈沖608在位準(zhǔn)P3下施加功率。第二部分616對(duì)應(yīng)于較高離子劑量率暴露，其是藉由以高于P4的等離子功率P5提供脈沖620 (每?jī)蓚€(gè)脈沖有一個(gè)脈沖630)而產(chǎn)生。脈沖620與可對(duì)應(yīng)于功率位準(zhǔn)P3的較低功率脈沖618交錯(cuò)。在功率位準(zhǔn)P3和P5下的交替脈沖的組合可帶來(lái)與圖6a相同的平均離子劑量率640b。在圖6c中，等離子功率曲線622的第一部分604與圖6a中一樣，其中針對(duì)一系列較低功率脈沖608在功率位準(zhǔn)P3下施加功率。通過(guò)在高于P4和P5的功率P6下提供脈沖630 (每四個(gè)脈沖有一個(gè)脈沖630)而帶來(lái)第二部分626，同時(shí)在功率位準(zhǔn)P3下提供另外三個(gè)較低功率脈沖628。每四個(gè)脈沖提供一個(gè)功率位準(zhǔn)P6的脈沖，并在P3下提供另外三個(gè)脈沖的組合可帶來(lái)與圖6a和圖6b相同的平均離子劑量率640b。
[0052]在一些實(shí)施例中，相對(duì)較低離子劑量率處理可與用于襯底的較高背側(cè)冷卻組合，而相對(duì)較高離子劑量率與相對(duì)較低背側(cè)冷卻組合。在一些實(shí)施例中，可通過(guò)控制冷卻線路336中的流體的類型或流體的流動(dòng)速率來(lái)改變襯底背側(cè)冷去F進(jìn)而改變襯底溫度。然而，背偵U冷卻控制可由其它設(shè)備提供，例如已知的珀耳帖(Peltier)冷卻器(未圖示)。通過(guò)在較高離子劑量率暴露期間提供相對(duì)較少的背側(cè)冷卻且進(jìn)而產(chǎn)生較高的襯底溫度，可放大CD膨脹，因?yàn)樵谳^高溫度下可能會(huì)發(fā)生較大的膨脹。
[0053]如先前所述，在一些實(shí)施例中，在較低離子劑量率暴露中離子的第一角范圍可不同于較高離子劑量率下的第二離子劑量率。
[0054]可例如通過(guò)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體上有形地體現(xiàn)指令程序來(lái)使本文描述的方法自動(dòng)化，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體能夠由能夠執(zhí)行所述指令的機(jī)器讀取。通用計(jì)算機(jī)是此機(jī)器的一個(gè)實(shí)例。此項(xiàng)技術(shù)中眾所周知的適當(dāng)存儲(chǔ)媒體的非限制性的示范性列表包含例如可讀或可寫(xiě)CD、快閃存儲(chǔ)器芯片(例如，拇指型驅(qū)動(dòng)器(thumb drive))、各種磁性存儲(chǔ)媒體和類似物的裝置。
[0055]總之，本發(fā)明提供用于減少經(jīng)圖案化特征(例如光致抗蝕劑凸紋特征等)中的線粗糙度且同時(shí)獨(dú)立地控制這些特征的所得CD的新穎且具創(chuàng)造性的方法和系統(tǒng)。
[0056]本發(fā)明不限于本文所述具體實(shí)施例的范圍。實(shí)際上，所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員根據(jù)以上描述和附圖將了解(除本文所描述的那些實(shí)施例和修改外)本發(fā)明的其它各種實(shí)施例和對(duì)本發(fā)明的修改。舉例來(lái)說(shuō)，雖然上文詳述的實(shí)施例是相對(duì)于光致抗蝕劑處理來(lái)描述，但其它實(shí)施例可涉及對(duì)例如電子束抗蝕劑、X射線抗蝕劑或納米壓印(nano-1mprint)光刻抗蝕劑等抗蝕劑的處理。
[0057]因此，此類其它實(shí)施例和修改既定屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。此外，盡管已出于特定目的而在本文中在特定環(huán)境中的特定實(shí)施方案的情境中描述了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明的效用不限于此，且可為了任何數(shù)目的用途在任何數(shù)目的環(huán)境中有利地實(shí)施本發(fā)明。因此，本發(fā)明的主題(subject matter)應(yīng)在如本文描述的本發(fā)明的完整寬度和精神的方面來(lái)解釋。
【權(quán)利要求】
1.一種處理襯底上的光致抗蝕劑凸紋特征的方法，所述光致抗蝕劑凸紋特征具有初始線粗糙度和初始臨界尺寸，所述方法包括: 在第一暴露中以第一角范圍且以第一離子劑量率朝向所述光致抗蝕劑凸紋特征引導(dǎo)離子，所述第一離子劑量率用以將所述初始線粗糙度減小到第二線粗糙度；以及 在第二暴露中以大于所述第一離子劑量率的第二離子劑量率朝向所述光致抗蝕劑凸紋特征引導(dǎo)離子，所述第二離子劑量率用以使所述光致抗蝕劑凸紋特征膨脹。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述第一暴露之后，所述初始臨界尺寸減小到第二臨界尺寸，且其中在所述第二暴露之后，所述第二臨界尺寸增加到第三臨界尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述第一和第二暴露之后，所述抗蝕劑特征具有大約等于所述第二線粗糙度的第三線粗糙度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述第一和第二暴露之后，所述抗蝕劑特征具有大約等于所述初始臨界尺寸的第三臨界尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述第一和第二暴露之后，所述抗蝕劑特征具有在所述初始臨界尺寸的預(yù)定容許限度內(nèi)的第三臨界尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述預(yù)定容許限度為所述初始臨界尺寸的+/ -5納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述第二暴露期間在第二角范圍上提供離子，所述第二角范圍不同于所述第一角范圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求 1所述的方法，其進(jìn)一步包括: 在所述第一暴露期間將具有所述光致抗蝕劑凸紋特征的所述襯底冷卻到第一溫度；以及 在所述第二暴露期間將所述襯底冷卻到大于所述第一溫度的第二溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述在所述第一和第二暴露中引導(dǎo)所述離子的步驟包括: 產(chǎn)生等離子，所述等離子中具有等離子殼層和離子； 提供界定孔口的提取板，所述提取板用以修改界定于所述等離子與所述等離子殼層之間的邊界的形狀；以及 在含有所述抗蝕劑特征的所述襯底與所述等離子之間提供偏壓，所述偏壓用以跨越具有所述經(jīng)修改形狀的所述邊界朝向所述抗蝕劑特征吸引離子。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其包括: 以第一等離子功率位準(zhǔn)執(zhí)行所述第一暴露；以及 以較高的第二等離子功率位準(zhǔn)執(zhí)行所述第二暴露。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其包括: 在所述第一暴露期間相對(duì)于含有所述光致抗蝕劑凸紋特征的所述襯底執(zhí)行所述提取板的一次或一次以上掃描，所述提取板用以在一角范圍上提供離子；以及 在所述第二暴露期間相對(duì)于所述襯底執(zhí)行所述提取板的一次或一次以上掃描。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其包括: 在所述第一暴露期間在第一功率位準(zhǔn)下提供所述等離子的一組脈沖；以及 在所述第二暴露期間在第二功率位準(zhǔn)下提供所述等離子的一組脈沖，其中在所述第二暴露的持續(xù)時(shí)間中的平均等離子功率大于在第一暴露的持續(xù)時(shí)間中的平均等離子功率。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述第二暴露期間提供第三組脈沖，其中所述第二和第三組脈沖對(duì)應(yīng)于不同的等離子功率位準(zhǔn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一暴露在所述第二暴露之后發(fā)生。
15.一種用于處理安置于襯底上的光致抗蝕劑凸紋特征的系統(tǒng)，其包括: 等離子源，用以產(chǎn)生具有等離子殼層的等離子； 提取板，其安置于所述等離子與所述襯底之間，且用以在一角范圍上將離子引導(dǎo)到所述襯底；以及 控制器，其用以改變所述襯底對(duì)所述等離子的暴露條件， 其中在第一暴露期間以第一離子劑量率和第一角展度朝向所述光致抗蝕劑引導(dǎo)離子，且在第二暴露期間以大于所述第一劑量率的第二離子劑量率朝向所述光致抗蝕劑引導(dǎo)離子，所述第一暴露將初始線粗糙度減小到第二線粗糙度，且所述第二暴露使所述光致抗蝕劑凸紋特征膨脹，其中在所述第一和第二暴露之后，所述光致抗蝕劑凸紋特征的第三線粗糙度小于所述初始線粗糙度，且第三臨界尺寸大于第二臨界尺寸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述第三臨界尺寸在所述初始臨界尺寸的預(yù)定容許限度內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述第三線粗糙度大約等于所述第二線粗糙度。
18.—種處理具有初始線邊緣粗糙度和初始臨界尺寸的襯底上的光致抗蝕劑凸紋特征的方法，所述方法包括: 在第一暴露中以第一劑量率和第二角展度朝向所述光致抗蝕劑凸紋特征引導(dǎo)離子，直到所述光致抗蝕劑凸紋特征展現(xiàn)小于所述初始線粗糙度的第二線粗糙度為止，所述光致抗蝕劑在所述第一暴露之后展現(xiàn)小于所述初始臨界尺寸的第二臨界尺寸；以及 在第二暴露中以大于所述第一劑量率的第二劑量率朝向所述光致抗蝕劑凸紋特征引導(dǎo)離子，直到所述光致抗蝕劑凸紋特征膨脹到大于所述第二臨界尺寸的第三臨界尺寸為止。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述抗蝕劑特征具有大約等于所述第二線粗糙度的第三線粗糙度。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK103620730SQ201280027207
【公開(kāi)日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2012年4月26日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月3日
【發(fā)明者】盧多維克·葛特, 約瑟·歐爾森, 克里斯多夫·J·里維特, 派崔克·M·馬汀 申請(qǐng)人:瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司