一種適用于金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種適用于金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室，其包含：靜電吸盤，該靜電吸盤上放置待刻蝕的晶片；圍繞設(shè)置在靜電吸盤的外周側(cè)的冷卻基座，以及圍繞設(shè)置在靜電吸盤的外周側(cè)、且位于冷卻基座上方的絕緣環(huán)；所述絕緣環(huán)的底部表面上間隔設(shè)置若干圓柱形固定凸塊；在所述冷卻基座的頂部表面上、且分別對(duì)應(yīng)于固定凸塊的相對(duì)位置上，間隔設(shè)置若干圓柱形凹槽；各個(gè)固定凸塊分別對(duì)應(yīng)嵌入設(shè)置在各個(gè)凹槽內(nèi)，將絕緣環(huán)安裝在所述冷卻基座上；在固定凸塊和凹槽內(nèi)壁之間還設(shè)置一固定環(huán)。本發(fā)明能夠有效避免因絕緣環(huán)的位置移動(dòng)而使得晶片放置位置傾斜，最終導(dǎo)致刻蝕均勻性大受影響的情況發(fā)生，提高半導(dǎo)體晶片的成品質(zhì)量，也一并提高生產(chǎn)效率。
【專利說明】一種適用于金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明應(yīng)用于金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備，尤其是指一種能夠提高晶片刻蝕均勻性的刻蝕腔室。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中常用的對(duì)晶片進(jìn)行刻蝕處理的半導(dǎo)體設(shè)備。如圖1所示，是該金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室的結(jié)構(gòu)示意圖，其包含靜電吸盤1，該靜電吸盤I上放置待刻蝕的晶片2 ;圍繞設(shè)置在靜電吸盤I的外周側(cè)的冷卻基座3，以及圍繞設(shè)置在靜電吸盤I的外周側(cè)、且位于所述冷卻基座3上方的絕緣環(huán)4。
[0003]所述絕緣環(huán)4的頂部表面與所述靜電吸盤I的頂部表面齊平，在所述絕緣環(huán)4的頂部外側(cè)還設(shè)置有一凸出延伸部42，該凸出延伸部42圍繞晶片2的外周側(cè)設(shè)置，該凸出延伸部42的頂部表面與所述晶片2的頂部表面齊平。
[0004]進(jìn)一步，所述絕緣環(huán)4的底部表面上間隔設(shè)置有若干圓柱形固定凸塊41 ;在所述冷卻基座3的頂部表面上、且分別對(duì)應(yīng)于固定凸塊41的相對(duì)位置上，間隔設(shè)置有若干圓柱形凹槽31 ;所述各個(gè)固定凸塊41分別對(duì)應(yīng)嵌入設(shè)置在各個(gè)凹槽31內(nèi)，使得絕緣環(huán)4安裝在所述冷卻基座3上。
[0005]但是，從圖1中不難看出，現(xiàn)有技術(shù)中凹槽31的內(nèi)徑明顯大于固定凸塊41的外徑。因此，當(dāng)固定凸塊41嵌入設(shè)置在凹槽31內(nèi)時(shí)，其和凹槽31的內(nèi)壁之間存在較大的間隙。雖然為了保證固定凸塊41能夠順利的嵌入凹槽31內(nèi)，固定凸塊41的外徑與凹槽31的內(nèi)徑之間必須存在一定的公差，即固定凸塊41的外徑需略小于凹槽31的外徑。但是現(xiàn)有技術(shù)中兩者之間存在的公差太大，即固定凸塊41和凹槽31之間的間隙太大，從而導(dǎo)致絕緣環(huán)4無法固定設(shè)置在冷卻基座3上而不發(fā)生移動(dòng)。
[0006]當(dāng)該金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室的腔門打開或關(guān)閉時(shí)，所引起的設(shè)備震動(dòng)會(huì)使得絕緣環(huán)4在冷卻基座3上漸漸移動(dòng)，即絕緣環(huán)4相對(duì)晶片2的位置發(fā)生改變，該絕緣環(huán)4的某一側(cè)會(huì)相對(duì)靠近甚至接觸到靜電吸盤1，從而導(dǎo)致在靜電吸盤I上放置晶片2時(shí)，容易發(fā)生如圖2所示的情況，即晶片2的某一側(cè)會(huì)直接放置在絕緣環(huán)4的凸出延伸部42的頂部表面上，使得晶片2在整個(gè)刻蝕過程中始終處于傾斜狀態(tài)，最終導(dǎo)致刻蝕的均勻性極大的受到影響，使得半導(dǎo)體晶片的成品質(zhì)量大打折扣。因此，在實(shí)際刻蝕過程中，一旦發(fā)生上述情況，必須暫停設(shè)備運(yùn)行，打開刻蝕腔室進(jìn)行調(diào)整，直接影響到半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的是提供一種適用于金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室，能夠有效避免因絕緣環(huán)的位置移動(dòng)而使得晶片放置位置傾斜，最終導(dǎo)致刻蝕均勻性大受影響的情況發(fā)生。[0008]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種適用于金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室，其包含:靜電吸盤，該靜電吸盤上放置待刻蝕的晶片；圍繞設(shè)置在靜電吸盤的外周側(cè)的冷卻基座，以及圍繞設(shè)置在靜電吸盤的外周側(cè)、且位于所述冷卻基座上方的絕緣環(huán)；特點(diǎn)是，所述絕緣環(huán)的底部表面上間隔設(shè)置有若干圓柱形固定凸塊；在所述冷卻基座的頂部表面上、且分別對(duì)應(yīng)于固定凸塊的相對(duì)位置上，間隔設(shè)置有若干圓柱形凹槽；所述各個(gè)固定凸塊分別對(duì)應(yīng)嵌入設(shè)置在各個(gè)凹槽內(nèi)，將絕緣環(huán)安裝在所述冷卻基座上；在所述固定凸塊和凹槽內(nèi)壁之間還設(shè)置一固定環(huán)。
[0009]所述固定環(huán)的內(nèi)徑與所述固定凸塊的外徑相匹配；所述固定環(huán)的外徑與所述凹槽的內(nèi)徑相匹配。
[0010]所述固定環(huán)為陶瓷環(huán)。
[0011]所述絕緣環(huán)的頂部表面與所述靜電吸盤的頂部表面齊平。
[0012]所述絕緣環(huán)的頂部外側(cè)還設(shè)置一凸出延伸部，其圍繞晶片的外周側(cè)設(shè)置，且該凸出延伸部的頂部表面與所述晶片的頂部表面齊平。
[0013]本發(fā)明所提供的適用于金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室，由于在固定凸塊和凹槽之間較大的間隙處采用了固定環(huán)來填補(bǔ)，原先兩者之間較大的公差被彌補(bǔ)，導(dǎo)致絕緣環(huán)發(fā)生位置移動(dòng)的公差被減小甚至消除，使得固定凸塊能夠真正的固定嵌入在凹槽內(nèi)，即絕緣環(huán)能夠真正的固定設(shè)置在冷卻基座上不發(fā)生移動(dòng)。因此，晶片放置位置傾斜的情況能夠被有效避免，從而保證晶片在刻蝕過程中的均勻性，提高半導(dǎo)體晶片的成品質(zhì)量，也一并提高半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為現(xiàn)有技術(shù)中絕緣環(huán)位置發(fā)生移動(dòng)后，導(dǎo)致晶片放置位置傾斜的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明所提供的金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]以下結(jié)合圖3，以常用的LAM TCP9600的金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備為例，通過優(yōu)選的具體實(shí)施例，詳細(xì)說明本發(fā)明。
[0016]如圖3所示，為本發(fā)明所提供的LAM TCP9600的刻蝕腔室的結(jié)構(gòu)示意圖，其包含:靜電吸盤1，該靜電吸盤I上放置待刻蝕的晶片2 ;圍繞設(shè)置在靜電吸盤I的外周側(cè)的冷卻基座3，以及圍繞設(shè)置在靜電吸盤I的外周側(cè)、且位于所述冷卻基座3上方的絕緣環(huán)4。
[0017]所述絕緣環(huán)4的底部表面上間隔設(shè)置有若干圓柱形固定凸塊41 ;在所述冷卻基座3的頂部表面上、且分別對(duì)應(yīng)于固定凸塊41的相對(duì)位置上，間隔設(shè)置有若干圓柱形凹槽31 ；所述各個(gè)固定凸塊41分別對(duì)應(yīng)嵌入設(shè)置在各個(gè)凹槽31內(nèi)，使得絕緣環(huán)4安裝在所述冷卻基座3上。在所述固定凸塊41和凹槽31內(nèi)壁之間還設(shè)置有一固定環(huán)5。
[0018]所述固定環(huán)5的內(nèi)徑與所述固定凸塊41的外徑相匹配；所述固定環(huán)5的外徑與所述凹槽31的內(nèi)徑相匹配。
[0019]所述固定環(huán)5為陶瓷環(huán)。
[0020]所述絕緣環(huán)4的頂部表面與所述靜電吸盤I的頂部表面齊平。[0021]所述絕緣環(huán)4的頂部外側(cè)還設(shè)置一凸出延伸部42，其圍繞晶片2的外周側(cè)設(shè)置，且該凸出延伸部42的頂部表面與所述晶片2的頂部表面齊平。
[0022]由于本發(fā)明在固定凸塊和凹槽之間較大的間隙處采用了固定環(huán)來填補(bǔ)，使得固定凸塊能夠真正的固定嵌入在凹槽內(nèi)，原先兩者之間較大的公差被固定環(huán)彌補(bǔ)，導(dǎo)致絕緣環(huán)發(fā)生位置移動(dòng)的公差被減小甚至消除。當(dāng)LAM TCP9600的設(shè)備腔門開啟或關(guān)閉時(shí)，所引起的震動(dòng)不會(huì)使得絕緣環(huán)在冷卻基座上發(fā)生較大位移，繼而導(dǎo)致晶片的放置位置傾斜，從而能夠有效保證晶片在刻蝕過程中的均勻性，提高半導(dǎo)體晶片的成品質(zhì)量，同時(shí)也能夠提高半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)效率。
[0023]盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對(duì)于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明不僅能夠應(yīng)用于LAM TCP9600的半導(dǎo)體設(shè)備，其可應(yīng)用于其他任何金屬干法刻蝕的半導(dǎo)體設(shè)備。本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種適用于金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室，其包含:靜電吸盤(1)，該靜電吸盤(I)上放置待刻蝕的晶片(2);圍繞設(shè)置在靜電吸盤(I)的外周側(cè)的冷卻基座(3);以及圍繞設(shè)置在靜電吸盤(I)的外周側(cè)、且位于所述冷卻基座(3)上方的絕緣環(huán)(4);其特征在于， 所述絕緣環(huán)(4)的底部表面上間隔設(shè)置若干圓柱形固定凸塊(41)； 在所述冷卻基座(3)的頂部表面上、且分別對(duì)應(yīng)于固定凸塊(41)的相對(duì)位置上，間隔設(shè)置若干圓柱形凹槽(31); 所述各個(gè)固定凸塊(41)分別對(duì)應(yīng)嵌入設(shè)置在各個(gè)凹槽(31)內(nèi)，將絕緣環(huán)(4)安裝在所述冷卻基座(3)上； 在所述固定凸塊(41)和凹槽(31)內(nèi)壁之間還設(shè)置一固定環(huán)(5)。
2.如權(quán)利要求1所述的適用于金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室，其特征在于，所述固定環(huán)(5)的內(nèi)徑與所述固定凸塊(41)的外徑相匹配；所述固定環(huán)(5)的外徑與所述凹槽(31)的內(nèi)徑相匹配。
3.如權(quán)利要求2所述的適用于金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室，其特征在于，所述固定環(huán)(5)為陶瓷環(huán)。
4.如權(quán)利要求1所述的適用于金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室，其特征在于，所述絕緣環(huán)(4)的頂部表面與所述靜電吸盤(I)的頂部表面齊平。
5.如權(quán)利要求4所述的適用于金屬干法刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕腔室，其特征在于，所述絕緣環(huán)(4)的頂部外側(cè)還設(shè)置一凸出延伸部(42)，其圍繞晶片(2)的外周側(cè)設(shè)置，且該凸出延伸部(42)的頂部表面與所述晶片(2)的頂部表面齊平。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK103887136SQ201210557778
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月20日
【發(fā)明者】彭勃, 張程 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司