技術編號：2851715
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供一種適用于金屬干法刻蝕半導體設備的刻蝕腔室，其包含靜電吸盤，該靜電吸盤上放置待刻蝕的晶片；圍繞設置在靜電吸盤的外周側的冷卻基座，以及圍繞設置在靜電吸盤的外周側、且位于冷卻基座上方的絕緣環(huán)；所述絕緣環(huán)的底部表面上間隔設置若干圓柱形固定凸塊；在所述冷卻基座的頂部表面上、且分別對應于固定凸塊的相對位置上，間隔設置若干圓柱形凹槽；各個固定凸塊分別對應嵌入設置在各個凹槽內，將絕緣環(huán)安裝在所述冷卻基座上；在固定凸塊和凹槽內壁之間還設置一固定環(huán)。本發(fā)明能夠有效...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。