專利名稱：一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種提高離子阱性能的方法及裝置，尤其是一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法及裝置。
背景技術(shù)：
多級質(zhì)譜分析是離子阱質(zhì)譜儀的一項重要功能，在涉及物質(zhì)結(jié)構(gòu)分析的基因組學(xué)、蛋白組學(xué)以及制藥等領(lǐng)域中具有舉足輕重的地位。同時，多級質(zhì)譜分析功能是離子阱質(zhì) 譜儀相對于其他質(zhì)譜儀的優(yōu)勢之一。多級質(zhì)譜分析過程如下首先通過對目標離子(或母離子)進行隔離，然后通過碰撞誘導(dǎo)解離(Collision Induced Dissociation,CID)使母離子裂解,裂解后得到的碎片離子被稱為子離子。子離子還可進行相同的隔離和CID過程。通過對離子CID后得到的碎片離子就可以分析出離子的結(jié)構(gòu)，獲得更大量的信息。目前，離子阱理論已非常成熟，這里只簡要介紹與CID有關(guān)的理論。對于一個徑向半徑為A、軸向半徑為Ztl的三維離子講,其穩(wěn)定圖參數(shù)az和qz定義如下
權(quán)利要求
1.一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，所述離子阱包括端電極；其特征在于 對離子進行CID的過程中，施加在所述端電極上的電壓信號包含兩個或兩個以上的頻率成分，其中具有處于[(f_l) kHz，(f+l)kHz]內(nèi)的頻率成分，f是要進行CID的離子的共振頻率；所述電壓信號是頻率隨時間變化的掃頻信號，該掃頻信號的起始頻率和終止頻率可設(shè)定。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于所述電壓信號可通過對白噪聲信號進行帶通濾波得到。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于在所述電壓信號中，頻率成分是離散的。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于在CID過程中，所述掃頻信號出現(xiàn)兩次或兩次以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于頻率隨時間變化的關(guān)系是線性或非線性的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于當頻率隨時間變化的關(guān)系是非線性時，對每一個頻率成分設(shè)置時間權(quán)重。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于與離子的共振頻率相等概率高的頻率成分的時間權(quán)重比其它頻率成分要大。
8.一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，所述離子阱包括端電極，所述裝置包括 信號發(fā)生器，信號發(fā)生器產(chǎn)生的電壓信號施加到所述端電極上；所述電壓信號包括兩個或兩個以上頻率成分，其中具有處于[(f-l)kHz，(f+l)kHz]內(nèi)的頻率成分，f是要進行CID的離子的共振頻率； 所述電壓信號是頻率隨時間變化的掃頻信號，該掃頻信號的起始頻率和終止頻率可設(shè)定。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，其特征在于在所述電壓信號中，頻率成分是離散的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，其特征在于在CID過程中，所述掃頻信號出現(xiàn)兩次或兩次以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，其特征在于頻率隨時間變化的關(guān)系是線性或非線性的。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，其特征在于當頻率隨時間變化的關(guān)系是非線性時，對每一個頻率成分設(shè)置時間權(quán)重。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，其特征在于與離子的共振頻率相等概率高的頻率成分的時間權(quán)重比其它頻率成分要大。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離(CID)性能的方法，所述離子阱包括端電極；特點是對離子進行CID的過程中，施加在所述端電極上的電壓信號包含多個頻率成分，其中具有處于[(f-1)kHz，(f+1)kHz]內(nèi)的頻率成分，f(kHz)是要進行CID的離子的共振頻率，所述電壓信號是一個包含某個頻率范圍內(nèi)的所有頻率成分的寬頻信號，也可以是一個頻率隨時間變化的掃頻信號。本發(fā)明還提供了一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置。本發(fā)明可消除空間電荷效應(yīng)或射頻束縛電壓波動等帶來的影響，提高了CID效率和重復(fù)性。
文檔編號H01J49/42GK102751162SQ20121017341
公開日2012年10月24日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者其他發(fā)明人請求不公開姓名, 劉立鵬, 吳先偉, 吳文明, 朱文明, 甘劍勤, 邱明, 鄭毅 申請人:聚光科技(杭州)股份有限公司