專利名稱：發(fā)光器件，發(fā)光器件封裝以及光單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及發(fā)光器件和制造發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝以及光單
J Li ο
背景技術(shù)：
已經(jīng)廣泛應(yīng)用的發(fā)光器件的一個(gè)實(shí)例是發(fā)光二極管。發(fā)光二極管利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為諸如紅外光、可見(jiàn)光以及紫外光之類的光。隨著發(fā)光器件的照明效率的提高，發(fā)光器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用于諸如顯示器件和照明器件的各種領(lǐng)域中。已經(jīng)提出了用于提高發(fā)光器件的光提取效率的方案，以在發(fā)光結(jié)構(gòu)的上表面上形 成粗糙部分。在發(fā)光結(jié)構(gòu)的上表面上形成粗糙部分的方案中，已經(jīng)采用了光電化學(xué)蝕刻(PEC)方法。但是，在利用PEC蝕刻方法對(duì)發(fā)光結(jié)構(gòu)執(zhí)行蝕刻時(shí)，會(huì)發(fā)生過(guò)度蝕刻，其甚至?xí)g刻到包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)中的有源層處。因此，已經(jīng)研制用于避免由于在使用PEC蝕刻方案時(shí)對(duì)有源層進(jìn)行蝕刻而導(dǎo)致的有源層損傷的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種發(fā)光器件和制造該發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝、以及光單元，以用于利用PEC蝕刻方法在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成粗糙部分，并避免損壞包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)中的有源層。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層，在其上表面設(shè)置粗糙部分且其包括PEC蝕刻控制層；位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的有源層；位于有源層下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；電連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的反射電極；以及電連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一電極。根據(jù)另一實(shí)施例的制造發(fā)光器件的方法包括在襯底上形成包括PEC蝕刻控制層的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成有源層；在有源層上形成第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成反射電極；在反射電極上形成支撐構(gòu)件；去除襯底；對(duì)暴露的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層執(zhí)行PEC蝕刻，從而在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的上表面上形成粗糙部分。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝包括主體；設(shè)置在主體上的發(fā)光器件；電連接至發(fā)光器件的第一和第二引線電極；其中，發(fā)光器件包括在其上表面具有粗糙部分并包括PEC蝕刻控制層的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的有源層；位于有源層下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；電連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的反射電極；以及電連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一電極。根據(jù)實(shí)施例的光單元包括板；設(shè)置在板上的發(fā)光器件；以及使從發(fā)光器件發(fā)出的光通過(guò)的光學(xué)構(gòu)件；其中，發(fā)光器件包括在其上表面具有粗糙部分并包括PEC蝕刻控制層的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的有源層；位于有源層下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；電連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的反射電極；以及電連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一電極。


圖I是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的示意圖。圖2至7是示出制造根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的方法的示意圖。圖8是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的示意圖。圖9是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示器件的示意圖。圖10是示出根據(jù)另一實(shí)施例的顯示器件的示意圖。圖11是示出根據(jù)實(shí)施例的光器件的示意圖。
具體實(shí)施例方式在以下詳細(xì)說(shuō)明中，僅通過(guò)例證來(lái)示出并說(shuō)明某些示例性實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)所述實(shí)施例進(jìn)行各種改進(jìn)。因此，應(yīng)將附圖和說(shuō)明書(shū)視為說(shuō)明性而非限制性的。而且，當(dāng)一個(gè)元件被稱為位于另一元件“上”時(shí)，其可直接位于另一元件上，或間接位于另一元件上，且其間插入一個(gè)或多個(gè)中間元件。而且，當(dāng)一個(gè)元件被稱為“連接至”另一元件時(shí)，其可直接連接至另一元件，或間接連接至另一元件，且其間可插入一個(gè)或多個(gè)中間元件。以下，相同的附圖標(biāo)記表示相同元件。將參考附圖詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件以及發(fā)光器件封裝。圖I是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的示意圖。如圖I中所示，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件100包括發(fā)光結(jié)構(gòu)10、電極20、以及反射電極50。發(fā)光結(jié)構(gòu)10包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11包括第一半導(dǎo)體層14、PEC蝕刻控制層15、以及第二半導(dǎo)體層16。粗糙部分17設(shè)置在第一半導(dǎo)體層14的頂表面上。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11形成為η型半導(dǎo)體層，其中添加作為第一導(dǎo)電摻雜物的η型摻雜物，相反，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13形成為P型半導(dǎo)體層，其中添加作為第二導(dǎo)電摻雜物的P型摻雜物。此外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可形成為P型半導(dǎo)體層，且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可形成為η型半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層14和第二半導(dǎo)體層16可實(shí)現(xiàn)為相同導(dǎo)電性的半導(dǎo)體層。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括η型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可實(shí)現(xiàn)為化合物半導(dǎo)體。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可實(shí)現(xiàn)為III-V族化合物半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可實(shí)現(xiàn)為III-V族化合物半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11 可由具有 InxAlyGa1TyN (O ^ x ^ 1,0 ^ y ^ I,OS x+y ( I)的組成式的半導(dǎo)體材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可選自GaN，AlN，AlGaN，InGaN，InN，InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP，GaAs, GaAsP，AlGaInP 等，且可摻雜 Si, Ge, Sn, Se, Te 等的 η型摻雜物。
有源層12被稱為將通過(guò)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11注入的電子(或空穴)和通過(guò)第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13注入的空穴(或電子)進(jìn)行結(jié)合的層，從而根據(jù)有源層12的形成材料通過(guò)能帶的帶隙差來(lái)發(fā)射光。有源層12可形成為單阱結(jié)構(gòu)、多阱結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)、或量子線結(jié)構(gòu)中的任一種，但是本發(fā)明不限于此。有源層12可實(shí)現(xiàn)為化合物半導(dǎo)體。有源層12可例如由具有InxAlyGa1^yN (Ox+y ( I)的組成式的半導(dǎo)體材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)有源層12由多阱結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)時(shí)，有源層12可由堆疊多個(gè)阱層和多個(gè)勢(shì)壘層，例如InGaN阱層/GaN勢(shì)壘層的循環(huán)來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可實(shí)現(xiàn)為P型半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可實(shí)現(xiàn)為化合物半導(dǎo)體。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可實(shí)現(xiàn)為III-V族化合物半導(dǎo)體。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可由具有InxAlyGa1IyN(O ^ x ^ 1,0 ^ y ^ 1,0彡x+y ( I)的組成式的 半導(dǎo)體材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可選自GaN，AIN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN,AlInN, AlGaAs, GaP，GaAs, GaAsP，AlGaInP 等，且可摻雜諸如 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 等的 p 型摻雜物。同時(shí)，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可包括P型半導(dǎo)體層，且第二導(dǎo)電層13可包括η型半導(dǎo)體層。此外，在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之下可進(jìn)一步形成包括η型或P型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可包括ηρ, ρη, ηρη, ρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種。此外,第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13中的雜質(zhì)的摻雜濃度可均勻地或不均勻地形成。即，發(fā)光結(jié)構(gòu)10的結(jié)構(gòu)的形成可多樣化，但本發(fā)明不限于此。此外，在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和有源層12之間可形成第一導(dǎo)電InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)。此外，在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和有源層12之間可形成第二導(dǎo)電類型的AlGaN層。PEC蝕刻控制層15可設(shè)置在第一半導(dǎo)體層14和第二半導(dǎo)體層16之間。粗糙部分17可設(shè)置在第一半導(dǎo)體層14的頂表面上。可通過(guò)粗糙部分17暴露PEC蝕刻控制層15的一部分區(qū)域。粗糙部分17可通過(guò)如下所述的PEC蝕刻方案形成。PEC蝕刻控制層15用來(lái)防止執(zhí)行PEC蝕刻工藝時(shí)對(duì)第二半導(dǎo)體層16的蝕刻。這避免了有源層12由于進(jìn)行PEC蝕刻而被損壞。根據(jù)該實(shí)施例，粗糙部分17通過(guò)PEC蝕刻形成，從而避免有源層12被損壞，由此提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。PEC蝕刻控制層15可包括絕緣層。例如，PEC蝕刻控制層15可實(shí)現(xiàn)為包含Al的
絕緣層。PEC蝕刻控制層15可包括AlN層。PEC蝕刻控制層15可實(shí)現(xiàn)為不由PEC蝕刻工藝蝕刻的層。這避免設(shè)置在PEC蝕刻控制層15下部的第二半導(dǎo)體層16和有源層12被通過(guò)PEC方式來(lái)蝕刻。PEC蝕刻控制層15可由光透射材料形成。PEC蝕刻控制層15可由具有載流子濃度為O的層形成。蝕刻通過(guò)PEC蝕刻工藝中的電子交換執(zhí)行。在這種情況下，因?yàn)镻EC蝕刻控制層15的載流子濃度變?yōu)榱?O)，所以可避免朝向第二半導(dǎo)體層16和有源層12的PEC過(guò)蝕刻。即，PEC蝕刻控制層15可顯現(xiàn)為具有為零(O)的有源摻雜濃度的層。例如，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電半導(dǎo)體層11形成為η型半導(dǎo)體層時(shí)，可通過(guò)能提供對(duì)應(yīng)于電子濃度的空穴的P型摻雜來(lái)形成PEC蝕刻控制層15。例如，Mg摻雜物可用作P型摻雜。此外，用于PEC蝕刻控制層15的材料的能帶隙可以被實(shí)現(xiàn)為大于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的材料的能帶隙。這可避免PEC蝕刻控制層15在PEC蝕刻工藝中被蝕刻。粗糙部分17可設(shè)置在第一半導(dǎo)體層14的頂表面上。例如，粗糙部分17可通過(guò)PEC蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層14是GaN層時(shí)，考慮到生長(zhǎng)方向和蝕刻方向，具有粗糙部分17的表面可以是N面。在發(fā)光結(jié)構(gòu)10下可設(shè)置歐姆接觸層40和反射電極50。電極20可設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上。電極20和反射電極50向發(fā)光結(jié)構(gòu)10提供電源。歐姆接觸層40可形成為與發(fā) 光結(jié)構(gòu)10執(zhí)行歐姆接觸。歐姆接觸層40可與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13執(zhí)行歐姆接觸。此外，反射電極50反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)10入射的光,從而增加向外提取的光量。歐姆接觸層40例如可形成為透明導(dǎo)電氧化物層。例如，歐姆接觸層40可由選自ITO (銦錫氧化物)，IZO (銦鋅氧化物)，AZO (鋁鋅氧化物)，AGZO (鋁鎵鋅氧化物)，IZTO (銦鋅錫氧化物)，IAZO (銦鋁鋅氧化物)，IGZO (銦鎵鋅氧化物)，IGTO (銦鎵錫氧化物)，ATO (銻錫氧化物)，GZO (鎵鋅氧化物)，IZON (ΙΖ0氮化物)，ZnO, IrOx, RuOx, NiO中的至少一種材料來(lái)形成。反射電極50可由具有高反射率的金屬材料形成。例如，反射電極50可由Ag，Ni，Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au和Hf中的至少一種構(gòu)成的合金或金屬形成。此外，反射電極50可利用諸如金屬或合金的光透射導(dǎo)電材料和ITO (銦錫氧化物)，IZO (銦鋅氧化物)，IZTO (銦鋅錫氧化物)，IAZO (銦鋁鋅氧化物)，IGZO (銦鎵鋅氧化物)，IGTO (銦鎵錫氧化物)，AZO(鋁鋅氧化物)，ATO(銻錫氧化物)等形成為多層。例如，在實(shí)施例中，反射電極50可包括Ag, Al, Ag-Pd-Cu合金或Ag-Cu合金中的至少一種。在發(fā)光結(jié)構(gòu)10和歐姆接觸層40之間可設(shè)置電流阻擋層(CBL) 30。電流阻擋層30可形成在其中其至少一部分與電極20在垂直方向上重疊的區(qū)域中。電流阻擋層30用于減少電極20和反射電極50之間的最短距離上的電流集中現(xiàn)象。因此，根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件可提高發(fā)光效率。電流阻擋層30具有電絕緣性質(zhì)或可利用與發(fā)光結(jié)構(gòu)10形成肖特基接觸的材料形成。電流阻擋層30可由氧化物、氮化物和金屬形成。電流阻擋層30包括SiO2, SiOx, SiOxNy,Si3N4, Al2O3, TiOx, Ti，Al 和 Cr 中的至少一種。電流阻擋層30可設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下的第一區(qū)域處。歐姆接觸層40可設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10下的第二區(qū)域處，并設(shè)置在電流阻擋層30之下。歐姆接觸層40可設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10和反射電極50之間。歐姆接觸層40可設(shè)置在電流阻擋層30和反射電極50之間。在發(fā)光結(jié)構(gòu)10和歐姆接觸層40之間設(shè)置隔離層80。隔離層80可設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的底部周?chē)?。隔離層80可設(shè)置在歐姆接觸層40上。例如，隔離層80可由具有電絕緣特性的材料或具有導(dǎo)電性低于發(fā)光結(jié)構(gòu)10的材料形成。例如，隔離層80可由氧化物或氮化物形成。例如，隔離層 80 可由選自由 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy，SiOxNyj Al2O3, TiO2, ΙΤ0,AZO, ZnO等構(gòu)成的組中的至少一種形成。隔離層80可由諸如電流阻擋層30的材料形成，或可由彼此不同的材料形成。隔離層80可稱為溝道層。在反射電極50下設(shè)置擴(kuò)散阻擋層55、結(jié)合層60、以及導(dǎo)電支撐構(gòu)件70。擴(kuò)散阻擋層55防止結(jié)合層60中包含的材料向反射電極50擴(kuò)散。擴(kuò)散阻擋層55防止結(jié)合層60中包含的諸如錫(Sn)等的材料影響反射電極50。擴(kuò)散阻擋層55可包括Cu，Ni, Ti-ff, W和Pt中的至少一種材料。結(jié)合層60可包括阻擋金屬或結(jié)合金屬等,諸如Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu,Ag或Ta中的至少一種。導(dǎo)電支撐構(gòu)件70支撐根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光兀件,并與外部電極電連接，從而向發(fā)光結(jié)構(gòu)10提供電源。導(dǎo)電支撐構(gòu)件70可由Ti，Cr，Ni，Al，Pt，Au，W，Cu，Mo，Cu-W或注入了雜質(zhì)(例如Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe等)的半導(dǎo)體襯底中的至少一種形成。可在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上進(jìn)一步設(shè)置保護(hù)層90。保護(hù)層90可由氧化物或氮化物形成。保護(hù)層90可由具有光透射特性和絕緣特性的材料形成，例如SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N47Al2O30保護(hù)層90可設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的側(cè)表面上。保護(hù)層90可設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的側(cè)表面和頂部上。上述說(shuō)明主要說(shuō)明了具有垂直結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件，在其中，電極20設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu) 10的頂部，且反射電極50設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的底部。但是，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可多樣化地改變電連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的第一電極和電連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13的第二電極的形狀和位置。此外，發(fā)光器件可應(yīng)用于在相同方向上暴露第一和第二電極的水平結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。參考圖2至7說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的制造方法。如圖2中所示，依照根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的制造方法，在襯底5上形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11，有源層12、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11，有源層12、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13被限定為發(fā)光結(jié)構(gòu)10。襯底5 可由藍(lán)寶石襯底(Al2O3)，SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 和 Ge 中的至少一種形成，但本發(fā)明不限于此。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和襯底5之間還可形成緩沖層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括第一半導(dǎo)體層14，PEC蝕刻控制層15以及第二半導(dǎo)體層16。第一半導(dǎo)體層14，PEC蝕刻控制層15以及第二半導(dǎo)體層16可順序地生長(zhǎng)。如下所述，PEC蝕刻控制層15用于避免第二半導(dǎo)體層16在蝕刻工藝中被蝕刻。因此，PEC蝕刻控制層15可避免PEC蝕刻造成的有源層12的損傷。PEC蝕刻控制層15可包括絕緣層。PEC蝕刻控制層15可包括AlN層。PEC蝕刻控制層15可實(shí)現(xiàn)為在PEC蝕刻工藝中不被蝕刻的層。PEC蝕刻控制層15可實(shí)現(xiàn)為載流子濃度為零(O)。根據(jù)PEC蝕刻工藝中的電子交換來(lái)執(zhí)行蝕刻。在這種情況下，因?yàn)镻EC蝕刻控制層15的載流子濃度達(dá)到零(O)，所以可避免蝕刻至第二半導(dǎo)體層16和有源層12的PEC過(guò)蝕刻。PEC蝕刻控制層15可實(shí)現(xiàn)為具有有源摻雜物濃度為零(O)的層。例如，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電半導(dǎo)體層11實(shí)現(xiàn)為η型半導(dǎo)體層時(shí)，PEC蝕刻控制層15可通過(guò)能提供對(duì)應(yīng)于電子的空穴的P型摻雜來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，Mg摻雜物可用作P型摻雜。此外，用于PEC蝕刻控制層15的材料的能帶隙大于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的材料的能帶隙。因此，能在PEC蝕刻工藝中避免PEC蝕刻控制層15被蝕刻。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11形成為η型半導(dǎo)體層，其中添加作為第一導(dǎo)電摻雜物的η型摻雜物，且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13形成為P型半導(dǎo)體層，其中添加作為第二導(dǎo)電摻雜物的P型摻雜物。此外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可形成為P型半導(dǎo)體層，且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可形成為η型半導(dǎo)體層。
例如，導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可包括η型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可由具有InxAlyGa1^yN (Ox+y ( I)的組成式的半導(dǎo)體材料形成。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可選自InAlGaN，GaN，AlGaN, AlInN，InGaN，AIN, InN等，且可摻雜諸如Si,Ge，Sn等的η型摻雜物。有源層12被限定為對(duì)通過(guò)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11注入的電子(或空穴)和通過(guò)第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13注入的空穴(或電子)進(jìn)行結(jié)合的層，從而根據(jù)有源層12的形成材料通過(guò)能帶的帶隙差來(lái)發(fā)射光。有源層12可形成為單阱結(jié)構(gòu)、多阱結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)或量子線結(jié)構(gòu)中的任一種，但是本發(fā)明不限于此。有源層12可由具有InxAlyGa1^yN (O彡X彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的組成式的材料形成。當(dāng)有源層被形成為多阱結(jié)構(gòu)時(shí)，包括多個(gè)阱層和多個(gè)勢(shì)壘層的有源層，例如以InGaN講層/GaN勢(shì)魚(yú)層的循環(huán)來(lái)形成。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可實(shí)現(xiàn)為P型半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可由 具有InxAlyGa1TyN (Ox+y ( I)的組成式的半導(dǎo)體材料形成。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可選自InAlGaN，GaN，AlGaN，InGaN, Al InN, AIN, InN等，且可摻雜Mg, Zn, Ca, Sr, Ba等的p型摻雜物。同時(shí)，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可包括P型半導(dǎo)體層，且第二導(dǎo)電層13可包括η型半導(dǎo)體層。此外，在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13上可進(jìn)一步形成包括了 η型或P型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可包括ηρ, ρη, ηρη和ρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種。此外,第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13中的雜質(zhì)的平均摻雜濃度可形成得均勻或不均勻。即，發(fā)光結(jié)構(gòu)10的結(jié)構(gòu)形成可多樣化，但本發(fā)明不限于此。此外，在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和有源層12之間可形成第一導(dǎo)電InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)。此外，在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和有源層12之間可形成第二導(dǎo)電類型的AlGaN層。隨后，在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13上形成電流阻擋層30，且在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13上形成隔離層80?？蛇x擇性地形成電流阻擋層30和隔離層80?？赏瑫r(shí)或順序地形成電流阻擋層30和隔尚層80。電流阻擋層30具有電絕緣性質(zhì)，或可利用與發(fā)光結(jié)構(gòu)10形成肖特基接觸的材料形成。電流阻擋層30可形成為氧化物、氮化物或金屬。例如，電流阻擋層30包括SiO2, SiOx,SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiOx, Ti，Al和Cr中的至少一種。隔離層80可由具有電絕緣特性的材料或具有導(dǎo)電性低于發(fā)光結(jié)構(gòu)10的材料形成。例如，隔離層80可形成為氧化物或氮化物。例如，隔離層 80 可由選自 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 等中的至少一種形成。隔離層80可由諸如電流阻擋層30的材料形成，或可由彼此不同的材料形成。隔離層80可稱為溝道層。此外，如圖4中所示，在電流阻擋層30和隔離層80上形成歐姆接觸層40。歐姆接觸層40可形成為與發(fā)光結(jié)構(gòu)10執(zhí)行歐姆接觸。歐姆接觸層40例如可形成為透明導(dǎo)電氧化物層。歐姆接觸層40可形成為選自ITO(銦錫氧化物)，IZO(銦鋅氧化物)，AZO (鋁鋅氧化物)，AGZO (鋁鎵鋅氧化物)，IZTO (銦鋅錫氧化物)，IAZO (銦鋁鋅氧化物)，IGZO (銦鎵鋅氧化物)，IGTO (銦鎵錫氧化物)，ATO (銻錫氧化物)，GZO (鎵鋅氧化物)，IZONdZO氮化物)，ZnO, IrOx, RuOx, NiO中的至少一種材料。
隨后，如圖5中所示，在歐姆接觸層40上形成反射電極50，擴(kuò)散阻擋層55，結(jié)合層60、以及導(dǎo)電支撐構(gòu)件70。反射電極50可由具有高反射率的金屬材料形成。例如，反射電極50可形成為由Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au和Hf中的至少一種構(gòu)成的合金或金屬。此外，反射電極50可利用諸如金屬或合金的光透射導(dǎo)電材料以及ITO(銦錫氧化物)，IZO(銦鋅氧化物)，IZTO (銦鋅錫氧化物)，IAZO (銦鋁鋅氧化物)，IGZO (銦鎵鋅氧化物)，IGTO (銦鎵錫氧化物)，AZO(鋁鋅氧化物)，ATO(銻錫氧化物)等形成為多層。例如，在本實(shí)施例中，反射電極50可包括Ag, Al, Ag-Pd-Cu合金或Ag-Cu合金中的至少一種。擴(kuò)散阻擋層55用于防止結(jié)合層60中包含的材料向反射電極50的方向擴(kuò)散。擴(kuò)散阻擋層55用于防止結(jié)合層60中包含的諸如錫(Sn)等的材料影響反射電極50。擴(kuò)散阻擋層55可包括Cu，Ni, Ti-W, W，Pt等中的至少一種材料。結(jié)合層60可包括阻擋金屬或結(jié)合金屬等,且可包括Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi,Cu, Ag或Ta中的至少一種。導(dǎo)電支撐構(gòu)件70支撐根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光兀件,并與外部電 極電連接，從而向發(fā)光結(jié)構(gòu)10提供電源。導(dǎo)電支撐構(gòu)件70可由Ti，Cr，Ni，Al，Pt，Au，W，Cu，Mo，Cu-W或注入了雜質(zhì)(例如Si，Ge，GaN，GaAs，ZnO，SiC，SiGe等)的半導(dǎo)體襯底中的至少一種形成。接著從發(fā)光結(jié)構(gòu)10去除襯底5。作為一個(gè)實(shí)例，可通過(guò)激光剝離(LLO)工藝去除襯底5。激光剝離工藝LLO是將激光輻照襯底5的底部，以從發(fā)光結(jié)構(gòu)10剝離襯底5。此外，粗糙部分17形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面處。作為實(shí)例，形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上的粗糙部分17可通過(guò)PEC蝕刻工藝形成。PEC蝕刻控制層15可設(shè)置在第一半導(dǎo)體層14和第二半導(dǎo)體層16之間。粗糙部分17可設(shè)置在第一半導(dǎo)體層14的頂表面上。PEC蝕刻控制層15的一部分可通過(guò)粗糙部分17暴露。PEC蝕刻控制層15用于防止第二半導(dǎo)體層16在PEC蝕刻工藝中被蝕刻?？杀苊釶EC蝕刻損傷有源層12。上述實(shí)施例利用PEC蝕刻形成粗糙部分17，從而防止有源層12被損傷，由此提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。PEC蝕刻控制層15可包括絕緣層。PEC蝕刻控制層15可包括AlN層。PEC蝕刻控制層15可實(shí)現(xiàn)為不由PEC蝕刻工藝蝕刻的層。這避免設(shè)置在PEC蝕刻控制層15下部的第二半導(dǎo)體層16和有源層12被PEC工藝蝕刻。PEC蝕刻控制層15可實(shí)現(xiàn)為具有為零(O)的載流子濃度。蝕刻根據(jù)PEC蝕刻工藝中的電子交換來(lái)執(zhí)行。在這種情況下，因?yàn)镻EC蝕刻控制層15的載流子濃度被實(shí)現(xiàn)為零
(O)，所以可避免朝向第二半導(dǎo)體層16和有源層12的PEC過(guò)蝕刻。S卩，PEC蝕刻控制層15可顯現(xiàn)為具有為零(O)的有源摻雜濃度的層。例如，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電半導(dǎo)體層11形成為η型半導(dǎo)體時(shí)，可通過(guò)提供對(duì)應(yīng)于電子的空穴的P型摻雜來(lái)形成PEC蝕刻控制層15。例如，Mg摻雜物可用作P型摻雜。此外，PEC蝕刻控制層15可以被實(shí)現(xiàn)為具有大于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的能帶隙。這避免PEC蝕刻控制層15在PEC蝕刻工藝中被蝕刻。粗糙部分17可設(shè)置在第一半導(dǎo)體層14的頂表面上。當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層14是GaN層時(shí)，形成粗糙部分17的表面可以是N面。同時(shí)，可沿發(fā)光結(jié)構(gòu)10的分離芯片的邊界執(zhí)行隔離蝕刻，以便多個(gè)發(fā)光器件可分成分離的發(fā)光器件單元。隔離蝕刻例如可通過(guò)諸如電感耦合等離子體(ICP)的干法蝕刻形成，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)實(shí)施例，首先執(zhí)行隔離蝕刻，且隨后可通過(guò)PEC蝕刻形成粗糙部分17。此外，也可在執(zhí)行PEC蝕刻之后執(zhí)行隔離蝕刻。參考圖7，保護(hù)層90可形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的至少一個(gè)側(cè)表面上。保護(hù)層90防止發(fā)光結(jié)構(gòu)10電短接到外部電極或電極20等。例如，保護(hù)層90可形成為氧化物或氮化物。保護(hù)層90例如可由具有光透射特性和絕緣特性，諸如，SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4和Al2O3的材料來(lái)形成。例如，保護(hù)層90可通過(guò)沉積方案形成，諸如，通過(guò)電子束沉積、PECVD 和濺射來(lái)形成。隨后，電極20電連接至發(fā)光結(jié)構(gòu)10。電極20與反射電極50 —起向發(fā)光結(jié)構(gòu)10提供電源，且可形成為與電流阻擋層31在垂直方向上部分地重疊。上述電極20形成工藝和保護(hù)層90形成工藝可根據(jù)設(shè)計(jì)及其工藝而具有各種變化。圖8是示出應(yīng)用有發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的示意圖。參考圖8，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可包括主體120，設(shè)置在主體120處的第一引線電極131和第二引線電極132，位于主體120處并與第一引線電極131和第二引線電極132電連接的根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件100，以及包圍發(fā)光器件100的模制構(gòu)件140。主體120可形成為包括硅材料、合成樹(shù)脂材料、或金屬材料中的至少一種，且在發(fā)光器件100的周?chē)纬蓛A斜平面。第一引線電極131和第二引線電極132彼此電分離，并向發(fā)光器件100提供電源。此外，第一引線電極131和第二引線電極132反射從發(fā)光器件100產(chǎn)生的光，以提高發(fā)光效率，并將從發(fā)光器件100產(chǎn)生的熱釋放至外部。發(fā)光器件100設(shè)置在主體120上，或第一引線電極131或第二電極132上。發(fā)光器件100可通過(guò)布線方法、倒裝芯片方法、或芯片結(jié)合方法中的至少一種與第一引線電極131和第二引線電極132電連接。模制構(gòu)件140包圍發(fā)光器件100以保護(hù)發(fā)光器件100。此外，模制構(gòu)件140包括熒光體，從而轉(zhuǎn)換從發(fā)光器件100發(fā)出的光的波長(zhǎng)。根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的多個(gè)發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝可以以復(fù)數(shù)形式排列到板上，并且諸如透鏡、導(dǎo)光板、棱鏡片、擴(kuò)散片等的光學(xué)構(gòu)件可設(shè)置在發(fā)光器件封裝的光路上。發(fā)光器件封裝、板、光學(xué)構(gòu)件可作為光單元。光單元實(shí)現(xiàn)為頂視型或側(cè)視型，或提供至諸如便攜終端、筆記本等的顯示器，或可多樣化地應(yīng)用至照明器件和指示器件。另一實(shí)施例可實(shí)現(xiàn)為光器件，其包括上述實(shí)施例中說(shuō)明的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝。例如，光器件包括等、街燈、電子顯示器和車(chē)輛頭燈。根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光器件可應(yīng)用至光單元。光單元包括在其中排列多個(gè)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)、圖9和10中所示的顯示器件、以及圖11中所示的光器件。參考圖9,根據(jù)實(shí)施例的顯不器件1000包括導(dǎo)光板1041、將光提供至導(dǎo)光板1041的發(fā)光模塊1031、導(dǎo)光板1041下的反射構(gòu)件1022、導(dǎo)光板1041上的光學(xué)片1051、光學(xué)片1051上的顯示面板1061、以及底蓋1011。底蓋1011容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031以及反射構(gòu)件1022，但本發(fā)明不限于此。導(dǎo)光板1041擴(kuò)散光且利用擴(kuò)散光執(zhí)行表面光源。導(dǎo)光板1041可由透明材料構(gòu)成，例如，包括諸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯酸樹(shù)脂族、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、環(huán)烯烴共聚物(COC)以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)中的至少一種。
發(fā)光模塊1031將光提供至至少一個(gè)導(dǎo)光板1041，且最終作為顯示器件的光源。可設(shè)置至少一個(gè)發(fā)光模塊1031且發(fā)光模塊1031可直接或間接將光提供至導(dǎo)光板1041的一側(cè)。發(fā)光模塊1031可包括板1033和基于上述發(fā)光器件100的發(fā)光器件100。發(fā)光器件100可以預(yù)定距離排列在板1033上。板1033可以是印刷電路板(PCB)。但是，板1033可包括PCB、金屬芯PCB (MCPCB)、柔性PCB (FPCB)等，但本發(fā)明不限于此。當(dāng)發(fā)光器件100設(shè)置在底蓋1011或散熱板的側(cè)表面上時(shí)，可去除板1033。這里，一部分散熱板可接觸底蓋1011的頂表面。此外，可安裝多個(gè)發(fā)光器件100，以便發(fā)射光的突起表面與導(dǎo)光板1041間隔開(kāi)，但本發(fā)明不限于此。發(fā)光器件200可直接或間接將光提供至入射光部，例如導(dǎo)光板1041的一個(gè)側(cè)表面，但本發(fā)明不限于此。反射構(gòu)件1022設(shè)置在導(dǎo)光板1041之下。可通過(guò)利用反射構(gòu)件1022反射入射在導(dǎo)光板1041的下表面上的光，且將反射的光向上導(dǎo)向而提高光單元1050的亮度。反射構(gòu) 件1022可形成為PET，PC，PVC樹(shù)脂等，但本發(fā)明不限于此。反射構(gòu)件1022可以是底蓋1011的頂表面，但本發(fā)明不限于此。底蓋1011容納導(dǎo)光板1041，發(fā)光模塊1031、以及反射構(gòu)件1022。為此，底蓋1011包括具有開(kāi)口的頂表面的盒形的容納部1012，但本發(fā)明不限于此。底蓋1011可與頂蓋組合，但本發(fā)明不限于此。底蓋1011可形成為金屬材料或塑料材料，且可利用沖壓?；驍D壓模制造。此外，底蓋1011包括具有優(yōu)良熱導(dǎo)率的金屬或非金屬材料，但本發(fā)明不限于此。顯示面板1061例如是IXD面板。在這種情況下,顯示面板包括彼此相對(duì)并由透明材料制成的第一和第二基底，且第一和第二基板之間插入液晶層。顯示面板1061的至少一個(gè)表面與偏振板附接，但本發(fā)明不限于偏振板式的附接結(jié)構(gòu)。顯示面板1061借助穿過(guò)光學(xué)片1051的光來(lái)顯示信息。顯示器件1000可應(yīng)用于各種便攜終端、筆記本電腦的監(jiān)視器、膝上型電腦的監(jiān)視器、電視機(jī)等。光學(xué)片1051可設(shè)置在顯不面板1061和導(dǎo)光板1041之間，并包括至少一個(gè)具有光透射特性的片。光學(xué)片1051可包括諸如擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片、以及亮度增強(qiáng)片中的至少一種。擴(kuò)散片擴(kuò)散要入射的光，水平或/和垂直棱鏡片將要入射的光聚集在顯示區(qū)域上，且亮度增強(qiáng)片通過(guò)重新使用損失光而增強(qiáng)亮度。此外，保護(hù)片可設(shè)置在顯示面板1061上，但本發(fā)明不限于此。此處，導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051中的至少一種可設(shè)置在發(fā)光模塊1031的光路上，但本發(fā)明不限于此。圖10是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示器件的另一實(shí)施例的示意圖。參考圖10，顯示器件1100可包括底蓋1152、其中排列上述發(fā)光器件100的板1020、光學(xué)構(gòu)件1154、以及顯示面板1155。板1020和發(fā)光器件100可限定發(fā)光模塊1060。底蓋1152、至少一個(gè)發(fā)光模塊1060、和光學(xué)構(gòu)件1154被限定為光單兀。底蓋1152可設(shè)置有容納部1153，但本發(fā)明不限于此。這里，光學(xué)構(gòu)件1154可包括透鏡、導(dǎo)光板、擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片、以及亮度增強(qiáng)片等中的至少一種。導(dǎo)光板可由PC材料或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料形成，且可去除導(dǎo)光板。擴(kuò)散片擴(kuò)散入射的光，水平或/和垂直棱鏡片將要入射的光聚集在顯示區(qū)域上，且亮度增強(qiáng)片通過(guò)重新使用損失光而增強(qiáng)亮度。光學(xué)構(gòu)件1154可設(shè)置在發(fā)光模塊1060上,并對(duì)從發(fā)光模塊1060發(fā)出的光執(zhí)行表
面光源、擴(kuò)散、聚集等。圖11是示出根據(jù)實(shí)施例的光器件的透視圖。 參考圖11，光器件1500包括外殼1510、安裝至外殼1510的發(fā)光模塊1530、以及設(shè)置在外殼1510中并從外部電源接收電力的連接端子1520。外殼1510可由具有良好散熱特性的材料形成，且例如由金屬材料或樹(shù)脂材料形成。發(fā)光模塊1530包括板1532以及設(shè)置在板1532上的上述發(fā)光器件100。多個(gè)發(fā)光器件100用復(fù)數(shù)形式以矩陣形式排列，或以預(yù)定間隔排列。板1532可以是印刷電路板(PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、FR_4板中的一種。此外，板1532可形成為能有效反射光的材料，或有效反射光的顏色，例如其被實(shí)現(xiàn)為諸如白色、銀色等的涂覆層。板1532可設(shè)置有至少一個(gè)發(fā)光器件100。發(fā)光器件100可包括至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片。LED芯片包括發(fā)射紅色、綠色、藍(lán)色或白色的彩色光的彩色發(fā)光二極管，以及發(fā)射紫外光的UV發(fā)光二極管。發(fā)光模塊1530可設(shè)置為具有各種發(fā)光二極管100的組合結(jié)構(gòu)，從而獲得色域(color gamut)和亮度。組合和設(shè)置白光發(fā)光二極管、紅光發(fā)光二極管、以及綠光發(fā)光二極管，以獲得高顯色指數(shù)(CRI)。連接端子1520電連接至發(fā)光模塊1530以提供電源。連接端子1520可連接至插座形式的外部電源，但本發(fā)明不限于此。例如，連接端子1520可形成為插入外部電源的插頭形式，或可通過(guò)布線而連接至外部電源。封裝上述發(fā)光器件200，且隨后將其安裝到板上以實(shí)現(xiàn)發(fā)光模塊，或以LED芯片的形式對(duì)其進(jìn)行安裝和封裝以實(shí)現(xiàn)發(fā)光模塊。發(fā)光器件以及制造發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝以及光單元利用PEC蝕刻方法在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成粗糙部分，以防止包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)中的有源層不被損壞。雖然已經(jīng)結(jié)合某些示例性實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的實(shí)施例，相反，其旨在涵蓋所附權(quán)利要求及其等價(jià)物的精神和范圍內(nèi)的各種改型和等效配置。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層，所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層在其上表面上提供粗糙部分，并包括PEC蝕刻控制層； 有源層，所述有源層在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層之下； 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層在所述有源層之下； 反射電極，所述反射電極電連接至所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及 第一電極，所述第一電極電連接至所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中，所述PEC蝕刻控制層包括絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中，所述PEC蝕刻控制層是包括Al的絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中，所述PEC蝕刻控制層包括AlN層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中，所述PEC蝕刻控制層具有零(O)的載流子濃度。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中，所述PEC蝕刻控制層的一部分區(qū)域通過(guò)所述粗糙部分暴露。
7.—種制造發(fā)光器件的方法，包括 在襯底上形成包括PEC蝕刻控制層的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成有源層； 在所述有源層上形成第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成反射電極； 在所述反射電極上形成支撐構(gòu)件； 去除所述襯底； 對(duì)暴露的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層執(zhí)行PEC蝕刻，以在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂表面上形成粗糙部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造發(fā)光器件的方法，其中，所述PEC蝕刻控制層包括絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造發(fā)光器件的方法，其中，所述PEC蝕刻控制層是包括Al的絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造發(fā)光器件的方法，其中，所述PEC蝕刻控制層包括AlN層。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造發(fā)光器件的方法，其中，所述PEC蝕刻控制層具有零(O)的載流子濃度。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造發(fā)光器件的方法，其中，所述PEC蝕刻控制層的一部分通過(guò)所述粗糙部分暴露。
13.一種發(fā)光器件封裝，包括 主體； 根據(jù)權(quán)利要求I至6中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，所述發(fā)光器件設(shè)置在所述主體上；以及 第一引線電極和第二引線電極，所述第一引線電極和第二引線電極連接至所述發(fā)光器件。
14.一種光單兀,包括板；根據(jù)權(quán)利要求I至6中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，所述發(fā)光器件設(shè)置在所述板上；以及光學(xué)構(gòu)件，所述光學(xué)構(gòu)件使從所述發(fā)光器件提供的光通過(guò)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了發(fā)光器件，發(fā)光器件封裝以及光單元。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件，包括在其上表面上提供粗糙部分并包括PEC蝕刻控制層的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的有源層；位于有源層下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；電連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的反射電極；以及電連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一電極。
文檔編號(hào)F21S2/00GK102881798SQ20121008879
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月14日
發(fā)明者姜大成, 崔洛俊, 丁圣勛, 韓永勛, 孫圣珍 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司