專利名稱：一種具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及光源照明技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座。
背景技術(shù)：
[0002]發(fā)光二極管(又稱LED)是一類可直接將電能轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光和輻射能的發(fā)光器件， 具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、發(fā)光響應(yīng)時(shí)間極短、光色純、結(jié)構(gòu)牢固、抗沖擊、耐振動(dòng)、性能穩(wěn)定可靠、重量輕、體積小、成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)越來(lái)越廣泛的應(yīng)用于照明和裝飾燈具等領(lǐng)域中。[0003]LED芯片的結(jié)溫變化影響其出光效率、光衰、顏色、波長(zhǎng)以及正向電壓等光電色度和電氣參數(shù)等，影響器件的壽命和可靠性。在努力增加其內(nèi)外出光效率的同時(shí)增大其輸入電流無(wú)疑是最有效的提高亮度的方法，但伴隨著電流的增加會(huì)產(chǎn)生大量的熱能，LED芯片結(jié)溫升高其發(fā)光效率隨之下降，為解決亮度增加和結(jié)溫升高的矛盾，實(shí)現(xiàn)LED的高亮度、高穩(wěn)定性，LED的散熱問(wèn)題的解決成為當(dāng)務(wù)之急。[0004]現(xiàn)有的LED封裝結(jié)構(gòu)中，LED芯片一般都被固定于一金屬基座上，芯片產(chǎn)生的熱量先被傳遞至基座上。金屬材料的導(dǎo)熱性好，但是散熱性能不佳、如一般用以制作金屬基座的鋁，熱輻射率為0. 05，通過(guò)熱輻射散發(fā)的熱量很少，只能采用對(duì)流方式散發(fā)大部分熱量。為此，一般需要在金屬基座上連接熱沉(散熱器)以達(dá)到散熱目的，有時(shí)需要加設(shè)風(fēng)扇等強(qiáng)制對(duì)流裝置加快空氣對(duì)流。在應(yīng)用產(chǎn)品整體熱阻中，熱沉與外部環(huán)境之間的熱阻是非常重要的組成部分，直接影響了 LED芯片結(jié)溫的變化。發(fā)明內(nèi)容[0005]本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)上述存在問(wèn)題和不足，提供一種可快速有效地將LED 芯片組產(chǎn)生的熱量從工作區(qū)導(dǎo)出并散發(fā)，使LED芯片組的穩(wěn)定性和可靠性增強(qiáng)，可在大電流下連續(xù)工作的具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座。[0006]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的[0007]本實(shí)用新型所述的具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座，包括支架及散熱組件、整流電路和LED芯片組，其中所述支架及散熱組件包括支撐殼體及設(shè)置在支撐殼體上的散熱底板，其特點(diǎn)是所述散熱底板由導(dǎo)熱絕緣層和散熱層組成，所述散熱層與外部空間相通且其一側(cè)面與導(dǎo)熱絕緣層緊密貼合，所述LED芯片組固定在導(dǎo)熱絕緣層上。[0008]其中，上述導(dǎo)熱絕緣層由陶瓷或金剛石或其它非金屬制成。[0009]上述散熱層由金屬或金屬?gòu)?fù)合材料或石墨或石墨層與金屬層或其它散熱能力強(qiáng)的非金屬制成。[0010]為了使散熱層的散熱面積大，以利于本實(shí)用新型更好地散熱，上述散熱層為具有斜面結(jié)構(gòu)的散熱層。[0011]為了使本實(shí)用新型能夠直接通過(guò)外部交流高壓電源驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮，上述整流電路由至少四個(gè)高壓LED芯片組連接組成橋式整流電路。[0012]為了使本實(shí)用新型在外部交流高壓電源直接驅(qū)動(dòng)的基礎(chǔ)上還能夠獲得高顯色性白光光源，上述橋式整流電路的至少一個(gè)支路上串聯(lián)連接有至少一個(gè)用于調(diào)節(jié)色溫的小功率LED芯片。[0013]為了使本實(shí)用新型在外部交流高壓電源直接驅(qū)動(dòng)的基礎(chǔ)上能夠獲得更好的高顯色性白光光源，既可以是上述LED芯片組為由串聯(lián)于上述整流電路的輸出端之間的至少一個(gè)高壓LED芯片組組成，也可以是上述LED芯片組為由串聯(lián)于上述整流電路的輸出端之間的至少一個(gè)高壓LED芯片組和至少一個(gè)用于調(diào)節(jié)色溫的小功率LED芯片連接組成。[0014]本實(shí)用新型由于采用將散熱底板設(shè)置成由導(dǎo)熱絕緣層及散熱層復(fù)合構(gòu)成的結(jié)構(gòu)， 這樣就形成了良好的熱傳導(dǎo)，使固定在導(dǎo)熱絕緣層上的LED芯片組產(chǎn)生的熱量能夠通過(guò)該導(dǎo)熱絕緣層快速地傳遞到散熱層上，并通過(guò)與外部空間相通的散熱層而將熱量迅速地散發(fā)，從而實(shí)現(xiàn)良好的散熱效果，這樣既能夠有效地降低LED芯片組的結(jié)溫，使LED芯片組的穩(wěn)定性和可靠性得到極大的增強(qiáng)，又能夠使LED芯片組在大電流下連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間地工作，使用壽命長(zhǎng)，而且散熱層具有斜面結(jié)構(gòu)，通過(guò)該斜面結(jié)構(gòu)增大了散熱層與外部空間的接觸面積，從而達(dá)到更好的散熱效果。又由于整流電路由至少四個(gè)高壓LED芯片組連接組成橋式整流電路，這樣既能夠使LED芯片組直接通過(guò)外部交流高壓電源驅(qū)動(dòng)，又能夠通過(guò)這些高壓LED芯片組而獲得更好效果的照明光源，而且電路簡(jiǎn)單、成本低，同時(shí)可在橋式整流電路的支線中串聯(lián)有用于調(diào)節(jié)色溫的小功率LED芯片，通過(guò)小功率LED芯片的發(fā)光顏色與高壓 LED芯片組的發(fā)光顏色的相互配合，從而使本實(shí)用新型在外部交流高壓直接驅(qū)動(dòng)的基礎(chǔ)上能夠獲得高顯色性白光光源。并且LED芯片組可為由串聯(lián)于整流電路的輸出端之間的至少一個(gè)高壓LED芯片組和至少一個(gè)用于調(diào)節(jié)色溫的小功率LED芯片連接組成，通過(guò)選擇和調(diào)整小功率LED芯片的發(fā)光顏色或個(gè)數(shù)就能容易地獲得不同的高顯色性照明白光光源，而且光源的照射面積大，均勻度好，從而能夠獲得更好效果的高顯色性照明白光光源。而且本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造方便、成本低。[0015]
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。


[0016]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。[0017]圖2為本實(shí)用新型支撐殼體的結(jié)構(gòu)示意圖。[0018]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施方案1的電路原理圖。[0019]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施方案2的電路原理圖。[0020]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施方案3的電路原理圖。[0021]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施方案4的電路原理圖。[0022]圖7為本實(shí)用新型高壓LED芯片組的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0023]如圖1-圖7所示，本實(shí)用新型所述的具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座，包括支架及散熱組件1、整流電路和LED芯片組，其中支架及散熱組件1包括支撐殼體11及設(shè)置在支撐殼體11上的散熱底板12，而散熱底板12由導(dǎo)熱絕緣層121和散熱層122組成，其中散熱層122與外部空間相通且其一側(cè)面與導(dǎo)熱絕緣層121緊密貼合，而LED芯片組固定在導(dǎo)熱絕緣層121上。其中，導(dǎo)熱絕緣層121由陶瓷或金剛石或其它非金屬制成，而散熱層122由Al、Cu等金屬或金屬?gòu)?fù)合材料或石墨或石墨層與金屬層或其它散熱能力強(qiáng)的非金屬制成。當(dāng)散熱層122由石墨層與金屬層制成時(shí)，為一層石墨層、一層金屬層交替設(shè)置。如圖1所示，為了使本實(shí)用新型具有更好的散熱效果，散熱層122為具有斜面結(jié)構(gòu)1221的散熱層。如圖2所示，為了方便散熱底板12的安裝，在支撐殼體11上設(shè)置有通孔111，導(dǎo)熱絕緣層121固定在通孔111內(nèi)。而支撐殼體11上還設(shè)置有熒光板13、透鏡14和電源輸入端電極16，其中透鏡14覆蓋在熒光板13的外側(cè)面上并通過(guò)粘膠劑與熒光板13緊密連接，而且在導(dǎo)熱絕緣層121上設(shè)置有電極層2，LED芯片組位于導(dǎo)熱絕緣層121與熒光板13之間的空腔內(nèi)且固定在電極層2上，同時(shí)在導(dǎo)熱絕緣層121與熒光板13之間的空腔內(nèi)還填充有硅膠體15，而熒光板13由PC材料與熒光粉燒結(jié)而成或玻璃材料與熒光粉燒結(jié)而成或硅膠與熒光粉通過(guò)壓膜形成或樹(shù)脂與熒光粉通過(guò)壓膜形成，并且熒光板13為可在高壓LED芯片組的藍(lán)光激發(fā)下發(fā)射出黃光或黃綠光的熒光板或?yàn)榭稍诟邏篖ED芯片組的紫外光激發(fā)下發(fā)射出藍(lán)、綠、黃混合光的熒光板，透鏡14則由硅膠或樹(shù)脂材料或耐高溫的透明塑料或玻璃材料制成，而在本實(shí)用新型中，透鏡14采用球冠形狀，采用的材料為低折射率的硅膠，所以有利于提高本實(shí)用新型的光效，而且LED芯片組的封裝位置基本對(duì)稱，這樣就能更好地獲得均勻的高顯色性白光。為了使本實(shí)用新型能夠直接通過(guò)外部交流高壓電源驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮， 整流電路由至少四個(gè)高壓LED芯片組連接組成橋式整流電路，該橋式整流電路的輸入端與外部交流高壓電源相連接，其輸出端與LED芯片組相連接，而且高壓LED芯片組發(fā)出的光為藍(lán)光或紫光。如圖7所示，高壓LED芯片組為由若干個(gè)微芯片串聯(lián)在同一襯底上并通過(guò)芯片工藝制成或由多個(gè)小功率芯片通過(guò)金線串聯(lián)并集成在同一基板上而構(gòu)成。在本實(shí)用新型中，高壓LED芯片組是通過(guò)一系列芯片工藝實(shí)現(xiàn)在一個(gè)藍(lán)寶石襯底上把16個(gè)微芯片串聯(lián)起來(lái)而形成，高壓LED芯片組的發(fā)光波長(zhǎng)為450 475nm的藍(lán)光，每個(gè)高壓LED芯片組的工作電壓在50V左右。為了使本實(shí)用新型在外部交流高壓電源直接驅(qū)動(dòng)的基礎(chǔ)上還能夠獲得高顯色性白光光源，橋式整流電路的至少一個(gè)支路上串聯(lián)連接有至少一個(gè)用于調(diào)節(jié)色溫的小功率LED芯片。為了使本實(shí)用新型在外部交流高壓電源直接驅(qū)動(dòng)的基礎(chǔ)上能夠獲得更好的高顯色性白光光源，既可以是LED芯片組為由串聯(lián)于整流電路的輸出端之間的至少一個(gè)高壓LED芯片組組成，也可以是LED芯片組為由串聯(lián)于整流電路的輸出端之間的至少一個(gè)高壓LED芯片組和至少一個(gè)用于調(diào)節(jié)色溫的小功率LED芯片連接組成。而本實(shí)用新型中所采用的小功率LED芯片為發(fā)光波段在橙色和紅色之間的暖色LED芯片，并且在實(shí)際的應(yīng)用中， 通常是采用紅光芯片，其發(fā)光波長(zhǎng)在620 650nm之間，工作電壓在2. IV左右。本實(shí)用新型使用時(shí)，其發(fā)出的高顯色性白光，既可以由高壓LED芯片組發(fā)出的藍(lán)光與熒光板13發(fā)出的黃光，以及小功率LED芯片發(fā)出的紅光或橙色光混合而成，也可以是由不同的高壓LED芯片組發(fā)出的藍(lán)光和紫光，它們激發(fā)熒光板13發(fā)出黃綠光或黃光，再配合小功率LED芯片發(fā)出的紅光或橙色光混合而成。由于熒光板13在高壓LED芯片組發(fā)出的部分藍(lán)光受激下會(huì)發(fā)射出長(zhǎng)余輝黃光，并與高壓LED芯片組發(fā)出的其余藍(lán)光和小功率LED芯片發(fā)出的紅光配混合，就可以獲得人眼感受不到白光的閃耀和顯色性達(dá)到90以上的白光，這樣的白光就可應(yīng)用到各類照明場(chǎng)合，其市場(chǎng)應(yīng)用潛力巨大。此外，硅膠體15由高折射率的硅膠制成，一方面可把高壓LED芯片組與小功率LED芯片相連接的金線凝固，保護(hù)金線；另一方面又有利于提高LED的光提取效率。為了保護(hù)小功率LED芯片，在橋式整流電路的輸入端連接有限流電阻R，該限流電阻R的阻值為300 IK Ω之間，具體數(shù)值要根據(jù)高壓LED芯片組中的每個(gè)微芯片pn結(jié)電壓、單個(gè)小功率LED芯片的pn結(jié)電壓和芯片的工作電流決定。[0024]為了使本實(shí)用新型具有不同的照明效果，本實(shí)用新型的電路可設(shè)置成由不同個(gè)數(shù)的高壓LED芯片組及小功率LED芯片連接組成。[0025]實(shí)施例一[0026]如圖3所示，高壓LED芯片組Bi、高壓LED芯片組B2、高壓LED芯片組B3和高壓 LED芯片組B4連接組成橋式整流電路，該橋式整流電路的輸出端之間順著電流流經(jīng)方向依序連接有小功率LED芯片LEDl、小功率LED芯片LED2、小功率LED芯片LED3、高壓LED芯片組B6和高壓LED芯片組B5。而限流電阻R連接在橋式整流電路的輸入端。該電路通電時(shí)， 限流電阻R、高壓LED芯片組B4、小功率LED芯片LEDl、小功率LED芯片LED2、小功率LED 芯片LED3、高壓LED芯片組B6、高壓LED芯片組B5和高壓LED芯片組B2構(gòu)成通電回路；高壓LED芯片組Bi、小功率LED芯片LEDl、小功率LED芯片LED2、小功率LED芯片LED3、高壓 LED芯片組B6、高壓LED芯片組B5、高壓LED芯片組B3和限流電阻R構(gòu)成通電回路。[0027]實(shí)施例二 [0028]如圖4所示，高壓LED芯片組Bi、高壓LED芯片組B2、高壓LED芯片組B3和高壓 LED芯片組B4連接組成橋式整流電路，其中高壓LED芯片組Bl所在的支路中串聯(lián)有小功率 LED芯片LEDl，而且小功率LED芯片LEDl的電流輸出端與高壓LED芯片組Bl的正極連接， 同時(shí)在高壓LED芯片組B4所在的支路中串聯(lián)有小功率LED芯片LED2，而且小功率LED芯片 LED2的電流輸出端與高壓LED芯片組B4的正極連接。該橋式整流電路的輸出端之間順著電流流經(jīng)方向依序連接有小功率LED芯片LED3、小功率LED芯片LED4、高壓LED芯片組B6 和高壓LED芯片組B5。而限流電阻R連接在橋式整流電路的輸入端。該電路通電時(shí)，限流電阻R、小功率LED芯片LED2、高壓LED芯片組B4、小功率LED芯片LED3、小功率LED芯片 LED4、高壓LED芯片組B6、高壓LED芯片組B5和高壓LED芯片組B2構(gòu)成通電回路；小功率 LED芯片LEDl、高壓LED芯片組Bi、小功率LED芯片LED3、小功率LED芯片LED4、高壓LED 芯片組B6、高壓LED芯片組B5、高壓LED芯片組B3和限流電阻R構(gòu)成通電回路。[0029]實(shí)施例三[0030]如圖5所示，高壓LED芯片組Bi、高壓LED芯片組B2、高壓LED芯片組B3和高壓 LED芯片組B4連接組成橋式整流電路，其中高壓LED芯片組Bl所在的支路中串聯(lián)有小功率 LED芯片LEDl，而且小功率LED芯片LEDl的電流輸出端與高壓LED芯片組Bl的正極連接； 高壓LED芯片組B2所在的支路中串聯(lián)有小功率LED芯片LED2，而且小功率LED芯片LED2 的電流輸出端與高壓LED芯片組B2的正極連接；高壓LED芯片組B3所在的支路中串聯(lián)有小功率LED芯片LED3，而且小功率LED芯片LED3的電流輸出端與高壓LED芯片組B3的正極連接；高壓LED芯片組B4所在的支路中串聯(lián)有小功率LED芯片LED4，而且小功率LED芯片LED4的電流輸出端與高壓LED芯片組B4的正極連接。該橋式整流電路的輸出端之間順著電流流經(jīng)方向依序連接有小功率LED芯片LED5、高壓LED芯片組B6和高壓LED芯片組 B5。而限流電阻R連接在橋式整流電路的輸入端。該電路通電時(shí)，限流電阻R、小功率LED 芯片LED4、高壓LED芯片組B4、小功率LED芯片LED5、高壓LED芯片組B6、高壓LED芯片組 B5、小功率LED芯片LED2和高壓LED芯片組B2構(gòu)成通電回路；小功率LED芯片LED1、高壓LED芯片組Bi、小功率LED芯片LED5、高壓LED芯片組B6、高壓LED芯片組B5、小功率LED 芯片LED3、高壓LED芯片組B3和限流電阻R構(gòu)成通電回路。[0031]實(shí)施例四[0032]如圖6所示，高壓LED芯片組B2、高壓LED芯片組B4、高壓LED芯片組B5、高壓LED 芯片組B6、高壓LED芯片組B7和高壓LED芯片組B9連接組成橋式整流電路，其中高壓LED 芯片組B4和高壓LED芯片組B5串聯(lián)在同一支路上，高壓LED芯片組B6和高壓LED芯片組 B7串聯(lián)在同一支路上，而高壓LED芯片組B2的正極端串聯(lián)有小功率LED芯片LED1、負(fù)極端串聯(lián)有小功率LED芯片LED2，高壓LED芯片組B9的正極端串聯(lián)有小功率LED芯片LED4、負(fù)極端串聯(lián)有小功率LED芯片LED3。該橋式整流電路的兩端分別串聯(lián)有高壓LED芯片組Bl 和高壓LED芯片組B8、高壓LED芯片組B3和高壓LED芯片組B10。而在橋式整流電路的電流輸入端連接有限流電阻R。該電路通電時(shí)，限流電阻R、高壓LED芯片組Bi、小功率LED 芯片LEDl、高壓LED芯片組B2、小功率LED芯片LED2、高壓LED芯片組B6、高壓LED芯片組 B7、小功率LED芯片LED4、高壓LED芯片組B9、小功率LED芯片LED3和高壓LED芯片組B8 構(gòu)成通電回路；高壓LED芯片組B10、小功率LED芯片LED4、高壓LED芯片組B9、小功率LED 芯片LED3、高壓LED芯片組B5、高壓LED芯片組B4、小功率LED芯片LEDl、高壓LED芯片組 B2、小功率LED芯片LED2、高壓LED芯片組B3和限流電阻R構(gòu)成通電回路。[0033]本實(shí)用新型所述的發(fā)光二極管裝置，其輸入的交流電壓值決定了整流電路的輸出端之間的高壓LED芯片組和小功率LED芯片的數(shù)量。如果外部輸入的交流電壓值為220V左右，那么整流電路及其輸出端之間的高壓LED芯片組和小功率LED芯片就可采用如圖3至圖5所示的連接，但如果輸入的交流電壓值為IlOV左右，那整流電路可采用圖3至圖5所示的連接，但整流電路的輸出端之間的電路只能由幾個(gè)小功率LED芯片串聯(lián)構(gòu)成，而不能再串聯(lián)有高壓LED芯片組。[0034]本實(shí)用新型是通過(guò)實(shí)施例來(lái)描述的，但并不對(duì)本實(shí)用新型構(gòu)成限制，參照本實(shí)用新型的描述，所公開(kāi)的實(shí)施例的其他變化，如對(duì)于本領(lǐng)域的專業(yè)人士是容易想到的，這樣的變化應(yīng)該屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求限定的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座，包括支架及散熱組件(1)、整流電路和LED芯片組，其中所述支架及散熱組件(1)包括支撐殼體(11)及設(shè)置在支撐殼體(11)上的散熱底板(12)，其特征在于所述散熱底板(12)由導(dǎo)熱絕緣層(121)和散熱層(122)組成， 所述散熱層(122)與外部空間相通且其一側(cè)面與導(dǎo)熱絕緣層(121)緊密貼合，所述LED芯片組固定在導(dǎo)熱絕緣層(121)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座，其特征在于上述導(dǎo)熱絕緣層(121)由陶瓷或金剛石或其它非金屬制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座，其特征在于上述散熱層(122)由金屬或金屬?gòu)?fù)合材料或石墨或石墨層與金屬層或其它散熱能力強(qiáng)的非金屬制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座，其特征在于上述散熱層(122)為具有斜面結(jié)構(gòu)(1221)的散熱層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座，其特征在于上述支撐殼體(11)上設(shè)置有通孔(111)，上述導(dǎo)熱絕緣層(121)固定在所述通孔(111)內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座，其特征在于上述整流電路由至少四個(gè)高壓LED芯片組連接組成橋式整流電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座，其特征在于上述橋式整流電路的至少一個(gè)支路上串聯(lián)連接有至少一個(gè)用于調(diào)節(jié)色溫的小功率LED芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座，其特征在于上述LED 芯片組為由串聯(lián)于上述整流電路的輸出端之間的至少一個(gè)高壓LED芯片組組成或上述LED 芯片組為由串聯(lián)于上述整流電路的輸出端之間的至少一個(gè)高壓LED芯片組和至少一個(gè)用于調(diào)節(jié)色溫的小功率LED芯片連接組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座，其特征在于上述小功率LED芯片為發(fā)光波段在橙色和紅色之間的暖色LED芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座，其特征在于上述支撐殼體(11)上還設(shè)置有熒光板(13)、透鏡(14)和電源輸入端電極(16)，所述透鏡(14)覆蓋在熒光板(13)的外側(cè)面上，上述導(dǎo)熱絕緣層(121)上設(shè)置有電極層(2)，上述LED芯片組位于所述導(dǎo)熱絕緣層(121)與熒光板(13)之間且固定在所述電極層(2)上，所述導(dǎo)熱絕緣層(121)與熒光板(13)之間還填充有硅膠體(15)。
專利摘要一種具有良好熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管散熱基座，包括支架及散熱組件、整流電路和LED芯片組，其中支架及散熱組件包括支撐殼體及設(shè)置在支撐殼體上的散熱底板，而散熱底板由導(dǎo)熱絕緣層和散熱層組成，其中散熱層與外部空間相通且其一側(cè)面與導(dǎo)熱絕緣層緊密貼合，LED芯片組固定在導(dǎo)熱絕緣層上。本實(shí)用新型由于采用將散熱底板設(shè)置成由導(dǎo)熱絕緣層及散熱層復(fù)合構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，使固定在導(dǎo)熱絕緣層上的LED芯片組產(chǎn)生的熱量能夠通過(guò)該導(dǎo)熱絕緣層快速地傳遞到散熱層上并通過(guò)與外部空間相通的散熱層迅速地散發(fā)到空氣中，這樣既能夠有效地降低LED結(jié)溫，使LED芯片組的穩(wěn)定性和可靠性得到極大增強(qiáng)，而且本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造方便、成本低、使用壽命長(zhǎng)。
文檔編號(hào)F21V29/00GK202274442SQ201120404899
公開(kāi)日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月22日
發(fā)明者喻曉鵬, 宋晶晶, 張濤, 李述體, 范廣涵, 鄭樹(shù)文 申請(qǐng)人:華南師范大學(xué)