專利名稱：一種進(jìn)氣裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于等離子體處理腔室的進(jìn)氣
>J-U ρ α裝直。
背景技術(shù)：
在等離子體處理腔室中，如等離子體刻蝕或注入腔室中，工藝氣體在基片表面分配的均勻性是均勻刻蝕或均勻注入的前提和保證。之前，對(duì)于具有相對(duì)較大特征尺寸的器件，工藝氣體通過(guò)單個(gè)氣體入口通入到等離子體處理腔室中，單個(gè)入口只能在一定范圍內(nèi)保證工藝氣體在基片表面的均勻性。為了滿足氣流的需要，需要大尺寸的單個(gè)入口。然而隨著單個(gè)入口尺寸的增大，工藝氣體會(huì)在入口內(nèi)引起電弧放電。這種電弧放電不但會(huì)損壞和增大入口，而且還會(huì)轟擊入口造成濺射，污染等離子體。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，預(yù)處理基片的面積越來(lái)越大，特征尺寸越來(lái)越小，這對(duì)基片表面氣體均勻性的要求就越來(lái)越高，單個(gè)入口引起的注入均勻性較差的問題越顯突出。因此通過(guò)如何通過(guò)改善進(jìn)氣口來(lái)提高等離子體腔室中基片表面工藝氣體的均勻性，進(jìn)而提高等離子體處理的均勻性就非常重要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種進(jìn)氣裝置，可提高等離子體腔室中基片表面工藝氣體的均勻性，進(jìn)而提高等離子體處理的均勻性。為了達(dá)到上述目的 ，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:一種進(jìn)氣裝置，包括進(jìn)氣管及設(shè)置在所述進(jìn)氣管管壁和/或底部的孔陣列。上述方案中，所述進(jìn)氣管的管壁為圓柱形，所述進(jìn)氣管的底部為平板形。上述方案中，所述進(jìn)氣管的管壁為圓柱形，所述進(jìn)氣管的底部為半球形，所述進(jìn)氣管的管壁和所述進(jìn)氣管的底部結(jié)合起來(lái)為U形。上述方案中，所述進(jìn)氣管的管壁為圓柱形，所述進(jìn)氣管的底部為類球形。上述方案中，所述進(jìn)氣管的材質(zhì)為陶瓷。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案產(chǎn)生的有益效果如下:采用本發(fā)明的進(jìn)氣裝置能明顯提高等離子體腔室中基片表面工藝氣體的均勻性，進(jìn)而提高等離子體處理的均勻性。


圖1為本發(fā)明應(yīng)用在等離子體處理裝置中的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的進(jìn)氣裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的進(jìn)氣裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的進(jìn)氣裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例的提供的進(jìn)氣裝置101應(yīng)用在等離子體裝置處理腔室202的頂部中間。實(shí)施例1:如圖2所示，本實(shí)施例提供一種進(jìn)氣裝置，包括進(jìn)氣管104、連通進(jìn)氣管104和等離子處理腔室的設(shè)置在進(jìn)氣管上的孔陣列102。進(jìn)氣管104由陶瓷材料制成，以減小等離子體處理時(shí)對(duì)等離子體的污染。進(jìn)氣管104的管壁可為圓柱形，進(jìn)氣管104的底部為平板形。孔陣列102可分布在進(jìn)氣管104的管壁和底部，也可只分布在進(jìn)氣管104的管壁或底部。實(shí)施例2:如圖3所示，本實(shí)施例提供一種進(jìn)氣裝置，包括進(jìn)氣管104、連通進(jìn)氣管104和等離子處理腔室的設(shè)置在進(jìn)氣管上的孔陣列102。進(jìn)氣管104由陶瓷材料制成，以減小等離子體處理時(shí)對(duì)等離子體的污染。進(jìn)氣管104的管壁可為圓柱形，進(jìn)氣管104的底部為半球形，進(jìn)氣管104的管壁和進(jìn)氣管104的底部結(jié)合起來(lái)為U形?？钻嚵?02可分布在進(jìn)氣管104的管壁和底部，也可只分布在進(jìn)氣管104的管壁或底部。實(shí)施例3:如圖4所示，本實(shí)施例提供一種進(jìn)氣裝置，包括進(jìn)氣管104、連通進(jìn)氣管104和等離子處理腔室的設(shè)置在進(jìn)氣管上的孔陣列102。進(jìn)氣管104由陶瓷材料制成，以減小等離子體處理時(shí)對(duì)等離子體的污染。進(jìn)氣管104的管壁可為圓柱形，進(jìn)氣管104的底部為類球形。孔陣列102可分布在進(jìn)氣管104的管壁和底部，也可只分布在進(jìn)氣管104的管壁或底部。采用本發(fā)明實(shí)施例提供的進(jìn)氣裝置能明顯提高等離子體腔室中基片表面工藝氣體的均勻性，進(jìn)而提高等離子體處理的均勻性。以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種進(jìn)氣裝置，其特征在于:包括進(jìn)氣管及設(shè)置在所述進(jìn)氣管管壁和/或底部的孔陣列。
2.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣裝置，其特征在于:所述進(jìn)氣管的管壁為圓柱形，所述進(jìn)氣管的底部為平板形。
3.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣裝置，其特征在于:所述進(jìn)氣管的管壁為圓柱形，所述進(jìn)氣管的底部為半球形，所述進(jìn)氣管的管壁和所述進(jìn)氣管的底部結(jié)合起來(lái)為U形。
4.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣裝置，其特征在于:所述進(jìn)氣管的管壁為圓柱形，所述進(jìn)氣管的底部為類球形。
5.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣裝置，其特征在于:所述進(jìn)氣管的材質(zhì)為陶瓷。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于等離子體處理腔室的進(jìn)氣裝置。所述進(jìn)氣裝置，包括進(jìn)氣管及設(shè)置在所述進(jìn)氣管管壁和/或底部的孔陣列。所述進(jìn)氣管的管壁為圓柱形，所述進(jìn)氣管的底部為平板形、半球形或類球形。采用本發(fā)明的進(jìn)氣裝置能明顯提高等離子體腔室中基片表面工藝氣體的均勻性，進(jìn)而提高等離子體處理的均勻性。
文檔編號(hào)H01J37/32GK103137521SQ201110395019
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2011年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月2日
發(fā)明者屈芙蓉, 胡冬冬, 劉訓(xùn)春, 劉杰, 李超波, 夏洋 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所