專利名稱：用于熒光發(fā)光管的真空密封容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于熒光發(fā)光管(fluorescence emitting tube)，例如熒光顯示管的真空密封容器，更具體地，本發(fā)明涉及一種基板，例如構(gòu)成該真空密封容器的陽極基板。
背景技術(shù)：
圖3A和;3B顯示了傳統(tǒng)的熒光顯示管的真空容器(參考日本專利申請，公開號(hào)為 No. 2003-68189)。圖3A是該真空容器的透視截面圖，圖是該真空容器沿著圖3A中所示的Xl-Xl線的截面圖。該真空容器由陽極基板11，前基板12和側(cè)板13組成。該陽極基板 11配備了在其上形成的導(dǎo)電膜14。該導(dǎo)電膜14包括由形成熒光發(fā)光膜的薄膜制成的陽極電極和陽極導(dǎo)線等。該真空容器進(jìn)一步包括陰極電極C，其可以是熱電子發(fā)光絲(thermal electronemitting filament)。該陽極基板11、前基板12和側(cè)板13由玻璃制成且使用熔結(jié)玻璃(frit-glass，未示出)整體地粘結(jié)在一起。通常地，用于熒光顯示管的基板和側(cè)板都是由鈉鈣玻璃制成。然而，使用鈉鈣玻璃去形成配備有導(dǎo)電薄膜14的陽極基板11可能會(huì)引起遷移的問題，其會(huì)導(dǎo)致在導(dǎo)電膜14的電極和導(dǎo)線之間短路。因而，為了避免該遷移問題，該陽極基板11通常由高應(yīng)變點(diǎn)玻璃制成。此外，當(dāng)在玻璃板上形成導(dǎo)電薄膜的時(shí)候，使用薄的玻璃板以便減輕重量以利于玻璃板的處理是可取的。通常地，該玻璃板的厚度約為1. 8mm。然而，具有厚度約為1. 8mm的玻璃板的強(qiáng)度不夠用作熒光顯示管的真空容器?？紤]到這個(gè)問題，公開號(hào)為No. H07-302559 的日本專利申請建議提供與配備有導(dǎo)電薄膜的玻璃基板粘結(jié)在一起的增強(qiáng)玻璃板。圖3C 是配備有增強(qiáng)基板(reinforcing substrate) 112的陽極基板11的傳統(tǒng)真空容器的范例的截面圖。更具體地，該陽極基板11由其上形成有導(dǎo)電膜14的基板111(以下稱作導(dǎo)電膜形成基板)和與導(dǎo)電膜形成基板111粘結(jié)的增強(qiáng)基板112組成。將熔結(jié)玻璃113應(yīng)用于導(dǎo)電膜形成基板111的反面(形成導(dǎo)電膜14的基板111的表面的對面)。陽極基板11中，導(dǎo)電膜形成基板111的反面全部用熔結(jié)玻璃113覆蓋，如圖3C所示，當(dāng)該熔結(jié)玻璃113被加熱和熔化的時(shí)候，在導(dǎo)電膜形成基板111和增強(qiáng)基板112之間的氣泡不能被完全地去除或向外釋放。另外，導(dǎo)電膜形成基板111和增強(qiáng)基板112之間的空隙不能變得均一，因?yàn)榻橛趯?dǎo)電膜形成基板111和增強(qiáng)基板112之間的熔結(jié)玻璃不能以均一的厚度分散。鑒于以上解釋的涉及陽極基板11的問題，本申請的發(fā)明人已提出配備了應(yīng)用于導(dǎo)電膜形成基板211上的條形熔結(jié)玻璃層re的陽極基板21，如圖4所示。圖4A是具有陽極基板21的真空容器的截面圖，圖4B是沿著圖4A所示的X2-X2線的真空容器的截面圖， 圖4C示出了從圖4A中箭頭X3所示的方向觀察到的圖4A的真空容器，其中為了簡化，沒有標(biāo)示增強(qiáng)基板212。圖4C示出了導(dǎo)電膜形成基板211上產(chǎn)生的裂縫。圖4A中的真空容器由陽極基板21、前基板22和側(cè)板23組成。該陽極基板21包括導(dǎo)電膜形成基板211、增強(qiáng)基板212和條形熔結(jié)玻璃層re，re由長方形的條形熔結(jié)玻璃層 FGl到reil組成。導(dǎo)電膜形成基板211和增強(qiáng)基板212通過條形熔結(jié)玻璃層TOl到TOll 粘結(jié)在一起。該熔結(jié)玻璃層rei到reii長度相等且以預(yù)定的間隔排列。此外，該熔結(jié)玻璃層rei到reii排列成該熔結(jié)玻璃層的縱向兩端各自到導(dǎo)電膜形成基板211的橫向兩端即如圖4B所示導(dǎo)電膜形成基板211的上端和下端之間的距離相等。圖4A和4B中的真空容器通過在導(dǎo)電膜形成基板上形成條形熔結(jié)玻璃層能夠解決圖3A到3C中真空容器的問題。然而，圖4A和4B中的真空容器仍存在著問題。更確切地說，對于圖4A和4B中的真空容器，導(dǎo)電膜形成基板211是由具有高應(yīng)變點(diǎn)的昂貴的玻璃板制成的，而為了減少真空容器的制作成本，增強(qiáng)基板212由便宜的鈉鈣玻璃板制成。結(jié)果， 在真空容器密封過程中，當(dāng)加熱和冷卻真空容器時(shí)，導(dǎo)電膜形成基板211產(chǎn)生裂縫，如圖4C 所示。在圖4C中，該裂縫產(chǎn)生在導(dǎo)電膜形成基板211的四個(gè)位置211C上，對應(yīng)于該熔結(jié)玻璃層rei和reii的縱向兩端，即熔接最接近側(cè)板23的該熔結(jié)玻璃層rei到reii的末端的最外側(cè)。導(dǎo)電膜形成基板211和增強(qiáng)基板212之間熱膨脹系數(shù)的差別導(dǎo)致了裂縫的形成， 這是由于，當(dāng)具有不同熱膨脹系數(shù)的導(dǎo)電膜形成基板211和增強(qiáng)基板212被加熱時(shí)，過度的壓力局部性地施加到211C位置處。下面將進(jìn)一步解釋關(guān)于施加到導(dǎo)電膜形成基板211上的該壓力。在這方面，鈉鈣玻璃的熱膨脹系數(shù)是93X10_7°C，高應(yīng)變點(diǎn)玻璃的熱膨脹系數(shù)是85 X IO-V0C，熔結(jié)玻璃的熱膨脹系數(shù)是78 X IO-V0C。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本申請的目的是提供一種陽極基板，其通過條形熔結(jié)玻璃層將具有不同熱膨脹系數(shù)的導(dǎo)電膜形成基板和增強(qiáng)基板粘結(jié)在一起，從而能避免導(dǎo)電膜形成基板上形成裂縫。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種用于熒光發(fā)光管的真空密封容器，該真空密封容器包括在其上形成有導(dǎo)電膜的基板、多個(gè)條形粘合層和增強(qiáng)基板。該導(dǎo)電膜形成基板和該增強(qiáng)基板具有不同的熱膨脹系數(shù)，且通過多個(gè)條形且以一定間隔排列的粘合層粘結(jié)在一起。該多個(gè)粘合層形成選自由長方形條形和彎曲的條形組成的組中的形狀。該多個(gè)條形粘合層以相對于該多個(gè)條形粘合層中心線對稱的方式排列，并沿與連接該多個(gè)條形粘合層的縱向兩端的線垂直的方向延伸。此外，該多個(gè)條形粘合層包括外部的粘合層，其位于其余的粘合層的外側(cè)，且外部的粘合層設(shè)置為比其余的粘合層短。此外，該導(dǎo)電膜形成基板可以由高應(yīng)變點(diǎn)玻璃制成，該增強(qiáng)基板可以由鈉鈣玻璃制成，該多個(gè)條形粘合層可以由熔結(jié)玻璃制成。該多個(gè)條形粘合層包括至少兩個(gè)外部的粘合層，其排列在粘合層陣列的兩側(cè)，長度從里到外逐步變短。正如上面所描述的，根據(jù)本發(fā)明的用于真空容器的基板由具有不同熱膨脹系數(shù)的，且通過由熔結(jié)玻璃制成的多個(gè)條形粘合層粘結(jié)在一起的導(dǎo)電膜形成基板和增強(qiáng)基板組成。因?yàn)樵撊劢Y(jié)玻璃層以一定的間隔排列，包括比其余的熔結(jié)玻璃層短的外部的熔結(jié)玻璃層，因此施加到該導(dǎo)電膜形成基板上的壓力能被分散開，因而減少了施加到該導(dǎo)電膜形成基板的一部分上的壓力。因此，即使具有不同熱膨脹系數(shù)的導(dǎo)電膜形成基板和增強(qiáng)基板用條形熔結(jié)玻璃層粘結(jié)在一起，也能夠避免導(dǎo)電膜形成基板上裂縫的產(chǎn)生。此外，以逐步縮短的方式排列該外部的粘合層，能夠顯著減少施加到導(dǎo)電膜形成基板的一部分上的壓力。因而，能夠有效地避免導(dǎo)電膜形成基板上產(chǎn)生裂縫。此外，彎曲的熔結(jié)玻璃層能夠顯著地減少施加到該導(dǎo)電膜形成基板上的壓力。根據(jù)本發(fā)明，該導(dǎo)電膜形成基板和增強(qiáng)基板通過條形熔結(jié)玻璃層粘結(jié)在一起。因而，在加熱和熔化該熔結(jié)玻璃的過程中，介于導(dǎo)電膜形成基板和增強(qiáng)基板之間的氣泡能被完全釋放到外邊。另外，介于導(dǎo)電膜形成基板和增強(qiáng)基板之間的該熔結(jié)玻璃層的厚度能夠均一。


圖IA和IB是根據(jù)本發(fā)明的真空容器的陽極基板的平面示意圖，其中，圖IA說明了形成在導(dǎo)電膜形成基板上的條形熔結(jié)玻璃層的一種實(shí)施方式，圖IB說明了條形熔結(jié)玻璃層的另一種實(shí)施方式；圖2A到2D是本發(fā)明的真空容器的陽極基板的平面示意圖，說明了該陽極基板的導(dǎo)電膜形成基板上的壓力分布，其中，圖2A和2B示例了傳統(tǒng)的陽極基板；圖3A和;3B分別是傳統(tǒng)的熒光顯示管的真空容器的透視、截面圖和局部斜視截面圖；以及圖4A到4C是配備了陽極基板的另一種傳統(tǒng)的真空容器的垂直截面圖、水平截面圖和平面圖，該陽極基板具有導(dǎo)電膜形成基板和通過條形熔結(jié)玻璃層粘結(jié)在一起的增強(qiáng)基板。
具體實(shí)施例方式下面將參考圖1A、1B和圖2A到2D來描述本發(fā)明的一種實(shí)施方式。圖IA顯示了組成本發(fā)明的真空容器的基板211的一種實(shí)施方式，該基板配備了導(dǎo)電膜(未示出)。圖1所示的本發(fā)明的真空容器與圖4A所示的傳統(tǒng)真空容器的基本結(jié)構(gòu)相類似。因而，使用同樣的參考數(shù)字表明相似的組件。如圖1所示，本發(fā)明的真空容器是由前基板(沒有給出)、側(cè)板23和其上形成有導(dǎo)電膜的陽極基板、增強(qiáng)基板和條形熔結(jié)玻璃層 FGI到reii組成。該導(dǎo)電膜形成基板211和該增強(qiáng)基板通過條形熔結(jié)玻璃層rei到reii 粘結(jié)在一起。該導(dǎo)電膜形成基板211可以由高應(yīng)變點(diǎn)玻璃制成，而該增強(qiáng)基板可以由其他的玻璃例如鈉鈣玻璃制成。如圖IA所示，該熔結(jié)玻璃層rei到reii形成長方形的條形。該熔結(jié)玻璃層rei 到reii以預(yù)定的間隔排列在導(dǎo)電膜形成基板211的反面，對應(yīng)于其上形成了導(dǎo)電膜的基板 211的相對表面。熔結(jié)玻璃層rei到reii中，定位于最遠(yuǎn)離側(cè)板23的熔結(jié)玻璃層rei和 FGH具有最短的縱向長度，熔結(jié)玻璃層rei和reii旁邊的re2和reio比熔結(jié)玻璃層rei 和reii的縱向長度長，但是比其余的位于向內(nèi)的熔結(jié)玻璃層TO3到TO9的縱向長度短。因而，熔結(jié)玻璃層rei到reii排列成滿足等式rei = FGII < FG2 = fgio < FG3 = FG4 = FG5 = FG6 = FG7 = FG8 = FG9。
FGl到Rill的每一個(gè)熔結(jié)玻璃層沿著垂直中心線SLl延伸。如圖IA所示，該垂直中心線SLi通過位于該熔結(jié)玻璃層rei到reii的中心的熔結(jié)玻璃層ree，然而，如果該燒結(jié)層的數(shù)目是偶數(shù)，那么該垂直中心線通過位于中心的兩個(gè)熔結(jié)玻璃層的中間。此外，rei到 FGll的每一個(gè)熔結(jié)玻璃層的中心并排地沿著水平中心線SL2排列。因此，條形熔結(jié)玻璃層以垂直中心線SLl對稱排列。換言之，熔結(jié)玻璃層rei到TO5的排列和熔結(jié)玻璃層TO7到 FGll的排列相對垂直中心線SLl對稱。垂直中心線SLl和水平中心線SL2在導(dǎo)電膜形成基板211的中心以正交相交排列。通過設(shè)置熔結(jié)玻璃層rei到reii兩端的條形熔結(jié)玻璃層的長度更短，使得施加到導(dǎo)電膜形成基板211上的壓力分散開，所以施加到導(dǎo)電膜形成基板211上的對應(yīng)于熔結(jié)玻璃層rei、re2和re3，以及re9、reio和reii兩端的位置上的壓力變得相對地小。結(jié)果，能夠避免裂縫的產(chǎn)生。熔結(jié)玻璃層的數(shù)目不限于此處公開的數(shù)目，也就是，更短的熔結(jié)玻璃層的數(shù)目可以被任意地選擇，但是其應(yīng)該至少為1。由于根據(jù)更短的熔結(jié)玻璃層的數(shù)目來分散施加到導(dǎo)電膜形成基板上的壓力，因此，該更短的熔結(jié)玻璃層的數(shù)目越多，產(chǎn)生裂縫的機(jī)會(huì)越少。如圖IA所示的實(shí)施方式中，導(dǎo)電膜形成基板211的尺寸是91X44mm，厚度是 1.8mm。增強(qiáng)基板(未示出)的尺寸是91X44mm，與導(dǎo)電膜形成基板211的尺寸相同，厚度是1. 3mm。側(cè)板23的厚度是2. 35mm,高是3. 5mm。熔結(jié)玻璃層TOl到TOll中每一個(gè)的寬度是2mm。Si、S2和S3的距離(如圖IA所示)對應(yīng)于從該導(dǎo)電膜形成基板211的橫向末端(transverse end)分別到每一個(gè)熔結(jié)玻璃層FG3、FG2和FGl的縱向末端(longitudinal end)的距離是 Sl = 8. 35mm, S2 = 11. :35mm 和 S3 = 15. :35mm。對于熔結(jié)玻璃層 FG3 到 FG9 的距離si是相同的。從該導(dǎo)電膜形成基板211的縱向末端到該熔結(jié)玻璃部分rei的橫向末端的距離S4(如圖IA所示)是S4 = 8.35mm。每兩個(gè)熔結(jié)玻璃層的間距S5是S5 = 7.18mm。然而，這些尺寸和距離僅僅是例子，其可以任意地選擇。盡管在圖IA所示的此實(shí)施方式中，該熔結(jié)玻璃層rei到reii排列成使得其縱向沿著垂直中心線SLI延伸，但該熔結(jié)玻璃層rei到reii的縱向還可以沿著水平中心線SL2延伸。將參考圖IB來說明本發(fā)明的另一種實(shí)施方式。在該實(shí)施方式中，使用與圖IA中所示的實(shí)施方式中的類似組件相同的參考數(shù)字。圖IB是排列熔結(jié)玻璃層rei到TO9的另一種實(shí)施方式。該熔結(jié)玻璃層rei到TO9彼此間以預(yù)定的間隔排列。熔結(jié)玻璃層rei到TO4 和TO6到TO9中的每一個(gè)以彎曲的長方形條形排列，并且凸向(concaved toward)側(cè)板23。 更具體地，熔結(jié)玻璃層FGi和re9，re2和re8，re3和re7，以及FG4和FG6每一對以橢圓的弧形或圓形排列在該導(dǎo)電膜形成基板211的中心的兩側(cè)。又提供了熔結(jié)玻璃層TO5，設(shè)置為圓形，位于在該導(dǎo)電膜形成基板211的中心位置。該熔結(jié)玻璃層TO5的形狀可以是其他的形狀，例如橢圓形和長方形。熔結(jié)玻璃層re2和FG8設(shè)置為短于熔結(jié)玻璃層TO3和TO7，同樣，熔結(jié)玻璃層rei和TO9設(shè)置為短于熔結(jié)玻璃層TO2和res。條形熔結(jié)玻璃層相對于垂直中心線SLI對稱排列。換言之，熔結(jié)玻璃層rei到TO4對稱于熔結(jié)玻璃層ree到re9排列。根據(jù)該實(shí)施方式，因?yàn)槿劢Y(jié)玻璃rei到TO4和ree到re9形成彎曲形狀，施加到導(dǎo)電膜形成基板211上的壓力比圖IA中所示的沒有彎曲的熔結(jié)玻璃層rei到reii的實(shí)施方式中的壓力變得更小。結(jié)果，可以更有效地避免裂縫的產(chǎn)生。在上述實(shí)施方式中，圖IA中的熔結(jié)玻璃層rei到reii和圖IB中的熔結(jié)玻璃層rei到TO9位于該導(dǎo)電膜形成基板211的反面，在側(cè)板23限定的有限范圍內(nèi)。此外，用于形成該導(dǎo)電膜形成基板211的高應(yīng)變點(diǎn)玻璃可以是無堿玻璃或低堿玻璃(low-alkali-free glass)。此外，該導(dǎo)電膜形成基板和該增強(qiáng)基板不需要由玻璃制成，其可以由絕緣材料制成。此外，用于形成熔結(jié)玻璃層的熔結(jié)玻璃可以用粘合劑包括絕緣材料替代，而不是玻璃。將參考圖2A到2D來解釋通過模擬導(dǎo)電膜形成基板211上的壓力分布獲得的結(jié)果。圖2A所示的是傳統(tǒng)的膜基板，其具有圖4C所示的傳統(tǒng)排列方式的熔結(jié)玻璃層。圖2B 所示的是圖2A中條形熔結(jié)玻璃層引起的壓力分布。圖2C所示的是根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電膜形成基板211，其具有圖IA所示排列方式的熔結(jié)玻璃層。圖2D所示的是圖2C中熔結(jié)玻璃的排列方式引起的壓力分布。根據(jù)有限元法(finite element method)實(shí)施模擬。下面描述該模擬的條件。導(dǎo)電膜形成基板211和增強(qiáng)基板212通過熔結(jié)玻璃層rei到reii粘結(jié)在一起以形成陽極基板21，側(cè)板23與該陽極基板粘結(jié)在一起。實(shí)施模擬陽極基板21的1/4部分(圖2A和2C 中的實(shí)線標(biāo)明)。除了側(cè)板23的高度設(shè)置為1. 75mm以外，導(dǎo)電膜形成基板211、增強(qiáng)基板 212和熔結(jié)玻璃層rei到reii的尺寸與圖 α中所示的實(shí)施方式相同。此外，通過加熱陽極基板21以熔化該熔結(jié)玻璃，隨后冷卻該陽極基板21到室溫(25°C )，以使該導(dǎo)電膜形成基板211和增強(qiáng)基板212粘結(jié)在一起。該熔化的熔結(jié)玻璃的固化溫度是380°C。在圖2A所示的熔結(jié)玻璃層的排列方式中，施加到導(dǎo)電膜形成基板211上的壓力 (拉伸拉力)在位置211C11處變得最大，其位于圖2A和2B中所示的熔結(jié)玻璃層TOll的縱向末端附近，并且該壓力的最大值約是3. SOlkgf/mm2 (37. 3MPa)。在圖2C所示的熔結(jié)玻璃層的排列方式中，施加到導(dǎo)電膜形成基板211上的壓力在位置211C9、211C10和211C11處顯示出峰值，對應(yīng)于圖2C和2D中所示的熔結(jié)玻璃層TO9、FGlO和TOll每一個(gè)的縱向末端處，而在位置211C11處引起的壓力最大。在位置211C11處的最大壓力值約是1. 876kgf/ mm2 (18. 4MPa)。上述描述的位置21 ICl 1、21 IClO和211C9處的各自峰值的壓力依次變小， 位置211C9處的壓力最小。通過上述模擬獲得的結(jié)果，可以觀察到，通過排列熔結(jié)玻璃層FGl到FG11，使外側(cè)的熔結(jié)玻璃層比其余的熔結(jié)玻璃層短。導(dǎo)電膜形成基板211上壓力的峰值分散到導(dǎo)電膜形成基板211 的幾個(gè)位置上，每一個(gè)峰值的壓力相對較小。因而，能避免導(dǎo)電膜形成基板211上產(chǎn)生裂縫。上述解釋的實(shí)施方式中，配備導(dǎo)電膜的陽極基板包括陽極電極和陽極導(dǎo)線，然而， 該導(dǎo)電膜可以配備陽極基板和前基板。盡管已給出該長方形的導(dǎo)電膜形成基板，但是除非需要長方形，否則該導(dǎo)電膜形成基板可以形成多種形狀，例如正方形、菱形、梯形或平行四邊形。另外，該導(dǎo)電膜基板不需要具有與增強(qiáng)基板相同的尺寸大小。此外，此處描述的實(shí)施方式中，該真空容器至少包括四個(gè)長方形側(cè)板。然而，該四個(gè)側(cè)板可以形成一體，或如不在前基板上形成導(dǎo)電膜，該側(cè)板和前基板可以形成一體以形成帽子形狀。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，該熔結(jié)玻璃層rei到reii的每一個(gè)連續(xù)地形成，然而該長方形的熔結(jié)玻璃層可以通過許多點(diǎn)形成。另外，此處描述的熒光顯示管可以配備場發(fā)射陰極而不是熱電子發(fā)光燈絲。另外，本發(fā)明還可以應(yīng)用于其他熒光發(fā)光管或設(shè)備，如圖像顯示設(shè)備，或具有真空容器的光源。此處描述的具體實(shí)施方式
僅僅是示例性實(shí)施方式，而不限定本發(fā)明。在不離開本發(fā)明的框架下對實(shí)施方式進(jìn)行各種修改將是可以理解的。
權(quán)利要求
1.一種用于熒光發(fā)光管的真空容器，其特征在于，該真空容器包括其上形成有導(dǎo)電膜的基板，多個(gè)粘合層和增強(qiáng)基板，其中，所述其上形成有導(dǎo)電膜的基板和所述增強(qiáng)基板具有不同的熱膨脹系數(shù)，且通過所述多個(gè)粘合層粘結(jié)在一起，其中，所述多個(gè)粘合層間隔排列，多個(gè)粘合層中的每一個(gè)形成選自由長方形條形和彎曲的條形組成的組中的形狀，其中，所述粘合層以相對于該多個(gè)粘合層的中心線對稱的方式排列，并沿與連接該多個(gè)粘合層的縱向兩端的線垂直的方向延伸，以及其中，所述多個(gè)粘合層包括外部的粘合層，該外部的粘合層位于其余的粘合層的外側(cè)， 且外部的粘合層設(shè)置為比其余的粘合層短。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于熒光發(fā)光管的真空容器，其中，所述其上形成有導(dǎo)電膜的基板由高應(yīng)變點(diǎn)玻璃制成，所述增強(qiáng)基板由鈉鈣玻璃制成，所述多個(gè)粘合層由熔結(jié)玻璃制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于熒光發(fā)光管的真空容器，其中，所述多個(gè)粘合層包括至少兩個(gè)外部的粘合層，所述外部的粘合層朝外側(cè)在長度上逐步縮短。
全文摘要
本發(fā)明公開一種由具有不同熱膨脹系數(shù)的導(dǎo)電膜形成基板和增強(qiáng)基板組成的陽極基板，且該導(dǎo)電膜形成基板和增強(qiáng)基板通過設(shè)置的多個(gè)粘合層粘結(jié)在一起。當(dāng)加熱和冷卻該陽極基板的時(shí)候，該基板能夠避免在該導(dǎo)電膜形成基板上產(chǎn)生裂縫。該多個(gè)粘合層以一定的間隔排列，多個(gè)粘合層中的每一個(gè)形成選自由長方形條形和彎曲的條形組成的組中的形狀。該粘合層以相對于該多個(gè)粘合層排列的中心線對稱的方式排列，并沿與連接該多個(gè)粘合層的縱向兩端的線垂直的方向延伸。此外，該多個(gè)粘合層包括外部的粘合層部分，其位于其余的粘合層的外側(cè)，且外部的粘合層設(shè)置為比其余的粘合層短。
文檔編號(hào)H01J29/87GK102208318SQ20111007942
公開日2011年10月5日 申請日期2011年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月31日
發(fā)明者井上和, 冬木敏光, 明樂誠, 森元榮二, 田島浩二, 鈴木敏夫 申請人:雙葉電子工業(yè)株式會(huì)社