專利名稱：一種電荷檢測(cè)芯片及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMQ和集成電路IC(CMC)Q加工工藝領(lǐng)域，涉及等離子體工藝的實(shí)時(shí)監(jiān)控，特別涉及對(duì)等離子體工藝過程中的電荷狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，采用 MEMS與CMOS集成制作的電荷檢測(cè)芯片及其制備方法，特別應(yīng)用在含有低溫離子體的工藝中監(jiān)控電荷以及均勻性。
背景技術(shù)：
等離子體(plasma)是物質(zhì)在高溫或者特定激勵(lì)下的一種物質(zhì)形態(tài)，是除固體、液態(tài)和氣態(tài)以外，物質(zhì)的第四態(tài)。等離子體由離子、電子以及未電離的中性粒子的集合組成， 整體呈中性的物質(zhì)狀態(tài)。等離子體可分為高溫和低溫等離子體。低溫等離子體被廣泛應(yīng)用在微電子加工領(lǐng)域。隨著集成電路的發(fā)展，遵循摩爾定律，電路的線寬越來越小，干法的等離子加工技術(shù)給器件的精細(xì)化和高密度化提供了可能。此外，等離子體技術(shù)還被廣泛應(yīng)用 MEMS領(lǐng)域，用于薄膜的化學(xué)氣相淀積(CVD)和物理氣相淀積(PVD)，薄膜的摻雜和改性，以及圖形化。對(duì)于不同的加工目的，對(duì)等離子體的特性要求也完全不同。無論哪種等離子體加工技術(shù)，都要求等離子體有足夠高的電子和離子濃度，以及合適的電子溫度。為了獲得較大的面積和均勻淀積薄膜，或者獲得較大面積的均勻刻蝕圖形，還要求等離子體有足夠好的均勻性。目前等離子體工藝中，高密度等離子體(HDP)源使用的越來越多，但到基片表面是自由基還是離子可以用設(shè)備控制，而電荷的能量、分布以及數(shù)量卻無法通過設(shè)備控制。為了提高工藝質(zhì)量，監(jiān)測(cè)等離子體內(nèi)部電荷的分布是非常重要的。除了工藝質(zhì)量的要求，由于等離子體損傷(Plasma damage)的存在，更加劇了對(duì)了解等離子體內(nèi)部電荷行為的要求。等離子體工藝有很多優(yōu)勢(shì)，但隨著器件尺寸的減小產(chǎn)生了一個(gè)日益嚴(yán)重的問題等離子體致?lián)p傷。由于等離子加工工藝中電荷積累會(huì)導(dǎo)致MOS器件性能退化，嚴(yán)重影響器件可靠性。為了減少等離子體損傷，目前有調(diào)整工藝參數(shù)、加入保護(hù)二極管等方法。但是想要從根本上解決器件性能退化的問題，就需要控制等離子體內(nèi)電荷的種類和數(shù)量，那么在等離子工藝過程中對(duì)電荷量進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)隨著器件尺寸縮小變得越來越迫切。等離子體工藝設(shè)備是否能滿足要求，對(duì)等離子體工藝參數(shù)進(jìn)行有效提取依賴于一些診斷方法。常用等離子體特性診斷方法包括靜電探針、質(zhì)譜法、光譜法以及激光誘導(dǎo)熒光法等。這些方法各有利弊，有些只用于原子性氣體等離子體，有的用于分子性氣體等離子體，這些方法需要相互配合使用。也有一些可用于檢測(cè)等離子體致?lián)p傷的方法和結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)吸收等離子體后測(cè)試器件IV特性變化以檢測(cè)損傷，間接的調(diào)整工藝參數(shù)。這類方法是破壞性的，不能重復(fù)利用。綜上，我們既想要了解等離子體內(nèi)電荷的分布，又想得到電荷在每個(gè)像素點(diǎn)上的積累量，現(xiàn)有技術(shù)不能完全滿足測(cè)試需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種對(duì)等離子體環(huán)境中的電荷進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)的芯片及測(cè)試方法，通過實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)等離子體加工腔體內(nèi)電荷量及其分布，為調(diào)整工藝參數(shù)提供一個(gè)參考，并且所述芯片可以根據(jù)需要重復(fù)使用。在本發(fā)明的第一方面，提供了一種可用于實(shí)時(shí)監(jiān)控等離子體環(huán)境的電荷檢測(cè)芯片，該芯片包括一個(gè)基片和集成于基片之上的由若干個(gè)測(cè)試單元組成的陣列，每個(gè)測(cè)試單元又包括下極板、雙材料梁、壓阻和MOS開關(guān)，其中下極板位于基片之上；雙材料梁懸于下極板上方，由形狀相同但膨脹系數(shù)不同的兩層材料構(gòu)成，下層為結(jié)構(gòu)層，上層為金屬層；雙材料梁的形狀呈中心對(duì)稱，中部為一個(gè)大面積靶平板，該大面積靶平板平行于下極板，通過支撐梁與基片上的錨點(diǎn)連接；壓阻嵌在一支撐梁與錨點(diǎn)相連一端的結(jié)構(gòu)層中；MOS開關(guān)的漏端通過弓I線連接雙材料梁的金屬層。上述雙材料梁的形狀可以是多種多樣的，分為大面積靶平板和支撐梁兩種功能部分，其中位于中心的大面積靶平板位可以為圓形、矩形、菱形等中心對(duì)稱的形狀，支撐梁可以為直線、折線、T型等形狀。

圖1給出了幾種可選擇的雙材料梁的形狀，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明功能的芯片的雙結(jié)構(gòu)梁并不限于這幾種形狀。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，參見圖1的(e)，雙材料梁的形狀呈“亞”字狀，由兩個(gè)T型的支撐梁和一個(gè)矩形的大面積靶平板組成，即在兩根平行長(zhǎng)梁之間是一個(gè)矩形的大面積靶平板，在其平行于長(zhǎng)梁的兩條邊的中心處各伸出一根短梁，通過短梁分別連接兩根長(zhǎng)梁的中心；長(zhǎng)梁的兩端通過錨點(diǎn)固定在基片上，使雙材料梁懸空在基片之上。上述電荷檢測(cè)芯片中，負(fù)責(zé)探測(cè)外界環(huán)境變化任務(wù)的功能部件是雙材料梁。一方面，雙材料梁由兩種熱膨脹系數(shù)不同的材料組成。當(dāng)外界溫度持續(xù)升高，兩種材料會(huì)迅速升溫。由于熱膨脹，材料本身產(chǎn)生應(yīng)力，使材料的固有特性發(fā)生改變，此固有特性包括彈性模量和諧振頻率等。于此同時(shí)，兩種材料的熱膨脹系數(shù)不同，造成應(yīng)力失配，導(dǎo)致雙材料梁的一側(cè)被拉伸，另一測(cè)被壓縮，整個(gè)梁發(fā)生彎曲。利用這個(gè)原理，就可以建立溫度變化和雙材料梁形變的關(guān)系，實(shí)現(xiàn)對(duì)外界溫度的測(cè)量。另一方面，雙材料梁的金屬層用來接收電荷，并通過引線連接到MOS開關(guān)的漏端(drain)，M0S開關(guān)的源端(source)通過引線接地，MOS開關(guān)的狀態(tài)由柵(gate)控制。當(dāng)MOS開關(guān)開啟時(shí)，電荷通過溝道泄放到地。此時(shí)雙材料梁上無電荷積累，梁的應(yīng)變主要受溫度影響(其他影響很小，忽略不計(jì))。當(dāng)MOS開關(guān)閉合時(shí)，電荷無法離開雙材料梁的金屬極板(即雙材料梁中部的大面積靶平板的上層金屬)，金屬極板的作用相當(dāng)于一個(gè)電荷接收天線。當(dāng)電荷在金屬極板上積累，會(huì)使下極板由于靜電感應(yīng)的作用而產(chǎn)生感應(yīng)電荷。金屬極板(即上極板)和下極板帶著電量相等、電性相反的電荷， 于是它們之間出現(xiàn)閉合的電場(chǎng)線，上下極板相互吸引，使雙材料梁發(fā)生形變。此時(shí)，梁的應(yīng)變同時(shí)受溫度和靜電力的影響。MOS管的開關(guān)狀態(tài)切換速度可以達(dá)到ns量級(jí)，可以認(rèn)為在此時(shí)間內(nèi)梁的溫度沒有發(fā)生改變，改變的只有梁上積累的電荷量。通過計(jì)算MOS管開態(tài)和關(guān)態(tài)時(shí)壓阻的阻值變化，就可以排除溫度的影響，從而得到梁上積累的電荷量。也就是說， MOS開關(guān)開啟的步驟用于溫度校準(zhǔn)，排除溫度的影響，起到一個(gè)定標(biāo)的作用。雙材料梁的形變可以用多種方法實(shí)現(xiàn)讀出，大致可分為光學(xué)和電學(xué)讀出兩種方式。光學(xué)的方法比較準(zhǔn)確，但是需要復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)，且光路一旦確定就難以改變，很容易受到外界環(huán)境的干擾。而電學(xué)讀出的方法很多，各有利弊。本發(fā)明選擇通過壓阻效應(yīng)來體現(xiàn)雙材料梁的形變。壓阻效應(yīng)是指當(dāng)壓阻受到力的作用后，電阻率發(fā)生變化。當(dāng)雙材料梁發(fā)生形變時(shí)，嵌入梁中的壓阻會(huì)受到力的作用，其電阻率發(fā)生變化，將壓阻連接一個(gè)測(cè)試電路，通過測(cè)試電路就可以得到正比于力變化的電信號(hào)輸出。由于MOS開關(guān)持續(xù)工作在漏端接高壓的環(huán)境下，同時(shí)柵上帶有復(fù)雜的金屬互聯(lián)， 金屬互聯(lián)接收了電荷之后容易引起柵氧擊穿，使MOS管失效。所以，本發(fā)明優(yōu)選采用長(zhǎng)溝 MOS器件作為MOS開關(guān)，以及增加一個(gè)保護(hù)二極管，MOS開關(guān)的柵極通過保護(hù)二極管接地。保護(hù)二極管一端接在MOS開關(guān)的柵極，另一端接地，通常的做法是將保護(hù)二極管接在MOS開關(guān)的柵上，把電荷引導(dǎo)到基片上，基片接地。長(zhǎng)溝MOS器件和保護(hù)二極管的設(shè)計(jì)起到保護(hù)MOS 開關(guān)的作用。長(zhǎng)溝MOS器件較常規(guī)的MOSFET能承受更高的偏壓。如果片臺(tái)上的自偏壓過高，可以選用高壓MOS器件，制作方法可參考相關(guān)文獻(xiàn)，這里不加贅述。上述電荷檢測(cè)芯片中，所述雙材料梁的結(jié)構(gòu)層優(yōu)選使用絕緣材料，可以是氮化硅、 氧化硅或者多晶硅，優(yōu)選為低應(yīng)力氮化硅，其熱膨脹系數(shù)為4X10_6/K，金屬的熱膨脹系數(shù)一般在(10 20) X 10_6/Κ，兩種材料的熱膨脹系數(shù)差異很大，可以提高器件的靈敏度。進(jìn)一步的，可以在基片上設(shè)置兩個(gè)錨點(diǎn)平臺(tái)，雙材料梁架在兩個(gè)錨點(diǎn)平臺(tái)之間，支撐梁與錨點(diǎn)平臺(tái)固定連接。CMOS器件(M0S開關(guān)和保護(hù)二極管)可以安置在平臺(tái)上，錨點(diǎn)平臺(tái)上還可以制作多個(gè)通孔用于分層布線。上述雙材料梁可以對(duì)稱地在支撐梁靠近錨點(diǎn)的部位開孔，讓應(yīng)力在孔附近更加集中，該孔稱為應(yīng)力集中孔。為了獲得最大的靈敏度，可將壓阻設(shè)計(jì)為U形，環(huán)繞應(yīng)力集中孔放置，嵌入結(jié)構(gòu)層中，U形壓阻的兩端通過引線連接測(cè)試電路。所述測(cè)試電路可以是一個(gè)惠斯通電橋電路或其他形式的電路，而且，可以設(shè)計(jì)為在片測(cè)試電路或采用外接測(cè)試電路。在本發(fā)明的第二方面，提供了上述電荷檢測(cè)芯片的制備方法，采用MEMS與CMOS集成工藝制作，包括下述步驟1)選擇單晶硅片或者SOI片作為芯片基片；2)在基片上制備測(cè)試單元的下極板和下層引線；3)在下極板和下層引線上淀積犧牲層，并通過光刻定義和刻蝕犧牲層形成測(cè)試單元區(qū)域；4)在測(cè)試單元區(qū)域制備雙材料梁的結(jié)構(gòu)層和錨點(diǎn)平臺(tái)；5)通過光刻定義并刻蝕雙材料梁的結(jié)構(gòu)層和錨點(diǎn)平臺(tái)形成用于制備壓阻、MOS器件、上層引線和通孔的槽，淀積多晶硅或者外延單晶硅，離子注入形成壓阻、上層引線和通孔，接著制作結(jié)構(gòu)層材料覆蓋壓阻和MOS器件有源區(qū)，保證壓阻嵌入結(jié)構(gòu)層內(nèi)部；6)在MEMS區(qū)域形成保護(hù)層，而在CMOS區(qū)域制作MOS開關(guān)和保護(hù)二極管；7)在CMOS區(qū)域形成保護(hù)層，而去除MEMS區(qū)域的保護(hù)層，制作雙材料梁的金屬層和完成梁上的引線連接；8)結(jié)構(gòu)釋放，去除犧牲層，制得所述芯片。上述步驟2、采用物理氣相淀積或化學(xué)氣相淀積的方法制備測(cè)試單元的下極板和下層陣列引線。上述步驟幻所述犧牲層采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)方法淀積，犧牲層的材料優(yōu)選為磷硅玻璃(PSG)。上述步驟4)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積法(PECVD)淀積雙材料梁的結(jié)構(gòu)層和錨點(diǎn)平臺(tái)材料，優(yōu)選為低應(yīng)力氮化硅，然后化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)形成雙材料梁的結(jié)構(gòu)層和錨點(diǎn)平臺(tái)連接在一起的結(jié)構(gòu)。上述步驟5)光刻定義壓阻、MOS器件、引線、通孔等區(qū)域，通過反應(yīng)離子刻蝕方法 (RIE)刻蝕結(jié)構(gòu)層和錨點(diǎn)平臺(tái)，形成槽；然后LPCVD多晶硅或者外延單晶硅填充槽，優(yōu)選為單晶硅，并刻蝕或腐蝕去除多余的多晶硅或單晶硅直至露出結(jié)構(gòu)層和錨點(diǎn)平臺(tái)；接著光刻定義壓阻區(qū)域，離子注入重?fù)诫s，退火，形成壓阻；再光刻定義上層引線和通孔區(qū)域，離子注入重?fù)诫s，退火，形成上層引線和通孔；最后LPCVD結(jié)構(gòu)層材料覆蓋壓阻和有源區(qū)。上述步驟6)MEMS區(qū)域的保護(hù)層的形成可以是先LPCVD —層氧化硅，再LPCVD —層氮化硅，然后光刻定義CMOS區(qū)域，RIE去掉CMOS區(qū)域的保護(hù)層，直至露出有源區(qū)的多晶硅； 接著采用CMOS工藝制作MOS開關(guān)和保護(hù)二極管。
上述步驟7)在MOS開關(guān)和保護(hù)二極管制作完成后，依次LPCVD氧化硅和氮化硅， 形成CMOS區(qū)域的保護(hù)層，然后光刻定義和RIE刻蝕去除MEMS區(qū)域的保護(hù)層，濺射金屬形成雙結(jié)構(gòu)梁的金屬層和金屬引線。上述步驟8)光刻定義雙材料梁和錨點(diǎn)平臺(tái)，RIE刻蝕穿通結(jié)構(gòu)層材料直到犧牲層，然后濕法腐蝕犧牲層，釋放結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的第三方面，提供了利用上述電荷檢測(cè)芯片測(cè)試等離子體環(huán)境中電荷的方法，將MOS開關(guān)的源端接地，開關(guān)狀態(tài)由柵控制，通過下述步驟進(jìn)行測(cè)試1)關(guān)斷MOS開關(guān)，通過與壓阻連接的測(cè)試電路測(cè)得此時(shí)的壓阻阻值Rx'；2)打開MOS開關(guān)，通過與壓阻連接的測(cè)試電路測(cè)得此時(shí)壓阻阻值Rx"；3)根據(jù)下述公式(1)計(jì)算得到雙材料梁上因電荷積累而產(chǎn)生的靜電力F
_ α^'- χ')h =^-^-p,^
KxoCj⑴公式⑴中，Rx0是壓阻不受力時(shí)的初始阻值，G是儀表系數(shù)，α工是測(cè)試單元雙材料梁的固有參數(shù)，即雙材料梁所受到的力與發(fā)生的應(yīng)變的比值；再根據(jù)公式⑵，得到雙材料梁上積累的電荷量Q
Q2F = ^-Z
^S(2)公式O)中，S為上下極板重合部分的面積，ε為空氣的介電常數(shù)，其中所述上極板即雙結(jié)構(gòu)梁的大面積靶平板的金屬層。根據(jù)上述步驟1) 3)，通過連續(xù)測(cè)試電荷積累量，可以得到出電荷分布隨時(shí)間的變化規(guī)律；而多個(gè)測(cè)試單元以陣列的方式排列，可以檢測(cè)電荷的空間分布情況。上述每個(gè)測(cè)試單元雙材料梁的固有參數(shù)α ”可以通過下述方法在芯片制作完成后測(cè)量并記錄下來將MOS開關(guān)柵極加零電平，使MOS開關(guān)開啟，源端加正電壓Vs，通過與壓阻連接的測(cè)試電路測(cè)得此時(shí)的壓阻阻值札；然后保持MOS開關(guān)柵極加零電平，使MOS開關(guān)開啟，源端接地，通過與壓阻連接的測(cè)試電路測(cè)得此時(shí)的壓阻阻值&，根據(jù)公式⑶得Ci1
SVS2SRmG ι = —177,^T
2d2 (Ri-Ri)(3)公式(3)中，Rx0是壓阻不受力時(shí)的初始阻值，G是儀表系數(shù)，S為上下極板重合部分的面積，ε為空氣的介電常數(shù)，d為上下極板的間距，其中所述上極板即雙結(jié)構(gòu)梁的大面
6積靶平板的金屬層。本發(fā)明測(cè)試電荷的方法包括兩個(gè)測(cè)試階段，第一階段初步測(cè)試，第二階段排除溫度等干擾得到準(zhǔn)確電荷值。該測(cè)試方法的原理如下第一階段，初步測(cè)電荷階段。MOS開關(guān)關(guān)斷，雙結(jié)構(gòu)梁的金屬層積累了電荷Q，此時(shí)下極板會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷，于是在上下極板間出現(xiàn)了靜電吸合力，靜電吸合力會(huì)使梁產(chǎn)生一個(gè)靜電力F。電荷在雙結(jié)構(gòu)梁上積累產(chǎn)生電壓V
權(quán)利要求
1.一種電荷檢測(cè)芯片，包括基片和集成于基片之上的由若干個(gè)測(cè)試單元組成的陣列， 每個(gè)測(cè)試單元又包括下極板、雙材料梁、壓阻和MOS開關(guān)，其中下極板位于基片之上；雙材料梁懸于下極板上方，由形狀相同但膨脹系數(shù)不同的兩層材料構(gòu)成，下層為結(jié)構(gòu)層，上層為金屬層；雙材料梁的形狀呈中心對(duì)稱，中部為一個(gè)大面積靶平板，該大面積靶平板平行于下極板，通過支撐梁與基片上的錨點(diǎn)連接；壓阻嵌在一支撐梁與錨點(diǎn)相連一端的結(jié)構(gòu)層中； MOS開關(guān)的漏端通過引線連接雙材料梁的金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的電荷檢測(cè)芯片，其特征在于，所述測(cè)試單元還包括一個(gè)保護(hù)二極管，MOS開關(guān)的柵通過保護(hù)二極管接地。
3.如權(quán)利要求1所述的電荷檢測(cè)芯片，其特征在于，所述MOS開關(guān)為長(zhǎng)溝MOS器件。
4.如權(quán)利要求1所述的電荷檢測(cè)芯片，其特征在于，在所述測(cè)試單元中，雙材料梁架在兩個(gè)錨點(diǎn)平臺(tái)之間，支撐梁與錨點(diǎn)平臺(tái)固定連接。
5.如權(quán)利要求1所述的電荷檢測(cè)芯片，其特征在于，所述雙結(jié)構(gòu)梁對(duì)稱地在支撐梁靠近錨點(diǎn)的部位開有應(yīng)力集中孔，所述壓阻環(huán)繞一個(gè)應(yīng)力集中孔放置。
6.如權(quán)利要求1所述的電荷檢測(cè)芯片，其特征在于，所述雙材料梁的形狀呈“亞”字狀， 由兩個(gè)T型的支撐梁和一個(gè)矩形的大面積靶平板組成。
7.權(quán)利要求1所述電荷檢測(cè)芯片的制備方法，包括下述步驟1)選擇單晶硅片或者SOI片作為芯片基片；2)在基片上制備測(cè)試單元的下極板和下層引線；3)在下極板和下層引線上淀積犧牲層，并通過光刻定義和刻蝕犧牲層形成測(cè)試單元區(qū)域；4)在測(cè)試單元區(qū)域制備雙材料梁的結(jié)構(gòu)層和錨點(diǎn)平臺(tái)；5)通過光刻定義并刻蝕雙材料梁的結(jié)構(gòu)層和錨點(diǎn)平臺(tái)形成用于制備壓阻、MOS器件、 上層引線和通孔的槽，淀積多晶硅，離子注入形成壓阻、上層引線和通孔，接著制作結(jié)構(gòu)層材料覆蓋壓阻和MOS器件有源區(qū)，保證壓阻嵌入結(jié)構(gòu)層內(nèi)部；6)在MEMS區(qū)域形成保護(hù)層，而在CMOS區(qū)域制作MOS開關(guān)和保護(hù)二極管；7)在CMOS區(qū)域形成保護(hù)層，而去除MEMS區(qū)域的保護(hù)層，制作雙材料梁的金屬層和完成梁上的引線連接；8)結(jié)構(gòu)釋放，去除犧牲層，制得所述芯片。
8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，步驟幻中采用低壓化學(xué)氣相淀積法淀積磷硅玻璃制作犧牲層。
9.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)層的材料是低應(yīng)力氮化硅，步驟4)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積法淀積低應(yīng)力氮化硅，然后化學(xué)機(jī)械拋光形成雙材料梁的結(jié)構(gòu)層和錨點(diǎn)平臺(tái)連接在一起的結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，步驟6)采用低壓化學(xué)氣相淀積法依次淀積氧化硅和氮化硅，形成保護(hù)層，再光刻定義CMOS區(qū)域，反應(yīng)離子刻蝕去掉CMOS區(qū)域的保護(hù)層，直至露出有源區(qū)的多晶硅，然后制作MOS開關(guān)和保護(hù)二極管；步驟7)采用低壓化學(xué)氣相淀積法依次淀積氧化硅和氮化硅，形成CMOS區(qū)域的保護(hù)層，然后光刻定義和反應(yīng)離子刻蝕去除MEMS區(qū)域的保護(hù)層，濺射金屬形成雙結(jié)構(gòu)梁的金屬層和金屬引線。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電荷檢測(cè)芯片及其制備方法。該芯片包括雙材料懸臂梁溫度敏感結(jié)構(gòu)和利用靜電吸合原理獲取等離子體密度的結(jié)構(gòu)組成的測(cè)試單元，以應(yīng)變電阻作為獲取溫度敏感結(jié)構(gòu)和電荷收集結(jié)構(gòu)形變的測(cè)試手段，采用多個(gè)測(cè)試單元以陣列的方式排列，可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)等離子體環(huán)境中電荷在時(shí)間和空間上的積累量和分布，為實(shí)時(shí)在線測(cè)試等離子體對(duì)器件的影響提供了一種可能，且所述芯片可以多次重復(fù)使用。
文檔編號(hào)H01J37/32GK102163606SQ20111002913
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2011年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月26日
發(fā)明者劉鵬, 張大成, 李婷, 楊芳, 王瑋, 田大宇, 羅葵, 趙丹淇 申請(qǐng)人:北京大學(xué)