專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)，特別是涉及一種保護(hù)層周邊材料的改 良技術(shù)。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(以下簡(jiǎn)稱為PDP)在薄型顯示面板中，根據(jù)容易大型化、能夠進(jìn) 行高速顯示、低成本的特征，而被實(shí)用化并快速普及。當(dāng)前實(shí)用化的一般的PDP構(gòu)造中，在分別成為前面基板和背面基板的2塊對(duì)置的 玻璃基板上分別設(shè)置規(guī)則性排列的多個(gè)電極(顯示電極對(duì)或?qū)ぶ冯姌O)，以將這些各電極被 覆在上述玻璃基板上的方式設(shè)置低熔點(diǎn)玻璃等電介質(zhì)層。在背面基板的電介質(zhì)層上設(shè)置熒 光體層。在前面基板的電介質(zhì)層上設(shè)置MgO層，作為以保護(hù)電介質(zhì)層不受放電時(shí)的離子沖 擊且發(fā)射二次電子為目的的保護(hù)層。而且，將2塊基板隔著放電空間進(jìn)行內(nèi)部密封，并且， 在放電空間內(nèi)封入以Ne、Xe等惰性氣體為主體的氣體。在驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過在電極間施加電壓 以使放電產(chǎn)生，從而使熒光體發(fā)光以進(jìn)行顯示。在PDP中，強(qiáng)烈要求高效率化。作為其方案，公知有使電介質(zhì)層低介電常數(shù)化的方 法、提高放電氣體的分壓的方法。但是，當(dāng)使用這樣的方案時(shí)，存在放電起始電壓、維持 電壓會(huì)上升的問題。另一方面，公知有如果使用二次電子發(fā)射系數(shù)高的材料作為保護(hù)層的材料，則可 降低放電起始電壓、維持電壓。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)使用高效率化、耐壓低的元件帶來的低成本 化。因此，代替MgO，雖然是相同的堿土類金屬氧化物，但研究了使用二次電子發(fā)射系數(shù)更高 的&0、31<)、8&0、或使用它們彼此的固溶體(參照專利文獻(xiàn)1、2)。此外，稀土類氧化物也作 為保護(hù)膜材料進(jìn)行著研究?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1 日本特開昭52 - 63663號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2 日本特開2007 - 95436號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
但是，CaO, SrO, BaO、稀土類氧化物等與MgO相比在化學(xué)上不穩(wěn)定，較容易與空氣中或 面板內(nèi)殘留的水分、二氧化碳發(fā)生反應(yīng)，形成氫氧化物、碳酸化物。當(dāng)形成這樣的化合物時(shí)， 保護(hù)層的二次電子發(fā)射系數(shù)降低，存在不能獲得期待的程度的低電壓化的效果的問題。對(duì)于這樣的化學(xué)反應(yīng)引起的劣化，在以實(shí)驗(yàn)室級(jí)別制作少量且小型的PDP的情況 下，能夠以控制作業(yè)的環(huán)境(atmosphere)氣體的方法加以避免。但是，在現(xiàn)實(shí)中，難以在制 造工廠中對(duì)全部制造工序進(jìn)行環(huán)境管理，此外，即使是可能也會(huì)帶來高成本化。特別是在制 造大型的PDP的情況下，該問題尤為顯著。因此，盡管一直以來對(duì)二次電子發(fā)射系數(shù)高的材料的使用進(jìn)行著研究，但被實(shí)用化的還是只有MgO，未實(shí)現(xiàn)充分的低電壓化、高效率化。此外，在將MgO以外的材料作為保護(hù)層使用的情況下，由于耐離子沖擊性降低，所 以PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)的氣體引起的濺射量變大。由此，存在PDP的壽命變短的問題。本發(fā)明是鑒于上述問題而做出的，其目的在于提供一種通過使用具有良好的二次 電子發(fā)射特性的化合物從而能夠期待在低電壓驅(qū)動(dòng)下來發(fā)揮優(yōu)良的圖像顯示性能的PDP。用于解決問題的方案
為了解決上述問題，本發(fā)明是如下構(gòu)成一種PDP，其在多個(gè)電極間施加電壓使得在放 電空間內(nèi)進(jìn)行放電，通過將該放電利用熒光體轉(zhuǎn)換為可見光，從而進(jìn)行發(fā)光，其中，在面臨 所述放電空間的區(qū)域，配置包含稀土類金屬的一種以上、Sn和氧的化合物作為電子發(fā)射材 料。在上述構(gòu)成中，優(yōu)選包含稀土類金屬的一種以上、Sn和氧的化合物為結(jié)晶性化合 物，進(jìn)而，優(yōu)選是由Ln2Sn2O7 (Ln為稀土類金屬的一種以上)表示的化合物。此外，優(yōu)選稀土類金屬為選自La、Eu、Gd、Yb、Lu的一種以上，特別是為L(zhǎng)a。進(jìn)而， 優(yōu)選將所述化合物以粒子的狀態(tài)分散配置于MgO保護(hù)層上。進(jìn)而，本發(fā)明是一種PDP，其是夾著放電空間將第一面板(前面面板)和第二面板 (背面面板)對(duì)置配置而構(gòu)成的，其中，所述第一面板(前面面板)是在第一基板(前面玻璃基 板)上形成第一電極(顯示電極)、形成覆蓋該第一電極的第一電介質(zhì)層、以及在所述第一電 介質(zhì)層上形成保護(hù)層而構(gòu)成的，所述第二面板(背面面板)是在第二基板(背面玻璃基板)上 形成第二電極(尋址電極)、形成覆蓋該第二電極的第二電介質(zhì)層、以及形成熒光體層而構(gòu) 成的，其中，使所述的本發(fā)明的任一電子發(fā)射材料包含于所述保護(hù)層中?；蛘?，本發(fā)明是一種PDP，其是夾著放電空間將第一面板和第二面板對(duì)置配置而構(gòu) 成的，其中，所述第一面板是在第一基板上形成第一電極、形成覆蓋該第一電極的第一電介 質(zhì)層、以及在所述第一電介質(zhì)層上形成保護(hù)層而構(gòu)成的，所述第二面板是在第二基板上形 成第二電極、形成覆蓋該第二電極的第二電介質(zhì)層、以及形成熒光體層而構(gòu)成的，其中，使 所述的本發(fā)明的任一電子發(fā)射材料以粉末粒子的狀態(tài)分散配置于所述保護(hù)層上。此外，也可以是如下構(gòu)成在所述保護(hù)層上還以粉末粒子的狀態(tài)分散配置有以 MgO為主成分的材料。發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，由于在PDP中，包含稀土類金屬的一種以上、Sn和氧的化合物作為電子發(fā) 射材料配設(shè)于面臨放電空間的區(qū)域，該化合物與現(xiàn)有的MgO相比在化學(xué)上穩(wěn)定化，而且二 次電子發(fā)射系數(shù)高，所以可以提供能夠以低電壓來驅(qū)動(dòng)良好的圖像顯示的PDP?；蛘?，通過作為保護(hù)層如現(xiàn)有技術(shù)那樣將耐離子沖擊性高的MgO作為基底(base) 使用，與此同時(shí)，將所述化合物作為電子發(fā)射材料使用，從而能夠提供驅(qū)動(dòng)電壓低且發(fā)揮良 好的圖像顯示性能并且壽命長(zhǎng)的PDP。


圖1是用于對(duì)實(shí)施方式1的PDP的構(gòu)成進(jìn)行說明的分解立體圖。圖2是圖1所示的PDP的縱剖圖。圖3是用于對(duì)實(shí)施方式2的PDP的構(gòu)成進(jìn)行說明的分解立體圖。
圖4是圖3所示的PDP的縱剖圖。圖5是根據(jù)XPS的價(jià)電子帶光譜(valence band spectra)的測(cè)定例。圖6是根據(jù)XPS的Cls光譜的測(cè)定例。
具體實(shí)施例方式<關(guān)于本發(fā)明的化合物>
本申請(qǐng)發(fā)明人等使二次電子發(fā)射效率高但化學(xué)上不穩(wěn)定的La2O3等稀土類氧化物的原 料與各種金屬的氧化物反應(yīng)，合成涉及多種的化合物。而且，對(duì)該化學(xué)穩(wěn)定性和二次電子發(fā) 射能力詳細(xì)進(jìn)行研究的結(jié)果是，在使SnA反應(yīng)的情況下，能夠在使二次電子發(fā)射效率不太 降低的情況下提高化學(xué)上的穩(wěn)定性。而且發(fā)現(xiàn)，如果使用這些化合物，則能夠獲得與使用 MgO的情況相比驅(qū)動(dòng)電壓降低的PDP。在此，稀土類是指Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、 Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb, Lu的總稱，但只存在放射性同位素的Rn是在本發(fā)明的范圍之外 的。作為以稀土類的任一種以上、Sn、0為主成分的化合物，也可以為包含它們的非晶 質(zhì)(amorphous)狀態(tài)的化合物。但是，為了進(jìn)一步提高穩(wěn)定性，優(yōu)選為結(jié)晶性化合物。作為結(jié)晶性化合物可舉出Ln2Sn2O7相。作為L(zhǎng)n，可以是稀土類金屬的一種，也可以 包含多種。關(guān)于選擇稀土類金屬的哪一種，使用Sc、Y的化合物其二次電子發(fā)射效率不是太 高，此外Sc為高價(jià)。Ce難以成為3價(jià)，與Sn的化合物的合成并不容易。此外，f電子位于 價(jià)電子帶端的稀土類金屬其二次電子發(fā)射效率難以變高，重稀土一般為高價(jià)。從這些觀點(diǎn)來看，優(yōu)選為L(zhǎng)a、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd，特別是La較好。該Ln2Sn2O7相為擁有螢石型的結(jié)晶構(gòu)造的復(fù)合氧化物，但能夠?qū)⑾⊥令惖奈稽c(diǎn) (site)以堿土類進(jìn)行部分置換，或?qū)n的位點(diǎn)以&、Ce這樣的4價(jià)金屬、Nb、Ta等5價(jià)金 屬、IruAl等3價(jià)金屬等進(jìn)行部分置換，或?qū)?以F進(jìn)行部分置換。這樣的置換也可以同時(shí)進(jìn)行2種以上。其中，當(dāng)將稀土類的位點(diǎn)以作為堿土類的 Ca、Sr、Ba進(jìn)行部分置換時(shí)，能夠進(jìn)一步改善二次電子發(fā)射效率，故優(yōu)選。但是，當(dāng)這樣的置換量變多時(shí)，結(jié)晶構(gòu)造不能維持，存在第二相析出分離、或有損 本來的特性的情況。在置換組成中，最終主成分也需要為稀土類、Sn和0。進(jìn)而，在不進(jìn)行環(huán)境調(diào)整的通常的制造工藝中使用Ln2Sn2O7相的情況下，優(yōu)選Ln 的合計(jì)量與Sn的配合摩爾比Ln / Sn為0.995以下。這一般考慮其原因是，即使是比率為 1. 000的情況，由于組成的不均勻性，從而在稀土類氧化物原料和Sn氧化物原料的反應(yīng)過 程中，稀土類氧化物雖然是極微量但還是殘存下來了，在不進(jìn)行環(huán)境調(diào)整的條件下，其發(fā)生 碳酸化并覆蓋表面，二次電子發(fā)射系數(shù)降低了。另外，在將稀土類位點(diǎn)、Sn的位點(diǎn)進(jìn)行上述的部分置換的情況下，將結(jié)合這些置換 元素的合計(jì)的比率設(shè)定為0.995以下即可。此外，當(dāng)進(jìn)一步使該比率降低時(shí)，在某程度以 下，SnO2剩余并析出，但在這樣的狀態(tài)中，由于能夠防止成為上述那樣的堿土類多的組成， 所以也可以成為與Sr^2的混合物。作為合成包含稀土類金屬的一種以上和Sn的氧化物的方法，作為其方式可舉出固相法、液相法、氣相法。固相法為混合包含各金屬的原料粉末(金屬氧化物、金屬碳酸鹽等)，并以某程度 以上的溫度進(jìn)行熱處理使其反應(yīng)的方法。液相法為制作包含各金屬的溶液，由此使固相沉淀，或者，在基板上涂敷該溶液 后，進(jìn)行干燥，以某程度以上的溫度進(jìn)行熱處理等而成為固相的方法。氣相法是通過蒸鍍、濺射、CVD等方法獲得膜狀的固相的方法。在本發(fā)明中，也可以使用上述任一種方法。如果將上述化合物以粉末方式使用，則 通常優(yōu)選制造成本較低且也容易大量制造的固相法。接著，對(duì)于將上述化合物配設(shè)于PDP的哪一部分，只要至少配設(shè)在面臨放電空間 的區(qū)域即可。一般優(yōu)選配設(shè)在覆蓋前面板的電極的電介質(zhì)層之上。但不限于此，也可形成 于其他部位例如熒光體部、棱部(rib)表面等位置，或與熒光體混合。通過實(shí)驗(yàn)確認(rèn)了如下 內(nèi)容通過像這樣以將化合物面臨放電空間的方式進(jìn)行配設(shè)，從而當(dāng)與不使用上述化合物 的PDP相比時(shí)，有驅(qū)動(dòng)電壓降低的效果。另外，在熒光體層上配設(shè)上述化合物的情況下，優(yōu)選以無損熒光體的發(fā)光特性的 方式適當(dāng)控制配設(shè)量。接著，關(guān)于這些化合物的方式，例如當(dāng)考慮在覆蓋前面板的電極的電介質(zhì)層上形 成的情況時(shí)，只要采用如圖1、2所示，代替在電介質(zhì)層上作為通常保護(hù)層形成的MgO膜而形 成這些化合物的膜、或?qū)⑦@些粉末進(jìn)行散布的方法，或如圖3、4所示在形成MgO膜之后進(jìn)一 步形成這些化合物的膜、或?qū)@些化合物的粉末進(jìn)行散布的方法即可。不過，在代替保護(hù)層而形成這些化合物的情況下，雖然這些化合物也為高熔點(diǎn)且 是穩(wěn)定的化合物，然而與MgO相比，耐濺射性稍差，透明性也稍差。在粉末散布的情況下，還 存在透明性降低引起的亮度劣化的問題。因此，優(yōu)選如下方法作為保護(hù)層，如現(xiàn)有技術(shù)那樣使用MgO膜，并在其上，以透過 率沒有問題的級(jí)別將粉末分散散布。為了做成為透過率沒有問題的級(jí)別，可以將化合物的粉末被覆保護(hù)層的被覆率設(shè) 為20%以下。此外，粉末的粒徑只要在0. Iym IOym左右的范圍內(nèi)與單元尺寸(cell size)等相匹配地選擇即可。例如，在分散配置的情況中，可以以MgO膜上的粉末的移動(dòng)、下 落不產(chǎn)生的方式將粒徑設(shè)為3μπι以下，更優(yōu)選為Ιμπι以下。若粒徑過大，則因粒子的質(zhì)量 而有時(shí)向放電空間側(cè)下落，因此需要注意。當(dāng)做成這樣的構(gòu)成時(shí)，作為保護(hù)層如現(xiàn)有技術(shù)那樣，高熔點(diǎn)的MgO膜發(fā)揮其作用， 對(duì)于二次電子發(fā)射，本發(fā)明的化合物承擔(dān)該作用，而且由于其被覆率低，所以亮度也不會(huì)下 降，能夠獲得低電壓且壽命長(zhǎng)的PDP。此外，最近為了解決伴隨PDP的高精細(xì)化的放電延遲的問題，進(jìn)行了如下處理將 初始的電子發(fā)射效率良好的、結(jié)晶性的MgO粉末在MgO保護(hù)層上分散散布。在該情況下，使 用如下這樣的方法向MgO粉末混合有機(jī)成分并制成膏狀，在將其印刷到MgO保護(hù)層上后， 在適當(dāng)?shù)臏囟认逻M(jìn)行熱處理，除去有機(jī)成分。本發(fā)明的結(jié)晶性氧化物的粉末，由于也可以在完全相同的處理中進(jìn)行分散散布， 所以雖可以將上述的兩種膏分別印刷，但是，如果制作同時(shí)包含本發(fā)明的結(jié)晶性氧化物的 粉末和結(jié)晶性的MgO粉末的膏，在將其印刷到MgO保護(hù)層上后，在適當(dāng)?shù)臏囟认逻M(jìn)行熱處理，除去有機(jī)成分，則可以通過一次處理形成，因此更加優(yōu)選。由此，成為MgO膜、本發(fā)明的結(jié)晶性氧化物粉末、結(jié)晶性MgO粉末分別實(shí)現(xiàn)以往MgO 膜所承擔(dān)的三種功能即保護(hù)、低電壓化、放電延遲消除的作用，可分別使用最佳的功能，可 做成良好特性的PDP。另外，在本說明書中，將化合物記載為L(zhǎng)n2Sn207。但是，稀土類金屬根據(jù)其種類在3 價(jià)以外，有時(shí)其一部分成為2價(jià)、或成為4價(jià)，在該情況下會(huì)產(chǎn)生氧的過量或不足。因此，雖 然應(yīng)該更正確地記載為L(zhǎng)n2Sn2O7is，但該δ根據(jù)稀土類的種類、制造條件等而發(fā)生變動(dòng)，并 不一定為固定值。因此，雖然為了方便而如Ln2Sn2O7那樣記載，但其并不是否定氧過量或不 足的情況。<實(shí)施方式1>
接著，使用附圖對(duì)本發(fā)明的PDP的具體例進(jìn)行說明。圖1及2是表示實(shí)施方式1的PDP100的圖，圖1為該P(yáng)DP100的分解立體圖。圖 2為該P(yáng)DP100的縱剖圖(圖1、I 一 I線剖面圖)。如圖1及2所示，PDP100具有前面板1和背面板8。在前面板1和背面板8之間 形成有放電空間14。該P(yáng)DP為AC面放電型，保護(hù)層7通過將上述的化合物作為電子發(fā)射材 料使用而形成，除此之外，具有與現(xiàn)有例的PDP同樣的構(gòu)成。前面板1具備前面玻璃基板2、由形成于其內(nèi)側(cè)面(面臨放電空間14的面)的透 明導(dǎo)電膜3及總線電極4構(gòu)成的顯示電極5、以覆蓋顯示電極5的方式形成的電介質(zhì)層6、 以及形成于電介質(zhì)層6上的保護(hù)層7。顯示電極5在由ITO或氧化錫構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜3 上層疊用于確保良好的導(dǎo)電性的由Ag等構(gòu)成的總線電極4而形成。背面板8具備背面玻璃基板9、形成于其單面的尋址電極(address electrode) 10、以覆蓋尋址電極10的方式形成的電介質(zhì)層11、設(shè)置于電介質(zhì)層11的上表面的間隔壁 12、以及形成于間隔壁12之間的熒光體層。熒光體層以紅色熒光體層13 (R)、綠色熒光體 層13 (G)及藍(lán)色熒光體層13 (B)依次排列的方式形成。作為構(gòu)成上述熒光體層的熒光體，例如，作為藍(lán)色熒光體可以使用BaMgAlltlO17 Eu、作為綠色熒光體可以使用Si2SiO4 :Mn、作為紅色熒光體可以使用=Eu0前面板1及背面板8以顯示電極5和尋址電極10各自的長(zhǎng)度方向相互正交且相 互對(duì)置的方式配置，使用密封部件(未圖示)接合。在放電空間14內(nèi)封入有由He、Xe、Ne等稀有氣體成分構(gòu)成的放電氣體。顯示電極5和尋址電極10分別與外部的驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)連接，通過從驅(qū)動(dòng)電路 施加的電壓在放電空間14產(chǎn)生放電，通過伴隨放電而產(chǎn)生的短波長(zhǎng)(波長(zhǎng)147nm)的紫外線 激發(fā)熒光體層13并發(fā)出可見光。在保護(hù)層7中包含上述的化合物。在此，保護(hù)層7可以只由上述化合物形成，也可 以使上述化合物和MgO混合存在而形成保護(hù)層7。在擁有這種構(gòu)成的PDP100中，保護(hù)層7與現(xiàn)有技術(shù)相比在化學(xué)上穩(wěn)定，而且，發(fā)揮 優(yōu)良的二次電子發(fā)射特性。因此，能夠在低功率驅(qū)動(dòng)下發(fā)揮良好的圖像顯示性能。此外，由于該P(yáng)DP100即使不對(duì)制造工序的全部環(huán)境進(jìn)行管理也可以制造，所以具 有能夠以較低成本實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)。<實(shí)施方式2>接著，圖3及圖4表示實(shí)施方式2的PDP200，圖3是該P(yáng)DP200的分解立體圖。圖4為 該P(yáng)DP200的縱剖圖(圖3、I 一 I線剖面圖)。PDP200中，保護(hù)層7由MgO構(gòu)成，上述的化合物粉末20以粒子的方式配置在保護(hù) 層7上，除此之外，具有與PDP100同樣的構(gòu)造。在PDP200中，也是化合物粉末20面向放電 空間14，以面臨該放電空間14的方式配置。在擁有這樣的構(gòu)成的PDP200中，也與PDP100同樣地，發(fā)揮了優(yōu)良的圖像顯示性能 的發(fā)揮和低功率驅(qū)動(dòng)的兼顧效果。除此之外，通過存在由MgO構(gòu)成的層7，從而還具有同時(shí) 發(fā)揮該層7的各種特性(良好的耐離子沖擊性帶來的電介質(zhì)層6的保護(hù)效果和長(zhǎng)壽命化等) 的優(yōu)點(diǎn)。<PDP的制造方法>
接著，對(duì)于制作以上述實(shí)施方式1、2說明的散布了化合物粉末的PDP100、200的方法， 舉出一例進(jìn)行說明。另外，下面說明的PDP的制造方法只不過是例示，在同一發(fā)明范圍內(nèi)可 以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行變更。首先，制作前面板。在平坦的前面玻璃基板2的一主面形成多個(gè)線狀的透明電極 3。接著，在透明電極3上涂敷銀膏后，通過將該基板整體加熱從而燒結(jié)銀膏，形成總線電極 4并得到顯示電極5。用刮刀涂敷(blade coater)法在前面玻璃基板2的上述主面上以覆蓋顯示電極 5的方式涂敷包含電介質(zhì)層用玻璃的玻璃膏。其后，將該基板整體以90°C保持30分鐘使玻 璃膏干燥，接著，以580°C左右的溫度進(jìn)行10分鐘燒結(jié)。由此得到電介質(zhì)層6。接著，在得到PDP100的構(gòu)成的情況下，不在電介質(zhì)層6上形成MgO保護(hù)層，而將上 述的化合物作為厚膜形成。具體來說，將化合物粉末與載體(vehicle)、溶劑等混合，制成化 合物粉末含有率較高的膏狀，將其用印刷法等方法較薄地?cái)U(kuò)展涂敷在電介質(zhì)層6的表面。 其后進(jìn)行燒結(jié)，做成厚膜狀。另一方面，在得到PDP200的構(gòu)成的情況下，在電介質(zhì)層6上形成MgO保護(hù)層7，在 其表面散布化合物粉末。首先，在電介質(zhì)層上，通過電子束蒸鍍法成膜氧化鎂(MgO)，形成保 護(hù)層7。接著，在MgO保護(hù)層7的表面配設(shè)化合物粉末20。作為該配設(shè)方法，可例示出如下 這樣的方法準(zhǔn)備化合物粉末含有率較低的膏，在通過利用印刷法等進(jìn)行涂敷的方法、使粉 末分散散布到溶劑中的方法、使用旋涂機(jī)等的方法等將化合物粉末配置于保護(hù)層7上后， 將其以500°C左右的溫度進(jìn)行燒結(jié)。其中，在基于印刷法的情況下，在乙基纖維素(ethyl cellulose)等載體中混合本 發(fā)明的化合物粉末20，對(duì)做成膏狀的混合物進(jìn)行調(diào)整。將其通過印刷法等涂敷在MgO保護(hù) 層7上。在膏涂敷后使其干燥，以500°C左右的溫度進(jìn)行燒結(jié)。由此，形成由規(guī)定的化合物 粉末20構(gòu)成的散布層。通過以上處理來制作了前面板。以與上述前面板不同的工序制作背面板。在平坦的背面玻璃基板的一主面上以線 狀涂敷多條銀膏后，對(duì)背面玻璃基板整體進(jìn)行加熱，并通過燒結(jié)銀膏而形成尋址電極。在相鄰的尋址電極之間涂敷玻璃膏，并加熱背面玻璃基板整體而燒結(jié)玻璃膏，由 此形成間隔壁。在相鄰的間隔壁彼此之間涂敷R、G、B各色的熒光體油墨，將背面玻璃基板加熱到約500°C，將上述熒光體油墨進(jìn)行燒結(jié)，由此除去熒光體油墨內(nèi)的樹脂成分(粘合劑)等，形 成熒光體層。將這樣獲得的前面板和背面板使用密封玻璃貼合。此時(shí)的溫度為500°C左右。其 后，將密封的內(nèi)部排氣為高真空后，封入由稀有氣體構(gòu)成的規(guī)定的放電氣體。經(jīng)過以上的各制造工序，得到由上述實(shí)施方式1、2進(jìn)行說明的構(gòu)成的PDP100、 200。<實(shí)施例的性能評(píng)價(jià)實(shí)驗(yàn)>
制作實(shí)施例的化合物及PDP，進(jìn)行性能評(píng)價(jià)。下面對(duì)其內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)說明。(實(shí)施例1)
在本實(shí)施例中，對(duì)使用稀土類金屬氧化物的原料粉末和氧化錫的原料粉末的、根據(jù)固 相法的本發(fā)明的化合物的合成進(jìn)行敘述。作為起始原料，使用試劑特級(jí)以上的Ln2O3粉末(由于稀土類金屬的種類較多，所 以作為 Ln，此次使用 Y、La、Pr、Eu、Gd、Yb、Lu)&Sn02、CaC03、SrC03、BaC03。將這些原料以 各金屬離子的摩爾比成為表1的比率的方式進(jìn)行稱量，使用球磨機(jī)進(jìn)行濕式混合后，進(jìn)行 干燥，得到混合粉末。將這些混合粉末放入氧化鋁制坩堝，通過電爐在空氣中以1200°C 1300°C燒結(jié)2 小時(shí)。為了比較，將原料粉末的一部分、及MgO粉末進(jìn)行同樣的處理。將得到的粉末使用X 射線衍射法進(jìn)行分析，鑒定生成相。將結(jié)果示于表1。[表 1]
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，其在多個(gè)電極間施加電壓使得在放電空間內(nèi)進(jìn)行放電，通 過將該放電利用熒光體轉(zhuǎn)換為可見光，從而進(jìn)行發(fā)光，其中，在面臨所述放電空間的區(qū)域，配置包含稀土類金屬的一種以上、Sn和氧的化合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述化合物為結(jié)晶性化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，所述結(jié)晶性化合物為由Ln2Sn2O7 表示的化合物(其中，Ln表示稀土類金屬的一種以上)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示面板，其中，所述稀土類金屬為 選自La、Eu、Gd、Yb、Lu的一種以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示面板，其中，所述稀土類金屬為L(zhǎng) 3. ο
6.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示面板，其中，所述稀土類金屬的 一部分被Ca、Sr、Ba的任一種以上部分地置換。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示面板，其中，所述等離子體顯示面板是夾著放電空間對(duì)置配置第一面板和第二面板而構(gòu)成的，其 中，所述第一面板是在第一基板上形成第一電極、形成覆蓋該第一電極的第一電介質(zhì)層、以 及在所述第一電介質(zhì)層上形成保護(hù)層而構(gòu)成的，所述第二面板是在第二基板上形成第二電 極、形成覆蓋該第二電極的第二電介質(zhì)層、以及形成熒光體層而構(gòu)成的，所述化合物包含于所述保護(hù)層中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中，在所述保護(hù)層上還以粉末粒子的 狀態(tài)分散配置有以MgO為主成分的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示面板，其中，所述等離子體顯示面板是夾著放電空間對(duì)置配置第一面板和第二面板而構(gòu)成的，其 中，所述第一面板是在第一基板上形成第一電極、形成覆蓋該第一電極的第一電介質(zhì)層、以 及在所述第一電介質(zhì)層上形成保護(hù)層而構(gòu)成的，所述第二面板是在第二基板上形成第二電 極、形成覆蓋該第二電極的第二電介質(zhì)層、以及形成熒光體層而構(gòu)成的，所述化合物以粉末粒子的狀態(tài)分散配置于所述保護(hù)層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其中，在所述保護(hù)層上還以粉末粒子 的狀態(tài)分散配置有以MgO為主成分的材料。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠期待是較低的驅(qū)動(dòng)電壓但又發(fā)揮良好的圖像顯示性能的等離子體顯示面板。為此，在PDP(200)中，將包含稀土類金屬的一種以上、Sn和氧的化合物作為電子發(fā)射材料(化合物粉末(20))分散配置于面臨放電空間(14)的保護(hù)層(7)的表面。分散配置的化合物為了提高其穩(wěn)定性，優(yōu)選為結(jié)晶性化合物。作為結(jié)晶性化合物可舉出Ln2Sn2O7相(作為L(zhǎng)n，可以為稀土類金屬的一種，也可以包含多種)。由此，在驅(qū)動(dòng)時(shí)發(fā)揮良好的二次電子發(fā)射特性，降低PDP(200)的驅(qū)動(dòng)電壓。
文檔編號(hào)H01J9/02GK102084453SQ201080001970
公開日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2010年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月18日
發(fā)明者井上修, 奧山浩二郎, 淺野洋, 福井裕介 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社