專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)。
背景技術：
PDP為在放電單元內(nèi)利用氣體放電產(chǎn)生的真空紫外(VUV)射線激發(fā)磷光體層來顯 示圖像的顯示器裝置。因為PDP可被制成具有寬屏和高分辨率，所以它們作為下一代平板 顯示器已引起人們關注。PDP具有普通的三電極表面放電結構。三電極表面放電結構包括前基板和后基板， 其中前基板包括具有兩個電極的顯示電極，后基板與該前基板隔開一段距離布置并具有尋 址電極。顯示電極覆蓋有介電層。前基板和后基板之間的空間被障壁分隔為多個其中注入 了放電氣體的放電單元。磷光體層形成在后基板上。此外，保護層位于其上以在放電期間保護介電層免受離子撞擊。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，等離子體顯示面板(PDP)具有改進的放電特性以及
高亮度和高效率。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，PDP包括彼此面對的第一基板和第二基板、在所 述第一基板表面上的多個尋址電極、在所述第一基板上覆蓋所述尋址電極的第一介電層、 布置在所述第一基板和所述第二基板之間的空間內(nèi)并分隔多個放電單元的障壁、在所述放 電單元內(nèi)的磷光體層、以與所述尋址電極的方向基本垂直的方向布置在面對所述第一基板 的所述第二基板表面上的多個顯示電極、在所述第二基板上覆蓋所述顯示電極的第二介電 層、以及覆蓋所述第二介電層的保護層。氧化鍶(SrO)顆粒布置在所述保護層上。所述SrO顆?？砂ㄖ辽?wt%的氧化鍶。所述顆?？蛇M一步包括選自氧化鎂 (MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)、氧化鋅(ZnO)和氧化鋁(Al2O3)中的另一種氧化物。所述顆粒也可進一步包括選自氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化 鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋅(ZnO)和氧化硼(B2O4)中的至少一種氧化物；或氟。所述顆?？梢跃哂屑s50nm 約IOym的平均粒徑。所述保護層可進一步包括在所述顆粒上的涂層。所述涂層可包括氧化物。所述 氧化物可包括選自氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣 (CaO)、氧化鋅(ZnO)和氧化硼(B2O4)中的至少一種氧化物。所述涂層可包括氟。所述涂層可具有約5nm 約300nm的厚度。所述保護層可進一步包括布置在多個顆粒下的薄膜，且所述薄膜可包括氧化鎂 (MgO)。PDP可進一步包括填充在所述放電單元內(nèi)的放電氣體，且所述放電氣體可包括氙 (Xe)。氙可以以至少10%的分壓比包含于其中。


圖1為根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的PDP分解透視圖。圖2為圖1中所示PDP的第二顯示面板的局部放大截面圖。圖3為根據(jù)本發(fā)明另一個實施方式的顆粒的示意性透視圖。圖4為表示顆粒晶體生長方向的X射線衍射(XRD)結果圖。圖5為根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的PDP的效率與電壓關系圖。
具體實施例方式現(xiàn)將參照附圖描述本發(fā)明的示例性實施方式。然而，這些實施方式僅是示例性，且 本發(fā)明不限于此。在附圖中，為了清楚而將層、膜、面板、區(qū)域等厚度放大。相同的附圖標記在全文中 表示相同元件。應理解的是，當諸如層、膜、區(qū)域或基板等元件稱為在另一元件“上”時，此元 件可直接在另一元件上，或者在插入的元件上。相反，當元件稱為“直接”在另一元件“上” 時，則不存在插入的元件。圖1和圖2說明了根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的等離子體顯示面板(PDP)。圖1為 根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的PDP分解透視圖，圖2為圖1中所示PDP的第二顯示面板的局 部放大截面圖。參照圖1，本發(fā)明的等離子體顯示面板(PDP)包括第一顯示面板(或第一基 板)20和第二顯示面板(或第二基板)30，二者彼此平行布置且彼此隔開一段距離。在第一基板1上，多個尋址電極3沿第一方向(圖中的Y方向)布置，且第一介電 層5覆蓋尋址電極3。第一介電層5在防止放電期間陽離子或電子直接碰撞尋址電極3并 防止損壞尋址電極3時會積聚壁電荷。在第一介電層5上，多個障壁7布置在尋址電極3之間。圖示的障壁7具有分隔 放電空間的高度和條狀。然而，只要障壁7分隔放電空間，它們就可采用任何形狀或尺寸， 且可具有閉合形狀(如華夫餅形狀、矩陣形狀或三角形狀)以及開口形狀(如條狀)。于是，多個放電單元在各障壁7之間形成，其中形成基色磷光體層9 (如紅色、綠色 和藍色)。磷光體層9吸收真空紫外線(VUV)輻射并發(fā)出可見光。放電單元充有放電氣體， 如氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)、氙氣(Xe)和它們的混合物，使得氣體放電并發(fā)出真空紫 外線(VUV)輻射。下文中，將描述面對第一顯示面板(或第一基板)20的第二顯示面板(或第二基 板)30。首先，多個顯示電極13以與尋址電極3的第一方向基本垂直的第二方向(圖中的 X軸方向)布置在面對第一基板1的第二基板11的側面上。每個顯示電極13包括透明電 極13a和匯流電極13b。透明電極13a和匯流電極13b重疊。透明電極13a引起放電單元內(nèi)的表面放電，且可通過使用諸如ITO或IZO等透明 導體來制備，以確保放電單元的孔徑比。因為匯流電極13b對透明電極13a提供電壓信號， 且由低電阻金屬形成，所以可防止電阻降低。第二介電層15覆蓋顯示電極13。第二介電層15保護顯示電極13免受氣體放電 損壞，且在放電期間積聚壁電荷。保護層17布置在第二介電層15上。參照圖2，保護層17包括保護薄膜18和位于 此保護薄膜18上的多個顆粒19，保護層17覆蓋第二介電層15的表面(在一些實施方式中，覆蓋第二介電層15的整個表面)。保護薄膜18可包括氧化鎂(MgO)，防止第二介電層15在放電期間損壞，并防止雜 質附著第二介電層15。顆粒19包括作為主要組分的氧化鍶(SrO)。除氧化鍶之外，顆粒19還可進一步包 括其它氧化物。例如，所述氧化物可包括選自氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)、氧 化鋅(ZnO)和氧化鋁(Al2O3)中的至少一種氧化物?；诮M分的總量，氧化鍶的含量可為約 5 約 IOOwt %。顆粒19可具有平均粒徑為約50nm 約10 μ m的立方體形狀，但不限于此，且可采 用多種形狀，例如圓柱形形狀、棱柱形形狀或棱錐形形狀。顆粒19可通過多種方法制備，例如通過電熔融的單晶生長，和通過燒結的多晶形 成、氣相沉積等等。例如，包括氧化鍶的顆粒19可通過在50(TC或更高溫度下煅燒氧化鍶前 體，并隨后冷卻來制備。氧化鍶前體的非限制性實例包括醇鍶、乙酸鍶、異丙醇鍶和它們的 水合物。此外，顆粒的大小可通過研磨顆粒(如氧化鍶等)來控制。圖4為說明顆粒晶體生長方向的X射線衍射(XRD)結果圖。圖4示出了包括主要 組分氧化鍶和少量氧化鈣的顆粒的晶體生長方向(111)和(200)。氧化鍶具有針對諸如氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)和氙氣(Xe)等放電氣體的 優(yōu)異的二次電子放電特性，由此可降低維持電壓。具體地，因為其針對氙氣(Xe)的二次電 子放電特性更好，所以具有高分壓比的氙氣更適合用作放電氣體。因此，當將分壓比為約 10 約100%的氙氣(Xe)用作放電氣體時，可增加放電效率。例如在一個實施方式中，Xe 氣可具有約10 約50%的分壓比。在另一個實施方式中，Xe氣可具有約30%的分壓比。 此外，包括氧化鍶的保護層可降低維持電壓。此外，當氧化鍶制備為顆粒時，可增加比表面積，從而改進效率。在PDP中，放電單元在尋址電極3和顯示電極13交叉的位置形成。尋址放電通過 對尋址電極3和顯示電極13之間的空間施加尋址電壓(Va)進行，且向一對顯示電極13之 間的空間施加維持電壓(Vs)以通過維持放電來驅動PDP。維持放電產(chǎn)生激勵源，并激發(fā)相 應的磷光體層，使得磷光體層發(fā)出透過透明的第二基板11的可見光以顯示圖像。激勵源代 表性地包括真空紫外線(VUV)輻射。放電單元中填充的放電氣體可為氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)、氙氣(Xe)或它 們的混合物。通過包括具有氧化鍶的保護層，當包含合適分壓比的放電氣體氙氣(Xe)時， 可大大降低驅動電壓。圖5為根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的PDP的效率與電壓的關系圖。參照圖5，包含氙 氣(Xe)作為放電氣體時，在相同的維持電壓下，與包含作為主要組分的氧化鎂的保護層相 比，使用包含作為主要組分的氧化鍶的顆粒制備的保護層具有更高的發(fā)光效率。因此，實現(xiàn) 相同的發(fā)光效率需要更低的維持電壓。具體地，包含作為主要組分的氧化鍶的顆粒比包含作為主要組分的氧化鎂的顆粒 具有低約40V的維持電壓。此外，在約170V下，與氧化鎂-氙氣10% (MgO-Xe 10% )相比， 氧化鍶-氙氣30% (SrO-Xe 30% )增加了約65%的效率。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，對于諸如氙氣(Xe)等放電氣體，使用包括氧化鍶的 顆粒制備的保護層可保持低維持電壓和高亮度效力。
圖3為根據(jù)本發(fā)明另一個實施方式的顆粒的示意性透視圖。參照圖3，顆粒19涂 有涂層21。涂層21由選自氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧 化鈣(CaO)、氧化鋅(ZnO)和氧化硼(B2O4)中的至少一種氧化物形成。涂層21可通過熱或 等離子體進行表面處理。涂層21也可通過含氟氣體進行表面處理。通過表面處理形成的氧化物或氟進入顆粒19，因此顆粒19可包括選自氧化硅 (SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋅(ZnO)和氧化硼 (B2O4)中的至少一種氧化物，或氟。涂層21可具有約5nm 約300nm的厚度。涂層21包圍顆粒19，且防止顆粒19暴 露于大氣中的氧、碳和濕氣。因此，它可防止顆粒19中的氧化鍶與大氣中的氧或碳反應，或 者吸收大氣中的濕氣(這會引起透光率變差)，從而防止等離子體顯示面板(PDP)的整體亮 度降低。盡管已結合特定的示例性實施方式對本發(fā)明進行了說明，但本領域技術人員應理 解的是，可對所述實施方式進行某些修改而不背離所附權利要求書限定的本發(fā)明精神和范圍。
權利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括第一基板，所述第一基板包括多個尋址電極；第一介電層，所述第一介電層在所述尋址電極上；多個障壁，所述多個障壁在所述第一介電層上，其中所述障壁劃分出多個放電空間；第二基板，所述第二基板面對所述第一基板，且包括多個顯示電極；第二介電層，所述第二介電層在所述顯示電極上；保護層，所述保護層在所述第二介電層上；和包含SrO的至少一種顆粒，所述至少一種顆粒在所述保護層上。
2.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述至少一種顆粒進一步包括選自由 氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)、氧化鋅(ZnO)和氧化鋁(Al2O3)構成的組中的 至少一種氧化物。
3.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述至少一種顆粒進一步包括選自由 氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋅(ZnO)、 氧化硼(B2O4)和氟構成的組中的至少一種材料。
4.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述至少一種顆粒包括至少5襯％的SrO。
5.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述至少一種顆粒的平均粒徑為 50nm 10 μ m。
6.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，進一步包括在所述至少一種顆粒的至少一 部分上的涂層。
7.如權利要求6所述的等離子體顯示面板，其中所述涂層包括氧化物。
8.如權利要求7所述的等離子體顯示面板，其中所述氧化物包括選自由氧化硅 (SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼 (B2O4)和它們的組合構成的組中的材料。
9.如權利要求6所述的等離子體顯示面板，其中所述涂層含有氟。
10.如權利要求6所述的等離子體顯示面板，其中所述至少一種顆粒進一步包括選 自由氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋅 (ZnO)、氧化硼(B2O4)和氟構成的組中的至少一種材料。
11.如權利要求6所述的等離子體顯示面板，其中所述涂層的厚度為5nm 300nm。
12.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述保護層包括MgO。
13.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述放電空間包括選自由氦氣(He)、 氖氣(Ne)、氬氣(Ar)和氙氣(Xe)構成的組中的至少一種放電氣體。
14.如權利要求13所述的等離子體顯示面板，其中所述放電氣體包括分壓比為至少 10%的 Xe。
15.如權利要求13所述的等離子體顯示面板，其中所述放電氣體包括分壓比為10% 50%的 Xe。
16.如權利要求14所述的等離子體顯示面板，其中所述Xe具有30%的分壓比。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)。所述PDP包括彼此面對的第一基板和第二基板、布置在所述第一基板表面上的多個尋址電極、覆蓋所述尋址電極的第一介電層、布置在所述第一基板和第二基板之間并分隔多個放電單元的障壁、布置在所述放電單元內(nèi)的磷光體層、以與所述尋址電極基本垂直的方向布置在面對所述第一基板的所述第二基板表面上的多個顯示電極、覆蓋所述顯示電極的第二介電層、以及覆蓋所述第二介電層的保護層。所述保護層包括氧化鍶(SrO)顆粒。
文檔編號H01J17/16GK101996835SQ20101025891
公開日2011年3月30日 申請日期2010年8月18日 優(yōu)先權日2009年8月19日
發(fā)明者林成炫, 金榮奇 申請人:三星Sdi株式會社