專利名稱：激光驅(qū)動光源的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種激光驅(qū)動光源。尤其涉及作為半導體、液晶基板及彩色過濾器的 曝光工藝中使用的曝光裝置、數(shù)字影院用的圖像投影裝置、光學分析裝置的光源使用的激 光驅(qū)動光源。
背景技術：
近年來，上述曝光工藝中使用的曝光裝置、數(shù)字影院用的圖像投影裝置、及光學分 析裝置等中使用的光源除了要求所需波長區(qū)域的發(fā)光強度足夠以外，還要求使用壽命較長。該領域中使用的光源是在封入有水銀或稀有氣體(氙氣)的玻璃管球內(nèi)、在電極 之間產(chǎn)生電弧放電的類型，但因電極暴露于電弧放電中，因此難以避免變?yōu)闃O度的高溫并 蒸發(fā)的情況。從電極蒸發(fā)的金屬附著到管球內(nèi)壁面，改變紫外線區(qū)域的波長透過性，因此隨著 點燈時間的經(jīng)過，會出現(xiàn)光源的發(fā)光強度和光譜逐漸改變的問題。針對這一問題現(xiàn)有技術中研究了各種對策。例如專利文獻1的圖7所示的激光驅(qū) 動光源中，從外部使激光光線聚光到石英燈泡內(nèi)封入的氣體，通過激光光線使石英燈泡內(nèi) 封入的氣體激勵，從而產(chǎn)生等離子體，獲得和封入氣體的成分組成對應的光譜分布的穩(wěn)定 的發(fā)光強度及發(fā)光中心位置的光源。專利文獻1的激光驅(qū)動光源使激光照射到石英燈泡內(nèi)封入的放電氣體，激勵放電 氣體而生成高溫等離子體，并且對該高溫等離子體照射激光。但照射到高溫等離子體的激光并不是全部被高溫等離子體吸收，透過高溫等離子 體的激光與從石英燈泡發(fā)出的光同時射出的情況變得頻繁。已經(jīng)可以確認，透過了高溫等 離子體的激光的強度相對石英燈泡發(fā)出的光達到了無法忽略的比較高的程度。因此，可能 出現(xiàn)激光驅(qū)動光源的外圍設備等暴露于透過了高溫等離子體的激光光線而被破壞的問題。 而在上述激光驅(qū)動光源中，未研究對透過了高溫等離子體的激光的對策。圖13是表示專利文獻2公開的、現(xiàn)有的激光驅(qū)動光源的基本構成的構成圖。圖13所示的激光驅(qū)動光源130具有激光振蕩器131，振蕩脈沖狀的激光光線；光 學系統(tǒng)部件132、133，使激光為適當?shù)男螤畈魉?；聚光用光學系統(tǒng)部件134，使傳送的激 光聚光到管球內(nèi)的焦點；管球135，封入有氙氣等稀有氣體、氬氣及水銀蒸氣等；以及反射 光學系統(tǒng)部件136，使透過管球135的激光再次入射到管球內(nèi)。該激光驅(qū)動光源130使來自激光振蕩器131的激光光線通過光學系統(tǒng)部件132、 133形成適當?shù)男螤?，在所需的光路中傳送，并通過聚光用光學系統(tǒng)部件134聚光，集中到 管球135內(nèi)的焦點位置。在管球135的焦點上，通過激光的強電場(高能量密度)，封入氣 體等離子體化，從該等離子體進行含有紫外線的光譜的放射。未用于等離子體生成的激光 入射到反射光學系統(tǒng)部件136，在此被反射，再次聚光到管球135內(nèi)的焦點。上述激光驅(qū)動光源130在管球內(nèi)不存在電極，因此通過其蒸發(fā)、濺射的影響，發(fā)光強度、光譜不變化，可實現(xiàn)較長壽命。此外，上述激光驅(qū)動光源130的發(fā)光中心位置在來自 外部的激光的焦點位置上確定，因此可總能保持穩(wěn)定，并且不會因管球的更換而發(fā)生變化。 上述激光驅(qū)動光源130在上述各方面而言較為有利。但在圖13所示的激光驅(qū)動光源130起動時，管球135內(nèi)封入的水銀基本不蒸發(fā)， 因此管球135內(nèi)的水銀蒸氣壓力非常低。而現(xiàn)有的激光驅(qū)動光源130從管球135中去除了 電極，因此無法使管球135內(nèi)的水銀充分蒸發(fā)，無法使管球135內(nèi)的水銀蒸氣壓力上升。因此現(xiàn)有的激光驅(qū)動光源130存在以下問題放出到管球135外部的水銀的發(fā)光 強度極低，且聚光到管球135內(nèi)的焦點的激光光線基本上未被水銀蒸氣吸收，而放出到管 球135的外部。但在圖13所示的激光驅(qū)動光源130中，對于管球135內(nèi)的水銀蒸氣壓力較低而產(chǎn) 生的上述問題，沒有進行任何研究。并且上述問題不限于將水銀作為發(fā)光用金屬封入到管 球135時，在將水銀以外的其它發(fā)光用金屬封入到管球135時當然也會發(fā)生。專利文獻1 美國 US2007/0228300A1專利文獻2 日本特開昭61-193358號公報

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是，一種激光驅(qū)動光源，使激光光線聚光到管球內(nèi)封入的放電 介質(zhì)，通過激光光線激勵放電介質(zhì)，生成等離子體，其中，遮蔽未被管球內(nèi)生成的等離子體 吸收而透過該等離子體的激光光線。并且，本發(fā)明的目的是，一種激光驅(qū)動光源，使激光光 線聚光到管球內(nèi)封入的發(fā)光用金屬，通過激光光線激勵發(fā)光用金屬，生成等離子體，其中， 使管球內(nèi)的發(fā)光用金屬的蒸氣壓力保持高狀態(tài)，在管球內(nèi)形成穩(wěn)定的等離子體。技術方案1的發(fā)明為了解決上述課題，是一種激光驅(qū)動裝置，具有封入有放電介 質(zhì)的管球，通過聚光到上述管球內(nèi)的激光光線在上述管球內(nèi)生成等離子體，其特征在于，上 述管球內(nèi)設有光線遮蔽部件，該光線遮蔽部件遮蔽透過上述管球內(nèi)生成的等離子體的激光 光線。技術方案2的發(fā)明的特征在于，在技術方案1所述的激光驅(qū)動光源中，上述放電介 質(zhì)是金屬，上述光線遮蔽部件吸收透過上述管球內(nèi)生成的等離子體的激光光線并發(fā)熱。技術方案3的發(fā)明的特征在于，在技術方案2所述的激光驅(qū)動光源中，上述光線遮 蔽部件上設有光束擋板，該光束擋板對透過上述管球內(nèi)生成的等離子體的激光光線進行反 射引導并吸收。 技術方案4的發(fā)明的特征在于，在技術方案2所述的激光驅(qū)動光源中，上述光線遮 蔽部件進行了用來提高其輻射率的表面加工。技術方案5的發(fā)明的特征在于，在技術方案2所述的激光驅(qū)動光源中，上述光線遮 蔽部件上設有間距在liim 1mm范圍內(nèi)的凹凸部。技術方案6的發(fā)明的特征在于，在技術方案2所述的激光驅(qū)動光源中，在上述光線 遮蔽部件的、被透過上述管球內(nèi)生成的等離子體的激光光線照射的表面上燒結有鎢粉。技術方案7的發(fā)明的特征在于，在技術方案2所述的激光驅(qū)動光源中，上述光線遮 蔽部件由鎢、鉬、鉭及錸中的任意一種以上的金屬構成。技術方案8的發(fā)明的特征在于，在技術方案2所述的激光驅(qū)動光源中，上述管球內(nèi)封入的放電介質(zhì)包括水銀。技術方案9的發(fā)明的特征在于，在技術方案1所述的激光驅(qū)動光源中，上述管球內(nèi) 封入的放電介質(zhì)包括水銀及稀有氣體的任意一種以上。技術方案10的發(fā)明的特征在于，在技術方案1所述的激光驅(qū)動光源中，上述光線 遮蔽部件由支持部件支持，該支持部件向上述管球內(nèi)伸出地配置。技術方案11的發(fā)明的特征在于，在技術方案1所述的激光驅(qū)動裝置中，上述管球 內(nèi)具有彼此相對配置的一對電極。技術方案12的發(fā)明的特征在于，在技術方案11所述的激光驅(qū)動光源中，上述光線 遮蔽部件由固定在上述電極上的支持部件支持。技術方案13的發(fā)明的特征在于，在技術方案1所述的激光驅(qū)動光源中，上述光線 遮蔽部件具有反射面，該反射面反射透過上述管球內(nèi)生成的等離子體的激光光線。技術方案14的發(fā)明的特征在于，在技術方案13所述的激光驅(qū)動光源中，上述光線 遮蔽部件的反射面是散射反射面。技術方案15的發(fā)明的特征在于，在技術方案13所述的激光驅(qū)動光源中，在上述管 球的外部設置光線吸收部件，該光線吸收部件吸收通過上述光線遮蔽部件的反射面反射的 激光光線。技術方案16的發(fā)明的特征在于，在技術方案1所述的激光驅(qū)動光源中，具有反射 上述等離子體射出的光線的凹面反射鏡，該凹面反射鏡配置為焦點位置相對上述管球內(nèi)生 成的等離子體一致。技術方案17的發(fā)明的特征在于，在技術方案16所述的激光驅(qū)動光源中，上述凹面 反射鏡中，在聚光到上述管球內(nèi)的激光光線的光軸上設有開口，在上述凹面反射鏡的開口 上配置用于使激光光線聚光到上述管球內(nèi)的光學部件。本發(fā)明的激光驅(qū)動光源為了在管球內(nèi)生成、保持等離子體，對管球內(nèi)封入的放電 介質(zhì)照射激光光線，由于在管球內(nèi)設置激光光線遮蔽部件，因此可切實遮蔽未被管球內(nèi)生 成的等離子體吸收而透過該等離子體的激光光線，所以不會發(fā)生激光驅(qū)動光源的外圍設備 等暴露于透過管球內(nèi)的等離子體的激光光線而被破壞的問題。進一步，本發(fā)明的激光驅(qū)動光源在管球內(nèi)設置光線遮蔽部件，用于將透過了在管 球的焦點上生成的等離子體的激光光線吸收并發(fā)熱，因此當管球內(nèi)封入的放電介質(zhì)是金屬 時，可獲得以下效果。吸收激光光線并發(fā)熱的光線遮蔽部件根據(jù)普朗克法則向管球放射紅外 遠紅外 的波長區(qū)域的光，輻射加熱管球，使管球高溫化，并使管球內(nèi)封入的金屬的蒸氣壓力上升。 在該狀態(tài)的管球內(nèi)，通過管球內(nèi)聚光的激光光線，金屬切實被激勵，在管球內(nèi)的焦點位置生 成穩(wěn)定的等離子體。因此，根據(jù)本發(fā)明的激光驅(qū)動光源，可以較高水準使管球內(nèi)生成的等離 子體放出的光的輸出穩(wěn)定。


圖1是表示本發(fā)明的第1實施例的激光驅(qū)動光源的基本構成的圖。圖2是放大表示圖1所示的激光驅(qū)動光源的管球的圖。圖3是表示本發(fā)明的第1實施例的激光驅(qū)動光源的變形例的圖。
圖4是表示本發(fā)明的第1實施例的激光驅(qū)動光源的變形例的圖。圖5是表示本發(fā)明的第1實施例的激光驅(qū)動光源的變形例的圖。圖6是表示本發(fā)明的第1實施例的激光驅(qū)動光源的變形例的圖。圖7是表示本發(fā)明的第2實施例的激光驅(qū)動光源的基本構成的圖。圖8是放大表示圖7所示的激光驅(qū)動光源的管球的圖。圖9是表示本發(fā)明的第2實施例的激光驅(qū)動光源的變形例的圖。圖10是表示本發(fā)明的第2實施例的激光驅(qū)動光源的變形例的圖。圖11是表示本發(fā)明的第3實施例的激光驅(qū)動光源的基本構成的圖。圖12是放大表示圖11所示的激光驅(qū)動光源的管球的圖。圖13是表示現(xiàn)有的激光驅(qū)動光源的基本構成的圖。
具體實施例方式(第1實施例的激光驅(qū)動光源)圖1是表示本發(fā)明的第1實施例的激光驅(qū)動光源的基本構成的截面圖。本實施例 的激光驅(qū)動光源是管球內(nèi)不具有電極的、無電極型光源。并且，本實施例的激光驅(qū)動光源具 有光線遮蔽部件，通過吸收未被等離子體吸收而透過等離子體的激光光線來進行遮蔽。激光驅(qū)動光源100具有碗狀的凹面反射鏡1，覆蓋管球3的周圍而配置，具有光 射出開口 12 ；光學系統(tǒng)部件2，使激光光線L1聚光到管球3內(nèi)的焦點F ；管球3，與凹面反射 鏡1的焦點F —致地配置，封入有放電介質(zhì)；激光源4，向管球3連續(xù)或脈沖狀地射出激光 光線。在凹面反射鏡1的焦點F上，從激光源4射出的激光光線L1通過光學系統(tǒng)部件2被 聚光，封入到管球3內(nèi)的放電介質(zhì)通過激光光線L1被激勵，生成等離子體P。管球3具有旋轉(zhuǎn)橢圓形的密封空間35，在該密封空間S內(nèi)，例如水銀作為放電介質(zhì) 封入。管球3內(nèi)封入的水銀的封入量是2 70mg/CC。此外，除了水銀外，也可將鎘、鋅、錫 等金屬作為放電介質(zhì)封入。管球3配置為，相對于凹面反射鏡1，密封部32位于凹面反射鏡1的光射出開口 12 一側(cè)，因此激光光線L1不會被密封部32遮住。凹面反射鏡1具有例如旋轉(zhuǎn)拋物面形狀的反射面11 ；使等離子體P發(fā)出的光向 凹面反射鏡1的外部放出的光射出開口 12 ；用于將激光光線L1導入到凹面反射鏡1的內(nèi) 部的后方開口 13。在該焦點F上生成的等離子體P發(fā)出的光向前方(紙面右方)反射，使 平行光從光射出開口 12射出。反射面11由反射管球3發(fā)出的光LX的電介質(zhì)多層膜構成。反射面11例如由如 下構成的電介質(zhì)多層膜構成交互層疊由高折射率材料構成的層和由低折射率材料構成的 層而成。例如，反射面11由交互層疊Hf02 (氧化鉿)及Si02 (氧化硅)而成的電介質(zhì)多層 膜構成，或由交互層疊Ta205 (氧化鉭)及Si02 (氧化硅)而成的電介質(zhì)多層膜構成。此外，反射面11不限于旋轉(zhuǎn)拋物面形狀，也可是旋轉(zhuǎn)橢圓形。凹面反射鏡1的后方開口 13與激光光線L1的光軸LA—致地形成，配置有光學系 統(tǒng)部件2。通過將后方開口 13配置在激光光線L1的光軸LA上，不會減少反射面11的有效 反射面積。此外，如專利文獻1的圖2所示，將用于將激光光線導入到凹面反射鏡內(nèi)的開口 形成在凹面反射鏡的側(cè)面時，減少了有效反射面積。
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光學系統(tǒng)部件2是使激光光線L1聚光到管球3內(nèi)的焦點位置的透鏡。激光源4可 使用脈沖驅(qū)動、CW驅(qū)動、或同時利用它們的驅(qū)動方式的激光，振蕩對放電介質(zhì)的激勵具有足 夠強度的激光光線L1。激光光線L1在可視 紅外的波長區(qū)域、例如1.06i!m處具有峰值。圖2是放大表示圖1的激光驅(qū)動光源的管球3的圖。管球3如圖2(A)所示，具有 發(fā)光部31，內(nèi)部具有旋轉(zhuǎn)橢圓形的密封空間35，大致形成為球狀；柱狀的密封部32，與發(fā)光 部31的端部連續(xù)形成，通過例如鉬構成的金屬箔33氣密地密封。并且發(fā)光部31的內(nèi)部具 有密封空間35。此外在圖2所示的例子中，僅在發(fā)光部31的一端具有密封部32。密封部32中埋設有支柱34，用于支持光線遮蔽部件S1。該支柱34的根部與金屬 箔33連接，其前端部伸出到密封空間35內(nèi)，并且在密封空間35內(nèi)支持光線遮蔽部件S1。管球3內(nèi)配置的光線遮蔽部件S1是吸收透過了管球3內(nèi)的焦點F上生成的等離 子體P的激光光線L2的板狀部件。光線遮蔽部件S1為了有效吸收透過等離子體P的激光光線L2，在和激光光線的焦 點F相比位于激光光線L2的前進方向的密封部32側(cè)，與激光光線L1的光軸LA正交配置。此外，和光線遮蔽部件S1的光軸LA正交的方向的寬根據(jù)激光光線L1的入射角及 管球3的焦點F、與光線遮蔽部件S1之間的距離來適當設定。光線遮蔽部件S1由下述物質(zhì)構成其可吸收激光源4發(fā)出的可視 紅外的波長區(qū) 域的激光光線，并且高溫時不會熔融，具有良好的耐熱性。構成光線遮蔽部件S1的物質(zhì)例 如是含有鎢、鉬、鉭及錸的任意一種以上的金屬。接著參照圖2說明圖1所示的第1實施例的激光驅(qū)動光源100的動作。圖2(A) 表示激光驅(qū)動光源的起動初期的狀態(tài)，圖2(B)表示激光驅(qū)動光源的常規(guī)時期的狀態(tài)。(起動時期)首先參照圖2 (A)說明激光驅(qū)動光源起動時的動作。以下將使激光光線L1開始聚 光到管球3內(nèi)的焦點F、到作為管球3內(nèi)封入的放電介質(zhì)的發(fā)光用金屬完全蒸發(fā)為止的期 間，稱為起動時期。從激光源4振蕩的連續(xù)或脈沖狀的激光光線L1通過光學系統(tǒng)部件2聚光到管球 3內(nèi)的焦點F。在激光驅(qū)動光源起動時，管球3內(nèi)的發(fā)光用金屬的蒸氣壓力非常低，因此聚 光到焦點F的激光光線L1的全部能量未消耗于等離子體的生成，而在管球3內(nèi)的焦點F上 形成極小的等離子體P。S卩，雖然聚光到管球3內(nèi)的焦點F的激光光線L1的大部分通過焦點F，但其被光線 遮蔽部件S1吸收，防止其放出到管球3的外部。光線遮蔽部件S1吸收激光光線L2并發(fā)熱，如圖2(A)所示，向管球3的發(fā)光部31 輻射紅外 遠紅外的波長區(qū)域的熱線T1，輻射加熱發(fā)光部31，使管球3內(nèi)封入的發(fā)光用金 屬的蒸氣壓力上升。與之相伴，管球3內(nèi)的焦點F上形成的等離子體P逐漸變大，發(fā)光強度 逐漸增加。(常規(guī)時期)接著參照圖2(B)說明激光驅(qū)動光源常規(guī)時的動作。以下將管球3內(nèi)的發(fā)光用金 屬的蒸氣壓力以規(guī)定水平穩(wěn)定、焦點F上形成的等離子體P的大小變?yōu)楹愣ǖ臅r期稱為常 規(guī)時期。在常規(guī)時期，通過管球3內(nèi)的焦點F上聚光的激光光線L1，發(fā)光用金屬切實被激
7勵，焦點F上形成的等離子體P集束為一定的大小，從等離子體P以規(guī)定的水平放出穩(wěn)定強 度的光。管球內(nèi)作為發(fā)光用金屬封入水銀時，例如波長365nm的i線放出到發(fā)光部31的外部。在常規(guī)時期，使激光光線L1持續(xù)照射等離子體P。這是因為這樣一來使管球3內(nèi) 生成的等離子體P不消失。照射到等離子體P的激光光線L1中的一部分不被等離子體P 吸收，而通過焦點F (參照圖2⑶的L2)。例如，將1KW的YAG激光照射到管球內(nèi)時，透過等 離子體P的激光光線L2的輸出約為150W。透過等離子體P的激光光線L2被光線遮蔽部件S1吸收。光線遮蔽部件S1吸收 激光光線L2并發(fā)熱，如圖2(B)所示，向管球3的發(fā)光部31輻射紅外 遠紅外的波長區(qū)域 的熱線T1，輻射加熱管球3的發(fā)光部31。與之相伴，在常規(guī)時期的管球3中，發(fā)光部31總是處于高溫狀態(tài)，發(fā)光用金屬完全 蒸發(fā)，在蒸氣壓力較高的狀態(tài)下穩(wěn)定，因此通過發(fā)光用金屬切實吸收激光光線L1。因此，管 球3內(nèi)生成的等離子體P不會消失，從等離子體P以規(guī)定的水平放出穩(wěn)定強度的光。因此，本發(fā)明的激光驅(qū)動光源100因設有光線遮蔽部件S1，其吸收透過了管球3內(nèi) 生成的等離子體P的激光光線L2，而具有如下效果。第1，透過了管球3內(nèi)生成的等離子體P的激光光線L2切實被光線遮蔽部件S1遮 蔽，因此激光驅(qū)動光源100的外圍設備不會產(chǎn)生下述問題因曝露到透過了管球3內(nèi)生成的 等離子體P的激光光線L2而被破壞。 第2，光線遮蔽部件吸收未被等離子體P吸收而透過它的激光光線L2并發(fā)熱，使作 為管球3內(nèi)密封的放電介質(zhì)的發(fā)光用金屬的蒸氣壓力迅速上升，并且可以較高水平穩(wěn)定， 從而使管球3內(nèi)生成的等離子體P不消失而被保持，所以可從等離子體P放出穩(wěn)定的輸出 的光。圖3是表示第1實施例的激光驅(qū)動光源的變形例的截面圖。在該圖中，激光源及 光學系統(tǒng)部件和圖1所示的激光驅(qū)動光源通用，因此省略圖示，僅圖示管球。圖3的激光驅(qū) 動光源101除了光線遮蔽部件S2的形狀與圖1、2所示的光線遮蔽部件S1不同外，具有和 第1實施例的激光驅(qū)動光源100相同的構成，因此對和圖1、2共同的構成標以和圖1、2相 同的標記，并省略說明。如圖3㈧所示，光線遮蔽部件S2在透過了等離子體P的激光光線L2的照射側(cè)的 表面S21中，形成朝向其內(nèi)側(cè)而V字型逐漸變窄的多個光束擋板S22。光束擋板S22如圖 3(B)所示，通過向反射面S23、S24涂敷炭黑、或在反射面S23、S24上燒結微粒子的鎢粉，可 有效地吸收、衰減入射到光束擋板S22的激光光線L2。此外，光束擋板S22所成的角度0被設定為不會發(fā)生激光光線L2未被吸收、溢出 到光束擋板S22的外部的程度的角度。光線遮蔽部件S2如上所述，多個光束擋板S22形成在激光光線L2的照射側(cè)的表 面S21上，透過了管球3內(nèi)的等離子體P的激光光線L2被高效吸收，因此是易于發(fā)熱的構造。說明光線遮蔽部件S2的光束擋板S22的功能。如圖3(B)所示，透過了等離子體 P的激光光線L2照射光束擋板S22的一個反射面S23時，無法被該光束擋板的一個反射面 S23吸收的激光光線L2向光束擋板S22的另一個反射面S24反射。
如上所述，構成光束擋板S22的槽的角度0被設定為入射的激光光線L2不會溢 出到光束擋板S22的外部的角度。因此，入射到光束擋板S22內(nèi)的激光光線L2向光束擋板 S22的內(nèi)側(cè)多次被反射引導，最終被光束擋板S22完全吸收。圖3所示的激光驅(qū)動光源101如上所述，在光線遮蔽部件S2的、被激光光線L2照 射的一側(cè)的表面S21上，形成多個光束擋板S22。光束擋板S22高效吸收透過了管球3的焦點F上生成的等離子體P的激光光線 L2，因此光線遮蔽部件L2易于發(fā)熱。光線遮蔽部件S2向管球3的發(fā)光部31輻射紅外 遠 紅外的波長區(qū)域的熱線T1，輻射加熱管球3的發(fā)光部31。因此，激光驅(qū)動光源101中，管球3內(nèi)的發(fā)光用金屬的蒸氣壓力進一步迅速上升的 同時，以較高的水平穩(wěn)定，管球3內(nèi)生成的等離子體P不會消失地被保持，所以可從等離子 體P放出穩(wěn)定的輸出的光。此外，光線遮蔽部件S2不限為通過圖3所示的V字型的光束擋板S22吸收透過了 高溫等離子體P的激光的部件。光線遮蔽部件S2例如可以是對由高熔點金屬構成的基板的表面進行黑色防腐蝕 鋁處理或涂敷炭黑的部件，也可是含有有機色素或有機顏料的陶瓷基板，還可是通過燒結 等將微粒子的鎢粉附著到光線遮蔽部件S2表面的部件。這樣一來，光線遮蔽部件S2的實際表面積增加，吸收透過了管球3內(nèi)生成的等離 子體P的激光光線L2，并易于發(fā)熱，可有效輻射加熱管球3的發(fā)光部31。圖4是表示第1實施例的激光驅(qū)動光源100的變形例的截面圖。在該圖中，激光 源及光學系部件和圖1所示的激光驅(qū)動光源相同，省略圖示，僅圖示管球。圖4的激光驅(qū)動光源102除了光線遮蔽部件S3的形狀和圖1、2所示的光線遮蔽 部件S1不同外，具有和第1實施例的激光驅(qū)動光源100相同的構成，因此對和圖1、2共同 的構成標以和圖1、2相同的標記，并省略說明。如圖4(A)所示，光線遮蔽部件S3在光線遮蔽部件S3的表面形成細微的凹凸部 S31。細微的凹凸部S31增加光線遮蔽部件S3的表面積，高效吸收透過等離子體P的激光 光線L2，并且促進來自光線遮蔽部件S3的熱放射。凹凸部S31的間距例如是liim 1mm的范圍。凹凸部S31的間距如圖4⑶所示， 是指通過在凹凸部S31中相鄰的凸部S32及凸部S33的各自的頂點、且和激光光線的光軸 LA平行地延伸的一對虛擬線K1及K2之間的距離。圖5是表示第1實施例的激光驅(qū)動光源100的變形例的圖。在該圖中，激光源及 光學系統(tǒng)部件與圖1所示的激光驅(qū)動光源通用，因此省略。圖5的激光驅(qū)動光源103除了光線遮蔽部件S4的形狀與圖1所示的光線遮蔽部 件S1不同外，具有和第1實施例的激光驅(qū)動光源100相同的構成，因此對和圖1、2相同的 構成標以和圖1、2相同的標記，并省略說明。如圖5所示，光線遮蔽部件S4在其整個表面上形成有細微的凹凸部S41，并且在接 收激光光線L2的一側(cè)的面上形成圓柱狀的凹部S42。細微的凹凸部S41增加光線遮蔽部件S4的表面積，高效吸收透過管球3的焦點F 生成的等離子體P的激光光線L2，并且促進來自光線遮蔽部件S4的熱放射。圓柱狀的凹部S42增加光線遮蔽部件S4的表面積，且使光線遮蔽部件S4輕型化。凹凸部S41的間距和上述光線遮蔽部件S4的凹凸部S41同樣地為1 y m 1mm。圖6是表示第1實施例的激光驅(qū)動光源100的變形例的截面圖。在該圖中，激光 源及光學系統(tǒng)部件和圖1所示的激光驅(qū)動光源相同，因此省略。圖6的激光驅(qū)動光源104除了光線遮蔽部件S5的形狀和光線遮蔽部件S1不同外， 具有和第1實施例的激光驅(qū)動光源100相同的構成，因此對和圖1、2相同的構成標以和圖 1、2相同的標記，并省略說明。如圖6所示，激光驅(qū)動光源104具有的光線遮蔽部件S5因具有從位于激光光線L1 的光軸LA上的中心S52向徑向外部放射狀延伸的多個線狀部S5而形成為束子狀。多個線 狀部件S51增加光線遮蔽部件S5的表面積，高效吸收透過了等離子體P的激光光線L2，并 且促進來自光線遮蔽部件S5的熱放射。圖3至圖6所示的激光驅(qū)動光源101至104如上所述，光線遮蔽部件S2至S5具 有增加各自表面積的表面構造，高效吸收透過了等離子體P的激光光線L2并易于發(fā)熱，可 高效輻射加熱管球3的發(fā)光部31。因此，根據(jù)激光驅(qū)動光源101至104，管球3內(nèi)的發(fā)光用金屬的蒸氣壓力迅速上升， 并且上升后以較高的水平穩(wěn)定，管球3內(nèi)生成的等離子體P不消失地被保持，可從等離子體 P放出穩(wěn)定的輸出的光。(第2實施例的激光驅(qū)動光源)圖7是表示本發(fā)明的第2實施例的激光驅(qū)動光源的基本構成的截面圖。本實施例 的激光驅(qū)動光源是管球內(nèi)具有電極的有電極型光源。并且，本實施例的激光驅(qū)動光源具有 光遮蔽部件，其通過吸收未被等離子體吸收而透過它的激光光線，來進行遮蔽。此外，圖7的激光驅(qū)動光源200中，對和圖1所示的激光驅(qū)動光源100共同的構成， 標以和圖1相同的標記，并省略說明。該圖所示的激光驅(qū)動光源200具有凹面反射鏡1，具有光射出開口 12，整體形成 為碗狀；光學系統(tǒng)部件2，對激光源4發(fā)出的激光光線L1進行聚光；管球7，以管軸X相對 于凹面反射鏡1的光軸LA正交的姿態(tài)配置在凹面反射鏡1的焦點F上；激光源4，向管球7 照射激光光線L1。該圖所示的激光驅(qū)動光源200中，激光源4、光學系統(tǒng)部件2及管球7在激光光線 L1的光軸LA上依次呈一條直線地配置在凹面反射鏡1的光軸LA上。圖8(A)是放大表示圖7所示的激光驅(qū)動光源200的管球7的截面圖。管球7具 有例如由石英玻璃構成的大致球狀的發(fā)光部71 ；分別與其兩端連接并向管軸X方向延伸 的桿狀的密封部72及73 ；形成在發(fā)光部71的內(nèi)部的旋轉(zhuǎn)橢圓形的密封空間77 ；分別埋設 在密封部72及73的棒狀的電極74及75 ；配置在密封空間77內(nèi)、吸收激光源4發(fā)出的透 過高溫等離子體P的激光并遮蔽的光線遮蔽部件S2 ；使光線遮蔽部件S2固定到電極74的 支持部件76。管球7的密封空間77中，作為放電介質(zhì)封入稀有氣體、水銀(蒸氣)中的至少一 種以上。即，放電介質(zhì)的組合是僅稀有氣體、僅水銀、同時具有水銀和稀有氣體這三種。例如，作為放電介質(zhì)封入水銀時，從管球12發(fā)出作為水銀的發(fā)光的波長365nm的 紫外光。水銀的封入量例如是2 70mg/CC。稀有氣體除了氙氣外，還可封入氬或鹵素氣體 的一種以上。此外，作為放電介質(zhì)除了上述介質(zhì)外還可封入鎘、鋅、錫等。
電極74、75分別例如由桿狀的鎢構成，通過桿密封而氣密地埋設到密封部72、73中。電極74、75各自的一端部741、751向密封空間77內(nèi)延伸，并且在密封空間77內(nèi)
隔開規(guī)定距離彼此相對配置。并且，電極74及75各自另一端部742、752向密封部72、73的外部伸出，與未圖示 的供電裝置電連接。這些電極74、75的極間中心位置如圖7所示，與凹面反射鏡1的焦點
F—致。在電極74、75的極間中心位置，通過向上述電極74、75之間施加高電壓而生成高 溫的等離子體P。第2實施例的激光驅(qū)動光源200的管球7具有上述電極74、75，因此在管球7起動 時，易于將電極74及75之間絕緣破壞，因此在電極74及75之間的極間中心位置上易于生 成等離子體P。圖8(B)是放大圖8(A)的A部的部分放大圖。光線遮蔽部件S2如圖8 (B)所示，通過整體上形成為鉤狀的支持部件76，相對電極 74、75在平行方向上延伸地固定到電極74上，配置在發(fā)光部71的密封空間77內(nèi)。如圖8(B)所示，支持部件76通過在相對電極74正交的方向上延伸的管軸正交部 761、及相對管軸相交部761直角彎曲并與電極74平行地延伸的管軸平行部762，整體上鉤 狀構成，管軸正交部761固定到電極74上，并且管軸平行部762固定到光線遮蔽部件S2。該光線遮蔽部S2及支持部件76分別例如由鎢、鉭及鉬等高熔點金屬構成。在第2實施例的激光驅(qū)動光源200中，電極74、光線遮蔽部件S2及支持部76分 別由金屬構成，因此支持部件76相對電極74及光線遮蔽部件S2分別例如通過點焊一體固 定。當然，支持部件76相對電極74及光線遮蔽部件S2也可分別通過螺釘、膠帶等其他機 械固定方法固定。光線遮蔽部件S2為了吸收透過了管球7內(nèi)生成的等離子體P的激光光線L2(圖 8(B)),在該激光光線L2的光路上，配置在等離子體P的附近。并且，光線遮蔽部件S2配置 在以下位置與未固定光線遮蔽部件S2的電極75之間，不產(chǎn)生不需要的放電的位置。光線遮蔽部件S2在透過了等離子體P的激光光線L2的照射側(cè)的表面S21中，形 成向其內(nèi)側(cè)V字型地依次變窄的多個光束擋板。光束擋板具有和圖3 —樣的構成，由于具 有和上述一樣的構成，省略說明。以下參照圖7說明第2實施例的激光驅(qū)動光源200的動作。通過向管球7的一對電極74及75施加高電壓，電極74及75的極間被絕緣破壞， 在電極74及75的極間中心位置形成預備放電。在該狀態(tài)下，激光源4向光學系統(tǒng)部件2射出激光光線L1。激光光線L1通過光學 系統(tǒng)部件2向管球7的電極74及75的極間中心位置聚光，照射到在電極74及75的極間 中心位置生成的預備放電。在電極74及75的極間中心位置，通過對預備放電照射激光光 線L1，生成高亮度的等離子體P。從等離子體P發(fā)出的光LX通過凹面反射鏡1的反射面11向和光軸LA平行的方 向反射，從光射出開口 12放出到凹面反射鏡1的外部。另一方面，未被等離子體P吸收而透過它的激光光線L2如圖8(B)所示，入射到管球7的密封空間77內(nèi)配置的光線遮蔽部件S2，如上所述，在V字型的光束擋板S22 (參照圖 3)的內(nèi)部多次被反射引導，最終被吸收、衰減。如上所述，本發(fā)明的第2實施例的激光驅(qū)動光源200如圖8(A)所示，即使從激光 源4發(fā)出的激光光線L1透過等離子體P，透過該等離子體P的激光光線L2被該光路上配置 的光線遮蔽部件S2而吸收，因此透過了等離子體P的激光光線L2不會和從等離子體P發(fā) 出的光LX同時放出。因此，根據(jù)本實施例的激光驅(qū)動光源200，不會產(chǎn)生以下問題其外圍 設備等因暴露到透過了管球7內(nèi)的等離子體P的激光光線L2而被破壞。并且根據(jù)本實施例的激光驅(qū)動光源200，光線遮蔽部件S2吸收未被等離子體P吸 收而透過它的激光光線并發(fā)熱，從而加熱管球7，因此管球3內(nèi)封入的發(fā)光用金屬的蒸氣壓 力迅速上升，并且以較高的水平易于穩(wěn)定，管球3內(nèi)生成的等離子體P不會消失地保持，因 此可從等離子體P放出穩(wěn)定的輸出的光。圖9及圖10是分別表示第2實施例的激光驅(qū)動光源的變形例的截面圖。圖9及 圖10所示的激光驅(qū)動光源201及202僅對管球7的激光光線的入射路徑與圖7所示的激 光驅(qū)動光源200不同。因此在圖9及圖10中，對和圖7所示的激光驅(qū)動光源200相同的構 成，標以和圖7 —樣的標記，省略說明。如圖9所示，激光驅(qū)動光源201具有凹面反射鏡1，具有光射出開口 12，整體是碗 狀；光學系統(tǒng)部件2，向管球7聚光激光光線L1 ；管球7，配置在凹面反射鏡1的焦點F上； 激光源4，向管球7照射激光光線L1。凹面反射鏡1具有反射面11，具有旋轉(zhuǎn)拋物面形狀；光射出開口 12，射出從等離 子體P發(fā)出的光；側(cè)方開口 14，用于配置光學系統(tǒng)部件2。管球7以管軸X相對凹面反射鏡1的光軸LA平行的姿態(tài)配置在凹面反射鏡1的 隹占F上。光線遮蔽部件S2形成圖3所示的V字型的光束擋板S22，以光線遮蔽部件32的管 軸X相對凹面反射鏡1的光軸LA平行的姿態(tài)，在透過了等離子體P的激光光線的光路上， 配置在等離子體P附近。在圖9所示的激光驅(qū)動光源201中，從激光源4發(fā)出的激光光線L1通過配置在凹 面反射鏡1的側(cè)方開口 14的光學系統(tǒng)部件2聚光，照射到管球7。管球7的密封空間77 中，通過封入到管球7內(nèi)的放電介質(zhì)被激勵，在凹面反射鏡1的焦點F生成高溫的等離子體 P。由等離子體P發(fā)出的光LX在和凹面反射鏡1的光軸LA平行的方向反射，從光射出開口 12放出到凹面反射鏡1的外部。另一方面，未被等離子體P吸收而透過它的激光光線入射到管球7的密封空間77 內(nèi)配置的光線遮蔽部件S2，如上所述，在圖3所示的V字狀的光束擋板S22的內(nèi)部，被多次 反射引導，最終通過光線遮蔽部件S2被吸收、衰減。圖10所示的激光驅(qū)動光源202具有凹面反射鏡1，具有光射出開口 12，整體為碗 狀；管球7，以管軸X相對于凹面反射鏡1的光軸LA正交的姿態(tài)配置在凹面反射鏡1的焦 點F上；激光源4，向管球7照射激光光線L1 ；反射部件5，使從激光源4射出的激光光線L1 向管球7方向反射，并且透過從等離子體P發(fā)出的光LX。凹面反射鏡1具有旋轉(zhuǎn)拋物面形狀的反射面11 ；射出從高溫等離子體P發(fā)出的 光的光射出開口 12。
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反射部件5在從高溫的等離子體P發(fā)出的光LX的光路上，以相對凹面反射鏡1的 光軸LA傾斜的狀態(tài)配置。反射部件5的表面上形成由電介質(zhì)多層膜厚構成的反射面，其透 過從等離子體P發(fā)出的光LX，并且將激光光線L1向管球7的方向反射。該反射部件5上設 置的電介質(zhì)多層膜構成的反射面和凹面反射鏡1的反射面11相同，對此如上所述，省略其 說明。圖10所示的激光驅(qū)動光源202中，從激光源4發(fā)出的激光光線L1依次被反射部 件5和凹面反射鏡1的反射面11反射并照射管球7，在密封空間77中，在凹面反射鏡1的 焦點F上生成高溫的等離子體P。從等離子體P發(fā)出的光LX向與凹面反射鏡1的光軸LA 平行的方向反射，從光射出開口 12向凹面反射鏡1的外部放出。另一方面，未被等離子體P吸收而透過它的激光光線入射到管球7內(nèi)的密封空間 77內(nèi)配置的光線遮蔽部件S2，如上所述，在圖3所示的V字狀的光束擋板S22的內(nèi)部多次 被反射引導，最終被光線遮蔽部件S2吸收、衰減。(第3實施例的激光驅(qū)動光源)圖11是表示第3實施例的激光驅(qū)動光源的基本構成的截面圖。本實施例的激光 驅(qū)動光源是管球內(nèi)具有電極的有電極型光源。并且，本實施例的激光驅(qū)動光源在管球內(nèi)具有光線遮蔽部件，其通過反射未被等 離子體吸收而透過它的激光光線而進行遮蔽，但與第1及第2實施例的激光驅(qū)動光源不同 (第1及第2實施例的激光驅(qū)動光源是，使未被等離子體吸收而透過它的激光光線被管球內(nèi) 配置的光線遮蔽部件吸收從而進行遮蔽)。此外，圖11所示的激光驅(qū)動光源300對圖7、8所示的激光驅(qū)動光源200共同的構 成標以和圖7、8共同的標記，并省略說明。激光驅(qū)動光源300具有凹面反射鏡1，具有光射出開口 12，整體為碗狀；管球8， 以管軸X相對凹面反射鏡1的光軸LA正交的姿態(tài)配置在凹面反射鏡1的焦點F上；光學系 統(tǒng)部件2，使激光源4發(fā)出的激光光線L1聚光到管球8 ；激光源4，向管球8照射激光光線 L1 ；光線吸收部件AB1，配置在凹面反射鏡1的外部。凹面反射鏡1具有旋轉(zhuǎn)拋物面形狀的反射面11 ；光射出開口 12，射出從高溫的 等離子體P發(fā)出的光LX;后方開口 13，用于配置光學系統(tǒng)部件2。本實施例的激光驅(qū)動光 源300中，激光源4、光學系統(tǒng)部件2及管球8在激光光線L1的光路上依次呈一條直線地排 列配置在凹面反射鏡1的光軸LA上。圖12㈧是同時表示圖11所示的激光驅(qū)動光源300具有的管球8的構成的概要、 及光線吸收部件AB1的截面圖。圖12(B)是放大了圖12(A)所示的A部的圖。圖12(A)所示的管球8具有例如由石英玻璃構成的大致球狀的發(fā)光部81及與其 兩端分別連接并向管軸X方向延伸的桿狀的密封部82及83 ；形成在發(fā)光部81的內(nèi)部的密 封空間87 ；分別埋設在發(fā)光部81的密封部82及83的棒狀的電極84及85 ；配置在密封空 間87內(nèi)，反射透過了高溫的等離子體P的激光光線L2并遮蔽的光線遮蔽部件R1 (參照圖 12⑶；使光線遮蔽部件R1固定到電極84的支持部件86。管球8通過向上述84及電極85之間施加高電壓，在電極84及85的極間中心位 置生成高溫的等離子體P。從等離子體P發(fā)出的光LX如圖11所示，與凹面反射鏡1的光軸 LA平行地從光射出開口 12放出到凹面反射鏡1的外部。
13
光線遮蔽部件R1如圖12(B)所示，通過整體上形成為鉤狀的支持部件86，相對管 軸X傾斜地固定到電極84上。光線遮蔽部件R1的構成是，在由鎢、鉭、鉬等高熔點金屬構成的基板上，具有由電 介質(zhì)多層膜構成的反射面R11。反射面R11基本不吸收從激光源4射出的激光光線L1，而 向凹面反射鏡1的外部反射地適當設計電介質(zhì)多層膜的材質(zhì)及膜數(shù)。此外，光線遮蔽部件R1的反射面R11不限于上述電介質(zhì)多層膜，例如也可以是通 過對由上述高熔點金屬構成的基板的表面進行研磨而進行鏡面加工的反射面。該光線遮蔽部件R1在透過了高溫的等離子體P的激光光線L2的光路上配置在等 離子體P的附近。并且，光線遮蔽部件R1配置在如下位置與未固定有其的電極85之間不 產(chǎn)生不需要的放電的位置。在凹面反射鏡1的光射出開口 12的開口端部邊緣附近，如圖11所示，設置有對由 光線遮蔽部件R1反射的激光光線L2進行吸收、衰減的光線吸收部件AB1。光線吸收部件 AB1的激光的入射面上，形成圖3所示的V字型的槽狀的光束擋板S22。如圖12(A)所示，光線遮蔽部件R1的反射面R11和管球8的管軸X所成的角度e 適當設定為，入射到反射面R11的激光光線L1向光線吸收部件AB1的方向反射。在上述本發(fā)明的第3實施例的激光驅(qū)動光源300中，如圖11所示，高溫的等離子 體P在電極84及85的極間中心位置生成，由等離子體P發(fā)出的光LX通過凹面反射鏡1向 與光軸LA平行的方向反射，從光射出開口 12向凹面反射鏡1的外部放出。另一方面，未被等離子體P吸收而透過它的激光光線L2如圖12(A)所示，入射到 管球8內(nèi)的密封空間87內(nèi)配置的光線遮蔽部件R1的反射面R11，并且通過反射面R11向設 置在凹面反射鏡1的外部的光線吸收部件AB1反射，如上所述，在圖3所示的V字型的槽狀 的光束擋板S22中多次被反射引導，最終被光線吸收部件AB1上設置的光束擋板S22吸收。因此，透過了等離子體P的激光光線L2通過光線遮蔽部件R1向凹面反射鏡1的 外部被反射，最終被光線吸收部件AB1吸收、衰減。根據(jù)以上本發(fā)明的第3實施例的激光驅(qū)動光源300，透過了管球8內(nèi)生成的等離 子體P的激光光線L2如圖11所示，通過光線遮蔽部件R1向凹面反射鏡的外部反射，被光 線吸收部件AB1吸收。因此，透過了等離子體P的激光光線L2不會與等離子體P發(fā)出的光 LX同時向凹面反射鏡1的外部放出。因此，根據(jù)本實施例的激光驅(qū)動光源300，不會產(chǎn)生以下問題其外圍設備等暴露 到透過了管球8內(nèi)的等離子體P的激光光線L2而被破壞。此外，光線遮蔽部件R1與配置在凹面反射鏡1的外部的光線吸收部件AB1同時使 用不是必須條件。例如，光線遮蔽部件R1可以是，具有對由銅、鋁及銀的任意一種構成的基板的表 面進行犁地加工而形成凹凸形狀的散射反射面，并且也可通過對由具有良好耐熱性及加 工性的樹脂構成的基板的表面進行犁地加工而形成凹凸形狀的同時、對該基板表面涂敷由 銅、鋁及銀的任意一種構成的金屬而形成散射反射面。這樣一來，未被等離子體P吸收而透過它的激光光線L2入射到光線遮蔽部件R1 的散射反射面后，向散射反射面的周圍擴散反射而被遮蔽，因此可省略上述光線吸收部件 AB1。
權利要求
一種激光驅(qū)動光源，具有封入有放電介質(zhì)的管球，通過聚光到上述管球內(nèi)的激光光線在上述管球內(nèi)生成等離子體，其特征在于，上述管球內(nèi)設有光線遮蔽部件，該光線遮蔽部件遮蔽透過上述管球內(nèi)生成的等離子體的激光光線。
2.根據(jù)權利要求1所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，上述放電介質(zhì)是金屬，上述光線遮蔽部件吸收透過上述管球內(nèi)生成的等離子體的激光光線并發(fā)熱。
3.根據(jù)權利要求2所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，上述光線遮蔽部件上設有光束 擋板，該光束擋板對透過上述管球內(nèi)生成的等離子體的激光光線進行反射引導并吸收。
4.根據(jù)權利要求2所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，上述光線遮蔽部件進行了用來 提高其輻射率的表面加工。
5.根據(jù)權利要求2所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，上述光線遮蔽部件上設有間距 在liim 1mm范圍內(nèi)的凹凸部。
6.根據(jù)權利要求2所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，在上述光線遮蔽部件的、被透過 上述管球內(nèi)生成的等離子體的激光光線照射的表面上燒結有鎢粉。
7.根據(jù)權利要求2所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，上述光線遮蔽部件由鎢、鉬、鉭 及錸中的任意一種以上的金屬構成。
8.根據(jù)權利要求2所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，上述管球內(nèi)封入的放電介質(zhì)包 括水銀。
9.根據(jù)權利要求1所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，上述管球內(nèi)封入的放電介質(zhì)包 括水銀及稀有氣體的任意一種以上。
10.根據(jù)權利要求1所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，上述光線遮蔽部件由支持部件 支持，該支持部件向上述管球內(nèi)伸出地配置。
11.根據(jù)權利要求1所述的激光驅(qū)動裝置，其特征在于，上述管球內(nèi)具有彼此相對配置 的一對電極。
12.根據(jù)權利要求11所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，上述光線遮蔽部件由固定在 上述電極上的支持部件支持。
13.根據(jù)權利要求1所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，上述光線遮蔽部件具有反射 面，該反射面反射透過上述管球內(nèi)生成的等離子體的激光光線。
14.根據(jù)權利要求13所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，上述光線遮蔽部件的反射面 是散射反射面。
15.根據(jù)權利要求13所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，在上述管球的外部設置光線 吸收部件，該光線吸收部件吸收通過上述光線遮蔽部件的反射面反射的激光光線。
16.根據(jù)權利要求1所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，具有反射上述等離子體射出的 光線的凹面反射鏡，該凹面反射鏡配置為焦點位置相對上述管球內(nèi)生成的等離子體一致。
17.根據(jù)權利要求16所述的激光驅(qū)動光源，其特征在于，上述凹面反射鏡中，在聚光到 上述管球內(nèi)的激光光線的光軸上設有開口，在上述凹面反射鏡的開口上配置用于使激光光 線聚光到上述管球內(nèi)的光學部件。
全文摘要
本發(fā)明是一種激光驅(qū)動光源，使激光光線聚光到管球內(nèi)封入的放，電介質(zhì)，通過激光光線激勵放電介質(zhì)，生成等離子體，其目的在于遮蔽管球內(nèi)生成的未被等離子體吸收而透過的激光光線，為此提供一種激光驅(qū)動光源，其具有封入有放電介質(zhì)的管球，通過聚光到上述管球的激光光線在上述管球內(nèi)生成等離子體，其特征在于，上述管球內(nèi)設有光線遮蔽部件，遮蔽透過上述管球內(nèi)生成的等離子體的激光光線。
文檔編號H01J65/04GK101866819SQ20101016332
公開日2010年10月20日 申請日期2010年4月14日 優(yōu)先權日2009年4月15日
發(fā)明者住友卓, 安田幸夫, 橫田利夫 申請人:優(yōu)志旺電機株式會社