專利名稱：質(zhì)量分析裝置以及質(zhì)量分析方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種質(zhì)量分析計及其動作方法。

背景技術(shù)：
線性阱可以在內(nèi)部進行MSn分析，廣泛用于蛋白質(zhì)組解析等中。以下，說明在以往如何進行線性阱中囚禁的離子的質(zhì)量選擇性離子排出。
作為線性阱中的質(zhì)量選擇性離子排出的例子，記載于專利文獻1中。在將從軸向入射的離子積蓄到線性阱內(nèi)之后，根據(jù)需要進行離子選擇或離子離解。之后，可以對對置的一對四極桿電極之間施加輔助交流電場，向徑向激勵特定離子。通過掃描囚禁RF電壓，質(zhì)量選擇性地向徑向排出離子。將由徑向的四極電場形成的調(diào)和偽電勢用于質(zhì)量分離，故質(zhì)量分辨率高。
另外，作為線性阱中的質(zhì)量選擇性離子排出的例子，記載于專利文獻2中。在積蓄了從軸向入射的離子之后，根據(jù)需要進行離子選擇或離子離解。之后，對對置的一對四極桿電極間施加輔助交流電壓等，而在徑向上對離子進行激勵。在徑向上被激勵的離子由于在四極桿電極和終端電極之間產(chǎn)生的彌散場(fringing field)而向軸向排出離子。對輔助交流電壓的頻率或囚禁RF電壓的振幅值進行掃描。將由徑向的四極電場形成的調(diào)和偽電勢用于質(zhì)量分離，故質(zhì)量分辨率高。在軸上附近RF電壓的影響低且排出能量小。
另外，作為線性阱中的質(zhì)量選擇性離子排出的例子，記載于專利文獻3中。進行從軸向入射的離子的積蓄。在四極桿電極間插入有葉片電極，利用葉片電極和四極桿電極間的DC偏置在線性阱軸上形成有調(diào)和電勢。之后，通過對葉片電極間施加輔助交流電壓而在軸向上質(zhì)量選擇性地進行離子排出。對DC偏置或輔助交流電壓的頻率進行掃描。在軸上附近RF電壓的影響低且排出能量小。
在專利文獻4中，記載有配置上述專利文獻2中記載的線性阱、之后配置碰撞離解室以及飛行時間型質(zhì)量分析計的方法。原理上，母離子掃描或中性丟失掃描的占空比(duty cycle)大幅提高。
在專利文獻5中，記載有串聯(lián)地配置多個上述專利文獻3中記載的線性阱來提高離子的占空比的方法。由于使用離子的積蓄、離析和離解不同的線性阱來并行地進行，所以原理上占空比大幅提高。
專利文獻1美國專利5420425 專利文獻2美國專利6177668 專利文獻3美國專利5783824 專利文獻4美國專利6504148 專利文獻5美國專利6483109

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題在于提供一種排出效率高、質(zhì)量分辨率高且排出能量低的線性阱。如果可以實現(xiàn)滿足上述性能的線性阱，則還可以如專利文獻4、專利文獻5等中記載的那樣大幅提高占空比。
在專利文獻1的情況下，離子在徑向上被排出。由于對四極桿電極施加的kV級的電壓在排出時被施加，所以排出能量寬度為幾百eV以上，在使離子會聚并使用其他線性阱來進行囚禁時，發(fā)生大量的離子丟失。
在專利文獻2的情況下，離子在軸向上被排出。在離子排出時造成離子與四極桿電極碰撞，存在排出效率低到20％以下的問題。
在專利文獻3的情況下，在質(zhì)量分離中使用由DC電勢形成的調(diào)和電勢，存在與專利文獻1、專利文獻2的情況相比質(zhì)量分辨率低的問題。
在專利文獻4、專利文獻5等專利中，記載有以排出效率高、質(zhì)量分辨率高且排出能量低的線性阱為前提的占空比提高方法，但關(guān)于滿足上述性能的線性阱的結(jié)構(gòu)，不存在可以實現(xiàn)的具體的記述，并且，到目前為止還沒有實現(xiàn)這些的公知信息。
本發(fā)明的課題在于提供一種排出效率高、質(zhì)量分辨率高且排出能量低的線性阱。
本發(fā)明的質(zhì)量分析計以及質(zhì)量分析方法使用導(dǎo)入由離子源生成的離子且具備四極桿電極的質(zhì)量分析計，該四極桿電極具有入口、出口且施加有高頻電壓， 1)利用在四極電場的中心軸上形成的阱電勢來囚禁至少該離子的一部分， 2)使所囚禁的該離子的一部分向鄰接的四極桿的中間方向振動， 3)利用引出電場向四極桿的中心軸方向排出被振動的該離子， 4)對所排出的該離子進行檢測或?qū)氲狡渌麢z測處理。
根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)排出效率高、質(zhì)量分辨率高且排出能量低的線性阱。
本發(fā)明的其他目的、特征以及優(yōu)點通過與附圖相關(guān)的以下的本發(fā)明的實施例的記載將更加明確。



圖1A是本方式的實施例1。
圖1B是沿圖1A的箭頭1B方向觀察的剖面圖。
圖1C是沿圖1A的箭頭1C方向觀察的剖面圖。
圖1D是沿圖1B的箭頭1D方向觀察的剖面圖。
圖1E是沿圖1C的箭頭1E方向觀察的剖面圖。
圖2是實施例1的測定序列。
圖3是本方式的效果的說明圖。
圖4是本方式的效果的說明圖。
圖5A是本方式的效果的說明圖。
圖5B是其他條件下的本發(fā)明的效果的說明圖。
圖6是本方式的效果的說明圖。
圖7A是本方式的實施例2。
圖7B是沿圖7A的箭頭7B方向觀察的剖面圖。
圖8A是本方式的實施例3。
圖8B是沿圖8A的箭頭8B方向觀察的剖面圖。
圖9是本方式的實施例4。

具體實施例方式 實施例1 圖1A至圖1E是實施了本方式線性阱的質(zhì)量分析的構(gòu)成圖。圖1A是裝置整體圖，圖1B和圖1C是徑向裝置剖面圖，圖1D和圖1E是離子阱部的軸向剖面圖。另外，圖中1B、1C、1D、1E表示沿箭頭方向觀察時的剖面圖。由電噴霧離子源、大氣壓化學(xué)離子源、大氣壓光離子源、大氣壓基質(zhì)輔助激光解吸離子源、基質(zhì)輔助激光解吸離子源等離子源1生成的離子通過細(xì)孔2導(dǎo)入到差動排氣部5。差動排氣部通過泵20來被排氣。離子從差動排氣通過細(xì)孔3導(dǎo)入到分析部6。分析部通過泵21來被排氣，而維持在10-4Torr(托)以下(1.3×10-2Pa以下)。通過了細(xì)孔17的離子導(dǎo)入到線性阱部7。線性阱部7被導(dǎo)入緩沖氣體(未圖示)，而維持在10-4Torr～10-2Torr(1.3×10-2Pa～1.3Pa)。線性阱部7具有對構(gòu)成線性阱部的電極的電壓進行控制的電壓控制部19。所導(dǎo)入的離子被囚禁在夾在入口側(cè)端電極11、四極桿電極10、前部葉片電極13、阱電極14的區(qū)域中。對于被囚禁在該區(qū)域中的離子，通過后述的方法，特定質(zhì)量數(shù)的離子被共振振動后，通過引出電極15所形成的引出電場向軸向被排出。對于阱電極14、引出電極15，由于位于離子的通過軌道附近，所以可以使用薄板狀的電極，也可以使用導(dǎo)線狀電極。在使用了導(dǎo)線狀的電極時，雖然離子的透過率的損失小，但電極的形狀的加工性低。在圖中，描繪出了直線形狀的阱電極以及引出電極，但除此以外在軸向上高效地引出離子的形狀的電極形狀也可以通過模擬等來實現(xiàn)最佳化。根據(jù)上述的引出電場，所排出的離子通過后部葉片電極16、出口側(cè)端電極12等而被加速，通過細(xì)孔18，利用檢測器8來進行檢測。作為檢測器，一般使用電子倍增管或閃爍器和光電倍增管的組合的類型的檢測器等。
以下對正離子測定的典型的施加電壓進行說明。圖2示出測定序列。在四極桿電極10的偏移電位中，有時利用前后的電極電壓來施加+-幾十V，但在以下記述四極桿電極10的各部電極的電壓時，定義為將四極桿電極10的偏移電位設(shè)為0時的值。對四極桿電極10施加振幅(100V～5000V、頻率500kHz-2MHz)左右的高頻電壓(阱RF電壓)。此時對對置的四極桿電極(圖中(10a、10c)以及(10b、10d)以下按照該定義)施加同相位的阱RF電壓，另一方面，對鄰接的四極桿電極(圖中(10a、10b)、(10b、10c)、(10c、10d)以及(10d、10a)以下按照該定義)施加逆相位的阱RF電壓。
測定以3個序列來進行。在囚禁時間，將阱RF電壓的振幅值設(shè)定為100～1000V左右。作為向其他電極的施加電壓的一個例子，將入口側(cè)端電極電壓設(shè)定為20V，將前部葉片電極電壓設(shè)定為0V，將阱電極14設(shè)定為20V，將引出電極15設(shè)定為20V，將后部葉片電極16、后部端電極12設(shè)定為20V左右。在四極電場的徑向上利用阱RF電壓形成有偽電勢，在四極電場的中心軸方向上形成有DC電勢，所以通過了細(xì)孔17的離子被大致100％地囚禁在夾在入口側(cè)端電極11、四極桿電極10、前部葉片電極13、阱電極14的區(qū)域中。囚禁時間的長度是1ms～1000ms左右，其很大程度上取決于向線性阱的離子導(dǎo)入量。在囚禁時間過長時，離子量增加，在線性阱內(nèi)部引起被稱為空間電荷的現(xiàn)象。如果產(chǎn)生空間電荷，則在后述的質(zhì)量掃描時，產(chǎn)生譜質(zhì)量數(shù)的位置偏移等問題。相反，在離子量過少時，產(chǎn)生相當(dāng)?shù)慕y(tǒng)計誤差而無法取得充分的S/N的質(zhì)譜。為了選擇適當(dāng)?shù)那艚麜r間，使用某種手段對離子量進行監(jiān)視來自動地調(diào)整囚禁時間的長度的方法也是有效的。
接下來，在質(zhì)量掃描時間，將阱RF電壓振幅從低的一方(100V-1000V)向高的一方(500V-5000V)進行掃描，依次排出離子。將入口側(cè)端電極電壓設(shè)定為20V，將后部葉片電極16、后部端電極12設(shè)定為-10V至-40V左右。對阱電極14施加3V～10V左右，對引出電極施加-10V至-40V左右。通過在掃描中使電壓值變動，可以在更寬的范圍中取得分辨率良好的譜。前部葉片電極13分別插入在鄰接的四極桿電極10之間。對一對對置的前部葉片電極13a、13c之間施加輔助交流電壓(振幅0.01V～1V、頻率10kHz-500kHz)。此時，選擇輔助共振電場方向與阱電極方向90°正交且與引出電極方向一致為相同方向的方向(圖中13a-13c的方向)。輔助交流電壓的振幅值可以固定，但也可以通過在掃描中使輔助交流電壓的振幅值變動而在更寬的范圍中取得分辨率良好的譜。共振的特定質(zhì)量的離子沿鄰接的四極桿的中間方向31的方向強制振動。軌道振幅變寬的離子到達由阱電極14和引出電極15的電位差(VT-VE)產(chǎn)生的電場所生成的區(qū)域，向軸向被排出。此時，在阱RF電壓振幅VRF和質(zhì)量數(shù)m/z之間存在式(1)的關(guān)系。
(式1) 此處，r0為桿電極10與四極中心的距離。另外，qej為可以根據(jù)阱RF電壓的各頻率Ω和輔助交流電壓頻率ω之比唯一地計算出的數(shù)值，在圖3中表示出該關(guān)系。如上所述，通過使VRF和m/z相關(guān)聯(lián)，可以取得質(zhì)譜。另一方面，還可以從電壓高的一方向低的一方進行掃描。在該情況下，由于質(zhì)量截斷(cut off)的問題，產(chǎn)生可以檢測的質(zhì)量窗變小的問題。除此以外，還有對輔助交流電壓的頻率進行掃描的方法。例如在從高頻(200kHz左右)向低頻(20kHz左右)進行掃描時，對應(yīng)的質(zhì)量數(shù)的離子依次被排出。qej是取決于輔助交流頻率的各頻率和輔助交流頻率的各頻率的數(shù)值，所以在對頻率進行掃描時，qej產(chǎn)生變動，從式(1)可知，所排出的m/z產(chǎn)生變動。在僅考慮1次的共振時，輔助交流頻率的頻率越高，則對應(yīng)于質(zhì)量越低的離子，輔助交流頻率的頻率越低，則對應(yīng)于質(zhì)量越高的離子。質(zhì)量掃描的時間的長度為10ms至200ms左右，與希望檢測的質(zhì)量范圍大致成比例。
最后，在排出時間中將所有的電壓設(shè)為0，向阱外排出所有的離子。另外，通過重復(fù)進行上述3個序列，還可以積算出S/N良好的質(zhì)譜。排出時間的長度為1ms左右。另外，除了上述的3個序列以外，還可以在各序列之間設(shè)置幾毫秒左右的離子清除時間。在離子清除時間中設(shè)定為與接下來的序列的開始條件相同的值，從而可以使離子的初始狀態(tài)穩(wěn)定化。
圖4示出如上那樣取得的質(zhì)譜。對利血平(reserpine)的甲醇溶液進行電噴霧離子化。通過將差動排氣部5中的電位差設(shè)定得較高，進行碰撞離解。將阱RF頻率設(shè)定為770kHz，將輔助交流頻率設(shè)定為200kHz。可以確認(rèn)質(zhì)量數(shù)397、398的離子峰值。其中從質(zhì)量數(shù)397的離子峰值取得了高質(zhì)量分辨率(M/DM＞800)。另外，此時的排出效率為80％以上的高效率。另外，由于是軸向排出，所以原理上排出能量低。以下敘述這樣可以實現(xiàn)排出效率高、質(zhì)量分辨率高且低排出能量的理由。
在圖5A和圖5B中示出圖1D的虛線區(qū)域200的電場模擬結(jié)果。越是濃的部分電位越高，每2V顯示出等高線(顯示出2.0V的等高線)。將質(zhì)量數(shù)設(shè)為609，將阱RF電壓振幅設(shè)為800V，將阱RF電壓頻率設(shè)為770kHz。圖5A示出將阱電極、引出電極都設(shè)定為0V的情況，圖5B示出將阱電極設(shè)定為6V、將引出電極設(shè)定為-20V的情況?？芍獌H在圖5B的情況下形成軸向201的電場。該電場為由阱電極與軸向的電位差生成的直流電位，可以容易地調(diào)整。因此，通過該DC電位的調(diào)整，可以與基于偽電勢的質(zhì)量分離獨立地調(diào)整引出力。另一方面，在專利文獻2中，利用起因于由RF電場生成的偽電勢的端部中的畸變的軸向電場。引出力并非是與基于偽電勢的質(zhì)量分離獨立的參數(shù)，所以難以同時提高分辨率和排出效率。另外，作為排出效率高的其他理由，在專利文獻2中在對置的四極桿間使離子強制振動。因此，在四極桿電極中，以更小的軌道振幅碰撞，其被推定為成為離子丟失的要因之一。另一方面，在本實施例中由于沿鄰接的四極電極的中間方向進行強制振動，所以被推定為不易與四極桿電極碰撞從而離子丟失較小。
在圖6中針對質(zhì)量數(shù)為599、609、619的、質(zhì)量數(shù)依次相差10Th的離子進行離子軌道計算。將輔助交流電場設(shè)定為質(zhì)量數(shù)609的離子共振的頻率(155kHz)。將離子個數(shù)設(shè)為5個且將計算時間設(shè)為1ms?？芍|(zhì)量數(shù)599的離子軌道101、質(zhì)量數(shù)619的離子軌道103在中心附近保持會聚，但質(zhì)量數(shù)609的離子在徑向較大地強制振動而超過阱電場并向軸向高效地被排出。在實施例1中，對實施了本方式線性阱的質(zhì)量分析裝置的一個例子進行了說明。在以下的實施例中，由于上述的理由，也可以實現(xiàn)排出效率高、質(zhì)量分辨率高且排出能量低的線性阱。
實施例2 圖7A和圖7B是實施了本方式線性阱的質(zhì)量分析裝置的構(gòu)成圖。另外，在圖7A中記載有剖面圖。到達線性阱為止的裝置結(jié)構(gòu)以及線性阱以后的裝置構(gòu)成與實施例1相同，省略其說明。在實施例2中沒有實施例1中存在的前部葉片電極。另外，四極桿電極被分割成前部四極桿電極50和后部四極桿電極51。對其進行說明。在實施例1中，對對置的一對前部葉片電極之間施加了輔助交流電壓。在實施例2中，對于鄰接的電極(50a、50b以及50c、50d)，將相位反轉(zhuǎn)的輔助交流電壓30重疊到阱RF電壓上。由此，在鄰接的四極桿電極的中間方向31上，離子進行強制振動，在引出區(qū)域中離子向軸向被引出，從出口側(cè)端電極12的細(xì)孔18被排出。離子在四極桿電極的中間方向31上強制振動這一點與實施例1相同。在實施例1中為了高效地向檢測器導(dǎo)入所排出的離子而插入了施加有負(fù)的電壓的后部葉片電極。在本實施例2中將其代替而設(shè)置有后部四極桿電極51。向后部四極桿電極51的施加電壓相對于前部RF電壓和阱RF電壓成分，被施加-10V至-40V左右的偏移電壓。實施例2與實施例1相比，可以降低前部葉片電極對四極電場施加的影響，所以質(zhì)量分辨率提高，但存在向四極桿電極施加的電源變得復(fù)雜的問題。
實施例3 圖8A和圖8B是實施了本方式線性阱的質(zhì)量分析裝置的構(gòu)成圖。圖8A是其縱剖面圖。到達線性阱為止的裝置結(jié)構(gòu)以及線性阱以后的裝置構(gòu)成與實施例1相同，省略其說明。在實施例3中與實施例1相比，沒有引出電極、后部葉片電極。對其進行說明。在實施例3中，與實施例1、2同樣地，通過輔助交流電壓的施加，離子在鄰接的四極電極的中間方向31上進行強制振動。在實施例3中代替提出電極而對出口側(cè)端電極12施加-5～-40V左右的電壓來形成引出電場。在引出區(qū)域中離子向軸向被引出，并從出口側(cè)端電極12的細(xì)孔18排出。實施例3與實施例1、2相比，存在可以減少電極數(shù)且降低成本的優(yōu)點。
實施例4 圖9是實施了本方式線性阱的質(zhì)量分析裝置的構(gòu)成圖。在從離子源到線性阱為止的過程、以及從線性阱質(zhì)量選擇性地排出離子的過程中，與實施例1相同而省略其說明。在實施例4中向碰撞離解部74導(dǎo)入從線性阱質(zhì)量選擇性地排出的離子。碰撞離解部74由入口側(cè)端電極71、多極桿電極75、出口側(cè)端電極73形成，內(nèi)部被導(dǎo)入1mTorr～30mTorr(0.13Pa～4Pa)左右的氮、Ar等。從細(xì)孔70導(dǎo)入的離子在碰撞離解部中離解。此時，通過將四極桿電極10的偏移電位和多極桿電極75的偏移電位的電位差設(shè)定為20V～100V左右，可以高效地進行碰撞離解。離解生成的碎片離子通過細(xì)孔72、細(xì)孔80，導(dǎo)入到飛行時間型質(zhì)量分析部85。飛行時間型質(zhì)量分析部利用泵22被排氣，而維持在10-6Torr以下(1.3×10-4Pa以下)。另外，在本實施例中，例示出由4根桿狀電極構(gòu)成的碰撞離解室，但桿電極的根數(shù)也可以是6根、8根、10根或其以上，也可以構(gòu)成為配置多個透鏡狀電極并施加相位分別不同的RF電壓?？傊?，只要是可以作為碰撞離解部使用的結(jié)構(gòu)，就可以同樣地應(yīng)用本發(fā)明。導(dǎo)入到飛行時間型質(zhì)量分析部的離子通過擠出加速電極81定期地在正交方向上被加速，并通過引出加速電極82被加速之后，通過反射器電極83被反射，使用由MCP(微通道板)等構(gòu)成的檢測器84來進行檢測。利用從擠出加速到檢測為止的時間，可知質(zhì)量數(shù)，利用信號強度可知離子強度，所以可以取得與碎片離子相關(guān)的質(zhì)譜。該碎片離子是與從線性阱排出的特定m/z的母離子對應(yīng)的碎片離子，所以可以將由線性阱排出的離子的質(zhì)量設(shè)為1維側(cè)、將由飛行時間型質(zhì)量分析部檢測到的離子的質(zhì)量設(shè)為2維側(cè)、將信號強度設(shè)為3維側(cè)，而取得三維的質(zhì)譜。從這樣的信息還可以取得通過母離子掃描或中性丟失掃描取得的信息。除了在實施例4中示出的碰撞離解以外，在對該部分施加磁場來使電子入射時，可以進行電子捕獲離解，也可以通過使激光入射來進行光離解等。
在實施例1至4中共同地，作為出口側(cè)或入口側(cè)端電極，可以使用網(wǎng)格狀的電極，在阱電極、引出電極中，還可以使用導(dǎo)線狀以外的形狀的電極(薄板狀)。另外，作為質(zhì)量掃描的方式，也可以使阱RF電壓頻率及其振幅、輔助共振電壓頻率、電壓振幅多個同時地變化。在任意的情況下，在鄰接的四極桿電極的中間方向上形成向軸向的引出電極，并且在四極桿電極的中間方向上使離子強制振動，以便可以利用引出電場高效地排出離子，這是本發(fā)明的本質(zhì)。
上述記載是針對實施例進行的，但本發(fā)明不限于這些實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可知，可以在本發(fā)明的精神和所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)進行各種變更以及修改。
權(quán)利要求
1.一種質(zhì)量分析方法，使用導(dǎo)入離子且具備四極桿電極的質(zhì)量分析計，該四極桿電極具有該離子的入口、出口且施加有高頻電壓，其特征在于，
利用在上述四極桿電極所產(chǎn)生的四極電場的中心軸上形成的阱電勢來囚禁至少該離子的一部分；
利用引出DC電場向上述四極桿電極的中心軸方向排出所囚禁的該離子；
將從上述出口排出的該離子導(dǎo)入到檢測處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量分析方法，其特征在于，上述引出DC電場是在上述四極桿電極的中心軸方向上形成的電勢。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量分析方法，其特征在于，通過對在上述四極桿電極中的鄰接的桿電極之間的方向上施加的輔助交流電壓的頻率進行掃描，來排出離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量分析方法，其特征在于，通過對在上述四極桿電極上施加的阱RF電壓的振幅進行掃描，來排出離子。
5.一種質(zhì)量分析裝置，具有
離子源，使試料離子化；
離子阱部，導(dǎo)入由上述離子源離子化的離子，并且具備入口側(cè)電極、出口側(cè)電極、設(shè)置在上述入口側(cè)電極與上述出口側(cè)電極之間的四極桿電極、以及設(shè)置在上述四極桿電極的鄰接的桿電極之間的桿間電極；
與上述四極桿電極連接的RF電源和與上述桿間電極連接的DC電源；
電壓控制部，對施加到電源上的電壓進行控制；和
檢測部，對從上述離子阱部排出的離子進行檢測。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的質(zhì)量分析裝置，其特征在于，上述桿間電極是導(dǎo)線狀或薄板狀的電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的質(zhì)量分析裝置，其特征在于，
上述桿間電極是相互不同地設(shè)置在鄰接的桿電極之間的第1、第2電極；
上述電壓控制部分別向上述第1、第2電極施加DC電壓以產(chǎn)生電位差，形成上述四極桿電極的軸向的電勢，由此排出離子。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的質(zhì)量分析裝置，其特征在于，上述離子阱部還具備設(shè)置在鄰接的上述四極桿電極之間的葉片電極，上述電壓控制部通過向上述葉片電極施加輔助交流電壓來使離子在鄰接的桿電極之間的方向上振動。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的質(zhì)量分析裝置，其特征在于，上述電壓控制部通過對上述輔助交流電壓的頻率進行掃描，來排出離子。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的質(zhì)量分析裝置，其特征在于，上述電壓控制部將相位反轉(zhuǎn)的輔助交流電壓重疊在RF電壓上，并施加到上述四極桿電極的鄰接的電極上，從而使離子在鄰接的桿電極之間的方向上振動。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的質(zhì)量分析裝置，其特征在于，上述電壓控制部通過對上述輔助交流電壓的頻率進行掃描，來排出離子。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的質(zhì)量分析裝置，其特征在于，上述電壓控制部通過對來自上述RF電源的RF電壓的振幅進行掃描，來排出離子。
全文摘要
本發(fā)明提供一種質(zhì)量分析裝置以及質(zhì)量分析方法，實現(xiàn)排出效率高、質(zhì)量分辨率高且排出能量低的線性阱，在導(dǎo)入由離子源生成的離子且具備具有入口、出口且施加有高頻電壓的四極桿電極的質(zhì)量分析計中，利用在四極電場的中心軸上形成的阱電勢來囚禁至少該離子的一部分，使囚禁的該離子的一部分向鄰接的上述四極桿的中間方向振動，利用引出電場排出所振動的該離子，對所排出的該離子進行檢測或?qū)肫渌麢z測處理。
文檔編號H01J49/42GK101814415SQ20101016307
公開日2010年8月25日 申請日期2006年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月31日
發(fā)明者橋本雄一郎, 長谷川英樹, 馬場崇, 和氣泉 申請人:株式會社日立制作所