專利名稱：磁控管的陰極部結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于磁控管的技術領域，具體涉及一種采用上表面為圓弧面的屏蔽帽，同時設置倒角分別去除上、下密封件上的棱角，從而提高熱電子輻射率、避免高壓擊穿的磁控管的陰極部結構。
背景技術：
圖1是現(xiàn)有技術的磁控管結構縱剖視圖；圖2是現(xiàn)有技術中磁控管的陰極部結構的剖視圖；圖3是現(xiàn)有技術中磁控管的陰極部結構的示意圖。如圖1至圖3所示，磁控管主要包括有陽極部；陰極部；磁極部；微波發(fā)射部。陽極部由圓桶形狀的陽極外殼11，在陽極外殼11的內壁上形成有多個放射狀的葉片12，葉片上下溝槽中焊接內外環(huán)構成。陰極部包括在中心軸上由W(鎢)和TH(釷)元素形成的螺旋形狀并可放射熱電子的燈絲13 ；在葉片12的末端和燈絲13之間形成使熱電子旋轉的作用空間14 ；為了防止從燈絲13放射出來的熱電子從中心軸上下方向脫離，在燈絲13的上端和下端形成上部密封件15和下部密封件16 ；為了支撐燈絲13及引入電源，設計了貫通下部密封件16并連接上部密封件15的燈絲中央導桿17和與中央導桿17 —起引入電源并連接下部密封件16的側面導桿18。磁極部包括固定在陽極外殼11的上端和下端且能形成磁通的上磁極20，下磁極 21 ；為了能使作用空間14上形成磁場，在上磁極20的上端和下磁極21的下端安裝磁鐵22。在上磁極20的上部和下磁極21的下部設置起到磁通作用的上部密封室41和下部密封室42，上部密封室和下部密封室分別由天線封蓋100和陰極封蓋103分隔出的空間形成；為了在作用空間14里產生的高頻波發(fā)射到外部，設有連接在葉片12并貫通上磁極 20和上部密封室41中央引出來的天線51 ；為了冷卻在作用空間14里產生并通過葉片12 傳遞的熱量，設置有冷卻片61。在磁控管的下端對應下磁極的下部密封室位置設置陶瓷部件31，陶瓷部件與形成下部密封室的陰極封蓋緊密結合；在陶瓷部件31中設置兩條穿過陶瓷部件的陰極引出線35，另外設置具有濾波功能的濾波線圈32，兩段濾波線圈分別通過陰極引出線連接燈絲的中央導桿17 —端和側面導桿18的一端；包圍濾波線圈設置由金屬材質構成的屏蔽盒 34，屏蔽盒內部形成密閉的空間，屏蔽盒上部形成通孔36，陶瓷部件的下端穿過屏蔽盒上部的通孔并與屏蔽盒相固定，連接濾波線圈32，并跨接于電源兩端從外部引入電源的電容器 33。另外還有把冷卻片61保護在內部并將冷卻片61傳遞的熱量散出的外殼19等部件。外殼19包括從上側容納內部裝置的上殼19a和從下側容納內部裝置的下殼19b。圖中所示的排氣管60是磁控管組裝以后，進行排氣工序時為了把磁控管變成真空狀態(tài)切斷的部分。下面說明如上所述的磁控管工作情況。在磁鐵22產生的磁場通過上磁極20和下磁極21形成磁通時，在葉片12和燈絲13之間形成磁場。當通過電容器33進行通電的時候，燈絲13在大約2000K溫度下放射熱電子，熱電子在燈絲13與陽極部之間的4. OKV到 4. 4KV和在磁鐵22產生的磁場的作用下的作用空間14進行旋轉。這樣，在通過中央導桿17和側面導桿18向燈絲13通電的時候，在葉片12和燈絲 13之間產生對5011擬左右的電場，使熱電子在作用空間14內通過電場和磁場的作用下變成諧波，并使諧波傳遞到連接葉片12的天線51發(fā)射到外部。在作用空間產生的不僅有用于烹調的基本波O450MHZ)，還有基本波頻率整數(shù)倍的高頻諧波，主要包括第二高頻諧波G900MHZ)、第三高頻諧波(7350MHZ)、第四高頻諧波 (9. 8GHZ)、第五高頻諧波(12. 5GHZ)等?；静ㄓ糜趯ξ⒉t內的物品加熱，整數(shù)倍高頻諧波容易對周圍的電器元件造成強烈的電磁干擾，而且對人體有害，因此必須盡量減少高頻諧波從磁控管中泄漏。磁控管的天線側扼流結構，包括設置于磁控管的陽極外殼上部并形成上部密封室的天線封蓋100和密閉焊接于天線封蓋內部并與天線封蓋內壁共同形成扼流槽102的筒狀扼流壁101 ；天線封蓋上部的天線出口處向上部密封室內側彎曲形成扼流筒，扼流筒與扼流壁之間同樣形成扼流槽102，扼流筒、天線封蓋與扼流壁共軸。現(xiàn)有技術中磁控管的陰極部結構，包括燈絲13，在磁控管的中心軸方向上由鎢和釷元素形成，具有螺旋形狀并可放射熱電子，在燈絲的上下端分別設置圓柱形的上部密封件和下部密封件；屏蔽帽15a，為圓臺形狀，上表面是一平面，設置在上部密封件15的上端，由上部密封件向上凸出形成；中央導桿17，貫通磁控管的下部密封件16且連接上部密封件15，支撐燈絲13并為燈絲引入電源，其下端通過焊接片37與陰極引出線35相連接； 側面導桿18，連接磁控管的下部密封件16，與中央導桿配合向燈絲引入電源，側面導桿的下端通過焊接片37與陰極引出線35相連接；陶瓷部件31，設置在由陰極封蓋103所圍成的下部密封室42下側，在陶瓷部件上端設置支撐中央導桿和側面導桿的兩個互不接觸的焊接片37，與焊接片分別連接的兩條陰極引出線從陶瓷部件中穿過，并與屏蔽盒中的濾波線圈相連接。但是現(xiàn)有技術存在以下不足磁控管的現(xiàn)有技術的陰極部結構中，屏蔽帽是設置在上部密封件上端的突出的圓臺結構，屏蔽帽的上表面為一圓形的平面，在磁控管開始工作時陰極部產生大量的熱，燈絲產生的熱電子主要由上部密封件上端的屏蔽帽向外發(fā)射，即通過屏蔽帽圓形平面構成的上表面發(fā)射熱電子，上表面的輻射率較小，容易導致屏蔽帽和整個磁控管陰極部的溫度過高， 從而縮短磁控管的使用壽命。另外，由于上部密封件和下部密封件都采用圓柱形結構，在上部密封件和下部密封件中的平面和圓周面的相交部分以及屏蔽帽的上表面和上部密封件接觸銜接部分都形成相對尖銳的棱角，這些棱角在磁控管的使用過程中容易導致過高的電壓匯集，從而導致磁控管被高壓擊穿損壞。

發(fā)明內容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題而提供一種采用上表面為圓弧面的屏蔽帽，同時設置倒角分別去除上、下密封件上的棱角，從而提高熱電子輻射率、避免高壓擊穿的磁控管的陰極部結構。
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題所采取的技術方案是本發(fā)明的磁控管的陰極部結構，包括燈絲，在磁控管的中心軸方向上由鎢和釷元素形成，具有螺旋形狀并可放射熱電子，在燈絲的上下端分別設置圓柱形的上部密封件和下部密封件；屏蔽帽，設置在上部密封件的上端，由上部密封件向上凸出形成；中央導桿， 貫通磁控管的下部密封件且連接上部密封件，支撐燈絲并為燈絲引入電源，其下端通過焊接片與陰極引出線相連接；側面導桿，連接磁控管的下部密封件，與中央導桿配合向燈絲引入電源，側面導桿的下端通過焊接片與陰極引出線相連接；陶瓷部件，設置在由陰極封蓋所圍成的下部密封室下側，在陶瓷部件上端設置支撐中央導桿和側面導桿的兩個互不接觸的焊接片，與焊接片分別連接的兩條陰極引出線從陶瓷部件中穿過，并與屏蔽盒中的濾波線圈相連接；屏蔽帽的上表面為上凸的平滑弧面。本發(fā)明還可以采用如下技術措施所述的屏蔽帽的俯視輪廓為圓形，且屏蔽帽與上部密封件的中心軸為同軸結構。所述的屏蔽帽與上部密封件間緊密貼合。所述的屏蔽帽的上表面與上部密封件之間平滑過渡。所述的屏蔽帽的上表面與上部密封件的接觸位置形成一圈內凹的弧面。在圓柱形的上部密封件和下部密封件上所有的圓周面和平面的相交位置形成倒本發(fā)明具有的優(yōu)點和積極效果是本發(fā)明的磁控管的陰極部結構中，上部密封件上端形成具有上凸弧面的平滑結構的屏蔽帽，屏蔽帽的上表面的表面積相應增加，因而提高了屏蔽帽上表面的輻射率，使磁控管陰極部上匯聚的能量能夠及時向外發(fā)散，以降低屏蔽帽以及整個磁控管陰極部的溫度， 使磁控管陰極部處于正常的溫度狀況下工作，避免因陰極部溫度過高導致的磁控管損壞， 延長了磁控管的正常工作壽命。另外，在上部密封件和下部密封件上所有平面與圓周面的交界處都設置圓弧倒角，消除了陰極部各個部件上原有的尖角，避免由于尖角所引起的磁控管高壓擊穿，防止磁控管陰極打火所造成的產品故障。


圖1是現(xiàn)有技術的磁控管結構縱剖視圖；圖2是現(xiàn)有技術中磁控管的陰極部結構的剖視圖；圖3是現(xiàn)有技術中磁控管的陰極部結構的示意圖；圖4是本發(fā)明的磁控管的陰極部結構的示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細的說明。圖4是本發(fā)明的磁控管的陰極部結構的示意圖。如圖4所示，磁控管的陰極封蓋設置在磁控管下磁極的下部，與磁控管的陽極外殼密封連接形成下部密封室，金屬材質的陰極封蓋與陽極外殼通過焊接緊密連接，陰極封蓋下部的中間位置設置供陰極引出線穿過的開口。在磁控管的下端對應下磁極的下部密封室位置設置陶瓷部件，陶瓷部件與形成下部密封室的陰極封蓋緊密結合；在陶瓷部件中設置兩條穿過陶瓷部件的陰極引出線，另外設置具有濾波功能的濾波線圈，兩段濾波線圈分別通過陰極引出線連接燈絲的中央導桿一端和側面導桿的一端；包圍濾波線圈設置由金屬材質構成的屏蔽盒，屏蔽盒內部形成密閉的空間，屏蔽盒上部形成通孔，陶瓷部件的下端穿過屏蔽盒上部的通孔并與屏蔽盒相固定，連接濾波線圈，并跨接于電源兩端從外部引入電源的電容器。在磁控管的下部的屏蔽盒，構成磁控管的一部分，屏蔽盒中的濾波線圈，由一組相互對應設置的線圈構成，通過陰極引出線分別連接磁控管中燈絲的中央導桿和側面導桿， 形成電路連通；屏蔽盒，由金屬板構成，包圍濾波線圈，其內部形成密閉的空間，保護濾波線圈及濾波線圈的電路連接，在屏蔽盒的上部設置通孔，磁控管的陶瓷部件的下端穿過屏蔽盒上部的通孔與屏蔽盒相固定；電容器，設置在上述屏蔽盒外，通過連接導線穿過屏蔽盒與濾波線圈相連接，將電源供給給磁控管。磁控管的陰極部結構，包括燈絲，在磁控管的中心軸方向上由鎢和釷元素形成， 具有螺旋形狀并可放射熱電子，在燈絲的上下端分別設置圓柱形的上部密封件和下部密封件；屏蔽帽15a，設置在上部密封件的上端，由上部密封件向上凸出形成；中央導桿17，由導電率高的貴金屬制成，貫通磁控管的下部密封件16且連接上部密封件15，在下部密封件和上部密封件之間的中央導桿位于磁控管的軸心部位，支撐燈絲13并為燈絲引入電源，其下端與陶瓷部件上端設置的焊接片固定，通過焊接片與陰極引出線電連接；側面導桿18，同樣由導電率高的貴金屬制成，其上端連接磁控管的下部密封件16，與中央導桿17配合向燈絲引入電源，側面導桿的下端與陶瓷部件上端設置的焊接片固定，通過焊接片與陰極引出線相連接；陶瓷部件，由絕緣的陶瓷構成，設置在由陰極封蓋所圍成的下部密封室下側，在陶瓷部件上端設置支撐中央導桿和側面導桿的兩個互不接觸的焊接片，與焊接片分別連接的兩條陰極引出線從陶瓷部件中穿過，并與屏蔽盒中的濾波線圈相連接，陶瓷部件與陰極封蓋下端開口之間緊密連接，以防止高頻諧波泄漏。在圓柱形的上部密封件上端突出設置的屏蔽帽15a上表面采用非平面的結構，從側視圖可以看出，屏蔽帽的上表面為上凸的平滑圓弧面。向上凸出的弧面一方面可以擴大屏蔽帽上表面的面積，即增大熱電子發(fā)射，提高屏蔽帽的發(fā)射率，另一方面，平滑的圓弧上表面能夠減少屏蔽帽上尖角和毛刺的產生，減少形成陰極部上局部高壓的區(qū)域。與圓柱形的上部密封件相對應，屏蔽帽的俯視輪廓為圓形，且屏蔽帽與上部密封件的中心軸為同軸結構，使屏蔽帽從俯視方向上看設置在上部密封件的中間位置，從而使磁控管工作時熱電子的發(fā)射方向更加集中在磁控管的軸心位置，圓形的屏蔽帽使熱電子發(fā)射更加均勻。在屏蔽帽和上部密封件裝配時，應保證屏蔽帽與上部密封件間緊密貼合，兩者之間避免發(fā)生空隙，防止因空隙的尖角造成高壓擊穿。屏蔽帽可以與上部密封件采用一體成型的結構。為了消除屏蔽帽和上部密封件銜接部處形成突出的尖角和毛刺，應使屏蔽帽的上表面與上部密封件之間平滑過渡，屏蔽帽在上表面與上部密封件的接觸位置形成一圈內凹的弧面，使上表面和上部密封件的上端的交界處從側面看由弧面平滑連接。在圓柱形的上部密封件和下部密封件上所有的圓周面和平面的相交位置形成倒角結構40，通過倒角結構的連續(xù)圓弧面消除圓柱體上面面交界處突出的尖角。
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本發(fā)明的磁控管的陰極部結構中，上部密封件上端形成具有上凸弧面的平滑結構的屏蔽帽，屏蔽帽的上表面的表面積相應增加，因而提高了屏蔽帽上表面的輻射率，使磁控管陰極部上匯聚的能量能夠及時向外發(fā)散，以降低屏蔽帽以及整個磁控管陰極部的溫度， 使磁控管陰極部處于正常的溫度狀況下工作，避免因陰極部溫度過高導致的磁控管損壞， 延長了磁控管的正常工作壽命。另外，在上部密封件和下部密封件上所有平面與圓周面的交界處都設置圓弧倒角，消除了陰極部各個部件上原有的尖角，避免由于尖角所引起的磁控管高壓擊穿，防止磁控管陰極打火所造成的產品故障。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，然而，并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內，當然會利用揭示的技術內容作出些許更動或修飾，成為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的范圍內。
權利要求
1.一種磁控管的陰極部結構，包括燈絲，在磁控管的中心軸方向上由鎢和釷元素形成，具有螺旋形狀并可放射熱電子，在燈絲的上下端分別設置圓柱形的上部密封件和下部密封件；屏蔽帽，設置在上部密封件的上端，由上部密封件向上凸出形成；中央導桿，貫通磁控管的下部密封件且連接上部密封件，支撐燈絲并為燈絲引入電源，其下端通過焊接片與陰極引出線相連接；側面導桿，連接磁控管的下部密封件，與中央導桿配合向燈絲引入電源，側面導桿的下端通過焊接片與陰極引出線相連接；陶瓷部件，設置在由陰極封蓋所圍成的下部密封室下側，在陶瓷部件上端設置支撐中央導桿和側面導桿的兩個互不接觸的焊接片，與焊接片分別連接的兩條陰極引出線從陶瓷部件中穿過，并與屏蔽盒中的濾波線圈相連接；其特征在于屏蔽帽的上表面為上凸的平滑弧面。
2.根據(jù)權利要求1所述的磁控管的陰極部結構，其特征在于屏蔽帽的俯視輪廓為圓形，且屏蔽帽與上部密封件的中心軸為同軸結構。
3.根據(jù)權利要求2所述的磁控管的陰極部結構，其特征在于屏蔽帽與上部密封件間緊密貼合。
4.根據(jù)權利要求3所述的磁控管的陰極部結構，其特征在于屏蔽帽的上表面與上部密封件之間平滑過渡。
5.根據(jù)權利要求4所述的磁控管的陰極部結構，其特征在于屏蔽帽的上表面與上部密封件的接觸位置形成一圈內凹的弧面。
6.根據(jù)權利要求1所述的磁控管的陰極部結構，其特征在于在圓柱形的上部密封件和下部密封件上所有的圓周面和平面的相交位置形成倒角。
全文摘要
本發(fā)明的磁控管的陰極部結構中，上部密封件上端形成具有上凸弧面的平滑結構的屏蔽帽，屏蔽帽的上表面的表面積相應增加，因而提高了屏蔽帽上表面的輻射率，使磁控管陰極部上匯聚的能量能夠及時向外發(fā)散，以降低屏蔽帽以及整個磁控管陰極部的溫度，使磁控管陰極部處于正常的溫度狀況下工作，避免因陰極部溫度過高導致的磁控管損壞，延長了磁控管的正常工作壽命。另外，在上部密封件和下部密封件上所有平面與圓周面的交界處都設置圓弧倒角，消除了陰極部各個部件上原有的尖角，避免由于尖角所引起的磁控管高壓擊穿，防止磁控管陰極打火所造成的產品故障。
文檔編號H01J23/04GK102237237SQ20101016278
公開日2011年11月9日 申請日期2010年5月5日 優(yōu)先權日2010年5月5日
發(fā)明者李憶, 王媛 申請人:樂金電子(天津)電器有限公司