專利名稱：等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)平板顯示器(FPD)制造用的玻璃基板、半導(dǎo)體集成電路(IC)制造用的半導(dǎo)體晶片等被處理體實(shí)施等離子體處理的等離子體處理裝置。
背景技術(shù)：
在FPD或IC的制造工序中，使用對(duì)玻璃基板、半導(dǎo)體晶片等被處理體實(shí)施蝕刻等處理的等離子體處理裝置。作為實(shí)施蝕刻等處理的等離子體處理裝置，例如熟知有等離子 體干式蝕刻裝置?？刂铺幚須怏w、高頻輸出的裝置控制器與等離子體干式蝕刻裝置連接。裝置控制器根據(jù)被稱為處理方案的規(guī)定的處理?xiàng)l件，控制處理氣體的流量、高頻輸出、處理時(shí)間和處 理壓力等。由此，進(jìn)行等離子體處理裝置對(duì)被處理體的蝕刻等規(guī)定的處理。在實(shí)施規(guī)定的處理時(shí)發(fā)生處理異常等的情況下，例如，如專利文獻(xiàn)1所述，中斷對(duì)被處理體的處理。中斷后，操作者進(jìn)行方案的修正等必要的操作，之后再實(shí)施對(duì)被處理體的 處理。專利文獻(xiàn)1 日本特開2007-234809號(hào)公報(bào)如專利文獻(xiàn)1所記載，在實(shí)施規(guī)定的處理時(shí)，在發(fā)生處理異常等的情況下中斷處理。因此，可能導(dǎo)致產(chǎn)品的生產(chǎn)率降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題而完成，其目的在于提供即使在發(fā)生處理異常等的情況下，也能夠抑制生產(chǎn)率的降低的等離子體處理裝置。為了解決上述課題，本發(fā)明的一個(gè)方面的等離子體處理裝置，設(shè)置有根據(jù)處理?xiàng)l件對(duì)被處理體進(jìn)行等離子體處理的處理室，該等離子體處理裝置包括存儲(chǔ)有與上述處理 條件不同的多個(gè)再處理?xiàng)l件的存儲(chǔ)部；和控制系統(tǒng)，其具有監(jiān)視上述等離子體處理中有無(wú) 發(fā)生異常的監(jiān)視功能和判定發(fā)生的異常的種類的判定功能，在上述等離子體處理中發(fā)生了 異常的情況下，根據(jù)所判定的異常的種類，從上述多個(gè)再處理?xiàng)l件中選擇一個(gè)再處理?xiàng)l件， 對(duì)上述被處理體進(jìn)行再處理。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種即使在發(fā)生處理異常等的情況下也能夠抑制生產(chǎn)率的降低的等離子體處理裝置。


圖1是概略地表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的等離子體處理裝置的一個(gè)例子的截面圖。圖2是概略地表示控制圖1所示的等離子體處理裝置1的控制系統(tǒng)的框圖。圖3是表示一實(shí)施方式的等離子體處理裝置所具有的裝置控制器所實(shí)施的基板處理方法的一個(gè)例子的流程圖。圖4是表示處理?xiàng)l件變更的例子的圖。圖5是表示一實(shí)施方式的等離子體處理裝置進(jìn)行的基板處理的順序的一個(gè)例子的流程圖。圖6A是表示被正常處理的玻璃基板G的每個(gè)處理經(jīng)過(guò)時(shí)間的處理信息的圖，圖6B 是表示發(fā)生異常的玻璃基板G的每個(gè)處理經(jīng)過(guò)時(shí)間的處理信息的圖。圖7是表示放電電平與時(shí)間的關(guān)系的圖。符號(hào)說(shuō)明2…處理室(處理室)5…基材(下部電極)5a···凸部5b…凸緣部6…聚焦環(huán)13…匹配器14…高頻電源27…質(zhì)量流量控制器30…排氣裝置50…裝置控制器51…終點(diǎn)檢測(cè)器42…高頻產(chǎn)生裝置
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1是概略地表示本發(fā)明一實(shí)施方式的等離子體處理裝置的一個(gè)例子的截面圖。圖1所示的等離子體處理裝置1是對(duì)FPD制造用的玻璃基板G進(jìn)行規(guī)定處理的裝 置的一個(gè)例子，在本例中，構(gòu)成為電容耦合型等離子體干式蝕刻裝置。作為FPD，能夠列舉液 晶顯示器(LCD)、電致發(fā)光(Electro Luminescence ； EL)顯示器、等離子體顯示面板(PDP)寸。等離子體處理裝置1具有處理室(等離子體處理室)2，該處理室2例如成形為由 表面經(jīng)過(guò)防蝕鋁處理(陽(yáng)極氧化處理)的鋁構(gòu)成的角筒形狀。在處理室2內(nèi)的底部配置有 用于載置作為被處理體的玻璃基板G的載置臺(tái)3。載置臺(tái)3隔著絕緣部件4被支承在處理室2的底部。載置臺(tái)3由具有凸部5a的 導(dǎo)電性基材5構(gòu)成。導(dǎo)電性基材5的表面被絕緣性的涂層8例如氧化鋁噴鍍、防蝕鋁覆蓋。 凸部5a的周圍被邊框狀的聚焦環(huán)6包圍。在本例中，供電線12與導(dǎo)電性基材5連接。供 電線12通過(guò)匹配器13與高頻電源14連接。高頻電源14輸出例如13. 56MHz的高頻電力。 高頻電力通過(guò)匹配器13和供電線12供給至構(gòu)成載置臺(tái)3的導(dǎo)電性基材5。由此，載置臺(tái)3 作為下部電極發(fā)揮作用。在載置臺(tái)3的上方，與載置臺(tái)3相對(duì)地配置有噴淋頭20。噴淋頭20例如被支承在 處理室2的上部。噴淋頭20在內(nèi)部具有內(nèi)部空間21，并且在與載置臺(tái)3的相對(duì)面上具有噴出處理氣體的多個(gè)噴出孔22。由此，噴淋頭20作為處理氣體噴出部發(fā)揮作用。另外，在本 例中，噴淋頭20被接地，作為上部電極發(fā)揮作用，與作為下部電極發(fā)揮作用的載置臺(tái)3 —起 構(gòu)成一對(duì)平行平板電極。在噴淋頭20的上表面設(shè)置有氣體導(dǎo)入口 24。處理氣體供給管25與氣體導(dǎo)入口 24連接。處理氣體供給管25通過(guò)開閉閥26和質(zhì)量流量控制器(MFC) 27與處理氣體供給源 28連接。處理氣體供給源28將用于等離子體處理例如等離子體干式蝕刻的處理氣體，通過(guò) 質(zhì)量流量控制器27、開閉閥26、處理氣體供給管25和噴淋頭20向處理室2內(nèi)供給。作為 處理氣體，能夠使用鹵素類氣體、O2氣體、Ar氣體等通常在該領(lǐng)域中使用的氣體。在處理室2的底部形成有排氣管29。排氣管2 9與排氣裝置30連接。排氣裝置 30具有渦輪分子泵(TMP)等真空泵。排氣裝置30調(diào)節(jié)排氣量，對(duì)處理室2內(nèi)進(jìn)行排氣。由 此，處理室2內(nèi)的壓力能夠減壓到規(guī)定的減壓氣氛。在處理室2的側(cè)壁設(shè)置有基板搬入搬出口 31?；灏崛氚岢隹?31能夠通過(guò)閘閥 32進(jìn)行開閉。在打開閘閥32的狀態(tài)下，由搬送裝置(未圖示)搬入搬出玻璃基板G。圖2是概略地表示控制圖1所示的等離子體處理裝置1的控制系統(tǒng)的框圖。如圖2所示，裝置控制器50與匹配器13、質(zhì)量流量控制器27、排氣裝置30、基于處 理室2內(nèi)的等離子體發(fā)光強(qiáng)度檢測(cè)蝕刻終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)器51、使高頻電源14產(chǎn)生高頻輸出 的高頻產(chǎn)生裝置52連接?？刂破?0具有存儲(chǔ)處理?xiàng)l件(處理方案)的存儲(chǔ)部，裝置控制器50控制質(zhì)量流 量控制器27，根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部的處理?xiàng)l件(處理方案)調(diào)節(jié)處理氣體的流量。同樣地，裝置控制器50控制排氣裝置30，根據(jù)處理方案調(diào)節(jié)排氣量，調(diào)節(jié)處理室2 內(nèi)的壓力。進(jìn)一步，裝置控制器50控制高頻產(chǎn)生裝置52，根據(jù)處理方案，調(diào)節(jié)供給載置臺(tái)3的 高頻電力的輸出值。進(jìn)一步，裝置控制器50特別還控制未圖示的在安裝在載置臺(tái)3中的傳熱介質(zhì)流路 中流通的傳熱介質(zhì)的溫度調(diào)節(jié)裝置，根據(jù)處理方案，調(diào)節(jié)玻璃基板G的溫度。這樣，裝置控制器50通過(guò)控制質(zhì)量流量控制器27、排氣裝置30、高頻產(chǎn)生裝置52 和溫度調(diào)節(jié)裝置，控制等離子體處理裝置1。另外，裝置控制器50不只具有控制等離子體處理裝置1的功能，還具有監(jiān)視處理 的狀況的監(jiān)視功能。具體而言，裝置控制器50監(jiān)視質(zhì)量流量控制器27中的處理氣體的流量，監(jiān)視處理 氣體的供給狀況。同樣地，裝置控制器50監(jiān)視排氣裝置30中的排氣量，監(jiān)視處理室2內(nèi)的壓力狀況。同樣地，裝置控制器50監(jiān)視高頻產(chǎn)生裝置52的輸出值，監(jiān)視高頻輸出的輸出狀 況。同樣地，裝置控制器50監(jiān)視溫度調(diào)節(jié)裝置，監(jiān)視玻璃基板G的溫度、處理室2內(nèi)的 溫度狀況。同樣地，裝置控制器50監(jiān)視終點(diǎn)檢測(cè)器51所檢測(cè)出的等離子體發(fā)光強(qiáng)度，監(jiān)視處 理室2內(nèi)的等離子體的狀態(tài)。進(jìn)一步，裝置控制器50監(jiān)視返回高頻產(chǎn)生裝置52的高頻電力的反射波的大小(以下，簡(jiǎn)稱為反射波)，監(jiān)視處理室2內(nèi)的等離子體的狀態(tài)。進(jìn)一步，裝置控制器50控制等離子體處理裝置1，使得在對(duì)玻璃基板G實(shí)施處理時(shí)，在發(fā)生異常例如處理異常時(shí)，選擇預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部的再處理?xiàng)l件，設(shè)定需要的值，對(duì) 該玻璃基板G實(shí)施再處理。圖3表示裝置控制器50所實(shí)施的基板處理方法的一個(gè)例子。如圖3所示，裝置控制器50存儲(chǔ)有基本處理?xiàng)l件?；咎幚?xiàng)l件由作為處理?xiàng)l件(處理方案)的基本條件、和用于判斷有無(wú)發(fā)生處理異常的規(guī)定值構(gòu)成。在基本條件中設(shè) 定有處理氣體的流量、處理氣體的種類、處理室2內(nèi)的壓力、高頻電力的輸出值和處理時(shí)間 等。規(guī)定值針對(duì)從各單元(匹配器13、質(zhì)量流量控制器27、排氣裝置30、終點(diǎn)檢測(cè)器51、高 頻產(chǎn)生裝置52、溫度調(diào)節(jié)裝置(未圖示))得到的等離子體發(fā)光強(qiáng)度、高頻電力的輸出值、反 射波、基板或處理室2內(nèi)的溫度而設(shè)定。規(guī)定值的一個(gè)例子是，將在正常結(jié)束處理的玻璃基板G中觀測(cè)到的等離子體發(fā)光 強(qiáng)度、高頻電力的輸出值、反射波、基板或處理室2內(nèi)的溫度作為規(guī)定值。裝置控制器50在 對(duì)玻璃基板G實(shí)施處理時(shí)，監(jiān)視等離子體發(fā)光強(qiáng)度、高頻電力的輸出值、反射波、基板或處 理室2內(nèi)的溫度，在發(fā)生這些值中的至少一個(gè)脫離上述規(guī)定值的變化的情況下，判斷發(fā)生 了異常。裝置控制器50也具有判定異常的種類的判定功能。異常的種類的判定，例如根據(jù) 等離子體發(fā)光強(qiáng)度、高頻電力的輸出值、反射波、基板或處理室2內(nèi)的溫度中脫離了哪個(gè)規(guī) 定值而進(jìn)行判定即可。例如，在裝置控制器50的存儲(chǔ)部中預(yù)先存儲(chǔ)有從判定-1到判定-η的η個(gè)判定結(jié)果，通過(guò)檢索脫離規(guī)定值的變化與η個(gè)判定中的哪個(gè)判定結(jié)果相符，而判定異常的種類。進(jìn)一步，在本例中，裝置控制器50的存儲(chǔ)部中存儲(chǔ)有與η個(gè)判定結(jié)果的各個(gè)對(duì)應(yīng)的多個(gè)再處理?xiàng)l件。相對(duì)于處理?xiàng)l件(基本條件)，再處理?xiàng)l件中處理氣體的流量、處理氣 體的種類、處理室2內(nèi)的壓力(處理室2內(nèi)的排氣量)、高頻電力的輸出值中的至少任一個(gè) 不同。例如，如圖4Α所示，處理時(shí)間為IlOsec時(shí)、反射波瞬時(shí)上升。令此時(shí)的判定為“判 定-1 ”，作為再處理?xiàng)l件選擇“條件-1 ”。另外，如圖4Β所示，處理時(shí)間為140sec時(shí)，等離子 體發(fā)光急劇減少。令此時(shí)的判定為“判定_2”，作為再處理?xiàng)l件選擇“條件_2”。裝置控制器50將基本條件例如處理氣體的流量、處理室2內(nèi)的壓力、高頻電力的輸出值和處理時(shí)間，變更為根據(jù)判定結(jié)果選擇的再處理?xiàng)l件。然后，裝置控制器利用選擇的 再處理?xiàng)l件，對(duì)玻璃基板G實(shí)施再處理。這樣，根據(jù)一實(shí)施方式的等離子體處理裝置，根據(jù)玻璃基板G的處理狀況、裝置的狀態(tài)，裝置控制器50自動(dòng)選擇適當(dāng)?shù)脑偬幚項(xiàng)l件并實(shí)施。由此，能夠得到即使在發(fā)生處理 異常等的情況下也能夠抑制生產(chǎn)率的降低的等離子體處理裝置。接著，以下說(shuō)明具體的基板處理的順序的一個(gè)例子。圖5是表示一實(shí)施方式的等離子體處理裝置所進(jìn)行的基板處理的順序的一個(gè)例子的流程圖。如圖5所示，假設(shè)在進(jìn)行處理時(shí)，發(fā)生了某些異常(步驟1)。判斷步驟1中發(fā)生的異常是重度異常還是輕度異常。重度異常例如包括不能夠搬送玻璃基板G、電極破損、高頻電源破損等器械故障，是不能夠繼續(xù)進(jìn)行處理的異常(限制警報(bào)，killeralarm)。在發(fā)出限制警報(bào)時(shí)中止處理。
輕度異常是反射波瞬時(shí)增大、有規(guī)定以外的高頻的輸出變動(dòng)、有規(guī)定以外的壓力變動(dòng)、有規(guī)定以外的處理氣體的流量變動(dòng)、有規(guī)定以外的溫度變動(dòng)(處理室內(nèi)和/或玻璃基 板等)等的情況，是估計(jì)能夠繼續(xù)進(jìn)行處理的異常(通常警報(bào))。發(fā)生通常警報(bào)時(shí)進(jìn)行異常 診斷步驟(步驟2)。在步驟2中判定異常的種類，判定的結(jié)果是判斷出是否能夠繼續(xù)進(jìn)行處理。異常的種類例如基于發(fā)生異常的定時(shí)、檢測(cè)出異常的單元的信息而進(jìn)行判定。例 如，在裝置控制器50的存儲(chǔ)部中記錄最近正常地被處理的玻璃基板G的處理信息。例如， 使裝置控制器50以下述方式對(duì)每個(gè)處理經(jīng)過(guò)時(shí)間的處理信息進(jìn)行采樣，即，如果是A品種， 則在使用B方案進(jìn)行處理時(shí)，經(jīng)過(guò)C時(shí)間后成為等離子體的發(fā)光強(qiáng)度D，進(jìn)而經(jīng)過(guò)E時(shí)間后 成為發(fā)光強(qiáng)度F，在G時(shí)間結(jié)束處理等。在每個(gè)處理經(jīng)過(guò)時(shí)間進(jìn)行采樣的處理信息中，例如 包括玻璃基板G被正常地處理時(shí)，處理室內(nèi)或玻璃基板G的溫度、高頻電力的輸出值、等離 子體發(fā)光的強(qiáng)度、和反射波的大小在每個(gè)處理經(jīng)過(guò)時(shí)間發(fā)生怎樣的變化的信息。例如，將這 樣的每個(gè)處理經(jīng)過(guò)時(shí)間的處理信息作為判定的規(guī)定值，以判斷處理的進(jìn)展和是否進(jìn)行再處 理。當(dāng)判斷為不能夠繼續(xù)進(jìn)行處理時(shí)，中止處理(不可進(jìn)行再處理)。當(dāng)判斷為能夠繼續(xù)進(jìn)行處理時(shí)(可進(jìn)行再處理)，進(jìn)行再處理?xiàng)l件設(shè)定步驟(步驟 3)。在步驟3中，針對(duì)檢測(cè)出處理的異常的玻璃基板G，設(shè)定再處理?xiàng)l件。再處理?xiàng)l件的設(shè)定，通過(guò)根據(jù)判定出的異常的種類從預(yù)先存儲(chǔ)的多個(gè)再處理?xiàng)l件 中選擇最佳的再處理?xiàng)l件而進(jìn)行。例如，在瞬時(shí)反射波過(guò)大等的等離子體狀態(tài)的不穩(wěn)定成 為異常的原因時(shí)，選擇僅使高頻輸出降低的再處理?xiàng)l件。另外，在異常檢測(cè)前計(jì)算玻璃基板G被正常處理的時(shí)間，考慮上述高頻輸出的變 更，設(shè)定必要的再處理時(shí)間。在不使用終點(diǎn)檢測(cè)的情況下，或者不能夠進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)的情況 下，根據(jù)該設(shè)定的再處理時(shí)間結(jié)束處理?；趫D6A和圖6B說(shuō)明具體的再處理?xiàng)l件的設(shè)定例。圖6A表示在高頻輸出為IOkW的基本條件下，被正常處理后的玻璃基板G的每個(gè) 處理經(jīng)過(guò)時(shí)間的處理信息，表示伴隨等離子體發(fā)光強(qiáng)度和反射波的處理經(jīng)過(guò)時(shí)間的變動(dòng)波 形。如圖6A所示，被正常處理的玻璃基板G，首先，總的處理時(shí)間為llOsec。每個(gè)處理 經(jīng)過(guò)時(shí)間的等離子體發(fā)光強(qiáng)度和反射波的變動(dòng)如下。處理經(jīng)過(guò)時(shí)間60sec 等離子體發(fā)光強(qiáng)度降低、反射波增大處理經(jīng)過(guò)時(shí)間SOsec 等離子體發(fā)光強(qiáng)度再度降低處理經(jīng)過(guò)時(shí)間IOOsec 等離子體發(fā)光強(qiáng)度為下限(適量蝕刻(justetching))處理經(jīng)過(guò)時(shí)間IlOsec 處理結(jié)束圖6B表示在高頻輸出為IOkW的基本條件下，發(fā)生異常的玻璃基板G的每個(gè)處理 經(jīng)過(guò)時(shí)間的處理信息。在圖6B所示的例子中，處理經(jīng)過(guò)時(shí)間為58sec時(shí)，瞬時(shí)反射波變得 過(guò)大。此處，圖6B表示直到發(fā)生異常的處理信息。在本例中，裝置控制器50判斷為能夠繼 續(xù)進(jìn)行處理，如下所述地設(shè)定再處理?xiàng)l件。異常種類為“瞬時(shí)反射波過(guò)大”，因此，裝置控制器50從預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部中的多個(gè)再處理?xiàng)l件中，選擇與基本條件相比只是高頻輸出下降至5kW的再處理?xiàng)l件。另外，為了準(zhǔn)備應(yīng)對(duì)不能夠檢測(cè)出終點(diǎn)的情況，也設(shè)定再處理時(shí)間。關(guān)于再處理時(shí)間，因?yàn)槭垢哳l輸出降低至5kW，所以將從正常處理時(shí)的總處理時(shí)間(llOsec)減去檢測(cè)出 異常前玻璃基板G被正常處理的時(shí)間(58sec)而得到的時(shí)間乘以2，設(shè)定為104sec。這樣設(shè)定再處理?xiàng)l件后，進(jìn)行步驟4，執(zhí)行再處理(追加處理)。之后，如步驟5所 示，如果檢測(cè)出蝕刻的終點(diǎn)則結(jié)束處理(可結(jié)束)，在沒(méi)有檢測(cè)出終點(diǎn)的情況下，如步驟6所 示，通過(guò)設(shè)定的再處理時(shí)間的時(shí)間控制(不可結(jié)束)，而結(jié)束處理。以上，說(shuō)明了具體順序的一個(gè)例子，但再處理?xiàng)l件的執(zhí)行是通過(guò)裝置控制器50全 部自動(dòng)地進(jìn)行的，因此，從檢測(cè)出異常到開始再處理?xiàng)l件的執(zhí)行的時(shí)間極短。因此在檢測(cè)出 異常的時(shí)刻，裝置控制器50可以控制高頻產(chǎn)生裝置52，暫時(shí)停止高頻輸出，也可以不停止。 或者，可以如圖7所示，在從檢測(cè)出異常到開始再處理?xiàng)l件的執(zhí)行之間，控制高頻產(chǎn)生裝置 52，使得高頻輸出下降到維持等離子體所必需的最低限度的輸出，使該期間為不能進(jìn)行蝕 刻等處理的微弱放電狀態(tài)。通過(guò)作為控制系統(tǒng)具有這樣的裝置控制器50，能夠得到即使在發(fā)生處理異常等的 情況下也能夠抑制生產(chǎn)率的降低的等離子體處理裝置。以上，利用一實(shí)施方式說(shuō)明了本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于上述一實(shí)施方式，能夠有 各種變形。例如，可以是使再處理?xiàng)l件為“將基本條件的高頻輸出值降低至50%”這樣的將 基本條件的值作為基礎(chǔ)的條件。如果是這樣的條件，則即使基本條件變化，也能夠降低高頻 輸出。另外，本發(fā)明的實(shí)施方式中，上述一實(shí)施方式并不是唯一的。例如，在上述一實(shí)施方式中，表示了將本發(fā)明應(yīng)用于FPD制造用的玻璃基板的等 離子體干式蝕刻處理的情況，但不限于此，也可以應(yīng)用于處理太陽(yáng)能電池用基板或半導(dǎo)體 晶片等其它被處理體的裝置。另外，作為處理，表示了等離子體干式蝕刻處理，但并不限于等離子體干式蝕刻處 理，也能夠應(yīng)用于CVD、PVD等成膜處理。另外，在上述一實(shí)施方式中，表示了將高頻電源14連接于載置臺(tái)3的電容耦合型 等離子體裝置，但例如也可以是在載置臺(tái)3上連接有與高頻電源14不同頻率的高頻電源的 電容耦合型等離子體裝置，或者對(duì)于電感耦合型的等離子體裝置、利用微波的等離子體裝 置，也能夠應(yīng)用本發(fā)明。
權(quán)利要求
一種等離子體處理裝置，其設(shè)置有根據(jù)處理?xiàng)l件對(duì)被處理體進(jìn)行等離子體處理的處理室，該等離子體處理裝置的特征在于，具有存儲(chǔ)有與所述處理?xiàng)l件不同的多個(gè)再處理?xiàng)l件的存儲(chǔ)部；以及具有監(jiān)視所述等離子體處理中有無(wú)發(fā)生異常的監(jiān)視功能、和判定發(fā)生的異常的種類的判定功能的控制系統(tǒng)，其中在所述等離子體處理中發(fā)生異常的情況下，所述控制系統(tǒng)根據(jù)所判定的異常的種類，從所述多個(gè)再處理?xiàng)l件中選擇一個(gè)再處理?xiàng)l件，對(duì)所述被處理體進(jìn)行再處理。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于在所述等離子體處理中發(fā)生異常的情況下，所述控制系統(tǒng)判斷是否能夠繼續(xù)進(jìn)行等離 子體處理，在判斷為能夠繼續(xù)進(jìn)行處理時(shí)，選擇一個(gè)再處理?xiàng)l件，對(duì)所述被處理體實(shí)施再處理。
3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于在所述存儲(chǔ)部中預(yù)先存儲(chǔ)有與所述被處理體或所述處理室內(nèi)的溫度、等離子體的發(fā)光 強(qiáng)度和維持產(chǎn)生等離子體的高頻電力的反射波的大小有關(guān)的規(guī)定值，在等離子體處理中的 所述被處理體的溫度、所述等離子體的發(fā)光強(qiáng)度和所述反射波的大小脫離所述規(guī)定值時(shí)， 所述控制系統(tǒng)判斷為發(fā)生異常。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述控制系統(tǒng)根據(jù)正常地結(jié)束了處理的被處理體的每個(gè)處理經(jīng)過(guò)時(shí)間的所述被處理 體或所述處理室內(nèi)的溫度、所述高頻輸出的值、所述等離子體發(fā)光的強(qiáng)度和所述反射波的 大小，針對(duì)每個(gè)處理經(jīng)過(guò)時(shí)間設(shè)定所述規(guī)定值，并存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)部中。
5.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述控制系統(tǒng)控制向所述處理室內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給系統(tǒng)、對(duì)所述處理室 內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣系統(tǒng)、和向所述處理室內(nèi)供給維持產(chǎn)生等離子體的高頻電力的高頻電源 系統(tǒng)，所述再處理?xiàng)l件與所述處理?xiàng)l件相比，所述處理氣體的流量、所述處理氣體的種類、所 述處理室內(nèi)的排氣量、所述高頻電力的輸出中的至少任一個(gè)不同。
6.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述控制系統(tǒng)在判斷為發(fā)生異常之后直到對(duì)所述被處理體實(shí)施再處理的期間，使用于 維持產(chǎn)生等離子體的高頻電力為維持等離子體所需要的最低限度的輸出。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置，其即使在發(fā)生處理異常等的情況下也能夠抑制生產(chǎn)率的降低。該等離子體處理裝置設(shè)置有根據(jù)處理?xiàng)l件對(duì)被處理體(G)進(jìn)行等離子體處理的處理室，該等離子體處理裝置具有存儲(chǔ)有與處理?xiàng)l件不同的多個(gè)再處理?xiàng)l件的存儲(chǔ)部；以及具有監(jiān)視等離子體處理中有無(wú)發(fā)生異常的監(jiān)視功能、和判定發(fā)生的異常的種類的判定功能的控制系統(tǒng)(50)，在等離子體處理中發(fā)生異常的情況下，控制系統(tǒng)(50)根據(jù)判定的異常的種類，從多個(gè)再處理?xiàng)l件中選擇一個(gè)再處理?xiàng)l件，對(duì)被處理體(G)進(jìn)行再處理。
文檔編號(hào)H01J37/32GK101800149SQ201010103970
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2010年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月26日
發(fā)明者田中誠(chéng)治, 藤永元毅 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社