專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于顯示設(shè)備等的等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(以下稱PDP)因?yàn)榭梢詫?shí)現(xiàn)高清晰、大屏幕，作為100英寸類 的電視機(jī)等已產(chǎn)品化。最近，PDP在與現(xiàn)有NTSC方式相比掃描線數(shù)在兩倍以上的高清晰電 視的應(yīng)用正在發(fā)展。另外，針對能源問題，對進(jìn)一步降低耗電量的配合、及考慮到環(huán)境問題 的不含鉛的PDP的要求等也在提高。PDP基本上由前面板和背面板構(gòu)成。前面板由通過浮法制作的硼硅酸鈉系玻璃 的玻璃基板、在玻璃基板的一主面上形成的條紋狀的由透明電極和匯流電極構(gòu)成的顯示電 極、覆蓋顯示電極并發(fā)揮作為電容器的功效的電介質(zhì)層、和在電介質(zhì)層上形成的由氧化鎂 (MgO)形成的保護(hù)層構(gòu)成。另一方面，背面板由玻璃基板、在其一主面上形成的條紋狀的地址電極、覆蓋地址 電極的基底電介質(zhì)層、在基底電介質(zhì)層上形成的隔壁、在各隔壁之間形成的分別發(fā)出紅色、 綠色及藍(lán)色的光的熒光體層構(gòu)成。前面板和背面板使其電極形成面?zhèn)葘χ貌⑦M(jìn)行氣密密封，在通過隔壁隔開的放電 空間，以400Torr 600Torr(53300Pa 80000Pa)的氣壓封入了放電氣體氖(Ne)-氙(Xe)。 PDP通過在顯示電極有選擇地附加圖像信號電壓而放電，通過其放電而發(fā)生的紫外線激勵 各色熒光體使其發(fā)出紅色、綠色、藍(lán)色的光，從而實(shí)現(xiàn)彩色圖像顯示。另外，作為這樣的PDP的驅(qū)動方法，一般采用具有在容易寫入的狀態(tài)調(diào)節(jié)壁電荷 的初始化期間、根據(jù)輸入圖像信號進(jìn)行寫入放電的寫入期間、通過在施行了寫入的放電空 間產(chǎn)生維持放電而進(jìn)行顯示的維持期間的驅(qū)動方法。組合了這些各期間的期間(子場)在 相當(dāng)于圖像的1幀期間(1場)內(nèi)多次重復(fù)，由此進(jìn)行PDP的灰度顯示。在這種PDP中，作為在前面板的電介質(zhì)層上形成的保護(hù)層的作用，可舉出保護(hù)電 介質(zhì)層免受放電產(chǎn)生的離子沖擊、放射用于產(chǎn)生地址放電的初始電子的作用等。保護(hù)電介 質(zhì)層免受離子沖擊具有防止放電電壓上升的重要的作用。另外，放射用于產(chǎn)生地址放電的 初始電子具有防止成為圖像閃爍原因的地址放電錯誤的重要作用。為了增加從保護(hù)層放射的初始電子數(shù)而降低圖像的閃爍，公示有譬如在MgO保護(hù) 層中添加雜質(zhì)的例，或在MgO保護(hù)層上形成MgO粒子的例子。(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2、3、 4、5 等)近年來，電視機(jī)正在朝著高清晰度發(fā)展，市場要求低價位 低耗電·高亮度的全功 能HD (高分辨率)(1920X 1080像素順序顯示)的PDP。因?yàn)閬碜员Ｗo(hù)層的電子放射性能 決定PDP的畫質(zhì)，所以控制電子放射性能是非常重要的。S卩，為了顯示高清晰圖像，雖然1場的時間一定，但是進(jìn)行寫入的像素的數(shù)量也增 加，因此在子場中的寫入期間，有必要減小向地址電極施加的脈沖幅度。但是，由于電壓脈 沖上升而在放電空間內(nèi)直到放電發(fā)生都存在被稱作“放電延遲”的時滯。因此，若脈沖幅度減小就會降低在寫入期間內(nèi)放電可結(jié)束的概率。其結(jié)果是會產(chǎn)生點(diǎn)亮不良，產(chǎn)生所謂的閃 爍的畫質(zhì)性能降低之類的問題。另外，為降低電力消耗，以提高放電的發(fā)光效率為目的，考慮增大有助于熒光體層 的發(fā)光的、作為放電氣體的一成分的氖(Xe)分壓。但是，放電電壓增大的同時，“放電延遲” 增大，因此存在發(fā)生點(diǎn)亮不良等畫質(zhì)低下之類的問題。這樣，在推進(jìn)PDP的高清晰化和低耗電方面，存在必須同時實(shí)現(xiàn)放電電壓不提高 和減少點(diǎn)亮不良并提高畫質(zhì)的這一課題。進(jìn)行了通過在保護(hù)層中摻雜雜質(zhì)來改善電子放射性能的試驗(yàn)。但是，在使保護(hù)層 摻雜雜質(zhì)而改善電子放射性能的情況下，使得電荷蓄積在保護(hù)層表面，作為存儲器功能使 用時，往往會增大電荷隨著時間而減少的衰減率。為了補(bǔ)充這種電荷的衰減，有必要采取增 加附加電壓等對策。另外，包含MgO以外的保護(hù)層，因受周圍溫度的影響而存在放電現(xiàn)象變得不穩(wěn)定 這種問題。另一方面，在MgO保護(hù)層上形成MgO晶體粒子的示例中，雖然可以減小“放電延遲” 且減少點(diǎn)亮不良，但是，存在不能降低放電電壓這種問題。本發(fā)明是鑒于這樣的問題而開發(fā)的，是實(shí)現(xiàn)具備高亮度的顯示性能，且能進(jìn)行低 電壓驅(qū)動，能夠不依賴掃描電壓的溫度的可穩(wěn)定放電的PDP的發(fā)明。專利文獻(xiàn)1 日本特開2002-260535號公報(bào)。專利文獻(xiàn)2 日本特開平11-339665號公報(bào)。專利文獻(xiàn)3 日本特開2006-59779號公報(bào)。專利文獻(xiàn)4 日本特開平8-236028號公報(bào)。專利文獻(xiàn)5 日本特開平10-334809號公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種PDP，其具有第1基板和以形成填充有放電氣體的放電空間的方 式與所述第1基板對向配置的第2基板，第1基板中，以覆蓋形成于基板上的顯示電極的方 式形成電介質(zhì)層，并且在電介質(zhì)層上形成保護(hù)層；第2基板中，在與所述顯示電極相交叉的 方向形成地址電極，且設(shè)有區(qū)分所述放電空間的隔壁。其中，保護(hù)層通過由氧化鎂和氧化鈣 組成的金屬氧化物形成，并且含有硅，在保護(hù)層面的X射線衍射分析中，金屬氧化物的峰值 發(fā)生的衍射角存在于氧化鎂的峰值發(fā)生的衍射角和與該峰值同一方位的氧化鈣的峰值發(fā) 生的衍射角之間。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，即使為了提高保護(hù)層的二次電子放射性能、提高亮度而增大放電 氣體的Xe氣體分壓的情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓驅(qū)動。另外，可以實(shí)現(xiàn)掃描電壓沒有溫度 依存性的、能夠穩(wěn)定放電的PDP。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式的PDP的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2是表示該P(yáng)DP的前面板的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖3是表示該P(yáng)DP的保護(hù)層的X射線衍射結(jié)果的圖。
圖4是表示用于說明該P(yáng)DP的凝集粒子的放大圖。圖5是表示該P(yáng)DP的放電延遲和保護(hù)層中的鈣(Ca)濃度之間關(guān)系的圖。圖6是表示對本發(fā)明實(shí)施方式的PDP的電子放射性能和點(diǎn)亮電壓進(jìn)行調(diào)查的結(jié)果 的圖。圖7是對該P(yáng)DP的保護(hù)層中所含的硅(Si)的濃度和Vscn點(diǎn)亮電壓的溫度依存性 進(jìn)行表示的圖。圖8是表示該P(yáng)DP使用的凝集粒子和電子放射性能的關(guān)系的特性圖。符號說明1 PDP2 前面板3前面玻璃基板4掃描電極4a，5a透明電極4b，5b金屬匯流電極5維持電極6 顯示電極7黑色條紋(遮光層)8 電介質(zhì)層9保護(hù)層10 背面板11背面玻璃基板12 地址電極13基底電介質(zhì)層14 隔壁15 熒光體層16 放電空間81第1電介質(zhì)層82第2電介質(zhì)層92凝集粒子92a晶體粒子
具體實(shí)施例方式下面，利用

本發(fā)明實(shí)施方式中的PDP。(實(shí)施方式)圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式的PDPl的結(jié)構(gòu)的立體圖。PDPl的基本結(jié)構(gòu)與一般的 面放電交流型PDP相同。如圖1所示，PDPl的構(gòu)成為，由前面玻璃基板3等構(gòu)成的第1基 板(以下稱前面板2)與由背面玻璃基板11等構(gòu)成的第2基板(以下稱背面板10)對向配 置，將其外周部通過由玻璃料等構(gòu)成的密封材料進(jìn)行氣密密封。在被密封了的PDPl內(nèi)部的 放電空間16，以400Torr 600Torr (53300Pa 80000Pa)的壓力封入有氙(Xe)和氖(Ne)等放電氣體。在前面板2的前面玻璃基板3上，由掃描電極4及維持電極5構(gòu)成的一對帶狀的 顯示電極6和黑條(遮光層)7互相平行地各配置有多列。在前面玻璃基板3上以覆蓋顯 示電極6和遮光層7的方式形成保持電荷并作為電容器起作用的電介質(zhì)層8，進(jìn)一步在其上 形成保護(hù)層9。另外，在背面板10的背面玻璃基板11上，在與前面板2的掃描電極4及維持電極 5相正交的方向上，互相平行配置有多個帶狀的地址電極12，其被基底電介質(zhì)層13覆蓋。 而且，在地址電極12之間的基底電介質(zhì)層13上形成有劃分放電空間16的規(guī)定高度的隔壁 14。隔壁14之間的每個溝槽中，按照順序涂敷形成有通過紫外線分別以紅色、綠色、及藍(lán)色 發(fā)光的熒光體層15。在掃描電極4及維持電極5與地址電極12相交叉的位置形成放電空 間，使得具有在顯示電極6方向排列的紅色、綠色、藍(lán)色熒光體層15的放電空間成為用于彩 色顯示的像素。圖2是表示本發(fā)明實(shí)施方式的PDPl的前面板2的結(jié)構(gòu)的剖面圖。該圖2中的前 面板2以將圖1的前面板2的上下翻轉(zhuǎn)了的狀態(tài)而表示。如圖2所示，在通過浮法等制作 的前面玻璃基板3上，由掃描電極4和維持電極5構(gòu)成的顯示電極6和遮光層7形成了圖 案。掃描電極4和維持電極5分別由銦錫氧化物(ITO)或氧化錫(SnO2)等組成的透明電極 4a、5a、和在透明電極4a、5a上形成的金屬匯流電極4b、5b構(gòu)成。金屬匯流電極4b、5b由用 于在透明電極4a、5a的縱向方向給予導(dǎo)電性的以銀(Ag)材料為主要成分的導(dǎo)電材料形成。電介質(zhì)層8形成為覆蓋前面玻璃基板3上形成的這些透明電極4a、5a和金屬匯流 電極4b、5b和遮光層7而設(shè)置的第1電介質(zhì)層81、和在第1電介質(zhì)層81上形成的第2電介 質(zhì)層82至少兩層結(jié)構(gòu)。而且，在第2電介質(zhì)層82上形成有保護(hù)層9。保護(hù)層9通過由氧化鎂和氧化鈣組成的金屬氧化物形成。而且，在該保護(hù)層9上 附著形成有多個氧化鎂(MgO)的晶體粒子92a凝聚而成的凝集粒子92。接著，對于這種PDPl的制作方法加以說明。首先，在前面玻璃基板3上形成掃描 電極4及維持電極5和遮光層7。構(gòu)成掃描電極4和維持電極5的透明電極4a、5a和金屬 匯流電極4b、5b，使用光刻法圖案化而形成。透明電極4a、5a使用薄膜加工等形成，金屬匯 流電極4b、5b由含銀(Ag)材料的糊料在規(guī)定的溫度下燒成固化而成。另外，遮光層7也同 樣，通過使用將含有黑色顏料的糊料進(jìn)行絲網(wǎng)印刷的方法或在玻璃基板的整個面上形成黑 色顏料后，使用光刻法進(jìn)行圖案化、燒成而形成。然后，以覆蓋掃描電極4、維持電極5及遮光層7的方式在前面玻璃基板3上通過 模涂法等涂敷電介質(zhì)糊料，形成電介質(zhì)糊料(電介質(zhì)材料)層。涂敷了電介質(zhì)糊料后放置 規(guī)定的時間，由此，所涂敷的電介質(zhì)糊料表面被整平成為平坦的表面。之后，通過將電介質(zhì) 糊料層進(jìn)行燒成固化，形成覆蓋掃描電極4、維持電極5及遮光層7的電介質(zhì)層8。需要說 明的是，電介質(zhì)糊料為含有玻璃粉末等電介質(zhì)材料、粘合劑及溶劑的涂料。然后，在電介質(zhì)層8上形成保護(hù)層9。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，通過由氧化鎂(MgO) 和氧化鈣(CaO)組成的金屬氧化物來形成保護(hù)層9。保護(hù)層9使用氧化鎂(MgO)或氧化鈣(CaO)的單獨(dú)材料的顆粒、或者將這些材料 混合而成的顆粒通過薄膜成膜方法而形成。作為薄膜成膜方法，可以適用電子束蒸鍍法、濺 射法、離子鍍法等公知的方法?？梢哉J(rèn)為，作為一例，就實(shí)際上取得的壓力的上限而言，濺射法中為lPa，蒸鍍法之一例的電子束蒸鍍法中為0. IPa0另外，作為保護(hù)層9成膜時的氛圍，為防止水分附著或雜質(zhì)的吸附而調(diào)整為與外 部隔斷的密閉狀態(tài)。由此，可以形成由具有規(guī)定的電子放射特性的金屬氧化物構(gòu)成的保護(hù)層9。然后，對在保護(hù)層9上附著形成的氧化鎂(MgO)的晶體粒子92a的凝集粒子92進(jìn) 行敘述。這些晶體粒子92a可以通過以下所示的氣相合成法或前體燒結(jié)法的任一種進(jìn)行制造。氣相合成法中，在充滿惰性氣體的氛圍下將純度99. 9%以上的鎂金屬材料加熱。 而且，通過在氛圍中導(dǎo)入少量的氧氣，能夠使鎂直接氧化，制作氧化鎂(MgO)的晶體粒子 92a。另一方面，前體燒結(jié)法中，可以通過以下的方法制造晶體粒子92a。前體燒成法 中，將氧化鎂(MgO)的前體在700°C以上的溫度條件下均勻燒成，將其緩慢冷卻得到氧化鎂 (MgO)的晶體粒子92a。作為前體，例如可以選醇鎂(Mg(OR)2)、乙酰丙酮鎂(Mg(acac)2)、氫 氧化鎂(Mg(OH)2)、碳酸鎂(MgCO3)、氯化鎂(MgCl2)、硫酸鎂(MgSO4)、硝酸鎂(Mg(NO3)2)、草 酸鎂(MgC2O4)中的任意一種以上的化合物。需要說明的是，選擇的化合物有的通常為水合 物的形態(tài)，但也可以使用這種水合物。這些化合物燒成后所得到的氧化鎂(MgO)的純度為99.95%以上，優(yōu)選調(diào)整為 99. 98%以上。因?yàn)楫?dāng)這些化合物中混合有一定量以上的各種堿金屬、硼(B)、硅(Si)、鐵 (Fe)、鋁(Al)等雜質(zhì)元素時，熱處理時會產(chǎn)生不必要的粒子間粘合或燒結(jié)，難以得到高結(jié) 晶性的氧化鎂(MgO)的晶體粒子92a。因此，有必要通過去除雜質(zhì)元素等預(yù)先對前體進(jìn)行調(diào)
iF. ο使上述任何方法得到的氧化鎂(MgO)的晶體粒子92a分散在溶劑中。接著，將其 分散液通過濺射法或絲網(wǎng)印刷法、靜電涂敷法等分散散布在保護(hù)層9的表面。之后，經(jīng)過干 燥 燒成工序去除溶劑，使凝集了多個氧化鎂(MgO)的晶體粒子92a的凝集粒子92固定在 保護(hù)層9的表面。通過如此一系列的工序完成了在前面玻璃基板3上形成規(guī)定的構(gòu)成物(掃描電極 4、維持電極5、遮光層7、電介質(zhì)層8、保護(hù)層9)，完成前面板2。另一方面，背面板10如下操作而形成。首先，在背面玻璃基板11上，將含有銀(Ag) 材料的糊料使用絲網(wǎng)印刷法在整個面形成金屬膜后，通過使用光刻法進(jìn)行圖案化的方法等 形成成為地址電極12用的材料層。之后，通過在規(guī)定的溫度下燒成形成地址電極12。然 后，在形成了地址電極12的背面玻璃基板11上通過模涂法等以覆蓋地址電極12的方式涂 敷電介質(zhì)糊料，形成電介質(zhì)糊料層。之后，通過對電介質(zhì)糊料層進(jìn)行燒成形成基底電介質(zhì)層 13。需要說明的是，電介質(zhì)糊料為含有玻璃粉末等的電介質(zhì)材料和粘合劑及溶劑的涂料。然后，在基底電介質(zhì)層13上涂敷含有隔壁材料的隔壁形成用糊料，圖案化成規(guī)定 形狀，從而形成隔壁材料層。之后，通過在規(guī)定的溫度進(jìn)行燒成形成隔壁14。在此，作為對 涂敷在基底電介質(zhì)層13上的隔壁用糊料進(jìn)行圖案化的方法，可以使用光刻法和噴砂法。并 且，在鄰接的隔壁14之間的基底電介質(zhì)層13上及隔壁14的側(cè)面涂敷含有熒光材料的熒光 糊料，通過燒成形成熒光體層15。通過以上工序，完成在背面玻璃基板11上具有規(guī)定的構(gòu) 成部件的背面基板10。
將具備規(guī)定構(gòu)成部件的前面板2和背面基板10以與掃描電極4和地址電極12相 正交的方式對向配置，用玻璃料將其周圍密封并在放電空間16封入含有氙(Xe)和氖(Ne) 等的放電氣體，從而完成PDP1。在此，對于構(gòu)成前面板2的電介質(zhì)層8的第1電介質(zhì)層81和第2電介質(zhì)層82加以 詳細(xì)說明。第1電介質(zhì)層81的電介質(zhì)材料以如下材料組成構(gòu)成。即，含有氧化鉍(Bi2O3) 20 重量％ 40重量％、選自氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)的至少一種為0. 5重 量％ 12重量％，含有選自氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)、二氧化錳(MnO2)的
至少一種為0. 1重量％ 7重量％。需要說明的是，也可以取代氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)、二氧化 錳(MnO2),含有選自氧化銅(CuO)、氧化鉻(Cr2O3)、氧化鈷(Co2O3)、氧化釩(V2O7)、氧化銻 (Sb2O3)的至少一種為1重量％ 7重量％。另外，作為上述以外的成分，也可以包含氧化鋅(ZnO)O重量％ 40重量％、氧 化硼(B2O3)O重量％ 35重量％、氧化硅(SiO2)O重量％ 15重量％、氧化鋁(Al2O3)O重 量％ 10重量％等不含鉛成分的材料組成。將這些組成成分構(gòu)成的電介質(zhì)材料使用濕式噴射式磨機(jī)或球磨機(jī)粉碎制成 0. 5 μ m 2. 5 μ m，制造電介質(zhì)材料粉末。接著，將該電介質(zhì)材料粉末55重量％ 70重量％ 和粘合劑成分30重量％ 45重量％，用三個軋輥充分進(jìn)行混煉，制作模涂用或印刷用的第 1電介質(zhì)層81用糊料。粘合劑成分為含有乙基纖維素、或者丙烯酸樹脂1重量％ 20重量％的松油醇或 者丁基卡必醇醋酸酯。另外，根據(jù)需要，糊料中作為增塑劑可以添加鄰苯二甲酸二辛酯、鄰 苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯，作為分散劑可以添加單油酸甘油酯、山梨糖醇 酐倍半油酸酯、Homogenol (花王株式會社制商品名)、烷基丙烯基的磷酸酯等，以提高作為 糊料的印刷特性。接著，使用該第1電介質(zhì)層用糊料，以覆蓋顯示電極6的方式在前面玻璃基板3用 模涂法或者絲網(wǎng)印刷法進(jìn)行印刷并使其干燥，其后，在比電介質(zhì)材料的軟化點(diǎn)稍高的溫度 575°C 590°C進(jìn)行燒成，形成第1電介質(zhì)層81。接著，對第2電介質(zhì)層82加以說明。第2電介質(zhì)層82的電介質(zhì)材料以如下材料 組成構(gòu)成。即，氧化鉍(Bi2O3) 11重量％ 20重量％，此外，含有選自氧化鈣(CaO)、氧化鍶 (SrO)、氧化鋇(BaO)的至少一種為1. 6重量％ 21重量％，含有選自氧化鉬(MoO3)、氧化 鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)的至少一種為0. 1重量％ 7重量％。需要說明的是，也可以取代氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)，含有選 自氧化銅(CuO)、氧化鉻(Cr2O3)、氧化鈷(Co2O3)、氧化釩(V2O7)、氧化銻(Sb2O3) 二氧化錳 (MnO2)的至少一種0. 1重量％ 7重量％。另外，作為上述以外的成分，也可以含有氧化鋅(ZnO)O重量％ 40重量％、氧 化硼(B2O3)O重量％ 35重量％、氧化硅(SiO2)O重量％ 15重量％、氧化鋁(Al2O3)O重 量％ 10重量％等不含鉛成分的材料組成。將由這些組成成分構(gòu)成的電介質(zhì)材料使用濕式噴射式磨機(jī)和球磨機(jī)粉碎制成 0. 5 μ m 2. 5 μ m，制造電介質(zhì)材料粉末。接著將該電介質(zhì)材料粉末55重量％ 70重量％ 和粘合劑成分30重量％ 45重量％用三個軋輥充分混煉，制作模涂用、印刷用的第2電介質(zhì)層用糊料。粘合劑成分為包含乙基纖維素或者丙烯酸樹脂1重量％ 20重量％的松油 醇或者丁基卡必醇醋酸酯。而且，根據(jù)需要，糊料中作為增塑劑可以添加鄰苯二甲酸二辛 酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯，作為分散劑可以添加單油酸甘油酯、山梨 糖醇酐倍半油酸酯、Homogenol (花王株式會社制商品名)、烷基丙烯基的磷酸酯等，以提高 作為糊料的印刷特性。接著，使用該第2電介質(zhì)層用糊料在第1電介質(zhì)層81上通過絲網(wǎng)印刷法或者模 涂法進(jìn)行印刷并使其干燥，其后，在比電介質(zhì)材料軟化點(diǎn)稍高的溫度550°C 590°C進(jìn)行燒 成。需要說明的是，作為電介質(zhì)層8的膜厚，為確?？梢姽馔干渎?，優(yōu)選將第1電介質(zhì) 層81和第2電介質(zhì)層82加在一起設(shè)定為41 μ m以下。另外，對于第1電介質(zhì)層81，為抑制 其與金屬匯流電極4b、5b銀(Ag)的反應(yīng)，將氧化鉍(Bi2O3)的含量設(shè)為比第2電介質(zhì)層82 的氧化鉍(Bi2O3)的含量多且為20重量％ 40重量％，因此，第1電介質(zhì)層81的可見光透 射率比第2電介質(zhì)層82的可見光透射率低，所以將第1電介質(zhì)層81的膜厚設(shè)為比第2電 介質(zhì)層82的膜厚薄。需要說明的是，在第2電介質(zhì)層82中，氧化鉍(Bi2O3)的含量為11重量％以下時， 不易產(chǎn)生著色，但由于第2電介質(zhì)層82中易發(fā)生氣泡而不優(yōu)選。另一方面，含有率超過40 重量％時，由于易著色，透射率降低。另外，因?yàn)殡娊橘|(zhì)層8的膜厚越小，亮度的提高和減小放電電壓的效果越明顯，所 以，理想的是盡量減小膜厚，只要在絕緣耐壓不降低的范圍內(nèi)即可。根據(jù)這種觀點(diǎn)，本發(fā)明 的實(shí)施方式中，電介質(zhì)層8的膜厚設(shè)定為41 μ m以下，第1電介質(zhì)層81為5 μ m 15 μ m、第 2電介質(zhì)層82為20 μ m 36 μ m?？梢源_認(rèn)，這樣操作所制造的PDP1，顯示電極6使用銀(Ag)材料，前玻璃基板3的 著色現(xiàn)象(泛黃)也很少，而且，電介質(zhì)層8中也不會產(chǎn)生氣泡等，可實(shí)現(xiàn)絕緣耐壓性能優(yōu) 良的電介質(zhì)層8。接著，對本發(fā)明實(shí)施方式的PDPl中，用這些電介質(zhì)材料抑制在第1電介質(zhì)層81中 泛黃和氣泡發(fā)生的原因進(jìn)行考察。即，眾所周知，通過在含氧化鉍(Bi2O3)的電介質(zhì)玻璃中 添加氧化鉬(MoO3)或者氧化鎢(WO3)，在580°C以下的低溫下容易生成Ag2MO04、Ag2Mo2O7, Ag2Mo4O13> Ag2WO4, Ag2W2O7, Ag2W4O13之類的化合物。本發(fā)明的實(shí)施方式中，由于電介質(zhì)層8的 燒成溫度為550°C 590°C，燒成中擴(kuò)散至電介質(zhì)層8中的銀離子(Ag+)與電介質(zhì)層8中的 氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)、二氧化錳(MnO2)進(jìn)行反應(yīng)，生成穩(wěn)定的化合物 而穩(wěn)定化。即，由于銀離子(Ag+)不會被還原且被穩(wěn)定化，所以不會凝聚而生成膠體。因 而，通過使銀離子(Ag+)穩(wěn)定化，伴隨銀(Ag)的膠體化而產(chǎn)生的氧也很少，減少了電介質(zhì)層 8中氣泡的發(fā)生。另一方面，為了使這些效果更有效，優(yōu)選含氧化鉍(Bi2O3)的電介質(zhì)玻璃中氧化鉬 (MoO3)、氧化鎢(WO3)，、氧化鈰(CeO2)、二氧化錳(MnO2)的含量為0. 1重量％以上，但更優(yōu)選 0. 1重量％以上且7重量％以下。尤其是因?yàn)樾∮?. 1重量％時抑制泛黃的效果小，大于7 重量％時發(fā)生玻璃著色，所以不優(yōu)選。S卩，本發(fā)明的實(shí)施方式的PDPl的電介質(zhì)層8，在與由銀(Ag)材料構(gòu)成的金屬匯流 電極4b、5b相接的第1電介質(zhì)層81中，抑制了泛黃現(xiàn)象和氣泡發(fā)生。另外，通過在第1電介質(zhì)層81上設(shè)置的第2電介質(zhì)層82實(shí)現(xiàn)了高的光透射率。其結(jié)果，作為電介質(zhì)層8整體， 氣泡和泛黃的發(fā)生極少，能夠?qū)崿F(xiàn)透射率高的PDP。接著，對本發(fā)明實(shí)施方式的保護(hù)層9的詳細(xì)情況進(jìn)行說明。本發(fā)明實(shí)施方式中，由以氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)為原料通過電子束蒸鍍法 形成的金屬氧化物構(gòu)成保護(hù)層9，且使其含有規(guī)定量的硅(Si)。而且，金屬氧化物在保護(hù)層 9面的X射線衍射分析中，金屬氧化物的峰值發(fā)生的衍射角存在于氧化鎂(MgO)的峰值發(fā)生 衍射角、和與氧化鎂(MgO)的峰值同一方位的氧化鈣(CaO)的峰值發(fā)生的衍射角之間。圖3是表示本發(fā)明實(shí)施方式的PDPl的保護(hù)層9的X射線衍射結(jié)果、氧化鎂(MgO) 的單體與氧化鈣(CaO)的單體的X射線衍射分析結(jié)果的圖。在圖3中，橫軸為布拉格衍射角(2 θ )、縱軸為X射線的衍射光強(qiáng)度。衍射角的單 位以一周為360度的度表示，強(qiáng)度以任意單位(arbitrary unit)表示。另外，圖3中將各 自的結(jié)晶面方位加括號表示。如圖3所示可知，以結(jié)晶面位(111)為例，氧化鈣(CaO)單體 的衍射角在32. 2度具有峰值，另外，氧化鎂(MgO)單體的衍射角在36. 9度具有峰值。同樣，可知在結(jié)晶面方位(200)，氧化鈣(CaO)單體的衍射角在37. 3度具有峰值， 氧化鎂(MgO)單體的衍射角在42. 8度具有峰值。另一方面，使用氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)的單獨(dú)材料顆?；蛘邔⑦@些材料混 合后的顆粒通過薄膜成膜方法形成的本發(fā)明實(shí)施方式中保護(hù)層9的X射線衍射結(jié)果為圖3 的A點(diǎn)和B點(diǎn)。S卩，構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施方式的保護(hù)層9的金屬氧化物的X射線衍射結(jié)果，在結(jié)晶 面方位(111)，在各個單體的衍射角之間的A點(diǎn)即衍射角36. 1度存在峰值；在結(jié)晶面方位 (200)，在各個單體的衍射角之間的B點(diǎn)即衍射角41. 1度存在峰值。需要說明的是，保護(hù)層9的結(jié)晶面方位由成膜條件、氧化鎂(MgO)與氧化鈣(CaO) 的比例決定，總之，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在各個單獨(dú)材料的峰值之間存在保護(hù)層9的峰 值。具有這種特性的金屬氧化物的能級也存在于氧化鎂(MgO)單體和氧化鈣(CaO)單 體之間。其結(jié)果，與氧化鎂(MgO)單體相比，保護(hù)層9發(fā)揮良好的二次電子放射特性。因此， 尤其是為提高亮度而提高作為放電氣體的氙(Xe)的分壓的情況下，可以減小放電電壓，能 夠?qū)崿F(xiàn)低電壓且高亮度的PDP。例如，作為放電氣體使用氙(Xe)和氖(Ne)的混合氣體的情況下，將氙(Xe)的分 壓設(shè)為10% 15%的情況下，亮度大約上升30%。但是，使用氧化鎂(MgO)單體的保護(hù)層 9的情況下，同時放電持續(xù)電壓大約上升10%。另一方面，本發(fā)明的實(shí)施方式中，由氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)組成的金屬氧化 物形成保護(hù)層9，在保護(hù)層9面的X射線衍射分析中，金屬氧化物的峰值發(fā)生的衍射角存在 于氧化鎂(MgO)的峰值發(fā)生的衍射角和氧化鈣(CaO)的峰值發(fā)生的衍射角之間。通過使用 這種保護(hù)層9，能夠使放電維持電壓大約減少10%。另外，作為放電氣體全部使用氙(Xe)的情況下，即氙(Xe)的分壓為100%的情 況下，雖然亮度上升180%，但同時放電維持電壓上升35%左右，超過了通常的動作電壓范 圍。但是，如果使用本發(fā)明實(shí)施方式的保護(hù)層9，則能夠使放電維持電壓大約減少20%。因 此，一般能夠成為在動作范圍內(nèi)的放電電壓。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)高亮度且低電壓驅(qū)動的PDP。
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需要說明的是，認(rèn)為能夠減小本發(fā)明實(shí)施方式的保護(hù)層9的放電電壓的原因，是 各個金屬氧化物的能帶結(jié)構(gòu)帶來的。S卩，氧化鈣(CaO)的價電子帶距真空能級的深度與氧化鎂(MgO)相比存在于淺的 區(qū)域。因此認(rèn)為，在驅(qū)動PDP的情況下，從氧化鈣(CaO)的能級放射的電子數(shù)比氧化鎂(MgO) 的情況多。另外，本發(fā)明實(shí)施方式的保護(hù)層9以氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)為主要成分， 而且，X射線衍射分析中，保護(hù)層9的峰值發(fā)生的衍射角存在于這些作為主要成分的氧化鎂 (MgO)和氧化鈣(CaO)單體的衍射角之間。關(guān)于這種金屬氧化物的能級，具有氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)被合成的性質(zhì)。所 以，保護(hù)層9的能級也存在于氧化鎂(MgO)單體和氧化鈣(CaO)單體之間。其結(jié)果，如果使 用保護(hù)層9，與氧化鎂(MgO)單體相比，因?yàn)槠淠軌虬l(fā)揮良好的二次電子放射特性，所以結(jié) 果能夠減小放電維持電壓。需要說明的是，氧化鈣(CaO)為單體時，由于反應(yīng)強(qiáng)而容易與雜質(zhì)反應(yīng)，所以有電 子放射性能降低的問題。但是，如本發(fā)明的實(shí)施方式那樣，通過設(shè)為氧化鎂(MgO)和(CaO) 的金屬氧化物的構(gòu)成，也可降低反應(yīng)性，從而能夠解決這些課題。另外，對于氧化鍶(SrO)和氧化鋇(BaO)，根據(jù)其能帶結(jié)構(gòu)，距真空能級的深度與 氧化鎂(MgO)相比，也存在于較淺的區(qū)域。從而，即使變更氧化鈣(CaO)而使用這些材料的 情況下，也能夠顯出相同的效果。而且，本發(fā)明實(shí)施方式中的保護(hù)層9，以氧化鈣(CaO)和氧化鎂(MgO)為主要成份， 并且在X射線衍射分析中，因?yàn)楸Ｗo(hù)層9的峰值發(fā)生的衍射角，其峰值存在于這些主要成分 即氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)單體的衍射角之間，所以，保護(hù)層9以雜質(zhì)的混入或氧缺陷 少的晶體結(jié)構(gòu)形成。因此，可抑制驅(qū)動PDP時電子的過度放射。另外，除同時具備低電壓驅(qū) 動和二次電子放射特性的效果以外，也可發(fā)揮具有適度的電荷保存性能的效果。對于該電 荷保存性能，尤其是為保持初始化期間貯存的壁電荷，且在寫入期間防止寫入不良并進(jìn)行 可靠的寫入放電是必要的。接著，對設(shè)置在本發(fā)明實(shí)施方式中的保護(hù)層9上的多個氧化鎂(MgO)的晶體粒子 92a凝聚成的凝集粒子92予以詳細(xì)說明。根據(jù)本申請發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)，凝集粒子92主 要具有抑制寫入放電中的放電延遲的效果和改善放電延遲的溫度依存性的效果。即，凝集 粒子92相比保護(hù)層9具有高的初始電子放射特性。因此，本發(fā)明的實(shí)施方式中將凝集粒子 92作為放電脈沖上升時必要的初始電子供給部來配設(shè)。放電開始時，成為觸發(fā)器的初始電子從保護(hù)層9的表面放射到放電空間16。認(rèn) 為初始化電子量不足是放電延遲的主要原因。因此，為了穩(wěn)定地供給初始電子，將氧化鎂 (MgO)的凝集粒子92分散配置在保護(hù)層9的表面。由此，能夠在放電脈沖上升時使放電空 間16中存在豐富的初始電子，從而消除放電延遲。所以，通過具有該初始電子放射特性， PDPl在高清晰等情況下也能夠?qū)崿F(xiàn)放電響應(yīng)性良好地快速驅(qū)動。需要說明的是，在保護(hù)層 9的表面配設(shè)氧化鎂(MgO)的凝集粒子92的構(gòu)成，除主要得到抑制寫入放電時的放電延遲 的效果以外，還可得到改善放電延遲的溫度依存性的效果。如上所述，本發(fā)明實(shí)施方式中的PDP1，具有同時具備低電壓驅(qū)動和電荷保持的雙 重效果的保護(hù)層9、具備有效防止放電延遲效果的氧化鎂(MgO)的晶體粒子92a。因此，PDPl即使在高清晰的情況下，也能夠以低電壓快速驅(qū)動。另外，可以期待抑制了點(diǎn)亮不良的高品 質(zhì)的圖像顯示性能。本發(fā)明的實(shí)施方式，通過使多個晶體粒子92a凝聚而成的凝集粒子92離散性分布 在保護(hù)層9上，且以大致遍及整個面均勻地分布的方式附著多個而構(gòu)成。圖4是用于說明 凝集粒子92的放大圖。如圖4所示，凝集粒子92是凝聚了規(guī)定的一次粒徑的晶體粒子92a的狀態(tài)的粒 子。即，不是作為固體具有大的結(jié)合力而結(jié)合在一起的粒子。是多個一次粒子依靠靜電或范 德華力等形成集合體的粒子。另外，凝集粒子92是通過超聲波等外在刺激，以將其一部分 或者全部分解成一次粒子的狀態(tài)的程度的力結(jié)合起來的粒子。作為凝集粒子92的粒徑大 約為1 μ m，作為晶體粒子92a，理想的是具有14面體或12面體等7面以上的多面體形狀。另外，晶體粒子92a的一次粒子的粒徑可以根據(jù)晶體粒子92a的生成條件進(jìn)行控 制。例如，由碳酸鎂或氫氧化鎂等氧化鎂前體燒成生成的情況下，能夠通過控制燒成溫度和 燒成氛圍來控制粒徑。一般地，燒成溫度可以選擇700°C 1500°C的范圍，但通過將燒成溫 度設(shè)定為比較高的1000°C以上，可以將一次粒徑控制在0. 3 μ m 2 μ m左右。此外，加熱氧 化鎂前體而得到晶體粒子92a的情況下，在其生成過程中，多個一次粒子彼此凝聚而可以 得到凝集粒子92。圖5是表示在本發(fā)明實(shí)施方式的PDPl的放電延遲和保護(hù)層9中的鈣(Ca)濃度的 關(guān)系的圖。作為保護(hù)層9，由氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)組成的金屬氧化物構(gòu)成，在保護(hù) 層9面的X射線衍射分析中，金屬氧化物的峰值發(fā)生的衍射角存在于氧化鎂(MgO)的峰值 發(fā)生的衍射角和氧化鈣(CaO)的峰值發(fā)生的衍射角之間。需要說明的是，圖5中對只有保護(hù)層9的情況和在保護(hù)層9上配置了凝集粒子92 的情況進(jìn)行了表示。另外，放電延遲以保護(hù)層9中不含鈣(Ca)的情況為基準(zhǔn)進(jìn)行表示。需要說明的是，對于電子放射性能，數(shù)值越大，表示電子發(fā)放量越多，且根據(jù)由表 面狀態(tài)和氣體種類及其狀態(tài)決定的初始電子放射量來表現(xiàn)。關(guān)于初始電子放射量，可以通 過向表面照射離子或電子束，并測定從表面放射的電子電流量的方法，但隨之帶來的是，在 非破壞的情況下難以實(shí)施PDP的前面板表面的評價。于是，使用了日本特開2007-48733號 公報(bào)中記載的方法。即，測定放電時的延遲時間中被稱為統(tǒng)計(jì)延遲時間的作為放電發(fā)生容 易度的基準(zhǔn)的數(shù)值，將其倒數(shù)進(jìn)行積分，得到與初始電子的放出量線性對應(yīng)的數(shù)值。在此， 用該數(shù)值進(jìn)行評價。放電時的延遲時間是指從脈沖上升起，放電延遲進(jìn)行的放電延遲的時 間。另外，認(rèn)為放電延遲的主要原因是，放電開始時作為觸發(fā)器的初始電子難以從保護(hù)層表 面放射到放電空間中。由圖5可理解，在只有保護(hù)層9的情況和在保護(hù)層9上配置了凝集粒子92的情況 下，只有保護(hù)層9時，對于鈣(Ca)濃度增加并且放電延遲增大的情況，如果在保護(hù)層9上配 置凝集粒子92，就可以大幅減少放電延遲。另外，即使鈣(Ca)濃度增加，放電延遲也幾乎不 會增加。接著，對為了確認(rèn)本發(fā)明實(shí)施方式的具有保護(hù)層9的PDPl的效果而進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié) 果加以說明。首先，制做具有構(gòu)成不同的保護(hù)層9和設(shè)置在保護(hù)層9上的晶體粒子92a的 PDP0關(guān)于這些PDP，對其電子放射性能和電荷保持性能進(jìn)行調(diào)查的結(jié)果示于圖6。試制品1是只形成有氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護(hù)層9的PDP，試制品2是形成有在氧
12化鎂(MgO)中僅涂布了鋁(Al)、硅(Si)等雜質(zhì)的保護(hù)層9的PDP。另一方面，試制品3為本發(fā)明實(shí)施方式的PDP1。即保護(hù)層9以氧化鈣(CaO)和氧 化鎂(MgO)為主要成分，而且，使保護(hù)層9中含有硅(Si)。另外，在X射線衍射分析中，保護(hù) 層9的峰值發(fā)生的衍射角，存在于這些主要成分即氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)單體的衍 射角之間。而且，使晶體粒子92a凝集成的凝集粒子92以遍及整個面大致均勻地分布的方 式附著在保護(hù)層9上。對于電荷保持性能指標(biāo)，作為PDP制作的情況下，使用為抑制電荷放射現(xiàn)象所必 要的附加于掃描電極的電壓(以下，稱做Vscn點(diǎn)亮電壓)的電壓值。即，Vscn點(diǎn)亮電壓低 表示電荷保持性能高。這種情況在設(shè)計(jì)PDP上，作為電源及各電氣零件可以使用耐壓及容 量小的零件?，F(xiàn)狀的制品中，用于按順序附加Vscn點(diǎn)亮電壓的MOSFET等半導(dǎo)體開關(guān)元件， 使用耐壓150V左右的元件。所以，作為Vscn點(diǎn)亮電壓，考慮溫度帶來的變動，理想的是控 制在120V以下。由圖6可理解，在本發(fā)明實(shí)施方式的保護(hù)層9中散布凝聚了氧化鎂(MgO)的晶體 粒子92a的凝集粒子92并使其遍及整個面均勻地分布的試制品3，在電荷保持性能的評價 中，Vscn點(diǎn)亮電壓可以為120V以下。并且，電子放射性能與只有氧化鎂(MgO)的保護(hù)層的 情況相比，能夠得到特別良好的特性。一般地，PDP的保護(hù)層的電子放射性能與電荷保持性能相矛盾，譬如，變更保護(hù)層 的制膜條件，或通過在保護(hù)層中僅摻雜鋁(Al)或摻雜硅(Si)、鋇(Ba)等雜質(zhì)進(jìn)行制膜，能 夠提高電子放射性能，但副作用的Vscn點(diǎn)亮電壓也上升了。在形成了本發(fā)明實(shí)施方式的保護(hù)層9的試制品3的PDPl中，作為電子放射性能， 與使用只有氧化鎂(MgO)的保護(hù)層9的試制品1的情況相比，具有8倍以上的電子放射性 能。另外，也能得到Vscn點(diǎn)亮電壓為120V以下的電荷保持性能。所以，對于因高清晰而增 加掃描線數(shù)，并且具有單元尺寸變小的傾向的PDP，能夠同時滿足電子放射性能和電荷保存 性能。接著，對保護(hù)層9中所含的硅(Si)的效果進(jìn)行敘述。圖7是表示關(guān)于本發(fā)明實(shí)施 方式的PDPl即試制品3中，Vscn點(diǎn)亮電壓相對于保護(hù)層9中所含的硅(Si)的濃度的溫度 依存性的圖。根據(jù)本申請發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)可知，以氧化鈣(CaO)和氧化鎂(MgO)為主要成分的保 護(hù)層9的情況下，通過抑制保護(hù)層9的硅(Si)的含量可以降低Vscn點(diǎn)亮電壓的溫度依存性。圖7中，橫軸表示保護(hù)層9的硅(Si)濃度，縱軸表示使PDPl在70°C的環(huán)境下動 作時的Vscn點(diǎn)亮電壓和在30°C的環(huán)境下動作時的Vscn點(diǎn)亮電壓的差值。在此，AVscn = Vscn(700C )-Vscn(300C )。所以，AVscn的值小的一方的Vscn點(diǎn)亮電壓的溫度依存性小， 能夠不受周圍環(huán)境影響而進(jìn)行穩(wěn)定放電。另外，保護(hù)層9的硅(Si)濃度使用二次離子質(zhì)譜 計(jì)(SIMS)進(jìn)行測定。由圖7可理解，相對于保護(hù)層9中的硅(Si)的增加，Vscn點(diǎn)亮電壓的溫度依賴性 變大，硅(Si)濃度超過IOppm時，Δ Vscn超過30V JtSPDPl的實(shí)際動作不優(yōu)選。作為PDPl 的動作，從半導(dǎo)體開關(guān)元件的動作特性等考慮，理想的是AVscn在30V以下。所以，通過將 保護(hù)層9中的硅(Si)的含量調(diào)整為IOppm以下，除上述的以氧化鈣(CaO)和氧化鎂(MgO)為主要成分的效果以外，可以減小Vscn點(diǎn)亮電壓，從而能夠使放電更穩(wěn)定。另外，通過將保 護(hù)層9中的硅(Si)的濃度設(shè)為7ppm以下，能夠進(jìn)一步減小AVscn的溫度依存性。另外，硅(Si)只要含有用二次離子質(zhì)譜計(jì)(SIMS)測定的檢測邊界的Ippm以上即可。接著，對本發(fā)明實(shí)施方式的PDPl的保護(hù)層9使用的凝集粒子92的粒徑加以說明。 需要說明的是，在以下說明中，粒徑是指平均粒徑，平均粒徑是指體積累計(jì)平均徑(D50)。圖8，是表示用圖6進(jìn)行了說明的本發(fā)明的試制品4中，改變凝集粒子92的粒徑并 調(diào)查電子放射性能的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的特性圖。需要說明的是，圖8中，凝集粒子92的粒徑通過 對凝集粒子92進(jìn)行SEM觀察來進(jìn)行測長。如圖8所示，可知粒徑小于0. 3 μ m左右時，電子 放射性能降低，只要在大致0. 9 μ m以上，就能得到高的電子放射性能。但是，為了增加放電單元內(nèi)的電子放射數(shù)，理想的是保護(hù)層9上的每單位面積的 晶體粒子92a的數(shù)多。然而，根據(jù)本申請發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)可知，在與前面板2的保護(hù)層9密切 接觸的相當(dāng)于背面板10的隔壁14的頂部的部分存在凝集粒子92時，會使隔壁14的頂部 破損。而且，有時破損后的隔壁材料會附著在熒光體層15上。由此可知，相應(yīng)的單元會產(chǎn) 生不能正常點(diǎn)亮或熄滅的現(xiàn)象。該隔壁破損的現(xiàn)象，如果在與隔壁頂部對應(yīng)的部分不存在 凝集粒子92，就不易發(fā)生，因此，如果所附著的凝集粒子92的數(shù)目多，隔壁14的破損發(fā)生率 就會增高。從這種觀點(diǎn)來看，凝集粒子增大到2. 5 μ m時，隔壁破損的概率急劇升高，如果是 小于2. 5 μ m的凝集粒子徑，隔壁破損的概率就能夠被抑制在比較小的數(shù)值。由以上結(jié)果可知，本發(fā)明實(shí)施方式的PDPl中，作為凝集粒子92，只要使用粒徑為 0. 9 μ m 2 μ m范圍的凝集粒子92，就能夠穩(wěn)定地得到上述的本發(fā)明的效果。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的PDP，能夠得到電子發(fā)射性能高、作為電荷保持性能的 Vscn點(diǎn)亮電壓在120V以下的PDP。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施方式中，說明了作為晶體粒子使用氧化鎂(MgO)。但是， 即使是其他晶體粒子，使用具有與氧化鎂(MgO) —樣高的電子放射性能的氧化鍶(SrO)、氧 化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)、氧化鋁(Al2O3)等金屬氧化物的晶體粒子，也能得到同樣的效果。 從而，作為粒子種類不只限定于氧化鎂(MgO)。產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，在實(shí)現(xiàn)具備了高亮度的顯示性能且能夠低電壓驅(qū)動，并且掃描電壓 的溫度依存性小從而能夠更穩(wěn)定放電的PDP方面有用。
權(quán)利要求
一種等離子體顯示面板，其具有第1基板和以形成填充有放電氣體的放電空間的方式與所述第1基板對向配置的第2基板，第1基板中，以覆蓋形成于基板上的顯示電極的方式形成電介質(zhì)層，且在所述電介質(zhì)層上形成保護(hù)層，第2基板中，在與所述顯示電極相交叉的方向形成地址電極，且設(shè)有區(qū)分所述放電空間的隔壁，所述保護(hù)層通過由氧化鎂和氧化鈣構(gòu)成的金屬氧化物形成，并且含有硅，在所述保護(hù)層面的X射線衍射分析中，所述金屬氧化物的峰值發(fā)生的衍射角存在于所述氧化鎂的峰值發(fā)生的衍射角和與所述峰值同一方位的所述氧化鈣的峰值發(fā)生的衍射角之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，在所述保護(hù)層的所述放電 空間側(cè)，附著有凝聚了多個氧化鎂的晶體粒子的凝集粒子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述保護(hù)層中的所述硅 的濃度為Ippm以上且IOppm以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具備高清晰、高亮度的顯示性能，并且低耗電量的等離子體顯示面板。為此，PDP具有前面板(2)，其以覆蓋前面玻璃基板(3)上形成的顯示電極(6)的方式形成電介質(zhì)層(8)，并且在電介質(zhì)層(8)上形成保護(hù)層(9)；背面板，以形成填充了放電氣體的放電空間的方式與前面板(2)對向配置，且沿與顯示電極(6)交叉的方向形成地址電極，并且設(shè)有區(qū)分放電空間的隔壁。此外，保護(hù)層(9)由氧化鎂和氧化鈣組成的金屬氧化物形成，并且含有硅。另外，在保護(hù)層(9)面的X射線衍射分析中，金屬氧化物的峰值發(fā)生的衍射角存在于氧化鎂的峰值發(fā)生的衍射角和氧化鈣的峰值發(fā)生的衍射角之間。
文檔編號H01J11/12GK101981649SQ200980110858
公開日2011年2月23日 申請日期2009年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月15日
發(fā)明者后藤真志, 橋本潤 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社