專利名稱：等離子體約束裝置及利用該等離子體約束裝置的等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種用來制造半導體芯片、平面顯示器或者液晶顯示器的等離子
體處理裝置，尤其涉及一種等離子體約束裝置以及利用該等離子體約束裝置的等離子體處 理裝置。
背景技術(shù)：
等離子處理裝置利用真空反應室的工作原理進行半導體基片和等離子平板的基 片的加工。真空反應室的工作原理是在真空反應室中通入含有適當刻蝕劑或淀積源氣體的 反應氣體，然后再對該真空反應室進行射頻能量輸入，以激活反應氣體，來點燃和維持等離 子體，以便分別刻蝕基片表面上的材料層或在基片表面上淀積材料層，進而對半導體基片 和等離子平板進行加工。舉例來說，電容性等離子體反應器已經(jīng)被廣泛地用來加工半導體 基片和顯示器平板，在電容性等離子體反應器中，當射頻功率被施加到二個電極之一或二 者時，就在一對平行電極之間形成電容性放電。 等離子體是擴散性的，雖然大部分等離子體會停留在一對電極之間的處理區(qū)域 中，但部分等離子體可能充滿整個工作室。舉例來說，等離子體可能充滿真空反應室下方的 處理區(qū)外面的區(qū)域(比如，排氣區(qū)域)。若等離子體到達這些區(qū)域，則這些區(qū)域可能隨之發(fā) 生腐蝕、淀積或者侵蝕，這會造成反應室內(nèi)部的顆粒玷污，進而降低等離子處理裝置的重復 使用性能，并可能會縮短反應室或反應室零部件的工作壽命。如果不將等離子體約束在一 定的工作區(qū)域內(nèi)，帶電粒子將撞擊未被保護的區(qū)域，進而導致半導體基片表面雜質(zhì)和污染。 因此，業(yè)界一直不斷地致力于產(chǎn)生被約束在處理區(qū)的因而更為穩(wěn)定的等離子體。 現(xiàn)有的一種思路是使用約束環(huán)來約束等離子體，例如，美國專利5534751描述了一種腔室 結(jié)構(gòu)，該腔室通過緊密排列形成窄縫隙的由絕緣材料制成的約束環(huán)抑止等離子體擴散。這 些窄縫隙被設(shè)置成具有相同大小的寬度和深度(因而也具有相同的深寬比)，以實現(xiàn)均勻 地排氣。當帶電粒子，如離子或者電子通過窄縫隙時，他們中的大部分會撞擊到約束環(huán)的表 面進而防止等離子體的擴散。 此外，美國專利6178919公開了另外一種等離子體反應器中的多孔的等離子體密 封環(huán)，該等離子體密封環(huán)由導電材料制成，環(huán)上設(shè)置有若干通孔以允許處理過程中的副產(chǎn) 品氣體通過這些通孔并被排出處理區(qū)，這些通孔具有相同的深寬比，并且各通孔的直徑大 小相同，以實現(xiàn)均勻地排氣，此導電的密封環(huán)被設(shè)置成接地，在等離子體處理過程中可以使 等離子體中的電子通過該接地的密封環(huán)被導入大地，使等離子體中的電子從處理反應器中 移除，因而降低等離子體的密度，以增強處理區(qū)內(nèi)的離子密度。 但是，由于在等離子體處理過程中，使用過的反應氣體和副產(chǎn)品氣體是通過等離 子體約束裝置上設(shè)置的通孔而被排出反應區(qū)域，因而，使用前述等離子體約束裝置也會對 工藝和生產(chǎn)效率產(chǎn)生一些不利的影響。由于等離子體約束裝置為了實現(xiàn)將等離子體約束在 反應腔內(nèi)，必須使設(shè)置于其上的通孔具有一定的深寬比，但該具有一定的深寬比的狹長通孔卻使得使用過的副反應氣體在排出處理區(qū)時受狹長通孔的阻擋而速度被減慢，由此，大 大降低了排氣的效率，進而導致多余的作用過的副反應氣體過多時間地留存在反應腔內(nèi)， 稀釋了反應氣體，降低工藝反應的效率，并且這些副反應氣體也會在被處理的基片和反應 腔室的零部件上產(chǎn)生沉積形成聚合物，影響被處理基片的器件功能和使反應腔產(chǎn)生污染， 不可避免地增加清潔反應腔的時間，降低了生產(chǎn)效率。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種等離子體約束裝置和利用該等離子體約束裝置
的等離子體處理裝置，該等離子體約束裝置不僅能將等離子體約束在處理區(qū)域內(nèi)，減少因
等離子體擴散而引起的處理腔室污染問題，而且可以大大增加處理腔室的排氣效率，減少
使用過的反應氣體和副產(chǎn)品氣體停留在處理腔窒內(nèi)的時間。 本實用新型是通過以下技術(shù)方法實現(xiàn)的 本實用新型提供一種等離子體約束裝置，設(shè)置于一等離子體處理裝置的處理區(qū)域 和排氣區(qū)域之間，所述等離子約束裝置包括相互間隔設(shè)置并形成若干個狹長通道的多個同 心環(huán)，所述等離子約束裝置包括靠近下電極的第一區(qū)域和遠離下電極的第二區(qū)域，其特征 在于所述等離子約束裝置的第一區(qū)域上所形成的若干狹長通道的寬度小于第二區(qū)域上所 形成的若干狹長通道的寬度，并且所述等離子約束裝置的第一區(qū)域上所形成的若干狹長通 道的深寬比大于第二區(qū)域上所形成的若干狹長通道的深寬比。 根據(jù)本實用新型的另一方面，提供一種等離子體處理裝置，包括處理腔室；一對 相互平行設(shè)置的上電極和下電極，設(shè)置于所述處理腔室內(nèi)，所述上電極與下電極之間構(gòu)成 一處理區(qū)域；等離子體約束裝置，設(shè)置于一等離子體處理裝置的處理區(qū)域的外側(cè)，所述等離 子約束裝置包括相互間隔設(shè)置并形成若干個狹長通道的多個同心環(huán)，所述等離子約束裝置 包括靠近下電極的第一區(qū)域和遠離下電極的第二區(qū)域，其特征在于所述等離子約束裝置 的第一區(qū)域上所形成的若干狹長通道的寬度小于第二區(qū)域上所形成的若干狹長通道的寬 度，并且所述等離子約束裝置的第一區(qū)域上所形成的若干狹長通道的深寬比大于第二區(qū)域 上所形成的若干狹長通道的深寬比。

圖1為配置有本實用新型等離子體約束裝置的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為圖1所示虛線14部分所示的等離子體約束裝置的放大示意圖； 圖3為圖1所示等離子體約束裝置的立體示意圖； 圖4為圖3所示等離子體約束裝置的俯視圖； 圖5為圖3所示等離子體約束裝置沿剖面線A-A剖開而得的剖視圖。
具體實施方式
本實用新型提供一種等離子體約束裝置，其不僅能有效地將等離子體約束在等離 子體處理裝置的處理區(qū)域內(nèi)，減少因等離子體擴散而引起的處理腔室污染問題，而且可以 大大增加處理腔室的排氣效率，減少使用過的反應氣體和副產(chǎn)品氣體停留在處理腔窒內(nèi)的 時間。[0017] 為了解決前述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，專利創(chuàng)造人經(jīng)過大量的研究和實驗發(fā)現(xiàn)，一方 面，為了較佳地將等離子體約束在處理區(qū)域內(nèi)，需要將通道的寬度設(shè)置得越小越好(在通 道的深度一定時)，而另外一方面，等離子體約束裝置的排氣能力與通道的寬度成反比，這 根據(jù)所需的排氣效率來設(shè)置其通道的最小寬度。并且，在等離子體處理過程中，等離子體會 延伸擴散、進而分布于等離子體約束裝置的上游側(cè)(即，靠近處理區(qū)域的一側(cè))表面，并且 等離子體密度會在等離子體約束裝置的上表面沿以被處理基片的的中心為圓心沿徑向方 向逐漸衰減。換言之，對于分布在等離子體約束裝置上表面的等離子體而言，在越靠近半導 體基片或下電極外邊緣的位置，等離子體密度越高；在越遠離半導體基片或下電極外邊緣 的位置，等離子體的密度越低。根據(jù)等離子體在徑向分布這一特性，本實用新型提供一種優(yōu) 化的、具有變深寬比和變通道寬的等離子體約束裝置，同時平衡了等離子體約束的需求和 高排氣能力的需求，其不僅有效地將等離子體放電約束在處理區(qū)內(nèi)，而且可以使用過的反 應氣體和副產(chǎn)品氣體能快速地離開處理腔室。 請參閱圖1，圖1為配置有本實用新型等離子體約束裝置的等離子體處理裝置的 結(jié)構(gòu)示意圖。等離子體處理裝置1包括處理腔室ll，處理腔室11基本上為柱形，且處理腔 室側(cè)壁基本上豎直，處理腔室11內(nèi)具有相互平行設(shè)置的上電極12a和下電極12b。通常， 在上電極12a與下電極12b之間的區(qū)域2為處理區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)將形成和維持等離子體 3。在下電極12b上方放置待要加工的工件4，該工件4可以是待要刻蝕或加工的半導體基 片或者待要加工成平板顯示器的玻璃平板。反應氣體從處理腔室11的上方的氣體注入口 (未圖示)被輸入至處理腔室ll內(nèi)，一個或多個射頻電源5a可以被單獨地施加在下電極 12b上或同時被分別地施加在上電極12a與下電極12b上，再通過射頻匹配器5b將射頻功 率輸送到下電極12b上或上電極12a與下電極12b上，從而在處理腔室11內(nèi)部產(chǎn)生大的電 場。大多數(shù)電場線被包含在上電極12a和下電極12b之間的處理區(qū)域2內(nèi)，此電場對少量 存在于處理腔室ll內(nèi)部的電子進行加速，使之與輸入的反應氣體的氣體分子碰撞。這些碰 撞導致反應氣體的離子化和等離子體的激發(fā)。反應氣體的中性氣體分子在經(jīng)受這些強電場 時失去了電子，留下帶正電的離子。帶正電的離子向著下電極12b方向加速，與被處理的基 片中的中性物質(zhì)結(jié)合，激發(fā)基片加工，即刻蝕、淀積等。 請結(jié)合參閱圖2至圖5。其中，圖2為圖1所示虛線14部分所示的等離子體約束 裝置的放大示意圖。圖3為圖1所示等離子體約束裝置的立體示意圖；圖4為圖3所示等 離子體約束裝置的俯視圖；圖5為圖3所示等離子體約束裝置沿剖面線A-A剖開而得的剖 視圖。本實用新型等離子體約束裝置8設(shè)置于等離子體處理裝置1的處理區(qū)域2與排氣區(qū) 域7之間，用于使處理腔室11內(nèi)的等離子體放電被基本約束在處理區(qū)域2內(nèi)，而不會延伸 至排氣區(qū)域7內(nèi)造成排氣區(qū)域7內(nèi)的腔室污染。排氣區(qū)域7與一排氣裝置80相連通，通過 排氣裝置80將處理腔室11內(nèi)的使用過的反應氣體和副產(chǎn)品氣體抽出去。更具體地，在圖 1所示的實施方式中，等離子體約束裝置8設(shè)置于處理腔室11的內(nèi)側(cè)壁lla與下電極12b 的基座12c的外周圍40之間的間隙9內(nèi)。等離子約束裝置8包括相互間隔設(shè)置并形成若 干個狹長通道84a、84b、84c的多個同心環(huán)82。多個同心環(huán)82豎直地相互間隔開，相鄰的環(huán) 與環(huán)之間形成狹長通道。與現(xiàn)有技術(shù)不同，本實用新型提供一種經(jīng)過優(yōu)化的、具有變深寬比 和變通道寬的等離子體約束裝置。如圖2所示，等離子約束裝置8包括靠近下電極12b的 第一區(qū)域80a和遠離下電極12b的第二區(qū)域80c，以及位于第一區(qū)域80a與第二區(qū)域80c之間的中間區(qū)域80b。等離子約束裝置8的第一區(qū)域80a上所形成的狹長通道84a的寬度Wa 小于第二區(qū)域80c上所形成的狹長通道的寬度Wc，并且等離子約束裝置的第一區(qū)域80a上 所形成的狹長通道的深寬比Ha大于第二區(qū)域80c上所形成的狹長通道的深寬比Hc。中間 區(qū)域80b上所形成的狹長通道的寬度Wb介于第一區(qū)域80a上所形成的狹長通道的寬度Wa 和第二區(qū)域80c上所形成的狹長通道的寬度Wc之間，所述中間區(qū)域80b所形成的狹長通道 的深寬比Hb介于第一區(qū)域80a上所形成的狹長通道的深寬比Ha和第二區(qū)域80c上所形成 的狹長通道的深寬比Hc之間。應當說明的是，前述的每一狹長通道的深寬比是指狹長通 道在豎直方向的高度或深度H與相鄰兩個環(huán)之間形成的通道沿徑向方向R的寬度W之間的 比值。即Ha = H/Wa ;Hb = H/Wb ;Hc = H/Wc。為了不影響等離子體約束裝置8整體的約束 效果，優(yōu)選地，每一個狹長通道的深寬比至少為5 : l，具有這種深寬比的狹長通道能使從 處理區(qū)內(nèi)離開的來自等離子體的帶電粒子在離開此狹長通道時，必須移動的距離大于該帶 電粒子的平均自由程，使得從處理區(qū)域中排出的用過的反應氣體及副產(chǎn)品氣體中的絕大部 分帶電粒子在通過這些狹長通道84a、84b、84c時至少要與這些狹長通道的側(cè)壁碰撞一次， 這些碰撞將帶電粒子上的電荷中和，使得碰撞后離開狹長通道的粒子都是中性的。結(jié)果是， 使得在處理區(qū)以外的帶電粒子數(shù)被大大減少，排出的氣體不會使等離子體的放電延伸到處 理區(qū)外的空間，處理區(qū)外的放電的趨勢將大大減少，從而基本上消除空間以外的放電現(xiàn)象。 本實用新型通過設(shè)置變深寬比和變通道寬的等離子體約束裝置，使等離子體約束 裝置中靠近下電極附近的區(qū)域80a、80b具有相對較小的通道寬和較大的深寬比，從而將區(qū) 域80a、80b上游側(cè)的高密度的等離子體約束住，同時這些區(qū)域的排氣效率相對較低。而在 等離子體約束裝置中遠離下電極附近的區(qū)域80c具有相對較大的通道寬和較小的深寬比， 從而主要實現(xiàn)高的排氣效率，但仍然能將等離子體約束住。經(jīng)過這種優(yōu)化，不僅能有效地將 等離子體放電約束在處理區(qū)內(nèi)，而且可以使用過的反應氣體和副產(chǎn)品氣體能快速地離開處 理腔室。 應當理解，區(qū)域80a內(nèi)形成的多個(圖示中，示例性地表示為3個)狹長通道84a 的寬度Wa可以被設(shè)置成一樣的，也可以沿徑向R方向逐漸變大；同理，80b內(nèi)形成的多個 (圖示中，示例性地表示為3個)狹長通道84b的寬度Wb可以被設(shè)置成一樣的，也可以沿徑 向R方向逐漸變大；80c內(nèi)形成的多個(圖示中，示例性地表示為2個)狹長通道84c的寬 度Wc可以被設(shè)置成一樣的，也可以沿徑向R方向逐漸變大。 作為一種實施方式，所述等離子約束裝置的第一區(qū)域80a上所形成的狹長通道 84a的寬度在0. 5至2. Omm之間；中間區(qū)域80b上所形成的狹長通道84b的寬度在1. 5至 2. 5mm ;第二區(qū)域80c上所形成的狹長通道84c的寬度為2. Omm至3. Omm之間。狹長通道的 深度在10至25mm之間。 根據(jù)本實用新型的構(gòu)思和精神，應當理解，為了進一步優(yōu)化本實用新型的實施效 果，不同區(qū)域80a、80b、80c內(nèi)形成的每一個狹長通道的深度也可以設(shè)置成不一樣的。例如， 區(qū)域80a、80b、80c內(nèi)形成的狹長通道84a、84b、84c的深度沿徑向方向由小變大。通過改變 深度來調(diào)節(jié)深寬比和/或通道寬度，來實現(xiàn)更佳的等離子體約束和排氣能力。 在本實用新型的具體實施方式
中，等離子體約束裝置可以選用具有導電性的金屬 制成(例如鋁、不銹鋼、鎢等)。優(yōu)選地，等離子體約束裝置由鋁制成，還可以對其表面進行 陽極化處理。陽極化處理是一種電解操作，該處理可以使金屬表面形成一層氧化保護層。陽極化處理可用于多種目的，包括在金屬表面形成堅硬的覆層，或者令金屬具有電氣絕緣性， 并且使金屬抗腐蝕。 更進一步地，在本實用新型的其它實施中，等離子體約束裝置中的若干個環(huán)朝向
處理區(qū)域或接觸到等離子體的表面區(qū)域可以首先進行陽極化處理，隨后再涂覆一層防止等
離子體腐蝕的物質(zhì)，比如涂覆一種Y203材料，以進一步防止等離子體腐蝕。 作為本實用新型的一種具體的實施方式，本實用新型等離子體約束裝置在等離子
體處理過程中電接地。 當然，作為上述實施例的變形，所述等離子體約束裝置在等離子體處理過程中也 可以被設(shè)置成相對于大地是電懸浮的或浮地(electricallyfloated from the ground) 的。這種架構(gòu)會帶來更多的優(yōu)勢。因為，通過使等離子體約束裝置浮地，在等離子體處理裝 置處理過程中，等離子體約束裝置上的電勢與處理區(qū)域內(nèi)的等離子體的電勢大致上相等或 為等電勢，這種設(shè)置可以使得處理裝置在處理的過程中，盡可能地減少用過的反應氣體及 副產(chǎn)品氣體中或等離子體中的帶電粒子加速沖向等離子體約束裝置并在等離子體約束裝 置的表面產(chǎn)生濺射或碰撞，從而減少由此濺射或碰撞而產(chǎn)生的污染。 在本實用新型的另一種具體實施方式
中，等離子體約束裝置可以選用電介質(zhì)材料 (比如，石英材料或碳化硅或氮化硅(Si3N4))制成。優(yōu)選地，等離子體約束裝置由石英圓環(huán) 組成。 在具體加工等離子體約束裝置的過程中，可以提供一塊圓環(huán)板，在該板上開設(shè)有
同心的狹長通道，并且使通道的寬度和深寬比以前述描述設(shè)置；或者，也可以提供具有若干
事先加工成形的環(huán)，將這些環(huán)以一定方式組裝連接成所需等離子體約束裝置。 根據(jù)本實用新型的實用新型構(gòu)思，本實用新型還提供一種等離子體處理裝置。該
處理裝置包括一處理腔室、設(shè)置于所述處理腔室內(nèi)的一對相互平行設(shè)置的上電極和下電
極、以及等離子體約束裝置。所述上電極與下電極之間構(gòu)成一處理區(qū)域。所述等離子體約
束裝置設(shè)置于該處理區(qū)域的外側(cè)。等離子體約束裝置實施方式可以采用前述所述的各種實
施方式。 本實用新型所述的等離子體處理裝置包括用于制造半導體芯片、平面顯示器或者 液晶顯示器的使用等離子體處理半導體基片的各種設(shè)備，例如，等離子體處理的沉積設(shè)備、 等離子體蝕刻設(shè)備等。 以上介紹的僅僅是基于本實用新型的幾個較佳實施例，并不能以此來限定本實用 新型的范圍。任何對本實用新型的裝置作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的部件的替換、組合、分立，以 及對本實用新型實施步驟作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的等同改變或替換均不超出本實用新型的 揭露以及保護范圍。
權(quán)利要求一種等離子體約束裝置，設(shè)置于一等離子體處理裝置的處理區(qū)域和排氣區(qū)域之間，所述等離子體約束裝置包括相互間隔設(shè)置并形成若干個狹長通道的多個同心環(huán)，所述等離子體約束裝置包括靠近下電極的第一區(qū)域和遠離下電極的第二區(qū)域，其特征在于所述等離子體約束裝置的第一區(qū)域上所形成的若干狹長通道的寬度小于第二區(qū)域上所形成的若干狹長通道的寬度，并且所述等離子體約束裝置的第一區(qū)域上所形成的若干狹長通道的深寬比大于第二區(qū)域上所形成的若干狹長通道的深寬比。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體約束裝置還至少包括一位于第一區(qū)域與第二區(qū)域之 間的中間區(qū)域，所述中間區(qū)域上所形成的若干狹長通道的寬度介于第一區(qū)域上所形成的若 干狹長通道的寬度和第二區(qū)域上所形成的若干狹長通道的寬度之間，所述中間區(qū)域所形成 的若干狹長通道的深寬比介于第一區(qū)域上所形成的若干狹長通道的深寬比和第二區(qū)域上 所形成的若干狹長通道的深寬比之間。
3. 如權(quán)利要求2所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述中間區(qū)域上的若干狹長 通道的寬度相同或沿從第一區(qū)域向第二區(qū)域的方向逐漸變大。
4. 如權(quán)利要求2所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述等離子體約束裝置的所述中間區(qū)域上所形成的狹長通道的寬度在1. 5至2. 5mm之間。
5. 如權(quán)利要求1所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述等離子體約束裝置設(shè)置 于所述等離子體處理裝置的下電極基座和反應腔的內(nèi)側(cè)壁之間，所述多個同心環(huán)圍繞該下 電極基座設(shè)置，并沿水平方向相互間隔形成平行的狹長通道。
6. 如權(quán)利要求1所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述每一狹長通道的深寬比至少為5 : i。
7. 如權(quán)利要求1所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述第一區(qū)域上的若干狹長通道的寬度相同或沿從第一區(qū)域向第二區(qū)域的方向逐漸變大。
8. 如權(quán)利要求1所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述第二區(qū)域上的若干狹長 通道的寬度相同或沿從第一區(qū)域向第二區(qū)域的方向逐漸變大。
9. 如權(quán)利要求1所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述等離子體約束裝置的若 干狹長通道的深度相同或沿從第一區(qū)域向第二區(qū)域的方向逐漸變大。
10. 如權(quán)利要求l所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述等離子體約束裝置的第一區(qū)域上所形成的狹長通道的寬度為0. 5至2. 0mm之間。
11. 如權(quán)利要求l所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述等離子體約束裝置的第二區(qū)域上所形成的狹長通道的寬度為2. Omm至3. Omm之間。
12. 如權(quán)利要求l所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述等離子體約束裝置的狹 長通道的深度在10至25mm之間。
13. 如權(quán)利要求1所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述環(huán)由金屬材料制成。
14. 如權(quán)利要求1或13所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述環(huán)至少在接觸或 靠近等離子體處理裝置內(nèi)的等離子體的表面涂覆有可以抵抗所述處理區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的等離 子體腐蝕的材料。
15. 如權(quán)利要求1所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述等離子體約束裝置在等離子體處理過程中電接地。
16. 如權(quán)利要求1所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述等離子體約束裝置在等離子體處理過程中電浮地。
17. 如權(quán)利要求1所述的等離子體約束裝置，其特征在于所述環(huán)由石英材料或碳化硅 或氮化硅制成。
18. —種等離子體處理裝置，包括 處理腔室；一對相互平行設(shè)置的上電極和下電極，設(shè)置于所述處理腔室內(nèi)，所述上電極與下電極 之間構(gòu)成一處理區(qū)域；等離子體約束裝置，設(shè)置于一等離子體處理裝置的處理區(qū)域的外側(cè)，所述等離子體約 束裝置包括相互間隔設(shè)置并形成若干個狹長通道的多個同心環(huán)，所述等離子體約束裝置包 括靠近下電極的第一區(qū)域和遠離下電極的第二區(qū)域，其特征在于所述等離子體約束裝置 的第一區(qū)域上所形成的若干狹長通道的寬度小于第二區(qū)域上所形成的若干狹長通道的寬 度，并且所述等離子體約束裝置的第一區(qū)域上所形成的若干狹長通道的深寬比大于第二區(qū) 域上所形成的若干狹長通道的深寬比。
19. 如權(quán)利要求18所述的等離子體處理裝置還至少包括一位于第一區(qū)域與第二區(qū)域 之間的中間區(qū)域，所述中間區(qū)域上所形成的若干狹長通道的寬度介于第一區(qū)域上所形成的 若干狹長通道的寬度和第二區(qū)域上所形成的若干狹長通道的寬度之間，所述中間區(qū)域所形 成的若干狹長通道的深寬比介于第一區(qū)域上所形成的若干狹長通道的深寬比和第二區(qū)域 上所形成的若干狹長通道的深寬比之間。
20. 如權(quán)利要求18所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述等離子體約束裝置設(shè) 置于所述等離子體處理裝置的下電極基座和反應腔的內(nèi)側(cè)壁之間，所述多個同心環(huán)圍繞該 下電極基座設(shè)置，并沿水平方向相互間隔形成平行的狹長通道。
專利摘要一種用于等離子體處理裝置的等離子體約束裝置，其設(shè)置于所述等離子體處理裝置的處理區(qū)域和排氣區(qū)域之間。所述等離子體約束裝置包括相互間隔設(shè)置并形成狹長通道的多個環(huán)。所述狹長通道具有變深寬比和變通道寬的結(jié)構(gòu)。該等離子體約束裝置不僅能將等離子體約束在處理區(qū)域內(nèi)，減少因等離子體擴散而引起的處理腔室污染問題，而且可以大大增加處理腔室的排氣效率，減少使用過的反應氣體和副產(chǎn)品氣體停留在處理腔窒內(nèi)的時間。
文檔編號H01J37/32GK201514924SQ200920071398
公開日2010年6月23日 申請日期2009年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月30日
發(fā)明者吳狄, 周寧, 尹志堯, 徐朝陽, 杜志游, 歐陽亮, 陳金元 申請人:中微半導體設(shè)備(上海)有限公司