專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例性實(shí)施例涉及一種等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板包括熒光體層和多個(gè)電極，該熒光體層在被障壁(barrier rib)分隔的放電單元的內(nèi)部。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號被施加于等離子體顯示面板的電極時(shí)，在放電單元的內(nèi)部發(fā)生放電。 換句話說，當(dāng)通過將驅(qū)動(dòng)信號施加到放電單元而對等離子體顯示面板進(jìn)行放電時(shí)，填充在 放電單元中的放電氣體生成真空紫外線，從而導(dǎo)致被定位在障壁之間的熒光體發(fā)射光，因 此產(chǎn)生可見光。由于該可見光，圖像被顯示在等離子體顯示面板的屏幕上。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)方案在一個(gè)方面中，等離子體顯示面板包括前基板、與前基板相對定位的后基板、以 及被定位在前基板與后基板之間以分隔放電單元的障壁，該障壁包括彼此交叉的橫向障壁 和縱向障壁，其中凹部被定位為在橫向障壁和縱向障壁的屏障交叉部處彼此隔開。


所包括的附圖用于提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被結(jié)合及組成本說明書的一 部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并與說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的等離子體顯示面板的透視圖；圖2示出在其中橫向障壁的高度小于縱向障壁的高度的等離子體顯示面板的結(jié) 構(gòu)；圖3至12是用于解釋有源區(qū)以及虛擬區(qū)中的障壁之間的所有交叉部處的突出部 的產(chǎn)生原因的圖；圖13是用于解釋虛擬區(qū)中的障壁的末端處的突出部的產(chǎn)生原因的圖；以及圖14至17示出用于在障壁上形成凹部以降低等離子體顯示面板的噪聲的方法。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參照本發(fā)明的實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中示出。圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的等離子體顯示面板的透視圖，如圖1所示，等離子體顯 示面板包括前面板110和后面板120。前面板110包括前基板111、掃描電極112、維持電極113、上電介質(zhì)層114和保護(hù) 層 115。掃描電極112和維持電極113彼此平行地形成在前基板111上。掃描電極112包 括透明電極112a和總線電極112b，維持電極113包括透明電極113a和總線電極113b。透明電極112a和113a由銦錫氧化物(ITO)形成，并通過驅(qū)動(dòng)電壓的供給來擴(kuò)散放電?？偩€電 極112b和113b由容易成型的具有良好電導(dǎo)率的金屬材料(例如，銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu) 和鋁(Al))形成。掃描電極112和維持電極113可以是總線電極，其中透明電極被省略。上電介質(zhì)層114覆蓋掃描電極112和維持電極113，以提供在掃描電極112和維 持電極113之間的電絕緣。保護(hù)層115在上電介質(zhì)層114上由氧化鎂(MgO)形成。保護(hù)層 115發(fā)射次級電子，以利于放電的發(fā)生。進(jìn)一步地，保護(hù)層115保護(hù)掃描電極112、維持電極 113和上電介質(zhì)層114不受正離子的噴濺。后面板120包括后基板121、障壁122、尋址電極123、熒光體層124和下電介質(zhì)層 125。尋址電極123形成在后基板121上，以與掃描電極112和維持電極113交叉。下 電介質(zhì)層125形成在尋址電極123上，以提供尋址電極113之間的電絕緣。障壁122形成在下電介質(zhì)層125上，以分隔放電單元。例如，分別發(fā)射紅光、藍(lán)光和 綠光的第一放電單元、第二放電單元和第三放電單元可以形成在前基板111和后基板121 之間。放電單元形成在掃描電極112、維持電極113和尋址電極123的交叉部中的每一個(gè) 處。放電單元的平面形狀可以是如圖1所示的矩形。熒光體層124形成在由障壁122分隔的放電單元的內(nèi)部，以在尋址放電期間發(fā)射 用于圖像顯示的可見光。圖2示出在其中橫向障壁122h的高度小于縱向障壁1221的高度的等離子體顯示 面板的結(jié)構(gòu)。在圖2中，橫向障壁122h被限定為分隔涂覆有相同材料的熒光體的放電單元
的障壁。如圖2所示，因?yàn)榉指敉扛灿邢嗤牧系臒晒怏w的放電單元的橫向障壁122h的高 度小于縱向障壁1221的高度，所以在涂覆有相同材料的熒光體的放電單元之間形成了能 夠被用作氣體通路的通道。因此，排氣特性可以被改善。用于形成障壁122的圖案的方法包括噴砂方法、蝕刻方法和光敏膠方法。噴砂方法在屏障(barrier)圖案的精度上是有利的，但是在工作之后所產(chǎn)生的材 料損耗和廢棄材料上是不利的。因此，蝕刻方法和光敏膠方法現(xiàn)在已經(jīng)被用在大多數(shù)工業(yè) 中。蝕刻方法和光敏膠方法在分辨率以及處理時(shí)間的縮短上是有利的。蝕刻方法包括使用壓印方法、涂覆方法或綠帶方法在白底(white back)上涂覆 屏障膠；干燥并燒制屏障膠；使用干膜光阻劑(DFR)或光致抗蝕劑(PR)形成屏障圖案；以 及蝕刻并剝離屏障圖案。光敏膠方法包括使用壓印方法、涂覆方法或綠帶方法在白底上涂覆光敏膠；干 燥并燒制光敏膠；使用掩模曝光和顯影光敏膠；以及燒制光敏膠。由于障壁上的突出部，可能在等離子體顯示面板中產(chǎn)生噪聲。突出部可以形成在 有源區(qū)以及虛擬區(qū)中的障壁之間的所有交叉部處，并且可以形成在虛擬區(qū)中的障壁的末端 處。有源區(qū)中的障壁之間的所有交叉部處的突出部可能在如下過程中被形成在屏障 材料內(nèi)部蒸發(fā)成氣體狀態(tài)的粘合劑等從障壁的上面部分被排出。圖3至12是用于解釋有 源區(qū)以及虛擬區(qū)中的障壁之間的所有交叉部處的突出部的產(chǎn)生原因的圖。因?yàn)槠琳喜牧系南旅娌糠值母街τ捎谠谟糜谛纬烧媳诘臒七^程期間所產(chǎn)生的收縮而不被充分地保障，所以可能在虛擬區(qū)中的障壁的末端處形成突出部。圖13是用于 解釋虛擬區(qū)中的障壁的末端處的突出部的產(chǎn)生原因的圖。 圖3示出測量在1-型等離子體顯示面板和2-型等離子體顯示面板中產(chǎn)生的噪聲 的結(jié)果。取決于噪聲量來區(qū)別1-型等離子體顯示面板和2-型等離子體顯示面板。
1-型等離子體顯示面板和2-型等離子體顯示面板被定位在無聲空間中，并且聲 級計(jì)被定位在1-型面板和2-型面板的前面Im處。那么，當(dāng)相同的視頻數(shù)據(jù)被供給到1-型 面板和2-型面板時(shí)，在頻率IkHz、2kHz、4kHz、8kHz和16kHz處測量噪聲。在圖3的(a)中，X軸表示頻率，Y軸表示在各個(gè)頻率處的噪聲。如圖3所示，在1-型等離子體顯示面板中，在頻率1 kHz、2kHz、4kHz、8kHz和16kHz 處測量到的噪聲分別為9. 8dB、13. 6dB、17. 0dB、15. 3dB和9. 4dB。1-型等離子體顯示面板 在所有頻帶的噪聲為21dB。該噪聲值是在等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)期間一般能夠產(chǎn)生的正 常噪聲值。在2-型等離子體顯示面板中，在頻率IkHz、2kHz、4kHz、8kHz和16kHz處測量到的 噪聲分別為14dB、19dB、26dB、28dB和21dB。2-型等離子體顯示面板在所有頻帶的噪聲為 29dB。從圖3可以看出，在所有頻率處，2-型面板的噪聲大于1-型面板的噪聲。進(jìn)一步 地，當(dāng)聲級計(jì)被定位為接近2-型面板之后測量2-型面板的噪聲時(shí)，在所有頻率處測量到的 噪聲為40dB到50dB。因此，在2-型面板的整個(gè)部分中可能產(chǎn)生噪聲故障。圖3至8是示出在頻率IkHz、2kHz、4kHz、8kHz和16kHz處測量1-型面板組A和 2-型面板組B的噪聲的結(jié)果的圖表，其中1-型面板組A包括多個(gè)1-型面板，2-型面板組 B包括多個(gè)2-型面板。更具體地，圖4示出在IkHz處的噪聲，圖5示出在2kHz處的噪聲， 圖6示出在4kHz處的噪聲，圖7示出在8kHz處的噪聲，圖8示出在16kHz處的噪聲。在圖3至8中，水平線表示對應(yīng)頻率的正常噪聲閾值，垂直點(diǎn)虛線表示用于區(qū)別 1-型面板組A和2-型面板組B的線。如圖3至8所示，1-型面板面板A的噪聲小于正常噪聲閾值300a、300b、300c、300d 和300e。2-型面板組B的噪聲大于正常噪聲閾值300a、300b、300c、300d和300e。如圖4所示，在IkHz處，2-型面板組B的噪聲比1_型面板組A的噪聲增加了大約 4dB。如圖5所示，在2kHz處，2-型面板組B的噪聲比1-型面板組A的噪聲增加了大約5dB。 如圖6所示，在4kHz處，2-型面板組B的噪聲比1-型面板組A的噪聲增加了大約9dB。如 圖7所示，在SkHz處，2-型面板組B的噪聲比1-型面板組A的噪聲增加了大約13dB。如 圖8所示，在16kHz處，2-型面板組B的噪聲比1-型面板組A的噪聲增加了大約10dB。具體地，在大氣壓中，在其中2-型面板組B的噪聲比1-型面板組A的噪聲在頻帶 4kHz到16kHz處增加了大約IOdB的圖案，不同于在其中由于海拔增加而導(dǎo)致噪聲增加的圖 案。更具體地，因?yàn)殡S著海平面以上的高度增加，面板的外部壓力相對小于板的內(nèi)部 壓力，所以通過突出部出障壁的末端而產(chǎn)生了海拔噪聲。另一方面，可以假設(shè)，在大氣壓中，2-型面板組B在所有頻帶(具體地，在4kHz到 16kHz)的噪聲增加的原因不同于以上的海拔噪聲的原因。圖9至11是使用電子顯微鏡拍攝的2-型面板的障壁的上面部分(S卩，障壁之間的交叉部)的圖，用于找出噪聲故障的原因。從圖9至11中可以看出，在障壁之間的交叉部的周圍形成突出部。如圖9所示，突出部的最大高度h和最大寬度w分別是17 μ m和78 μ m。如圖10所示，突出部的最大高度h和最大寬度w分別是12 μ m和62 μ m。如圖11所示，突出部的最大高度h和最大寬度w分別是8 μ m和46 μ m。盡管未示出，從在障壁之間的交叉部處的突出部的另一幅照片測量到突出部的 最大高度 h 禾口最大寬度 w 是(15 μ m 禾口 70 μ m)、(4 μ m 禾口 40 μ m)、(17 μ m 禾口 78 μ m)、(12 μ m 禾口 77 μ m)、(3 μ m 禾口 30 μ m)、(8 μ m 禾口 32 μ m)禾口(10 μ m 禾口 39 μ m)等。因此，突出部的最大高度被測量出處于4 μ m到17 μ m的范圍內(nèi)，突出部的最大寬 度被測量出處于30 μ m到78 μ m范圍內(nèi)?？梢钥闯?，噪聲產(chǎn)生歸因于因?yàn)?-型面板的障壁上的突出部，在大氣壓中驅(qū)動(dòng) 等離子體顯示面板期間，等離子體顯示面板的前面板和后面板之間的接觸振動(dòng)。因?yàn)榍懊姘搴秃竺姘逵捎谡媳谏系耐怀霾慷鴮?dǎo)致不是緊密地附接于彼此，所以前 面板和后面板之間的接觸振動(dòng)變得更強(qiáng)，并且接觸振動(dòng)的強(qiáng)度增大。因此，噪聲的強(qiáng)度增 大。在所有頻帶，在整個(gè)區(qū)域上2-型面板的噪聲強(qiáng)度大于1-型面板的噪聲強(qiáng)度。2-型 面板的噪聲原因是由于障壁上的突出部。從圖10觀察到，小孔形成在突出部上。小孔的形成原因?qū)⒄請D12來說明。圖12是用于解釋突出部和在突出部上的小孔的形成原因的圖。因?yàn)槠琳贤扛矊颖粺?，然后以不同于噴砂方法的化學(xué)蝕刻方法被蝕刻，所以按 化學(xué)蝕刻方法得到各向同性的蝕刻。按化學(xué)蝕刻方法，用于障壁的厚膜被形成在后基板121上，在該后基板上，電極和 下電介質(zhì)層125被形成。厚膜通過壓印包括屏障材料的膠或?qū)訅壕G帶而被形成。然后，厚膜經(jīng)過火爐，從而執(zhí)行燒制過程。在燒制過程期間，厚膜分解并排出包含 于膠或綠帶中的有機(jī)成分從而使屏障材料密實(shí)。因?yàn)槠琳贤扛矊颖入姌O或電介質(zhì)層厚，所以必須謹(jǐn)慎執(zhí)行干燥過程。更具體地，當(dāng) 對厚的屏障涂覆層快速執(zhí)行干燥過程時(shí)，屏障涂覆層的表面變硬。因此，溶劑殘存在屏障涂 覆層的內(nèi)部，然后在后續(xù)燒制過程中變成泡沫狀態(tài)。因此，導(dǎo)致質(zhì)量下降。因此，必須在充 足的時(shí)間內(nèi)慢慢對屏障涂覆層執(zhí)行干燥過程。干膜光阻劑(DFR)被層壓并被涂覆在被燒制的厚膜上，并使用掩模對DFR執(zhí)行曝 光過程和顯影過程。在水溶液的蝕刻期間形成圖案所需要的保護(hù)層被形成。在其上涂覆有被圖案化成與障壁形狀一致的DFR的基板被曝光到蝕刻溶液并被 蝕刻。然后，保護(hù)層被移除，從而用于制造障壁的過程被完成。在噴砂方法中，因?yàn)樵谡媳诒晃g刻和圖案化后燒制障壁，所以在燒制過程期間在 屏障材料內(nèi)部被蒸發(fā)成氣體狀態(tài)的粘合劑、濕氣等容易從障壁的下表面和側(cè)表面被排出。 然而，因?yàn)樵谖g刻方法中，首先燒制屏障涂覆層，所以僅從涂覆層的涂覆表面排出粘合劑、 濕氣等。因此，在通過慢慢執(zhí)行燒制過程充分排出涂覆層內(nèi)部的氣體之后，涂覆層的表面 肯定是緊密的。
如圖12所示，當(dāng)使用蝕刻方法同時(shí)燒制障壁122和下電介質(zhì)層125時(shí)，可以在如 下過程中將突出部510形成在障壁122上從涂覆層表面排出屏障材料內(nèi)部被蒸發(fā)成氣體 狀態(tài)的粘合劑520等。突出部510上的小孔可能在粘合劑520從涂覆層表面被排出的過程中通過對涂覆 層表面穿孔而形成。1-型面板和2-型面板可以被區(qū)別是否依賴于干燥條件、燒制條件(例如，燒制 時(shí)間和燒制溫度)和綠帶的干燥時(shí)間等來形成突出部。圖13是示出由于在用于形成障壁的燒制過程期間所產(chǎn)生的收縮而導(dǎo)致的障壁的 突出部的側(cè)視圖。一般通過曝光過程和顯影過程來形成屏障圖案，然后通過燒制過程來完成屏障圖案。為了形成障壁122，包括屏障材料的膠被涂覆在下電介質(zhì)層125上，并以預(yù)定形狀 被成型。然后，對屏障圖案執(zhí)行用于蒸發(fā)揮發(fā)性物質(zhì)的燒制過程。在燒制過程期間，使包含 于屏障材料中的揮發(fā)性物質(zhì)揮發(fā)，使障壁122收縮。如果通過燒制過程使障壁122收縮，則障壁122的長度變短。因此，由于收縮而發(fā) 生壓縮應(yīng)力。隨著障壁122遠(yuǎn)離面板的內(nèi)部，壓縮應(yīng)力增大。因此，定位于有源區(qū)外部的虛擬區(qū) 的障壁中，壓縮應(yīng)力具有最大值。因?yàn)閴嚎s應(yīng)力在一個(gè)方向產(chǎn)生各向異性力，所以在虛擬區(qū) 的障壁中發(fā)生激發(fā)現(xiàn)象從而形成突出部600。當(dāng)突出部600被形成在障壁上的等離子體顯示面板被制造時(shí)，由于突出部出的障 壁而導(dǎo)致在前面板和障壁之間發(fā)生裂縫。當(dāng)高頻驅(qū)動(dòng)電壓被施加時(shí)，等離子體顯示面板被依賴于放電而在放電單元的內(nèi)部 產(chǎn)生的沖擊波所振動(dòng)。進(jìn)一步地，在裂縫中，前面板周期性地與障壁碰撞，從而在等離子體 顯示面板中產(chǎn)生噪聲。圖14至17示出用于在障壁上形成凹部以減小等離子體顯示面板的噪聲的方法。圖14和圖15比照圖13示出用于在虛擬區(qū)的障壁之間的交叉部處和最外部的障 壁中形成凹部的方法。圖16和圖17比照圖3至12示出用于在有源區(qū)以及虛擬區(qū)中的障 壁之間的交叉部處形成凹部的方法。如示出后基板的屏障圖案的圖14所示，面板被劃分成能夠表現(xiàn)灰度級的有源區(qū) 和在有源區(qū)外部的虛擬區(qū)。虛擬區(qū)不能表現(xiàn)灰度級。障壁122分隔對應(yīng)于電極交叉部的放 電單元710。最外部障壁被定位于虛擬區(qū)的最外面部分。有源區(qū)中的橫向障壁al和縱向障壁 a2彼此交叉，虛擬區(qū)中的橫向障壁dl和縱向障壁d2彼此交叉。多個(gè)凹部被定位為在虛擬區(qū)的橫向障壁dl上彼此隔開。因此，屏障材料的體積減 小，并且屏障材料的突出部可以被最小化。在本示例性實(shí)施例中，通過從障壁的上面部分的特定部分傳遞到障壁的接觸下電 介質(zhì)層的下面部分而形成凹部。進(jìn)一步地，凹部通過壓下障壁的上面部分的一部分而被形 成。因?yàn)樵谔摂M區(qū)的橫向障壁dl和縱向障壁d2彼此交叉的部分中，收縮力的不均勻性是最大的，所以凹部700A優(yōu)選地形成在虛擬區(qū)的障壁之間的交叉部周圍。更優(yōu)選地，凹部700A具有足夠尺寸以被納入到虛擬區(qū)的障壁之間的交叉部中。凹 部700A的形狀可以是不規(guī)則形狀、以及圓形、橢圓形和多邊形(諸如三角形、五邊形和六邊 形)。盡管未示出，凹部700A可以被加在等距的交叉部720以及障壁之間的交叉部720 之間。如示出障壁形成方法的另一種實(shí)現(xiàn)方式的圖15所示，多個(gè)凹部700A以等距被形 成在虛擬區(qū)的障壁之間的交叉部中的除了最外部障壁之外的其余部分中。在有源區(qū)的方向 上被壓下的凹部700B形成在虛擬區(qū)的最外部障壁中，從而使屏障材料的突出部最小化。如示出等離子體顯示面板的后基板的屏障圖案的圖16所示，面板被劃分成能夠 表現(xiàn)灰度級的有源區(qū)和在有源區(qū)外部的虛擬區(qū)。虛擬區(qū)不能表現(xiàn)灰度級。障壁122對應(yīng)于 電極交叉部分隔放電單元710。有源區(qū)中的橫向障壁al和縱向障壁a2彼此交叉，虛擬區(qū)中的橫向障壁dl和縱向 障壁d2彼此交叉。多個(gè)凹部700A在有源區(qū)的橫向障壁al和縱向障壁a2的交叉部處、以及在虛擬區(qū) 的橫向障壁dl和縱向障壁d2的交叉部處被定位為彼此隔開。當(dāng)障壁122和下電介質(zhì)層 125被同時(shí)燒制時(shí)，在屏障材料內(nèi)部蒸發(fā)成氣體狀態(tài)的粘合劑提供了排氣通路。因此，可以 防止在障壁上形成突出部。考慮到突出部被形成在障壁之間的交叉部處，則更優(yōu)選地凹部被形成在橫向障壁 al和dl以及縱向障壁a2和d2的交叉部內(nèi)部或者在交叉部的中央。盡管未示出，凹部可以以等距被加在交叉部之間以及交叉部處。圖17示出突出部的深度、寬度和形狀?？紤]到在障壁上的突出部的形狀是螺旋形、鐘形或扁平形，并且突出部的底部表 面是有預(yù)定曲率的形狀，則優(yōu)選地凹部的底部表面是有預(yù)定曲率的形狀。凹部具有柱形，其底表面具有如圖17中的(a)所示的預(yù)定曲率。凹部具有錐形， 其底表面具有如圖17(b)所示的預(yù)定曲率。參照圖9至11，因?yàn)橥怀霾康淖畲蟾叨忍幱?μπι到17 μ m的范圍內(nèi)，突出部的最 大直徑處于30 μ m到78 μ m范圍內(nèi)，所以突出部的最大深度和最大寬度分別可以是4 μ m到 17 μ m 禾口 30 μ m 至Ij 78 μ m。圖17的(a)中柱形凹部的最大深度H和圖17的(b)中錐形凹部的最大深度H是 4口!11到17 4111。圖17的(a)中柱形凹部的最大寬度W和圖17的(b)中錐形凹部的最大寬 度 W 是 30 μ m 至Ij 78 μ m。當(dāng)在圖16中的橫向障壁al和dl的寬度或者縱向障壁a2和d2的寬度例如是 50 μ m到60 μ m時(shí)，凹部的最大深度可以是橫向障壁al和dl的寬度或者縱向障壁a2和d2 的寬度的0. 067倍到0. 34倍。進(jìn)一步地，凹部必須與障壁的邊緣隔開預(yù)定距離，以防止破壞障壁。凹部的最大直 徑可以是橫向障壁al和dl的寬度或者縱向障壁a2和d2的寬度的0. 5倍到1. 56倍。上述的實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)僅僅是示例性的，并不應(yīng)詮釋為限制本發(fā)明。本技術(shù)可以容 易地應(yīng)用于其他類型的設(shè)備。上述實(shí)施例的說明旨在示例性的，并不限制權(quán)利要求的范圍。許多替換、修改和變動(dòng)對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將是明顯的。
權(quán)利要求
一種等離子體顯示面板，包括前基板；與所述前基板相對定位的后基板；以及被定位在所述前基板和所述后基板之間以分隔放電單元的障壁，所述障壁包括彼此交叉的橫向障壁和縱向障壁，其中凹部被定位為在所述橫向障壁和所述縱向障壁的屏障交叉部處彼此隔開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述凹部被定位在所述屏障交叉 部的內(nèi)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，當(dāng)所述橫向障壁被限定為分隔涂 覆有相同材料的熒光體的所述放電單元的障壁時(shí)，所述橫向障壁的高度小于所述縱向障壁 的高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述放電單元具有矩形平面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述障壁包括能夠表現(xiàn)灰度級的 有源區(qū)中的有源障壁和被定位在所述有源區(qū)外部的虛擬區(qū)中的虛擬障壁，其中所述屏障交叉部是所述虛擬障壁的橫向障壁和縱向障壁的交叉部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中，所述虛擬障壁的最外面部分包括 在所述有源區(qū)的方向上被壓下的凹部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述凹部通過部分地壓下所述屏 障交叉部的上面部分而被形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述凹部的最大深度是4i!m到 17 u m。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述凹部的最大深度是所述障壁 的寬度的0. 067倍到0. 34倍。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述凹部的最大區(qū)段與所述障壁 的邊緣隔開預(yù)定距離。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述凹部的最大直徑是30y m到 78 u m。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述凹部的最大直徑是所述障壁 的寬度的0.5倍到1.56倍。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述凹部的形狀是柱形或錐形。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述凹部的平面形狀是圓形、橢 圓形或多邊形。
全文摘要
公開了一種等離子體顯示面板。該等離子體顯示面板包括前基板、與前基板相對定位的后基板、以及被定位在前基板和后基板之間以分隔放電單元的障壁。該障壁包括彼此交叉的橫向障壁和縱向障壁。凹部被定位為在該橫向障壁和該縱向障壁的屏障交叉部處彼此隔開。
文檔編號H01J11/12GK101874282SQ200880117871
公開日2010年10月27日 申請日期2008年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月7日
發(fā)明者吳在永, 禹智元 申請人:Lg電子株式會(huì)社