專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用于各種顯示器的等離子體顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，對(duì)以高清晰度電視、HD-TV為首的高精細(xì)、高品位、大畫(huà)面電視機(jī)的期待越來(lái)越高，其中，等離子體顯示面板(Plasma DisplayPanel，以下簡(jiǎn)稱PDP)顯示裝置作為能夠?qū)崿F(xiàn)大型、薄型和輕量化的彩色顯示裝置很引人注目。 圖16是作為一般的AC型PDP的放電單位的放電單元的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖16所示的PDPlx是將前面板2和后面板9相互貼合形成的。前面板2是在前面板玻璃3的一個(gè)面上并設(shè)多對(duì)將掃描電極5和維持電極4作為一對(duì)的顯示電極對(duì)6，覆蓋著該顯示電極對(duì)6依序疊層形成電介質(zhì)層7和保護(hù)層8。掃描電極5、維持電極4是分別將透明電極51、41和總線52、42疊層構(gòu)成的。 電介質(zhì)層7由玻璃軟化點(diǎn)為約55(TC 60(TC左右范圍的低熔點(diǎn)玻璃形成，具有AC型PDP特有的電流限制功能。 表面層8具有保護(hù)上述電介質(zhì)層7和顯示電極對(duì)6使其不受驅(qū)動(dòng)時(shí)放電空間15發(fā)生的等離子體放電的離子的轟擊，同時(shí)高效率地向放電空間15發(fā)射二次電子，使放電開(kāi)始電壓降低的作用。通常該表面層8使用二次電子發(fā)射特性、耐濺射性、光學(xué)透明性優(yōu)異的氧化鎂(MgO)材料構(gòu)成，用真空蒸鍍法或印刷法形成厚度為0. 5微米 1微米左右的膜。還有，除了保護(hù)電介質(zhì)層7和顯示電極對(duì)6之外，與表面層8相同的結(jié)構(gòu)，也有作為以確保二次電子發(fā)射特性為目的的保護(hù)層設(shè)置。 另一方面，后面板9在后面板玻璃10上并設(shè)寫(xiě)入圖像數(shù)據(jù)用的多個(gè)數(shù)據(jù)(地址)電極11，以使其與所述前面板2的顯示電極對(duì)6在正交方向上交叉。在后面板玻璃10，覆蓋著數(shù)據(jù)電極11配設(shè)由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)層12。在電介質(zhì)層12中與相鄰的放電單元(圖示省略)的邊界上，由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成的規(guī)定高度的隔壁(凸棱)13組合形成"井"字形桁架等的圖案部1231、1232，以將放電空間15加以劃分。在電介質(zhì)層12表面與隔壁13的側(cè)面上，涂布包含R、 G、 B各色中的任一顏色的熒光體材料的熒光體墨液并加以燒結(jié)，形成熒光體層14(熒光體層14R、14G、14B)。 前面板2和后面板9配置為使顯示電極對(duì)6與數(shù)據(jù)電極11隔著放電空間15相互
正交，該兩面板的周圍被密封。這時(shí)在內(nèi)部密封的放電空間15中以約數(shù)十kPa壓力封入作
為放電氣體的Xe-Ne系或Xe-He系等的稀有氣體。如上所述構(gòu)成PDPlx。 作為該P(yáng)DPlx的驅(qū)動(dòng)方法，采用將一個(gè)場(chǎng)的圖像分割為多個(gè)子場(chǎng)(S. F.)的灰度表
現(xiàn)方式(例如場(chǎng)內(nèi)時(shí)分割顯示方式)。 在這里，在已有的PDP中存在如下所述的問(wèn)題。 第1個(gè)問(wèn)題是，發(fā)生初始化亮點(diǎn)的問(wèn)題。 以往，在PDP的情況下，在各子場(chǎng)的初始化期間，為了把全部顯示單元初始化，提高對(duì)比度，有必要穩(wěn)定地進(jìn)行被稱為弱放電(初始化放電)的弱小放電。因此在PDP的情況下，通常把電壓隨時(shí)間推移緩慢傾斜地上下波動(dòng)的燈波形施加于前面板側(cè)的掃描電極與
后面板側(cè)的數(shù)據(jù)電極之間，使小放電電流恒定流動(dòng)，以進(jìn)行調(diào)節(jié)使弱放電穩(wěn)定化。 但是，在初始化期間施加上升燈波形時(shí)發(fā)生的放電，是后面板側(cè)的數(shù)據(jù)電極或二
次電子發(fā)射系數(shù)小的熒光體側(cè)形成陰極的放電，因此放電開(kāi)始電壓容易變高。因此有時(shí)候
弱放電的發(fā)生不穩(wěn)定，可能發(fā)生強(qiáng)放電。強(qiáng)放電是與圖像無(wú)關(guān)的誤放電(初始化亮點(diǎn))，在
畫(huà)面上作為點(diǎn)狀或線狀的不需要的亮點(diǎn)發(fā)生，成為使圖像顯示性能顯著降低的原因。 又，在PDP中，為了謀求提高輝度，有時(shí)候采取提高放電氣體的組成中的Xe濃度的
對(duì)策。但是這樣提高Xe濃度時(shí)也有容易發(fā)生初始化亮點(diǎn)的問(wèn)題。 第2個(gè)問(wèn)題是，PDP的各色的放電單元相互之間二次電子發(fā)射特性存在差異的問(wèn)題。 也就是說(shuō)，在已有的PDP中，將組成不同的R、G、B中的任一顏色的熒光體材料使用于各色熒光體層的每一層，因此在顏色不同的放電單元相互之間，存在各熒光體材料的二次電子發(fā)射特性引起的放電特性差異。這樣的差異會(huì)對(duì)整個(gè)面板的圖像顯示特性發(fā)生不良影響，因此存在應(yīng)該對(duì)其加以改善的問(wèn)題。 第3個(gè)問(wèn)題是，對(duì)PDP進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，從放電氣體產(chǎn)生的真空紫外光線的一部分被氧化鎂層所吸收，存在不容易謀求提高輝度的問(wèn)題。 也就是說(shuō)，具有氧化鎂構(gòu)成的保護(hù)層的PDP，在驅(qū)動(dòng)時(shí)從Ne-Xe系等放電氣體發(fā)生的147nm和173nm的真空紫外光在放電空間中作為球面波發(fā)光。這樣的球面波中，到達(dá)配設(shè)于后面板側(cè)的熒光體層的真空紫外光被該熒光體層中的熒光體成分提供給用于發(fā)生可見(jiàn)光，而若被照射于熒光體層以外的真空紫外光能夠?qū)梢?jiàn)光的發(fā)生有貢獻(xiàn)，則可望促進(jìn)可見(jiàn)光高效率地發(fā)生，提高輝度。但是在前面板側(cè)面對(duì)開(kāi)闊的放電空間的所述保護(hù)層，與熒光體層無(wú)關(guān)地主要吸收真空紫外光。結(jié)果存在這樣的問(wèn)題，即照射于前面板側(cè)的真空紫外光實(shí)質(zhì)上在熒光體層不能夠?qū)梢?jiàn)光的發(fā)光作出貢獻(xiàn)。 作為初始化亮點(diǎn)的對(duì)策，試圖使二次電子發(fā)射系數(shù)Y比構(gòu)成熒光體層的熒光體材料更高的顆粒狀粉末附著于熒光體層，以改善發(fā)生初始化亮點(diǎn)的情況(專利文獻(xiàn)1)。此外還嘗試在電介質(zhì)層上、或在真空蒸鍍法或?yàn)R射法形成的氧化鎂膜上，涂布?xì)庀嘌趸ㄖ谱鞯难趸V微粒，用氧化鎂微粒發(fā)射的紫外線使熒光體層發(fā)生可見(jiàn)光，以提高輝度(專利文獻(xiàn)2)。 專利文獻(xiàn)1 :W006/038654號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)2006-59786號(hào)公報(bào) 但是，采用上述任何一種已有技術(shù)，實(shí)際上很難說(shuō)能夠有效抑制初始化亮點(diǎn)的發(fā)生，很難有效地解決在這個(gè)問(wèn)題。 又，抑制初始化亮點(diǎn)的發(fā)生，同時(shí)謀求提高輝度，而且也將各色放電單元間放電特性的差異加以消除，這對(duì)于得到具有優(yōu)異的圖像顯示性能的PDP是很重要的，但是也被認(rèn)為是很難實(shí)現(xiàn)的。 這樣，PDP的現(xiàn)狀是，還存在一些應(yīng)該解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述存在問(wèn)題而作出的，其第l個(gè)目的在于，提供通過(guò)對(duì)熒光體層進(jìn)行改質(zhì)，抑制初始化亮點(diǎn)的發(fā)生，同時(shí)能夠消除各色放電單元間的放電特性的差異，可望得到優(yōu)異的圖像顯示特性的等離子體顯示面板及其制造方法。 又，本發(fā)明的第2個(gè)目的在于，提供除了能夠解決上述問(wèn)題之外，而且在前面板側(cè)也能夠利用放電空間發(fā)生的紫外線，促進(jìn)可見(jiàn)光的發(fā)生，可望提高輝度的等離子體顯示面板及其制造方法。 為了解決上述存在問(wèn)題，本發(fā)明是一種具有如下所述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板，即在一個(gè)面上形成熒光體層的第1基板，在所述一個(gè)面隔著放電空間與第2基板對(duì)向配置，該第1基板和第2基板的周圍被密封，其特征在于，熒光體層包含熒光體成分、以及含有具有被(100)面和(111)面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的氧化鎂微粒群，氧化鎂微粒群配設(shè)于熒光體層中的該層內(nèi)部、面臨放電空間的表面、或背面基板側(cè)的該層底部的至少任意一個(gè)區(qū)域。 在這里，也可以在第2基板的一個(gè)面上，在面臨放電空間的表面區(qū)域，配設(shè)包含與所述氧化鎂微粒具有相同的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的氧化鎂微粒群。 又，可以采用在第2基板的所述一個(gè)面上，配設(shè)多個(gè)電極和覆蓋著該多個(gè)電極配設(shè)的電介質(zhì)層，所述氧化鎂微粒群為在所述電介質(zhì)層表面直接配設(shè)或者隔著保護(hù)層配設(shè)的結(jié)構(gòu)。 還可以采用如下所述結(jié)構(gòu)，即本發(fā)明的氧化鎂微粒具有六面體結(jié)構(gòu)，而且至少具有一個(gè)截頂面。在這種情況下，氧化鎂微粒其主要面具有(100)面，截頂面具有(111)面。
又，可以采用如下所述結(jié)構(gòu)，即氧化鎂微粒具有八面體結(jié)構(gòu)，而且至少具有一個(gè)截頂面。在這種情況下，可以采用氧化鎂微粒其主要面具有(111)面，截頂面具有(100)面的結(jié)構(gòu)。 又，可以采用如下所述結(jié)構(gòu)，即本發(fā)明的氧化鎂微粒也可以是具有相當(dāng)于(100)面的6個(gè)面、以及相當(dāng)于(111)面的8個(gè)面的14面體。在這種情況下，也可以是氧化鎂微粒其主要面具有(100)面，截頂面具有(111)面的結(jié)構(gòu)?；蛘咭部梢允窃谶@種情況下的氧化鎂微粒其主要面具有(111)面，截頂面具有(100)面的結(jié)構(gòu)。 而且本發(fā)明的等離子體顯示面板又可以采用如下所述的結(jié)構(gòu)，即一個(gè)面上形成熒光體層的第1基板，在所述一個(gè)面隔著放電空間與第2基板對(duì)向配置，該第1基板和第2基板的周圍被密封，其特征在于，熒光體層包含熒光體成分、以及含有具備被(100)面、(110)面、和(111)面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的氧化鎂微粒群，氧化鎂微粒群配設(shè)于熒光體層中的該層內(nèi)部、或面臨放電空間的表面、或背面基板側(cè)的該層底部的至少任意一個(gè)區(qū)域。 在這里，又可以在第2基板的一個(gè)面上，在面臨放電空間的表面區(qū)域，配設(shè)包含與所述氧化鎂微粒具有相同的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的氧化鎂微粒群。 又，可以采用如下所述結(jié)構(gòu)，即在第2基板的所述一個(gè)面上，配設(shè)多個(gè)電極和覆蓋著該多個(gè)電極配設(shè)電介質(zhì)層，對(duì)所述電介質(zhì)層表面直接配設(shè)、或隔著保護(hù)層配設(shè)所述氧化鎂微粒群。 在這里，又可以采用如下所述結(jié)構(gòu)，即本發(fā)明的氧化鎂微粒具有六面體結(jié)構(gòu)，而且具有至少一個(gè)截頂面和至少一個(gè)傾斜面。在這種情況下，也可以采用如下所述結(jié)構(gòu)，即氧化鎂微粒其主要面具有(100)面，截頂面具有(111)面、傾斜面具有(110)面。
或者，也可以采用如下所述結(jié)構(gòu)，即本發(fā)明的氧化鎂微粒具有八面體結(jié)構(gòu)，而且具有至少一個(gè)截頂面和至少一個(gè)傾斜面。在這種情況下，也可以采用如下所述結(jié)構(gòu)，即氧化鎂微粒其主要面具有(111)面，截頂面具有(100)面、傾斜面具有(110)面。
也可以采用如下所述結(jié)構(gòu)，即本發(fā)明的氧化鎂微粒也能夠是具有相當(dāng)于(100)面的6個(gè)面、相當(dāng)于(110)面的12個(gè)面、以及相當(dāng)于(111)面的8個(gè)面的26面體。在這種情況下，也可以采用如下所述結(jié)構(gòu)，即氧化鎂微粒其主要面具有(111)面、傾斜面具有(110)面、截頂面具有(100)面?；蛘哌@種情況下的氧化鎂微粒也可以采用如下所述結(jié)構(gòu)，即其主要面具有(100)面、傾斜面具有(110)面、截頂面具有(111)面。 還有，最好是本發(fā)明中的氧化鎂微粒是作為氧化鎂前體的燒成生成物而構(gòu)成。而且該氧化鎂微粒其初級(jí)顆粒的粒徑以300nm以上為宜。還有，該氧化鎂微粒的BET值為2. 0m2以下是理想的。 具有如上所述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的PDP，在驅(qū)動(dòng)時(shí)放電空間發(fā)生的紫外線一旦到達(dá)熒光體層，則充填于熒光體顆粒的間隙中的具有特定取向面的氧化鎂微粒受到該紫外線的照射，發(fā)揮優(yōu)異的二次電子發(fā)射特性。由此，在初始化期間，從熒光體層向放電空間發(fā)射出充裕的二次電子，弱放電平穩(wěn)發(fā)生。借助于此，能夠?qū)崿F(xiàn)理想的弱放電，抑制不需要的強(qiáng)放電(初始化亮點(diǎn))的發(fā)生。 又，本發(fā)明的氧化鎂微粒由于伴隨放電發(fā)生紫外線，因此熒光體除了受到放電空間發(fā)生的紫外線的照射外，還受到熒光體層中的氧化鎂微粒產(chǎn)生的紫外線的照射而被激發(fā)，能夠高效率地產(chǎn)生可見(jiàn)光。在這里，在熒光體層中，借助于圍繞熒光體顆粒周圍的氧化鎂微粒，能夠從其周圍高效率地激發(fā)熒光體顆粒，而且能夠防止漫反射，合適地反射可見(jiàn)光，因此可望實(shí)現(xiàn)高輝度可見(jiàn)光的發(fā)光。 還有，與熒光體相比，本發(fā)明的氧化鎂微粒具有足夠高的二次電子發(fā)射特性，因此通過(guò)將其配設(shè)于熒光體層，能夠使各色熒光體層的各熒光體成分造成的放電特性差異相對(duì)減小。其結(jié)果是，能夠使整個(gè)PDP的各色放電單元間放電特性大致一致，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的圖像顯示性能。 而且在本發(fā)明中，還通過(guò)在前面板(第2基板)側(cè)配設(shè)氧化鎂微粒群，熒光體層中的熒光體受到放電空間中發(fā)生的球面波紫外線照射而被直接激發(fā)，此外也受到從該球面波紫外線照射激發(fā)的后面板側(cè)和前面板側(cè)的氧化鎂微粒來(lái)的紫外線的照射，因此受到更高效率的激發(fā)。其結(jié)果是，在熒光體層發(fā)生充裕的可見(jiàn)光，而且能夠以高輝度實(shí)現(xiàn)良好的圖像顯示性能。 還有，在本發(fā)明的上述氧化鎂微粒群的說(shuō)明中，所謂在上述氧化鎂微粒群中"包含"具有特定取向面的氧化鎂微粒是指，在氧化鎂微粒群中也包含具有上述氧化鎂微粒以外的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒。在這里，可以認(rèn)為，本發(fā)明的氧化鎂微粒在氧化鎂微粒群中包含的比例越大，則能夠得到本發(fā)明的更好的效果。


圖i是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的PDP的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2是表示各電極與驅(qū)動(dòng)器的關(guān)系的示意圖。
圖3是表示PDP的驅(qū)動(dòng)波形例的圖。
圖4是表示氧化鎂微粒的形狀的圖。 圖5是表示氧化鎂微粒的變化的形狀的圖。 圖6是表示氧化鎂微粒的形狀的照片。 圖7是表示氧化鎂微粒的發(fā)光波長(zhǎng)與發(fā)光強(qiáng)度的關(guān)系的曲線圖。 圖8是表示氧化鎂微粒的CL測(cè)定波形的曲線圖。 圖9是表示氧化鎂微粒的BET值與頻度的關(guān)系的圖。 圖10是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的PDP的結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖11是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)3的PDP的結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖12是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4的PDP的結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖13是表示整個(gè)熒光體層中的氧化鎂重量濃度與輝度的關(guān)系的圖。 圖14是表示實(shí)施例和比較例的PDP的初始化亮點(diǎn)有無(wú)發(fā)生的圖。 圖15是表示實(shí)施例和比較例的PDP的輝度的圖。 圖16是表示已有的一般的PDP的結(jié)構(gòu)的組圖。 符號(hào)說(shuō)明 1、la、lb、lc、lx PDP 2 前面板 3前面板玻璃 4 維持電極 5 掃描電極 6 顯示電極對(duì) 7、 12 電介質(zhì)層 8 表面層 9 后面板 10后面板玻璃 11數(shù)據(jù)(地址)電極 13 隔壁 14熒光體層 15 放電空間 16、16X、16Y Mg0 微粒群 16a具有被特定的2種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒 16b具有被特定的2種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒 16c具有被特定的3種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒 16d具有被特定的3種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒 16al、16a2具有被特定的2種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的變化 16bl、16b2具有被特定的2種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的變化 16cl具有被特定的3種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的變化 16dl具有被特定的3種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的變化 17保護(hù)層 140熒光體層的表面
具體實(shí)施例方式
下面對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施形態(tài)和實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，當(dāng)然本發(fā)明不限于這些形式，在 不超出本發(fā)明的技術(shù)范圍的范圍內(nèi)可以在適當(dāng)變更后實(shí)施。
實(shí)施形態(tài)1
PDP的結(jié)構(gòu)例 圖1是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的PDP1的沿xz平面的模式性剖面圖。該P(yáng)DP1除了保 護(hù)層周邊的結(jié)構(gòu)外，總體說(shuō)來(lái)與以往的結(jié)構(gòu)(上述圖16)相同。 還有，在圖1中，為了說(shuō)明方便，將配設(shè)于熒光體層14內(nèi)部的氧化鎂微粒群16的 粒徑模式性地表示得比實(shí)際尺寸大。 PDP1在這里采用42英寸級(jí)的NTSC標(biāo)準(zhǔn)的例子的AC型，但是本發(fā)明當(dāng)然也可以使 用于XGA、SXGA等其他標(biāo)準(zhǔn)的例子。具有HD(HighDefinition，高清晰)以上的分辨率的高 精細(xì)PDP，以例如下述標(biāo)準(zhǔn)為例。面板尺寸為37、42、50英寸各種尺寸的情況下，依序可以設(shè) 定為1024 X 720 (像素?cái)?shù)目)、1024 X 768 (像素?cái)?shù)目)、1366 X 768 (像素?cái)?shù)目)。此外，還可 以包含比該HD面板更高分辨率的面板。作為具有HD以上的分辨率的面板，可以包含具備 1920 X 1080 (像素?cái)?shù)目)的全HD面板。 如圖1所示，PDP1的結(jié)構(gòu)分為將主面對(duì)向?qū)χ门湓O(shè)第l基板(后面板9)以及第2 基板(前面板2)。 在作為前面板2的基板的前面板玻璃3，形成多對(duì)在其一主面上保持規(guī)定的放電 間隙(75微米)配設(shè)的成對(duì)的顯示電極對(duì)6(掃描電極5、維持電極4)。各顯示電極對(duì)6是 對(duì)于氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、二氧化錫(Sn02)等透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的帶狀透明電極 51、41(厚度0. 1微米、寬大150微米)疊層由銀厚膜(厚度2微米 10微米)、鋁薄膜(厚 度0. 1微米 1微米)或Cr/Cu/Cr疊層薄膜(厚度0. 1微米 1微米)等構(gòu)成的總線52、 42(厚度7微米、寬度95微米)而構(gòu)成。借助于該總線52、42，使透明電極51、41的薄片電 阻(sheet resistance)下降。 在這里，所謂「厚膜」是指利用各種厚膜法形成的膜，其中，所述厚膜法是指涂布包 含導(dǎo)電性材料的導(dǎo)電膏等之后進(jìn)行燒成形成的方法。又，所謂「薄膜」是指利用包含濺射法、 離子電鍍法(ion plating)、電子束蒸鍍法等的使用真空工藝的各種薄膜法形成的膜。
在配設(shè)有顯示電極對(duì)6的前面板玻璃3，在其整個(gè)主面，利用網(wǎng)板印刷方法等形成 以氧化鉛(PbO)、三氧化二鉍(Bi203)或四氧化磷(P04)為主成分的低熔點(diǎn)玻璃(厚度35微 米)的電介質(zhì)層7。 電介質(zhì)層7具有AC型PDP特有的電流限制功能，是與DC型PDP相比實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)壽命 化的要素。 在電介質(zhì)層7的放電空間15側(cè)的面上配設(shè)表面層8。表面層8是為了保護(hù)電介質(zhì) 層7免受放電時(shí)的離子轟擊，以降低放電開(kāi)始電壓為目的而配設(shè)的薄膜，由耐濺射性和二 次電子發(fā)射系數(shù)Y優(yōu)異的氧化鎂材料構(gòu)成，在電介質(zhì)層7上利用真空蒸鍍法、離子電鍍法 等公知的薄膜成形法形成厚度約1微米左右的薄膜。還有，該表面層8的材料不限于氧化 鎂，也可以是包含從氧化鎂、氧化鈣、氧化鋇以及氧化鍶中選出的至少一種金屬氧化物而形 成的結(jié)構(gòu)。
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在作為后面板9的基板的后面板玻璃10上，在其一主面上設(shè)置由銀厚膜(厚度2 微米 10微米)、鋁薄膜(厚度0. 1微米 1微米)或Cr/Cu/Cr疊層薄膜(厚度0. 1微 米 l微米)等中的任意一種構(gòu)成的數(shù)據(jù)電極ll，其寬度為100微米，以x方向?yàn)殚L(zhǎng)邊方 向，在y方向上以每一定間隔(360微米)并排配設(shè)成條紋狀。然后，在后面板玻璃9的整 個(gè)面上，內(nèi)包各數(shù)據(jù)電極11配設(shè)厚度30微米的電介質(zhì)層12。 在電介質(zhì)層12上還對(duì)應(yīng)于相鄰的數(shù)據(jù)電極11的間隙配設(shè)"井"字形桁架狀的隔 壁13 (高度約110微米，寬度約40微米)，區(qū)隔放電單元，起著防止發(fā)生誤放電和光學(xué)性串 擾的作用。 在相鄰的兩個(gè)隔壁13的側(cè)面與其間的電介質(zhì)層12的面上，形成與彩色顯示用的 紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)中的任一顏色對(duì)應(yīng)的熒光體層14。在各種熒光體層的組成中， 藍(lán)色熒光體(B)能夠利用已知的BAM:Eu，紅色熒光體(R)能夠利用(Y、Gd)B03:Eu或YA:Eu 等，綠色熒光體(G)能夠利用Zn2Si04:Mn、YB03:Tb以及(Y、 Gd) B03: Tb等。
熒光體層14包含上述熒光體成分、以及氧化鎂微粒群16，其中，在該熒光體層主 要為了賦予其二次電子發(fā)射特性，使氧化鎂微粒群16處于層的內(nèi)部和露出于面臨放電空 間15的表面140。在這里，作為本實(shí)施形態(tài)的特征，氧化鎂微粒群16包含具有被由(100) 面以及(111)面構(gòu)成的特定的2種取向面、或由(100)面、(110)面、以及(111)面構(gòu)成的 特定的3種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的各氧化鎂微粒16a 16d(圖4(a) (d))。關(guān)于該氧 化鎂微粒16a 16d將在下面詳細(xì)敘述。 還有，電介質(zhì)層12并不是必須的，也可以直接用熒光體層14內(nèi)包數(shù)據(jù)電極11。
前面板2與后面板9對(duì)向配置并且使得數(shù)據(jù)電極11的長(zhǎng)邊方向與顯示電極對(duì)6 的長(zhǎng)邊方向正交，兩面板2、9的外周邊緣部用玻璃料(glassfrit)密封。在兩面板2、9之 間以規(guī)定的壓力封入包含He、Xe、Ne等惰性氣體成分構(gòu)成的放電氣體。
隔壁13之間是放電空間15，相鄰的一對(duì)顯示電極對(duì)6和一個(gè)數(shù)據(jù)電極11夾著放 電空間15交叉的區(qū)域與涉及圖像顯示的放電單元(也稱為"子像素")對(duì)應(yīng)。放電單元的 間距為x方向675微米，y方向300微米。由對(duì)應(yīng)于相鄰的RGB各色的三個(gè)放電單元構(gòu)成 一個(gè)像素(675微米X900微米)。 在掃描電極5、維持電極4、以及數(shù)據(jù)電極11的各個(gè)上，如圖2所示，在面板xy方 向端部附近，作為驅(qū)動(dòng)電路，電氣連接掃描電極驅(qū)動(dòng)器111、維持電極驅(qū)動(dòng)器112、數(shù)據(jù)電極 驅(qū)動(dòng)器113。在這里，維持電極4都連接于維持電極驅(qū)動(dòng)器112，各掃描電極5與各數(shù)據(jù)電 極11分別獨(dú)立地連接于掃描電極驅(qū)動(dòng)器111或數(shù)據(jù)電極驅(qū)動(dòng)器113。
PDP的驅(qū)動(dòng)例 上述結(jié)構(gòu)的PDPl在驅(qū)動(dòng)時(shí)借助于包含各驅(qū)動(dòng)器lll 113的公知的驅(qū)動(dòng)電路(未 圖示)，對(duì)各顯示電極對(duì)6的間隙施加數(shù)十kHz 數(shù)百kHz的AC電壓。借助于此，使得任意 放電單元內(nèi)發(fā)生放電，包含激發(fā)的Xe原子產(chǎn)生的以波長(zhǎng)147nm為主體的諧振線(resonance lines)和激發(fā)的Xe分子產(chǎn)生的以波長(zhǎng)173nm為主體的分子射線(molecular lines)的紫 外線(圖1的虛線和箭頭)照射于熒光體層14。熒光體層14受到激發(fā)產(chǎn)生可見(jiàn)光。然后， 該可見(jiàn)光透過(guò)前面板2向前面發(fā)光。 作為這種驅(qū)動(dòng)方法的一個(gè)例子，采用場(chǎng)內(nèi)時(shí)分灰度顯示方式。該方式將顯示的場(chǎng) 分為多個(gè)子場(chǎng)(S.F.)，再將各子場(chǎng)分為多個(gè)期間。 一個(gè)子場(chǎng)再分割為(1)使全部放電單元為初始化狀態(tài)的初始化期間、(2)對(duì)各放電單元進(jìn)行尋址，選擇與輸入數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的顯示狀態(tài) 并將其輸入各放電單元的寫(xiě)入期間、(3)使處于顯示狀態(tài)的放電單元發(fā)光顯示的維持期間、 (4)消除由維持放電形成的壁電荷的消除期間這四個(gè)期間。 在各子場(chǎng)中，在初始化期間將整個(gè)畫(huà)面的壁電荷用初始化脈沖復(fù)位后，在寫(xiě)入期 間進(jìn)行只使應(yīng)該點(diǎn)亮的放電單元積蓄壁電荷的寫(xiě)入放電，在其后的放電維持期間對(duì)所有的 放電單元一齊施加交流電壓(維持電壓)，以此在一定時(shí)間進(jìn)行維持放電以進(jìn)行發(fā)光顯示。
在這里，圖3是場(chǎng)中的第m號(hào)子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)波形例。如圖3所示，對(duì)各子場(chǎng)分別分配 初始化期間、尋址期間、維持期間、消除期間。 所謂初始化期間是為了防止其之前的放電單元點(diǎn)亮產(chǎn)生的影響(積蓄的壁電荷 造成的影響)，而對(duì)整個(gè)畫(huà)面進(jìn)行壁電荷消除(初始化放電)的期間。圖3所示的驅(qū)動(dòng)波形 的例子中，對(duì)掃描電極5施加比數(shù)據(jù)電極11與維持電極4高的電壓(初始化脈沖)，使放電 單元內(nèi)的氣體放電。以此發(fā)生的電荷積蓄于放電單元的壁面上，抵消數(shù)據(jù)電極11、掃描電 極5以及維持電極4之間的電位差，因此在掃描電極5附近的表面層8和氧化鎂微粒群16 的表面上作為壁電荷積蓄了負(fù)電荷。又在數(shù)據(jù)電極11附近的熒光體層14表面和維持電極 4附近的表面層8以及氧化鎂微粒群16的表面上，作為壁電荷積蓄了正電荷。利用該壁電 荷，在掃描電極5-數(shù)據(jù)電極11之間、掃描電極5-維持電極4之間產(chǎn)生規(guī)定值的壁電位。
尋址期間(寫(xiě)入期間)是進(jìn)行根據(jù)分割為子場(chǎng)的圖像信號(hào)選擇的放電單元的尋址 (點(diǎn)亮/不點(diǎn)亮的設(shè)定)的期間。在該期間，使放電單元點(diǎn)亮的情況下，在掃描電極5上施 加比數(shù)據(jù)電極11和維持電極4低的電壓(掃描脈沖)。也就是說(shuō)，在掃描電極5-數(shù)據(jù)電 極11上與所述壁電位同方向地施加電壓，同時(shí)在掃描電極5-維持電極4之間與壁電位同 方向地施加數(shù)據(jù)脈沖，使得發(fā)生尋址放電(寫(xiě)入放電)。借助于此，在熒光體層14表面、維 持電極4附近的表面層8、以及氧化鎂微粒群16的表面上積蓄負(fù)電荷，在掃描電極5附近的 表面層8和氧化鎂微粒群16的表面上積蓄作為壁電荷的正電荷。用以上方法在維持電極 4_掃描電極5之間產(chǎn)生規(guī)定值的壁電位。 維持期間是為了確保與灰度對(duì)應(yīng)的輝度，將利用寫(xiě)入放電設(shè)定的點(diǎn)亮狀態(tài)擴(kuò) 大，維持放電的期間。在這里，在存在上述壁電荷的放電單元，以互不相同的相位在一對(duì) 掃描電極5和維持電極4上分別施加維持放電用的電壓脈沖(例如約200V的矩形波 (rectangular)電壓)。借助于此，對(duì)于寫(xiě)入顯示狀態(tài)的放電單元，每當(dāng)電壓極性發(fā)生變化， 就使得發(fā)生脈沖放電。 借助于該維持放電，放電空間15中的激發(fā)的Xe原子發(fā)射147nm的諧振線，激發(fā)的 Xe分子發(fā)射以173nm為主體的分子線。該諧振線、分子線照射于熒光體層14表面，形成可 見(jiàn)光的顯示發(fā)光。然后，借助于RGB各色的以子場(chǎng)為單位的組合，實(shí)現(xiàn)多顏色、多灰度的顯 示。還有，在表面層8中沒(méi)有寫(xiě)入壁電荷的非放電單元中，不發(fā)生維持放電，顯示狀態(tài)為黑 顯示狀態(tài)。 在消除期間，對(duì)掃描電極5施加漸減型的消除脈沖，以此消除壁電荷。
氧化鎂微粒的構(gòu)成 圖4是表示氧化鎂微粒群16中包含的各氧化鎂微粒的形狀的示意圖。氧化鎂微 粒群16是將氧化鎂前體燒成而得到的，主要包含4種形狀的微粒16a、16b、16c、16d。
微粒16a、16b如圖4(a)、(b)所示，分別具有被由(100)面以及(111)面兩個(gè)面構(gòu)成的特定的2種取向面包圍的NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)。 微粒16c、16d如圖4(c)、 (d)所示，分別具有被由(100)面、(110)面、(111)面三 個(gè)面構(gòu)成的3種特定的取向面包圍的NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)。 在這里，圖6(a) (d)是依序分別表示實(shí)際制作的氧化鎂微粒16a、16b、16c的形 狀和作為已有技術(shù)的例子用氣相氧化法制作的氧化鎂微粒的形狀的電子顯微鏡照片。如該 圖所示，前面的圖4所示的各微粒16a、 16b、 16c、 16d各自的形狀只不過(guò)是一個(gè)例子而已，實(shí) 際上還含有有比圖示的形狀更有一些畸變的形狀的顆粒。 圖4(a)所示的氧化鎂微粒16a是以六面體作為基本結(jié)構(gòu)，通過(guò)切除其各頂點(diǎn)而形 成截頂面82a的14面體。存在6個(gè)面的8角形的主要面81a相當(dāng)于(100)面，存在8個(gè)面 的三角形截頂面82a相當(dāng)于(111)面。 其次，圖4(b)所示的氧化鎂微粒16b是以八面體作為基本結(jié)構(gòu)，通過(guò)切除其各頂 點(diǎn)而形成截頂面81b的14面體。存在8個(gè)面的6角形的主要面82b相當(dāng)于(111)面，存在 6個(gè)面的四角形的截頂面81b相當(dāng)于(100)面。 在這里所謂主要面是指在上述六面體或八面體中具有持有相同Miller指數(shù) (Millerindex)的面的面積的總和為最大的Miller指數(shù)的面。而所謂截頂面是指切除多面 體的頂點(diǎn)而形成的面。 在這里，圖4中，作為一個(gè)例子，在氧化鎂微粒16a的情況下，相對(duì)于該微粒的總體 面積，(100)面所占的比例定為50%以上98%以下。另一方面，在氧化鎂微粒16b的情況 下，所述比例定為30%以上50%以下。 又，圖4(c)所示的氧化鎂微粒16c是通過(guò)切除在16b中相鄰的(111)面的邊界而 形成了傾斜面83c的26面體。由此，在氧化鎂微粒16c的情況下，成為具有存在6個(gè)面的 八角形的(100)面構(gòu)成的截頂面81c、存在8個(gè)面的六角形的(111)面構(gòu)成的主要面82c、 存在12個(gè)面的四角形的(110)面構(gòu)成的傾斜面83c的26面體。 又，圖4(d)所示的氧化鎂微粒16d是通過(guò)切除在16a中相鄰的(100)面的邊界而 形成了傾斜面83d的26面體。由此，在氧化鎂微粒16d的情況下，成為具有存在6個(gè)面的 八角形的(100)面構(gòu)成的主要面81d、存在8個(gè)面的六角形的(111)面構(gòu)成的截頂面82d和 存在12個(gè)面的四角形的(110)面構(gòu)成的傾斜面83d的26面體。還有，因燒成的條件不同， 有時(shí)候(100)面或(110)占有的面積很大，這時(shí)(100)面或(110)面成為主要面。
在這里，所謂「傾斜面」是指在26面體中通過(guò)切除作為連接兩個(gè)頂點(diǎn)的線條的邊 而形成的面。 圖5是表示上述氧化鎂微粒16a 16d的變化的形狀的圖。 氧化鎂微粒16a只要是具有六面體結(jié)構(gòu)，而且至少形成有一個(gè)截頂面即可。例如， 也可以采取像圖5(a)所示的氧化鎂微粒16al那樣只存在一個(gè)截頂面的結(jié)構(gòu)和像圖5 (b) 所示的氧化鎂微粒16a2那樣只存在兩個(gè)截頂面的結(jié)構(gòu)。這時(shí)，截頂面相當(dāng)于(111)面，主 要面相當(dāng)于(100)面。還有，所謂具有六面體結(jié)構(gòu)，而且至少形成有一個(gè)截頂面，換句話說(shuō) 也可以說(shuō)成是具有7個(gè)面以上的多面體，并且至少有一個(gè)面是截頂面的結(jié)構(gòu)。
氧化鎂微粒16b只要具有八面體結(jié)構(gòu)，而且至少形成有一個(gè)截頂面即可。例如像 圖5(c)所示的氧化鎂微粒16bl那樣，可以采取只存在一個(gè)截頂面的結(jié)構(gòu)，或像圖5(d)所 示的氧化鎂微粒16b2那樣，只存在兩個(gè)截頂面的結(jié)構(gòu)。這時(shí)截頂面相當(dāng)于(100)面，主要
12面相當(dāng)于(111)面。還有，所謂具有八面體結(jié)構(gòu)而且至少形成有一個(gè)截頂面，換句話說(shuō)也可 以說(shuō)成是具有9個(gè)面以上的多面體并且至少一個(gè)面是截頂面的結(jié)構(gòu)。 氧化鎂微粒16c只要是具有八面體結(jié)構(gòu)，而且至少形成有一個(gè)截頂面并且形成有 至少一個(gè)傾斜面即可。例如也可以采用像圖5(e)所示的氧化鎂微粒16cl那樣，相對(duì)于6個(gè) 截頂面、只存在一個(gè)傾斜面的結(jié)構(gòu)。這時(shí)，主要面相當(dāng)于(111)面，截頂面相當(dāng)于(100)面， 傾斜面相當(dāng)于(110)面。還有，所謂具有八面體結(jié)構(gòu)并且形成有至少一個(gè)截頂面而且至少
一個(gè)傾斜面，也可以說(shuō)成是具有io個(gè)以上的面的多面體，并且具有至少一個(gè)面為截頂面，
而且至少一個(gè)面為傾斜面的結(jié)構(gòu)。 氧化鎂微粒16d只要是具有六面體結(jié)構(gòu)，而且至少形成有一個(gè)截頂面，并且至少 形成有一個(gè)傾斜面即可。例如可以采用像圖5(f)所示的氧化鎂微粒16dl那樣，相對(duì)于8個(gè) 截頂面，只存在一個(gè)傾斜面的結(jié)構(gòu)。這時(shí)，主要面相當(dāng)于(100)面，截頂面相當(dāng)于(111)面， 傾斜面相當(dāng)于(110)面。還有，所謂具有六面體結(jié)構(gòu)，并且至少形成有一個(gè)截頂面，而且至 少形成有一個(gè)傾斜面，也可以說(shuō)成是具有8個(gè)以上的面的多面體，至少1個(gè)面是截頂面，而 且至少1個(gè)面是傾斜面的結(jié)構(gòu)。 還有，本發(fā)明的氧化鎂結(jié)晶顆粒不是像已有的前體燒成法制造的氧化鎂微粒那樣 的，特定的邊比其他邊長(zhǎng)的扁平形狀的板狀體，而是像圖4、5各圖所示，具有邊的長(zhǎng)度基本 上都在規(guī)定的范圍內(nèi)的6面體或8面體結(jié)晶形狀。 在PDP1中，在熒光體層14上配設(shè)氧化鎂微粒群16時(shí)，使用具有由(100)面和 (111)面構(gòu)成的特定的2種取向面包圍的NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒16a、16b、以及具有 由(100)面、(110)面和(111)構(gòu)成的特定的3種取向面包圍的NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微 粒16c、16d。在PDP1中，將這樣包含具有特定的2種取向面以及特定的3種取向面的氧化 鎂微粒16a 16d的氧化鎂微粒群16分散配置于熒光體層14的層內(nèi)部，可以期待發(fā)揮各 取向面的特性，而且可望能夠?qū)崿F(xiàn)各特性相互補(bǔ)充的效果。 具體地說(shuō)，(100)面相當(dāng)于上述3個(gè)取向面中原子最密集的面(最稠密的面)， 表面自由能最低。因此在低溫時(shí)和常溫以上的高溫的廣大溫度區(qū)域不容易吸附雜質(zhì)氣 體(水、烴、二氧化碳等)，不容易產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)。因此，利用(100)面的特性，即 使是在被認(rèn)為特別是雜質(zhì)氣體的吸附影響大的低溫區(qū)域，也能夠期望有良好的化學(xué)穩(wěn)定 性(例如，表面技術(shù)Vol.41.No.4199050頁(yè))。從而，如果將具有(100)面的氧化鎂使用 于PDP，則在低溫時(shí)和常溫以上的高溫的廣大的溫度區(qū)域，能夠防止放電空間15內(nèi)部的雜 質(zhì)氣體(特別是二氧化碳)的吸附，能夠維持二次電子發(fā)射特性(J.Chem.Phys.Vol. 103. No.83240-32521995)。 在這里，(100)面在低溫時(shí)和常溫以上的高溫的廣大溫度區(qū)域電子發(fā)射的絕對(duì)量 小。因此，如果使氧化鎂微粒的取向面只取決于(100)面，則二次電子發(fā)射特性不會(huì)好，可 能發(fā)生初始化亮點(diǎn)。 但是，該問(wèn)題通過(guò)在氧化鎂微粒中進(jìn)一步并用(111)和(110)面能夠得到抑制。 (111)面是在從低溫到高溫的廣大溫度區(qū)域能夠發(fā)揮良好的電子發(fā)射特性，特別是在常溫 以上溫度能夠發(fā)揮良好的電子發(fā)射特性的結(jié)晶面。因此，特別是在常溫以上的溫度范圍具 有能夠抑制初始化亮點(diǎn)的發(fā)生的效果。又，(110)面在從低溫到高溫的廣大溫度區(qū)域能夠 發(fā)揮優(yōu)異的電子發(fā)射特性，因此能夠利用豐富的電子更有效地防止初始化亮點(diǎn)的發(fā)生。
如上所述，通過(guò)各取向面之間特性相互彌補(bǔ)，能夠良好地防止在PDP1發(fā)生初始化 亮點(diǎn)。 如上所述，在PDP1中，通過(guò)將(100)面、以及(111)面包圍形成的氧化鎂微粒16a、 16b，或(100)面、(1U)面、以及(110)面包圍形成的氧化鎂微粒16c、16d，或該氧化鎂微粒 16a 16d混合使用，能夠得到高的二次電子發(fā)射效果，特別是借助于從熒光體層14發(fā)射豐 富的電子，可望能夠防止初始化亮點(diǎn)的發(fā)生。
PDP1發(fā)揮的各主要效果具體匯總?cè)缦隆?第一，在驅(qū)動(dòng)時(shí)，在放電空間15發(fā)生的波長(zhǎng)為147nm或173nm的紫外線一旦到達(dá) 熒光體層14，充填于熒光體顆粒的間隙間的氧化鎂微粒16a 16d接收該紫外線，發(fā)揮二次 電子發(fā)射特性。在這里，在氧化鎂微粒16a 16d的情況下，利用特定的2種以及特定的3 種取向面，與上述已有技術(shù)相比，具有特別優(yōu)異的二次電子發(fā)射特性，在從低溫到高溫的廣 大的溫度區(qū)域，向放電空間15發(fā)射豐富的2次電子。 從而，如果利用該特性，在初始化期間在掃描電極4與數(shù)據(jù)電極11之間施加燈波 形(圖3)的電壓時(shí)，利用從熒光體層14向放電空間15發(fā)射的豐富的2次電子，能夠使理 想的弱放電平穩(wěn)發(fā)生。 因此，能夠抑制肉眼能夠確認(rèn)的不想要的強(qiáng)放電(初始化亮點(diǎn))的發(fā)生，使弱放電 順利進(jìn)行，所以能夠有效地防止初始化亮點(diǎn)造成的圖像顯示性能的下降。從而，在PDP結(jié)構(gòu) 上，如即使是在施加燈波形電壓時(shí)施加使數(shù)據(jù)電極側(cè)成為陰極的波形，也能夠不提高放電 開(kāi)始電壓Vf而以與以往相同的值使弱放電發(fā)生。這樣的效果在PDP的環(huán)境溫度從低溫到 比較高的溫度的情況下，在任何溫度區(qū)域都能夠得到很好發(fā)揮。 這樣，本發(fā)明不但對(duì)于防止初始化亮點(diǎn)的發(fā)生有很好的效果，而且也很容易實(shí)現(xiàn)。
還有，在氧化鎂微粒的尺寸比較小的情況下或占微粒全體的表面積的比例較小的 情況下，有時(shí)候不能夠充分發(fā)揮與各面對(duì)應(yīng)的上述放電特性。如下所述，用氣相氧化法制作 的氧化鎂微粒，其粒徑有較大波動(dòng)，因此具有不足300nm粒徑的微粒盡管由(100)面構(gòu)成， 可能成為在PDP中發(fā)生初始化亮點(diǎn)或放電滯后的原因。但是，用前體燒成法制作的氧化鎂 微粒16a 16d粒徑均勻，幾乎全部的微粒作為一次粒子具有300nm以上的粒徑。因此，氧 化鎂微粒16a 16d幾乎全部微粒能夠發(fā)揮與各取向面對(duì)應(yīng)的放電特性，因此能夠回避氣 相氧化法制作的氧化鎂微粒的問(wèn)題，均勻地得到特別優(yōu)異的抑制初始化亮點(diǎn)的效果。
第二，通過(guò)在熒光體層14中混入氧化鎂微粒16a 16d，能夠謀求提高熒光體顆粒 發(fā)射可見(jiàn)光的發(fā)光效率。也就是說(shuō)，在放電空間15發(fā)生的波長(zhǎng)147nm或173nm的真空紫外 光一旦到達(dá)熒光體層中的氧化鎂微粒16a 16d，該氧化鎂微粒16a 16d就受到激發(fā)，發(fā) 射出上述二次電子，同時(shí)自己也發(fā)生200nm 300nm左右的波長(zhǎng)范圍的紫外線(參照下述 圖8)。 熒光體成分為了能夠同時(shí)接收來(lái)自放電空間15的真空紫外光和來(lái)自氧化鎂微粒 16a 16d的紫外線，活躍地進(jìn)行可見(jiàn)光變換過(guò)程。特別是在熒光體層14中，由于圍繞著熒 光體顆粒的周圍存在氧化鎂微粒16a 16d，可望以更高的效率從其周圍激發(fā)熒光體顆粒。 其結(jié)果是，借助于優(yōu)異的可見(jiàn)光發(fā)光效率，能夠?qū)崿F(xiàn)高輝度發(fā)光。又，200nm 300nm左右 的波長(zhǎng)范圍的紫外線，與波長(zhǎng)147nm或173nm的真空紫外光相比，氧化鎂的能量變換效率更 高，能夠促進(jìn)活潑的二次電子發(fā)射。這樣的氧化鎂微粒16a 16d產(chǎn)生的熒光體顆粒的紫外線激發(fā)作用在具有特有的CL特性的本發(fā)明的氧化鎂微粒16a 16d中特別能夠高效率 得到。 第三，氧化鎂微粒16a 16d與熒光體成分相比，具有高得多的二次電子發(fā)射特 性，因此各色熒光體層14中的各熒光體成分引起的放電特性偏差相對(duì)地變得比較不顯眼。 其結(jié)果是能夠使PDP全體的放電單元具有大致相同的放電特性，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的圖像顯示 性能。 若如上所述采用本發(fā)明，通過(guò)將氧化鎂微粒16a 16d配設(shè)于熒光體層14，能夠同 時(shí)實(shí)現(xiàn)抑制初始化亮點(diǎn)的發(fā)光、提高熒光體發(fā)射可見(jiàn)光的發(fā)光量、以及防止各色熒光體層 間的發(fā)光強(qiáng)度偏差的效果，能夠期待得到比以往的結(jié)構(gòu)大大優(yōu)異的圖像顯示性能。
關(guān)于氧化鎂微粒的陰極發(fā)光特性 圖7 (a) 、 (b)表示對(duì)用以往的氣相氧化法制作的氧化鎂微粒(比較例)和本發(fā)明 的特定的2種取向面或特定的3種取向面包圍的氧化鎂微粒16a、16b、16c、16d(實(shí)施例) 進(jìn)行的，陰極發(fā)光(CL)測(cè)定的結(jié)果。 如圖7 (a)所示，實(shí)施例和比較例的氧化鎂微粒具有在CL光譜中都是在200nm 500nm附近的寬波長(zhǎng)區(qū)域存在波峰(peak)的發(fā)光光譜。 其中，在實(shí)施例中，如圖7(b)所示，在CL光譜中，在200nm 300nm附近可以確認(rèn) 有極大的波峰存在。該200 300nm附近波長(zhǎng)的光在PDP放電時(shí)也發(fā)生。該極大的波峰在 用氣相氧化法制造的比較例的氧化鎂微粒中沒(méi)有被確認(rèn)。 實(shí)施例是在具有這樣的極大波峰的200 300nm附近波長(zhǎng)區(qū)域中放電時(shí)發(fā)出的 光線的能量大約為5eV的示例。圖7中的實(shí)施例的氧化鎂微粒借助于該能量可以在能級(jí) (energy level)中激發(fā)從真空能級(jí)(vac皿mlevel)起5eV以內(nèi)存在的氧化鎂的電子，使其 作為二次電子向放電空間發(fā)射。 另一方面，如實(shí)施例所示，用前體燒成法制造的氧化鎂微粒與氣相氧化法制作的 比較例的氧化鎂微粒相比電子發(fā)射性能更好，這一點(diǎn)從本申請(qǐng)的發(fā)明人的其他研究中也得 到證實(shí)。從而，在CL光譜中的200nm 300nm的波長(zhǎng)區(qū)域確認(rèn)有無(wú)極大波峰是關(guān)于氧化鎂 微粒的電子發(fā)射特性的有效評(píng)價(jià)指針。從而，將這一點(diǎn)作為根據(jù)，可以確認(rèn)用前體燒成法制 作的本發(fā)明的氧化鎂微粒與氣相氧化法制作的氧化鎂微粒相比具有更高的電子發(fā)射性能。
在本發(fā)明中，通過(guò)將二次電子發(fā)射特性優(yōu)異的氧化鎂微粒16a 16d配設(shè)于熒光 體層14，能夠在驅(qū)動(dòng)時(shí)從熒光體層向放電空間15良好地發(fā)射二次電子。其結(jié)果是，能夠平 穩(wěn)地產(chǎn)生初始化期間的弱放電，能夠改善初始化亮點(diǎn)發(fā)生的情況。 而且由于氧化鎂微粒16a 16d與熒光體成分相比，具有高得多的二次電子發(fā)射 特性，因此由各色熒光體層14中各熒光體成分引起的放電特性波動(dòng)相對(duì)較不明顯。其結(jié)果 是，能夠使全體PDP的放電單元放電特性大致一致，可以期待能夠?qū)崿F(xiàn)PDP1的穩(wěn)定性良好 的圖像顯示性能。 根據(jù)以上所述，可以認(rèn)為，在配設(shè)有CL測(cè)定中被檢測(cè)出深紫外光(DUV)的、由特定 的2種取向面或特定的3種取向面包圍的氧化鎂微粒16a、16b、16c、16d的PDP中，由此在 放電時(shí)發(fā)生200 300nm左右波長(zhǎng)的光。 在這里，對(duì)本實(shí)施形態(tài)1中的氧化鎂微粒16a、16b、16c、16d在各結(jié)晶結(jié)構(gòu)中能夠 取得的各結(jié)晶面的面積比例進(jìn)行說(shuō)明。
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根據(jù)發(fā)明人的研究，在PDP中，為了有效地取得上述效果，最好是有如下所述的面 積比例。 氧化鎂微粒16a的表面中的(100)面在氧化鎂微粒16a的全部表面中占有的面積 比例最好是50%以上、98%以下范圍。 氧化鎂微粒16b的表面中的(100)面在氧化鎂微粒16b全部表面中占有的面積比 例最好是30%以上、50%以下范圍。 氧化鎂微粒16c的表面中的(111)面在氧化鎂微粒16c的全部表面中占有的面積 比例最好是10%以上、80%以下范圍。 同樣，氧化鎂微粒16c的表面中的(100)面在氧化鎂微粒16c的全部表面中占有 的面積比例最好是5%以上、50%以下范圍。 還有，氧化鎂微粒16c的表面中的(110)面在氧化鎂微粒16c的全部表面中占有 的面積比例最好是5%以上、50%以下范圍。 氧化鎂微粒16d的表面中的(111)面在氧化鎂微粒16d的全部表面中占有的面積 比例最好是10%以上、40%以下范圍。 同樣，氧化鎂微粒16d的表面中的(100)面在氧化鎂微粒16d的全部表面中占有 的面積比例最好是40%以上、80%以下范圍。 還有，氧化鎂微粒16d的表面中的(110)面在氧化鎂微粒16d的全部表面中占有 的面積比例最好是10%以上、40%以下范圍。
氧化鎂微粒發(fā)生的紫外線發(fā)光的確認(rèn) 對(duì)本發(fā)明的用前體燒成法制作的氧化鎂微粒利用波長(zhǎng)173nm的真空紫外光激發(fā) 時(shí)發(fā)生的紫外線發(fā)光進(jìn)行實(shí)際測(cè)定加以確認(rèn)。在圖8中表示利用該實(shí)驗(yàn)測(cè)定的發(fā)光光譜。
如該圖所示，在該氧化鎂微粒中，可以確認(rèn)在200nm 300nm的波長(zhǎng)區(qū)域具有極大 波峰的發(fā)光強(qiáng)度的紫外線的波形。可知，在該氧化鎂微粒中，即使是利用波長(zhǎng)147nm的真空 紫外光激發(fā)的情況下，也能夠得到同樣的紫外線發(fā)光。 通過(guò)將具有這樣性質(zhì)的氧化鎂微粒16a 16d配設(shè)于熒光體層，利用PDP面板 中的Xe氣體發(fā)生的波長(zhǎng)147nm或173nm的真空紫外光激發(fā)氧化鎂微粒16，使其發(fā)出波長(zhǎng) 200 300nm的紫外光。借助于此，能夠激發(fā)構(gòu)成熒光體層的熒光體材料，使輝度得到提高。
還有，這樣的紫外線發(fā)光在用已有的氣相氧化法制作的氧化鎂微粒中幾乎沒(méi)有發(fā) 現(xiàn)，或是只有停留在相當(dāng)?shù)偷陌l(fā)光量。因此即使是將已有技術(shù)制造的氧化鎂微?；煸跓晒?體層中，也不能夠期待其對(duì)熒光體發(fā)射可見(jiàn)光起有效作用。
關(guān)于比表面積 對(duì)關(guān)于本發(fā)明的氧化鎂微粒，將氧化鎂前體在70(TC以上不足200(rC的溫度范圍 內(nèi)進(jìn)行燒成制作本發(fā)明的氧化鎂微粒，并測(cè)定BET值的頻度。圖9表示其測(cè)定結(jié)果。
比表面積(BET值)的測(cè)定基于BET法，使氧化鎂微粒表面吸附已知吸附占有面積 的氣體分子(N》，從其吸附量求比表面積。 如該圖所示，本發(fā)明的氧化鎂微粒的BET值因氧化鎂前體的種類和燒成概況、燒 成氣氛等各條件而有所變化，但是大概集中于1. Om7g到2. Om7g范圍，大部分在1. Om7g以 上到1.6m7g以下范圍內(nèi)。 另一方面，氣相氧化法制作的氧化鎂微粒其BET值為7. Om7g左右。
這樣，可以確認(rèn)用前體燒成法制作的氧化鎂微粒具有比用氣相氧化法制作的氧化 鎂微粒比表面積小的性質(zhì)。由于這一特征，本發(fā)明的氧化鎂微粒與放電空間15中的不要的 氣體接觸的面積比以往減小，因此能夠抑制氣體吸附量，是被認(rèn)為能夠?qū)崿F(xiàn)隨時(shí)間變化小 的吸附性小的材料。
實(shí)施形態(tài)2 下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2，以與實(shí)施形態(tài)1的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明。圖10是表 示實(shí)施形態(tài)2的PDPla的剖面圖。 PDPla的特征在于，在前面板2的表面層8上配設(shè)氧化鎂微粒群16X，利用表面層 8與氧化鎂微粒群16X的疊層結(jié)構(gòu)形成保護(hù)層17。氧化鎂微粒群16X與16 —樣形成包含 氧化鎂微粒16a 16d的結(jié)構(gòu)。 采用具有這樣的結(jié)構(gòu)的PDPla，除了可以希望具有與PDP1相同的效果外，利用氧 化鎂微粒群16X的配設(shè)，可以希望有更高的初始化亮點(diǎn)抑制效果，而且可以期望能夠提高 PDP整體的輝度。 也就是說(shuō)，在已有的PDP的情況下，在放電空間利用放電氣體發(fā)生的作為球面波 的波長(zhǎng)為147nm或173nm的真空紫外光，在前面板側(cè)的由氧化鎂構(gòu)成的保護(hù)層中實(shí)質(zhì)上對(duì) 發(fā)射可見(jiàn)光沒(méi)有任何貢獻(xiàn)，就被該保護(hù)層吸收。因此，球面波的真空紫外線中，僅到達(dá)熒光 體層的一部分紫外線被提供給熒光體用于可見(jiàn)光的發(fā)光，照射到前面板側(cè)的殘余的紫外線 對(duì)可見(jiàn)光的發(fā)光幾乎沒(méi)有貢獻(xiàn)而被浪費(fèi)掉了。 與此相對(duì)，在PDPla中，除了配設(shè)于后面板9側(cè)的熒光體層14中的氧化鎂微粒群 16之外，還有配置于前面板2側(cè)的表面層8上的氧化鎂微粒群16X受到作為球面波發(fā)生 的波長(zhǎng)為147nm或173nm的紫外線的照射而沒(méi)有浪費(fèi)。因此熒光體層14中的氧化鎂微粒 16a 16d除了受到作為球面波的波長(zhǎng)147nm或173nm的紫外線發(fā)光的直接激勵(lì)外，還能夠 受到來(lái)自該球面波紫外線激勵(lì)的后面板9側(cè)以及前面板2側(cè)的氧化鎂微粒的波長(zhǎng)比較長(zhǎng)的 200 300nm波長(zhǎng)的紫外線發(fā)光的激勵(lì)，因此能夠得到高效率的激勵(lì)。其結(jié)果是，熒光體層 14中的熒光體顆粒利用其全部表面大量地發(fā)生可見(jiàn)光。 而且，配置于前面板3和后面板9雙方的氧化鎂微粒16a 16d都受到作為球面 波產(chǎn)生的紫外線照射，由此向放電空間15內(nèi)大量發(fā)射二次電子。借助于此，在放電空間15， 利用該二次電子形成良好規(guī)模的放電。 而且從氧化鎂微粒16a 16d發(fā)出的200nm 300nm的紫外光具有比放電氣體中 的Xe氣體發(fā)生的147nm或173nm的真空紫外光所發(fā)生的紫外光壽命長(zhǎng)的性質(zhì)。因此通過(guò) 用氧化鎂微粒16a 16d發(fā)生的紫外線繼續(xù)照射，熒光體層14中的電子繼續(xù)存在于比較低 的能級(jí)，能夠得到提高熒光體的電子發(fā)射特性的效果。 還有，作為PDPla的又一特征，通過(guò)使用氧化鎂微粒16a 16d，可望改善放電滯后 和放電滯后的溫度依賴性、以及放電滯后的空間電荷依賴性。 通常，PDP的放電滯后的問(wèn)題，在包含氧化鎂的表面層中，氧化鎂微粒的結(jié)晶中只 存在二次電子發(fā)射特性低的取向面的情況下可能發(fā)生。(100)面被認(rèn)為是這樣的不理想取 向面。 但是在PDPla中，由于在表面層8上的氧化鎂微粒群16X中混合被特定的2種取 向面包圍的NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒16a、 16b 、或被特定的3種取向面包圍的NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒16c、16d、或這些氧化鎂微粒16a 16d后使用，對(duì)有關(guān)放電滯后的問(wèn)題 也有良好的效果。 也就是說(shuō)，PDPla驅(qū)動(dòng)時(shí)，首先，由于(100)面以及(111)面各自的特性一起發(fā)揮， 在低溫時(shí)(PDP驅(qū)動(dòng)初期或在周圍環(huán)境溫度低的區(qū)域使用時(shí))和常溫以上的高溫時(shí)(從驅(qū) 動(dòng)開(kāi)始經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間后，或在周圍環(huán)境溫度高的區(qū)域使用時(shí))的廣大的溫度區(qū)域中，能 夠防止雜質(zhì)氣體的吸附，維持穩(wěn)定的電子發(fā)射特性，同時(shí)向放電空間發(fā)射出大量的電子。借 助于此，能夠有效地抑制「放電滯后」和「放電滯后的溫度依賴性」的各種問(wèn)題。
還有，利用具備(110)面的氧化鎂微粒16c、16d固有的特性，即使是在PDP驅(qū)動(dòng)的 初期沒(méi)有得到放電開(kāi)始時(shí)發(fā)生的空間電荷的幫助，也能夠得到充分的電子發(fā)射特性。因此， 能夠在維持放電期間與顯示電極對(duì)6上施加的脈沖數(shù)(維持脈沖數(shù))的大小無(wú)關(guān)地實(shí)現(xiàn)穩(wěn) 定的電子發(fā)射。換句話說(shuō)，這是能夠減少放電滯后的空間電荷依賴性的效果。
這樣，在PDPla的情況下，通過(guò)利用具有特定的2種取向面的氧化鎂微粒，活用各 取向面的特性，而且使取向面的特性相互彌補(bǔ)，能夠抑制「放電滯后」和「放電滯后的溫度 依賴性」。 而且，通過(guò)利用具有特定的3種取向面的氧化鎂微粒，活用各取向面的特性，而且 使取向面的特性相互彌補(bǔ)，能夠抑制「放電滯后」和「放電滯后的溫度依賴性」，而且也能夠 抑制「放電滯后的空間電荷依賴性」，可望發(fā)揮更好的圖像顯示性能。
其他實(shí)施形態(tài) 下面對(duì)其他實(shí)施形態(tài)3、4，以與實(shí)施形態(tài)1、2的差異為中心進(jìn)行說(shuō)明。
圖11是表示實(shí)施形態(tài)3的PDPlb的結(jié)構(gòu)的剖面圖。PDPlb其結(jié)構(gòu)大致與PDPla相 同，但是不使用表面層8，直接將氧化鎂微粒16a 16d構(gòu)成的氧化鎂微粒群16X配設(shè)于電 介質(zhì)層7的表面上這一點(diǎn)不同。 即使是具有這樣的結(jié)構(gòu)的PDPlb，在驅(qū)動(dòng)時(shí)在氧化鎂微粒群16X中也與PDPla大 致相同地發(fā)揮下述效果，即，通過(guò)確保二次電子發(fā)射特性來(lái)抑制初始化亮點(diǎn)的發(fā)生、可見(jiàn)光 的高輝度化、以及對(duì)各放電單元的放電特性波動(dòng)的抑制等的各項(xiàng)效果。而且除了抑制「放 電滯后」和「放電滯后的溫度依賴性」夕卜，也可以期待有抑制「放電滯后的空間電荷依賴性」 的效果。 又，在PDPlb的情況下，相應(yīng)于表面層8的取消，前面板2的可見(jiàn)光透射率得到提 高，可以期待有高發(fā)光輝度。而且不需要形成表面層8用的薄膜形成工序，可以期待有同時(shí) 謀求簡(jiǎn)化PDP結(jié)構(gòu)和制造工序的效果。 圖12是表示實(shí)施形態(tài)4的PDPlc的結(jié)構(gòu)的剖面圖。PDPlc具有在熒光體層14的
后面板9側(cè)的底面利用氧化鎂微粒16a 16d形成氧化鎂微粒群16Y的特征。 利用這樣構(gòu)成的PDPlc，也可以期待得到與PDPl相同的效果。又，在熒光體層14
中，由于是形成配設(shè)氧化鎂微粒群16Y的襯底層的結(jié)構(gòu)，即使是從熒光體層14中的熒光體
顆粒表面向后面板側(cè)發(fā)射可見(jiàn)光，也可以利用氧化鎂微粒群16Y將該可見(jiàn)光向前面板2側(cè)
反射，高效率地提供圖像顯示。其結(jié)果是，可以期望以更高的輝度實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的圖像顯示性能。 還有，在PDPlc的情況下，也可以在圖12的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，再在熒光體層14的層 中也分散氧化鎂微粒16a 16d。
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又可以將PDPl、la lc各自的結(jié)構(gòu)在不矛盾的范圍內(nèi)相互組合。
〈PDP的制造方法> 下面對(duì)各實(shí)施形態(tài)的PDP1、2的制造方法例進(jìn)行說(shuō)明。PDPl、la lc的不同主要 在于表面層8和熒光體層14周邊的結(jié)構(gòu)，其他部分的制造工序是相同的。
氧化鎂微粒的制造方法 為了得到氧化鎂微粒16a 16d，作為一個(gè)示例，在高溫的含氧氣氛(70(TC以上) 中對(duì)高純度的鎂化合物(氧化鎂前體)均勻地進(jìn)行熱處理、燒成。 能夠作為氧化鎂前體使用的鎂化合物，除了氫氧化鎂外，還有醇鎂、乙酰丙酮鎂、 硝酸鎂、氯化鎂、碳酸鎂、硫酸鎂、草酸鎂、醋酸鎂等。在本發(fā)明中，可以選擇這些化合物中的 任一種以上(也可以將兩種以上混合使用)。根據(jù)所選擇的化合物的不同，也有采取水合物 的形態(tài)的，但是也可以使用這樣的水合物。 而且，作為氧化鎂前體使用的鎂化合物的純度以99.95%以上為宜，99.98%以上
則更為理想。這是因?yàn)?，如果在鎂化合物中大量存在堿金屬、硼、硅、鐵、鋁等雜質(zhì)元素，則熱 處理時(shí)(特別是燒成溫度高的情況下)，會(huì)發(fā)生微粒之間相互熔合(fuse)、燒結(jié)(sinter) 的情況，不容易生長(zhǎng)出結(jié)晶性能高的氧化鎂微粒，而如果采用高純度的鎂化合物，則能夠防 止該問(wèn)題的發(fā)生。 這樣的高純度的氧化鎂前體在含氧氣氛中燒成時(shí)，制作的氧化鎂微粒16a 16d 的純度也達(dá)到99. 95%以上或99. 98%以上的高純度。 接著，在進(jìn)行燒成溫度的設(shè)定的情況下，以70(TC以上為宜，100(TC以上則更加理 想。這是因?yàn)?，燒成溫度低?0(TC的溫度下，結(jié)晶面不十分發(fā)達(dá)，缺陷多，微粒上吸附雜質(zhì) 氣體多。但是，如果燒成溫度高于2000°C ，會(huì)發(fā)生脫氧，結(jié)果，氧化鎂的缺陷變多，因而發(fā)生 吸附。因此180(TC以下是理想的。 在這里，在70(TC以上200(TC以下的燒成溫度條件下進(jìn)行燒成的情況下，被特定 的2種和3種取向面包圍的氧化鎂微粒16a 16d會(huì)一起生成。根據(jù)本發(fā)明人進(jìn)行的其他 實(shí)驗(yàn)，大約在150(TC以上的溫度進(jìn)行燒成時(shí)，可以看到(110)面有縮小的傾向。因此，為了 提高被特定的3種取向面包圍的氧化鎂微粒16c、 16d的生成頻度，最好是燒成溫度為700°C 以上，不足150(TC。另一方面，為了提高被特定的2種取向面包圍的氧化鎂微粒16a、16b的 生成頻度，以150(TC以上，200(TC以下的燒成溫度為宜。 還有，各氧化鎂微粒16a 16d也可以利用分選工序進(jìn)行相互分離。 在這里，對(duì)用液相方法制作作為氧化鎂前體的氫氧化鎂的工序、以及采用該氫氧
化鎂制作包含氧化鎂微粒16a 16d的粉末的工序進(jìn)行具體說(shuō)明。(1)作為出發(fā)原料，準(zhǔn)備純度99.95%以上的醇鎂(Mg(OR)2)或乙酰丙酮鎂。在 溶解這些材料的水溶液中加入少量酸進(jìn)行加水分解，以制作作為氧化鎂前體的氫氧化鎂凝 膠。然后，在空氣中在700°C以上，2000°C以下對(duì)該凝膠進(jìn)行燒成使其脫水，以此制作包含氧 化鎂微粒16a 16d的粉末。 (2)以純度99. 95%以上的硝酸鎂(Mg(N03)2)作為出發(fā)原料，準(zhǔn)備溶解了該原料的 水溶液。然后在該水溶液中添加堿溶液，制作氫氧化鎂沉淀物。接著從水溶液中分離氫氧 化鎂沉淀物，在空氣中以70(TC以上、200(TC以下溫度進(jìn)行燒成使其脫水，以此制作含有氧 化鎂微粒16a 16d的粉末。
(3)以純度99.95%以上的氯化鎂(MgCl2)作為出發(fā)原料，準(zhǔn)備溶解有該原料的 水溶液。然后，在該水溶液中添加氫氧化鈣(Ca(0H)2)以此使作為氧化鎂前體的氫氧化鎂 (Mg(0H)2)沉淀。從水溶液中分離出該沉淀物，在空氣中以70(TC以上、200(TC以下溫度對(duì) 其進(jìn)行燒成使其脫水，以此制作含有氧化鎂微粒16a 16d的粉末。 上述各液相方法(1) (3)中，在純度99. 95%以上的(Mg(OR)2) 、 (Mg(N03)2)或氯
化鎂(MgCl2)水溶液中，一邊添加酸或堿一邊對(duì)其進(jìn)行濃度控制，進(jìn)行加水分解，借助于此，
可以做成非常細(xì)的氫氧化鎂(Mg(OH)2)沉淀物。在空氣中以70(TC以上的溫度將該沉淀物
燒成，以此使氫氧化鎂脫水，形成氧化鎂粉末。包含該方法生成的氧化鎂微粒16a 16d的
粉末，由于結(jié)晶學(xué)上的缺陷少，形成不容易吸附烴系氣體的結(jié)構(gòu)。 在這里，一般地，用氣相氧化法制作的氧化鎂微粒其粒徑波動(dòng)比較大。 因此，在已有的制造工藝中，為了得到均勻的放電特性，需要有分選出一定粒徑范
圍的顆粒的分級(jí)工序(記載于例如日本特開(kāi)2006-147417號(hào)公報(bào))。 與此不同，在本發(fā)明中，將氧化鎂前體燒成取得氧化鎂微粒，但是，該氧化鎂微粒 比已有技術(shù)得到的微粒粒徑均勻，而且其粒徑在一定的粒徑范圍內(nèi)。具體地說(shuō)，本發(fā)明制作 的氧化鎂微粒的尺寸在300nm 2微米的范圍內(nèi)。因此能夠得到比氣相氧化法制作的結(jié)晶 比表面積更小的顆粒。認(rèn)為這是本發(fā)明的氧化鎂微粒16a 16d吸附性小的一個(gè)重要原因， 能夠使電子發(fā)射性能有所提高。又，借助于此，在本發(fā)明中也可以省略篩分不需要的微粒的 分級(jí)工序，由于工序的簡(jiǎn)化，制造效率和成本方面都非常有利。 還有，作為氧化鎂前體的氫氧化鎂(Mg(OH)2)是六方晶系的化合物，與氧化鎂能夠 取得的立方晶系的八面體結(jié)構(gòu)不同。從而，雖然氫氧化鎂熱分解生成氧化鎂結(jié)晶的結(jié)晶生 長(zhǎng)過(guò)程復(fù)雜，但是由于一邊留下六方晶系的氫氧化鎂的形態(tài)， 一邊形成氧化鎂，因此，可以 認(rèn)為，作為結(jié)晶面，除了形成了 (100)面以及(111)面之外，還形成(110)面。
相比之下，在用氣相合成法形成氧化鎂的情況下，只有某特定面容易生長(zhǎng)。例如， 在充滿惰性氣體的槽中一邊將鎂(鎂金屬)加熱到高溫，一邊流過(guò)少量氧氣，直接使鎂氧化 形成氧化鎂粉末的方法中，在結(jié)晶的生長(zhǎng)過(guò)程中，在鎂取入氧的同時(shí)在表面只有(100)面 出現(xiàn)，其他取向面不容易生長(zhǎng)。 作為其他制造氧化鎂微粒的方法，也可以與燒成氫氧化鎂的方法一樣，用醇鎂 (magnesium alkoxide)、硝酸鎂、氯化鎂、碳酸鎂、硫酸鎂、草酸鎂、醋酸鎂等非NaCl型(立 方晶系)的鎂化合物作為氧化鎂前體，實(shí)施直接在700°C以上的高溫使其熱平衡地實(shí)現(xiàn)熱 分解的工序。如果采用這些工序，與鎂元素配位的(0R)2基、Cl2基、(N03)2基、C03基、C204 基等脫離時(shí)，不僅(100)面，而且在(110)面和(111)面在表面上呈現(xiàn)的機(jī)構(gòu)也起作用，因 此，能夠得到包含被特定的2種取向面或特定的3種取向面包圍的氧化鎂微粒16a 16d 的粉末。 前面板2的制造 在厚度約2. 6mm的鈉鈣玻璃構(gòu)成的前面板玻璃3的面上制作顯示電極對(duì)6。在這 里，表示出利用印刷方法形成顯示電極對(duì)6的例子，但是此外也可以用染色涂層法、刮片涂 層法等方法形成。 首先，將ITO、 Sn02、 ZnO等的透明電極材料按照最終形成約lOOnm的厚度的要求， 以帶狀等規(guī)定的圖案涂布在前面板玻璃上，使其干燥。以此制作透明電極41、51。
另一方面，在銀粉與有機(jī)賦形劑(vehicle)中添加感光性樹(shù)脂(光分解性樹(shù)脂) 混合形成的感光性膏經(jīng)過(guò)調(diào)整，然后將其重疊涂布于所述透明電極41、51上，以具有與形 成的總線的圖案相配的開(kāi)口部的掩模覆蓋。然后從該掩模上進(jìn)行曝光，經(jīng)過(guò)顯像工序，然后 在約590 60(TC左右的的燒成溫度下燒成。以此在透明電極41、51上形成最終厚度為數(shù) 微米的總線42、52。如果采用這種光掩模方法，與以往的IOO微米線寬為限的網(wǎng)板印刷方法 相比，能夠?qū)⒖偩€42、52的線寬細(xì)化到30微米左右?？偩€42、52的金屬材料除了 Ag以外 還可以采用Pt、Au、Al、Ni、Cr、或氧化錫、氧化銦等?？偩€42、52除了上述方法外，也可以采 用蒸鍍法、濺射法等形成電極材料膜后，進(jìn)行蝕刻處理形成。 接著，從顯示電極對(duì)6之上開(kāi)始，涂布軟化點(diǎn)為550°C 600°C的鉛系或非鉛系的 低熔點(diǎn)玻璃或二氧化硅材料粉末與丁基卡必醇醋酸酯(butyl carbitol acetate)等構(gòu)成 的有機(jī)粘接劑混合的糊。然后在550°C 65(TC左右的溫度下燒成，形成最終厚度為數(shù)微 米 數(shù)十微米膜厚的電介質(zhì)層7。 在這里，制造PDPl、la、lc的情況下，接著在電介質(zhì)層的表面形成規(guī)定厚度的表面
層。成膜方法是用蒸鍍法，在氧氣氣氛中以Pierce式(剌穿式)電子槍作為加熱源，對(duì)上
述蒸鍍?cè)催M(jìn)行加熱的成膜方法。成膜時(shí)的電子束電流量、氧氣分壓量、基板溫度等對(duì)成膜后
的表面層的組成沒(méi)有大的影響，因此可以任意設(shè)定。還有，表面層的成膜方法不限于上述EB
法，也可以利用其他方法，例如濺射法、離子鍍法等各種薄膜形成方法。 還有，在制作PDPla lc的情況下，在電介質(zhì)層7或表面層8的表面上形成氧化
鎂微粒群16X。利用網(wǎng)板印刷法或噴霧法等涂布包含氧化鎂微粒16a 16d的溶劑，其后去
除溶劑，使其充分干燥，就能夠形成氧化鎂微粒群16X。 用以上方法制作前面板2。 后面板的制作 在厚度約2. 6nm鈉鈣玻璃構(gòu)成的后面板玻璃10的表面上，利用網(wǎng)板印刷方法以一 定間隔將以銀為主成分的導(dǎo)體材料涂布成帶狀，形成厚度數(shù)微米(例如約5微米)的數(shù)據(jù) 電極ll。作為數(shù)據(jù)電極ll的電極材料，根據(jù)需要也可以使用Ag、Al、Ni、Pt、Cr、Cu、Pd等 金屬、各種金屬的碳化物或氮化物等的導(dǎo)電性陶瓷等材料或這些材料的組合，或是將這些 材料疊層形成的疊層電極。 在這里，為了將預(yù)定制作的PDP1做成40英寸級(jí)的NTSC標(biāo)準(zhǔn)或VGA標(biāo)準(zhǔn)，將相鄰 的兩個(gè)數(shù)據(jù)電極11的間隔設(shè)定為約0. 4mm以下。 接著，在形成數(shù)據(jù)電極11的后面板玻璃10的整個(gè)面上涂布厚度約20 30微米 的鉛系或非鉛系的低熔點(diǎn)玻璃或二氧化硅材料構(gòu)成的玻璃糊，將其燒成形成電介質(zhì)層12。 接著，在電介質(zhì)層12面上以規(guī)定的圖案形成隔壁13。該隔壁13是涂布低熔點(diǎn)玻璃材料糊， 用噴砂法或光刻法將與相鄰的放電單元(未圖示)的邊界周圍隔開(kāi)地，將放電單元的多個(gè) 排列形成為將行以及列隔開(kāi)的"井"狀的圖案。 若形成了隔壁13，則在隔壁13壁面與隔壁13之間露出的電介質(zhì)層12的表面上制
作紅色(R)熒光體、綠色(G)熒光燈、藍(lán)色(B)熒光體中的任一種熒光體層14。 還有，在制作PDPlc的情況下，在電介質(zhì)層12的表面上涂布使氧化鎂微粒分散于
溶媒中形成的分散液，使其干燥以備配設(shè)氧化鎂微粒群16Y。 RGB各色熒光體可以利用具有如下所述組成的材料。
紅色熒光體；Y203:Eu3+
綠色熒光體；Zn2Si04:Mn
藍(lán)色氧化體^aMgAl^O^Eu" 熒光體層的形成方法可以采用靜電涂布法、噴射法、網(wǎng)板印刷法等任一公知的方 法。 其中，使用靜電涂布法的情況下，乙基纖維素(ethylcellulose)、 a鵬品醇 (a -terpineol)分別作為溶媒、溶劑使用，在其中添加平均粒徑為2. 0微米的熒光體粉末 和粉末，用砂磨機(jī)(sand mill)混合，以此制作15X10—3Pa s左右粘度的熒光體墨液。然 后將該熒光體墨液投入服務(wù)器內(nèi)，用泵使其從口徑60微米的噴嘴噴射出，涂布于相鄰的隔 壁間。這時(shí)，使面板在隔壁13的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)，將熒光體墨液涂布成帶狀。涂布結(jié)束后在 50(TC對(duì)熒光體墨液進(jìn)行燒成10分鐘，除去溶媒、溶劑。借助于此形成氧化鎂微粒群16X分 散于層中的熒光體層14。 又，在熒光體層的表面140配設(shè)氧化鎂微粒的情況下，制作使氧化鎂微粒分散于 溶媒中形成的分散液，將其用靜電涂布法、噴射法、網(wǎng)板印刷方法等散布后使其干燥固定形 成。 PDP的完成 將制作的前面板2與后面板9用密封用玻璃貼合。此后，將放電空間15的內(nèi)部抽 真空到高真空(1.0X10—4Pa)程度，去除大氣和雜質(zhì)氣體。然后，在該內(nèi)部封入規(guī)定壓力(在 這里是66. 5kPa 101kPa)的Ne-Xe系或He-Ne-Xe系、Ne-Xe-Ar系等含Xe混合氣體作為 放電氣體?；旌蠚怏w中的Xe濃度采用15% 100%。
經(jīng)過(guò)以上工序，完成了 PDPl、la lc。 還有，上述方法的例子中，前面板玻璃3和后面板玻璃10采用鈉鈣玻璃構(gòu)成的面
板，但是這是對(duì)于材料舉出的一個(gè)例子，也可以采用此外的其他材料?！葱阅茉u(píng)價(jià)實(shí)驗(yàn)> 接著，與比較例一起制作了本發(fā)明的實(shí)施例，進(jìn)行本發(fā)明的性能評(píng)價(jià)試驗(yàn)。其結(jié)果 如下所示。當(dāng)然實(shí)施例的構(gòu)成以及性能評(píng)價(jià)試驗(yàn)的方法不能夠?qū)Ρ景l(fā)明進(jìn)行任何限定。
實(shí)驗(yàn)1 通過(guò)驅(qū)動(dòng)PDP，對(duì)氧化鎂微粒的重量濃度與輝度變化的關(guān)系進(jìn)行研究，其中，上 述PDP是通過(guò)改變用氣相氧化法以及前體燒成法制作的氧化鎂微粒的量以與熒光體成分 組合而作為熒光體層進(jìn)行配設(shè)的PDP。熒光體采用具有一般的熒光特性的藍(lán)色熒光體體 BaMgAl^^Eu。作為氧化鎂微粒，準(zhǔn)備以氫氧化鎂為前體，分別在120(TC和IOO(TC燒成制 成的實(shí)施例的氧化鎂微粒1、2，準(zhǔn)備用氣相氧化法制作的比較例的氧化鎂微粒3。所準(zhǔn)備的 氧化鎂微粒1 3各自的BET值依序?yàn)?. 0m7g、2. Om7g、7. lm7g。 該實(shí)驗(yàn)的結(jié)果示于圖13。如該圖所示，在氧化鎂微粒3的情況下，隨著混合量的增 加，輝度急劇減小，在整個(gè)熒光體層中的重量濃度一旦達(dá)到10重量％，就可以發(fā)現(xiàn)輝度下 降到8成左右。這被認(rèn)為是因?yàn)闊晒怏w發(fā)出的可見(jiàn)光被氧化鎂微粒遮蔽或漫反射，結(jié)果不 能夠很好地從前面板側(cè)取出，輝度減少。 又，氣相氧化法制作的氧化鎂微粒3，其粒徑的偏差比較大，微觀上看來(lái)，在粒徑大 的結(jié)晶顆粒在周圍存在許多粒徑小的微細(xì)顆粒，因此BET值大。如果采用這樣的氧化鎂微
22粒，則會(huì)發(fā)生不需要的可見(jiàn)光的散射，有可能對(duì)圖像顯示性能造成不良影響。
與此相對(duì)，氧化鎂微粒1和2的情況下，BET值分別調(diào)整為比較低的值1. 0m7g、 2. Om7g，即使是在整個(gè)熒光體層中的重量濃度達(dá)到10重量％左右，與氧化鎂微粒3相比， 輝度的劣化也幾乎不能夠發(fā)現(xiàn)。這被認(rèn)為是，在氧化鎂微粒1和2的情況下，從熒光體球面 狀發(fā)出的可見(jiàn)光被存在于熒光體層的空隙的BET值小的氧化鎂微粒很好地反射，那時(shí)漫反 射也得到防止，因此與氧化鎂微粒3相比，輝度下降的重要原因得以抵消。已知BET值越小 則該可見(jiàn)光的反射的效果越大，而且熒光體對(duì)可見(jiàn)光的漫反射也是BET值越小越是受到抑 制。 又，在BET值為1. Om7g的氧化鎂微粒1的情況下，輝度與氧化鎂微粒的重量濃度 一起上升，在曲線中，5重量％左右時(shí)輝度為最大值。從而可以認(rèn)為，實(shí)際輝度的最大值在5 重量％以上10重量％以下的范圍內(nèi)。這樣，在氧化鎂微粒1和2的情況下，即使是氧化鎂 微粒的重量濃度增加，輝度也不容易下降，由于該微粒受到放電空間的波長(zhǎng)147nm或173nm 的紫外線的激發(fā)，微粒本身也發(fā)射波長(zhǎng)200 300nm的紫外線，因此被其包圍的熒光體顆粒 良好地地發(fā)射可見(jiàn)光，能夠得到進(jìn)一步提高輝度的效果，這被認(rèn)為是主要原因。
還有，氣相氧化法制作的氧化鎂微粒(氧化鎂微粒3)，與前體燒成法制作的氧化 鎂微粒(氧化鎂微粒1、2)相比，二次電子發(fā)射少。其結(jié)果是，為了有效防止初始化亮點(diǎn)的 發(fā)生，得到所希望的效果，必須在熒光體層配設(shè)得比前體燒成法制作的氧化鎂微粒多。但 是，在氣相氧化法制作的氧化鎂微粒的情況下，如上述曲線所示， 一旦增加氧化鎂微粒的重 量濃度，就發(fā)生輝度減少的問(wèn)題。從而，為了謀求同時(shí)實(shí)現(xiàn)防止初始化亮點(diǎn)的發(fā)生和提高輝 度的目標(biāo)，最好是像本發(fā)明這樣采用以前體燒成法制作的氧化鎂微粒。
實(shí)驗(yàn)2 接著，準(zhǔn)備實(shí)施例和比較例的試樣1 8的PDP，調(diào)查初始化亮點(diǎn)的發(fā)生率和輝度。 試樣2 4 (實(shí)施例1 3)根據(jù)實(shí)施形態(tài)1的PDP1制作，試樣6 8 (實(shí)施例4 6)根據(jù) 實(shí)施形態(tài)2的PDPla的結(jié)構(gòu)制作。 初始化亮點(diǎn)的發(fā)生率是通過(guò)用圖像處理分解為RGB，計(jì)算每單位面積的發(fā)光面積 測(cè)定的。首先，使各試樣的PDP發(fā)生初始化亮點(diǎn)，取入PC作為圖像，分解為RGB。然后，在分 解為RGB的圖像中決定發(fā)光強(qiáng)度的閾值，根據(jù)是否超過(guò)該閾值決定有無(wú)發(fā)光，根據(jù)每單位 面積中發(fā)光的部分的面積計(jì)算出初始化亮點(diǎn)的發(fā)生率。 亮度的測(cè)定是以放電維持電壓180V、頻率200kHz驅(qū)動(dòng)各試樣的PDP，用輝度計(jì)進(jìn) 行測(cè)定。 各試樣如下所述調(diào)整。 試樣1 (比較例1):作為最基本的PDP的已有的結(jié)構(gòu)，采用在后面板側(cè)的熒光體中 和前面板側(cè)的電介質(zhì)層中都不配設(shè)氧化鎂微粒的結(jié)構(gòu)。 試樣2(實(shí)施例1):采用在后面板側(cè)的熒光體層，以0. 5重量％的比例配設(shè)以氫氧 化鎂為前體，分別以120(TC燒成制作的氧化鎂微粒，在前面板側(cè)的電介質(zhì)層中不配設(shè)氧化 鎂微粒的結(jié)構(gòu)。 試樣3(實(shí)施例2):采用在后面板側(cè)的熒光體層，以2重量％的比例配設(shè)以氫氧化 鎂為前體，分別以120(TC燒成制作的氧化鎂微粒，在前面板側(cè)的電介質(zhì)層中不配設(shè)氧化鎂 微粒的結(jié)構(gòu)。
試樣4(實(shí)施例3):采用在后面板側(cè)的熒光體層，以10重量％的比例配設(shè)以氫氧 化鎂為前體，分別以120(TC燒成制作的氧化鎂微粒，在前面板側(cè)的電介質(zhì)層中不配設(shè)氧化 鎂微粒的結(jié)構(gòu)。 試樣5 (比較例2):采用在后面板側(cè)的熒光體層不配設(shè)氧化鎂微粒，在前面板側(cè)的 電介質(zhì)層中配設(shè)利用前體燒成方法制作的氧化鎂微粒的結(jié)構(gòu)。 試樣6(實(shí)施例4):采用在后面板側(cè)的熒光體層，以0. 5重量％的比例配設(shè)以氫氧 化鎂為前體，分別以120(TC燒成制作的氧化鎂微粒，在前面板側(cè)的電介質(zhì)層中配設(shè)利用前 體燒成方法制作的氧化鎂微粒的結(jié)構(gòu)。 試樣7(實(shí)施例5):采用在后面板側(cè)的熒光體層，以2重量％的比例配設(shè)以氫氧化 鎂為前體，分別以120(TC燒成制作的氧化鎂微粒，在前面板側(cè)的電介質(zhì)層中配設(shè)利用前體 燒成方法制作的氧化鎂微粒的結(jié)構(gòu)。 試樣8(實(shí)施例6):采用在后面板側(cè)的熒光體層，以10重量％的比例配設(shè)以氫氧 化鎂為前體，分別以120(TC燒成制作的氧化鎂微粒，在前面板側(cè)的電介質(zhì)層中配設(shè)利用前 體燒成方法制作的氧化鎂微粒的結(jié)構(gòu)。 對(duì)以上述條件實(shí)施的各試樣PDP，關(guān)于初始化亮點(diǎn)的發(fā)生頻度的測(cè)定結(jié)果示于圖 14，關(guān)于輝度的測(cè)定結(jié)果示于圖15。該圖14和圖15都是作為相對(duì)于試樣1的測(cè)定值的比 較值作成的圖。 根據(jù)圖14所示的結(jié)果，在相當(dāng)于實(shí)施形態(tài)1的結(jié)構(gòu)的試樣2、3、4(實(shí)施例1、2、3) 的情況下，可以確認(rèn)與試樣l(比較例1)相比初始化亮點(diǎn)的發(fā)生頻度減少，作為PDP具有特 別優(yōu)異的性能。這被認(rèn)為是因?yàn)橥ㄟ^(guò)將熒光體成分與前體燒成法制作的氧化鎂微粒組合， 整個(gè)熒光體層的二次電子發(fā)射系數(shù)Y比以往飛躍增大。而且，可以看出隨著熒光體層中的 氧化鎂微粒的重量濃度的增加，初始化亮點(diǎn)的發(fā)生頻度顯著減少。 另一方面，根據(jù)圖15所示的結(jié)果，可以確認(rèn)在相當(dāng)于實(shí)施形態(tài)1的結(jié)構(gòu)的試樣2、 3、4(實(shí)施例1、2、3)的情況下，與試樣l(比較例l)相比，輝度提高了，作為PDP能夠?qū)崿F(xiàn)特 別優(yōu)異的圖像顯示性能。還有，該試驗(yàn)的結(jié)果表明，熒光體層中的氧化鎂微粒的重量濃度為 2重量％的情況下，能夠得到最高的輝度。 而且，在相當(dāng)于實(shí)施形態(tài)2的結(jié)構(gòu)的試樣6、7、8(實(shí)施例4、5、6)中，也可以確認(rèn)與 試樣5(比較例2)相比，初始化亮點(diǎn)的發(fā)生頻度減少，具有良好的特性(圖14)。又，可以確 認(rèn)，試樣6、7、8(實(shí)施例4、5、6)與試樣2、3、4(實(shí)施例1、2、3)相比，在初始化亮點(diǎn)的改善和 輝度的提高方面，具有更良好的特性(圖14、圖15)。 這樣，在各實(shí)施例的情況下，與比較例不同，利用前體燒成法形成的氧化鎂微粒與 熒光體成分混合。因此，熒光體除了受到在放電氣體中產(chǎn)生的紫外線的激發(fā)外，也受到上述 氧化鎂微粒的紫外線的激發(fā)，因此能夠高效率地發(fā)生可見(jiàn)光，能夠?qū)崿F(xiàn)高輝度發(fā)光。又，各 實(shí)施例中，一旦熒光體產(chǎn)生可見(jiàn)光，就由上述氧化鎂微粒很好地向前面板側(cè)反射，被提供給 圖像顯示，這被認(rèn)為也是能夠得到很好的輝度的重要原因。 還有，當(dāng)熒光體層中的氧化鎂微粒的重量濃度增大時(shí)，該氧化鎂微粒對(duì)熒光體顆 粒發(fā)生的可見(jiàn)光的遮光效果變大。從而，在將氧化鎂微粒添加于熒光體層時(shí)，不是單純地將 該重量濃度設(shè)定得大以謀求得到提高輝度的效果，而應(yīng)該在也想到遮擋可見(jiàn)光的效果的基 礎(chǔ)上，兼顧這兩個(gè)效果進(jìn)行調(diào)整以得到最大輝度。
根據(jù)以上各實(shí)驗(yàn)結(jié)果確認(rèn)了本申請(qǐng)的發(fā)明的優(yōu)勢(shì)。
〈其他事項(xiàng)> 上述各實(shí)施形態(tài)中的PDP中，氧化鎂微粒以16a 16d為例，但是本發(fā)明沒(méi)有必要 同時(shí)使用全部四種的氧化鎂微粒。因此，只要使用上述氧化鎂微粒16a 16d、16al、16a2、 16bl、16b2、16cl、16dl中的一種以上即可。
工業(yè)應(yīng)用性 本發(fā)明的PDP特別是作為能夠用低電壓驅(qū)動(dòng)高精細(xì)圖像顯示的氣體放電面板技 術(shù)，可以使用于交通設(shè)備以及公共設(shè)施、家庭等的電視裝置以及計(jì)算機(jī)用的顯示裝置等。
又，在本發(fā)明中，即使是在Xe分壓高的結(jié)構(gòu)或微細(xì)單元結(jié)構(gòu)的情況下，也能夠抑 制初始化亮點(diǎn)的發(fā)生，因此能夠作為圖像質(zhì)量不容易受環(huán)境溫度影響的高圖像質(zhì)量的顯示 器使用。
權(quán)利要求
一種等離子體顯示面板，一個(gè)面上形成熒光體層的第1基板，在所述一個(gè)面隔著放電空間與第2基板相對(duì)配置，該第1基板和第2基板的周圍被密封，其特征在于，熒光體層包含熒光體成分、以及氧化鎂微粒群，所述氧化鎂微粒群含有具備被(100)面和(111)面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒，氧化鎂微粒群配設(shè)于熒光體層的該熒光體層內(nèi)部、面臨放電空間的表面、背面基板側(cè)的該熒光體層底部的至少任意一個(gè)區(qū)域。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，在第2基板的一個(gè)面，在面 臨放電空間的表面區(qū)域配設(shè)包含與所述氧化鎂微粒具有相同的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的 氧化鎂微粒群。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其特征在于，在第2基板的所述一個(gè)面，配設(shè)有多個(gè)電極和覆蓋著該多個(gè)電極的電介質(zhì)層， 對(duì)所述電介質(zhì)層表面直接配設(shè)或隔著保護(hù)層配設(shè)所述氧化鎂微粒群。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于， 氧化鎂微粒具有六面體結(jié)構(gòu)，而且至少具有一個(gè)截頂面。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其特征在于， 氧化鎂微粒其主要面具有(100)面，截頂面具有(111)面。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于， 氧化鎂微粒具有八面體結(jié)構(gòu)，而且至少具有一個(gè)截頂面。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板，其特征在于， 氧化鎂微粒其主要面具有(111)面，截頂面具有(100)面。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述氧化鎂微粒是具有相當(dāng)于(100)面的6個(gè)面、以及相當(dāng)于(111)面的8個(gè)面的14 面體。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其特征在于， 氧化鎂微粒其主要面具有(100)面，截頂面具有(111)面。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其特征在于， 氧化鎂微粒其主要面具有(111)面，截頂面具有(100)面。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于， 氧化鎂微粒是氧化鎂前體的燒成生成物。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于， 氧化鎂微粒其粒徑為300nm以上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于， 氧化鎂微粒的BET值為2. 0m2以下。
14. 一種等離子體顯示面板，一個(gè)面上形成熒光體層的第l基板，在所述一個(gè)面隔著放 電空間與第2基板相對(duì)配置，第1基板和第2基板的周圍被密封，其特征在于，熒光體層包含熒光體成分、以及含有具備被(100)面、(110)面、和(111)面包圍的結(jié) 晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的氧化鎂微粒群，氧化鎂微粒群配設(shè)于熒光體層的該熒光體層內(nèi)部、面臨放電空間的表面、背面基板側(cè) 的該熒光體層底部的至少任意一個(gè)區(qū)域。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其特征在于，在第2基板的一個(gè)面，在面臨放電空間的表面區(qū)域，配設(shè)包含與所述氧化鎂微粒具有相同的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的氧化鎂微粒群。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其特征在于，在第2基板的所述一個(gè)面，配設(shè)多個(gè)電極和覆蓋著該多個(gè)電極的電介質(zhì)層，對(duì)所述電介質(zhì)層表面直接配設(shè)或隔著保護(hù)層配設(shè)所述氧化鎂微粒群。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒具有六面體結(jié)構(gòu)，而且具有至少一個(gè)截頂面和至少一個(gè)傾斜面。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒其主要面具有(100)面，截頂面具有(111)面、傾斜面具有(110)面。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒具有八面體結(jié)構(gòu)，而且具有至少一個(gè)截頂面和至少一個(gè)傾斜面。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒其主要面具有(111)面，截頂面具有(100)面、傾斜面具有(110)面。
21. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒是具有相當(dāng)于(100)面的6個(gè)面、相當(dāng)于(110)面的12個(gè)面、以及相當(dāng)于(111)面的8個(gè)面的26面體。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒其主要面具有(111)面、傾斜面具有(110)面、截頂面具有(100)面。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒其主要面具有(100)面、傾斜面具有(110)面、截頂面具有(111)面。
24. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒是氧化鎂前體的燒成生成物。
25. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒其粒徑為300nm以上。
26. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒的BET值為2. 0m2以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體顯示面板，它通過(guò)對(duì)熒光體層進(jìn)行改質(zhì)來(lái)抑制初始化亮點(diǎn)的發(fā)生，同時(shí)消除各色放電單元間的放電特性的差異，可望發(fā)揮優(yōu)異的圖像顯示性能。提供除了解決上述存在問(wèn)題外，在前面板側(cè)也利用在放電空間發(fā)生的紫外線發(fā)光，促進(jìn)可見(jiàn)光發(fā)光的發(fā)生，可望提高輝度的等離子體顯示面板。具體地說(shuō)，如下所述構(gòu)成，即熒光體層(14)通過(guò)配設(shè)熒光體成分和氧化鎂微粒群(16)而構(gòu)成，上述氧化鎂微粒群(16)主要配設(shè)在該熒光體層，為賦予二次電子發(fā)射特性而露出于層的內(nèi)部以及面臨放電空間的表面(140)。氧化鎂微粒群(16)由具有以下結(jié)晶構(gòu)造的氧化鎂微粒(16a～16d)構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)造是被由(100)面及(111)面構(gòu)成的特定的2種取向面、或由(100)面、(110)面、(111)面構(gòu)成的特定的3種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01J17/49GK101790769SQ200880024419
公開(kāi)日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2008年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月13日
發(fā)明者岡藤美智子, 吉野恭平, 寺內(nèi)正治, 溝上要, 淺野洋, 石野真一郎, 福井裕介, 西谷干彥, 辻田卓司 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社