專利名稱：阻擋肋、包括該阻擋肋的等離子體顯示板及相關(guān)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及等離子體顯示板(PDP)。更具體地，本發(fā)明的實(shí) 施例涉及形成阻擋肋(barrier rib )的方法以及包括該阻擋肋的PDP。
背景技術(shù)：
通過由電極施加電壓到兩個(gè)基板之間的放電單元中的放電氣體產(chǎn)生紫 外(uv)光從而uv光可以激發(fā)放電單元中的磷光體層以引發(fā)可見光的發(fā) 射，PDP可以顯示圖^f象。放電單元可以通過兩個(gè)基板例如前基板和底基板之 間的阻擋肋來限定。阻擋肋可以包括PDP的顯示區(qū)域即顯示圖像的區(qū)域中 的內(nèi)阻擋肋以及非顯示區(qū)域即顯示區(qū)域外部的區(qū)域中的偽阻擋肋(dummy barrier rib )。
通常，阻擋肋可以通過圖案化干燥的阻擋肋材料形成為預(yù)定的結(jié)構(gòu)。例 如，矩形掩?？梢灾糜诟稍锏淖钃趵卟牧仙希虼俗钃趵卟牧峡梢酝ㄟ^矩形 掩模進(jìn)行噴砂以形成對(duì)應(yīng)于矩形掩模的阻擋肋結(jié)構(gòu)，接著烘烤阻擋肋結(jié)構(gòu)形 成阻擋肋。噴砂(sandblasting)可以包括通過噴嘴以大的速度沿向下的方向 散布沙粒去除阻擋肋材料的部分。
然而，在噴砂、期間，過量的阻擋肋材津牛會(huì)被去除從而底切(undercut) 阻擋肋結(jié)構(gòu)，例如底切非顯示區(qū)域中偽阻擋肋結(jié)構(gòu)的邊緣。具體地，非顯示 區(qū)域的邊緣處的阻擋肋結(jié)構(gòu)會(huì)比其它的阻擋肋結(jié)構(gòu)例如內(nèi)阻擋肋結(jié)構(gòu)具有 更大的暴露到噴砂的表面面積，從而會(huì)去除非顯示區(qū)域邊緣處的阻擋肋材料 的較大部分。此外，沿向下方向行進(jìn)的沙粒會(huì)彈回到向上的方向從而與其它 的沙粒碰撞，因此一些沙粒的方向會(huì)改變，例如沿平行于基板的方向，從而 底切阻擋肋結(jié)構(gòu)例如偽阻擋肋結(jié)構(gòu)的邊緣。
底切的阻擋肋結(jié)構(gòu)在烘烤期間會(huì)變形。具體地，底切的阻擋肋結(jié)構(gòu)可以 包括干燥的阻擋肋材料的伸出到底切部分之外的部分。在烘烤期間，從阻擋 肋結(jié)構(gòu)的粘合劑(binder)蒸發(fā)會(huì)導(dǎo)致阻擋肋結(jié)構(gòu)收縮。然而，底切部分會(huì) 阻礙伸出到底切部分之外的干燥的阻擋肋材料的收縮，從而導(dǎo)致該部分突出例如向離開底;S^反的方向突出。具有這樣的非均勻結(jié)構(gòu)的阻擋肋即具有/人底 基板離開的突出部分的阻擋肋可以引起偽阻擋肋與PDP的前面板之間的不 穩(wěn)定的連接，從而在PDP工作期間產(chǎn)生振動(dòng)和噪音。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例旨在提供一種形成阻擋肋的方法以及包括該阻擋肋的
PDP，其基本上克服了相關(guān)技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)缺點(diǎn)。
本發(fā)明的實(shí)施例的一個(gè)特征是提供了 一種形成無底切部分的阻擋肋的方法。
本發(fā)明的實(shí)施例的另 一個(gè)特征是提供了具有改進(jìn)結(jié)構(gòu)的阻擋肋的PDP。 本發(fā)明的實(shí)施例的再一個(gè)特征是提供了具有減少的震動(dòng)和噪音的PDP。 本發(fā)明的上述和其它的特征以及優(yōu)點(diǎn)的至少一個(gè)可以通過提供一種 PDP來實(shí)現(xiàn)，該P(yáng)DP包括第一基板；面對(duì)第一基板的第二基板；內(nèi)阻擋 肋，在第一基板與第二基板之間的PDP的顯示區(qū)域中以限定放電單元；至 少一個(gè)偽阻擋肋，在第一基板與第二基板之間的PDP的非顯示區(qū)域中，非 顯示區(qū)域在顯示區(qū)域外部，偽阻擋肋包括至少 一個(gè)彎曲端部以及在彎曲端部 中的腔(cavity);放電電極，在第一基板與第二基板之間以在放電單元中產(chǎn) 生放電；以及每個(gè)放電單元中的至少一個(gè)磷光體層。
偽阻擋肋的彎曲端部可以具有橢圓形，腔在彎曲端部的中心。偽阻擋肋 的彎曲端部可以具有橢圓形，腔可以是偏心的。腔可以在彎曲端部的中心與 附著到彎曲端部的線性體之間。偽阻擋肋的彎曲端部可以具有圓形，腔可以 在彎曲端部的中心中或在該中心與附著到彎曲端部的線性體之間。PDP還可 以包括互相平行的多個(gè)偽阻擋肋，偽阻擋肋的彎曲端部水平或垂直地對(duì)齊。 PDP還可以包括互相平行的多個(gè)偽阻擋肋，偽阻擋肋的彎曲端部以Z字形 (zigzag)布置。PDP還可以包括互相平行的多個(gè)偽阻擋肋，偽阻擋肋的彎 曲端部以斜線布置。偽阻擋肋的彎曲端部可以附著到線性體，彎曲端部的寬 度大于線性體的寬度。偽阻擋肋的彎曲端部可以附著到線性體，彎曲端部和 線性體的高度基本相等。PDP還可以包括互相平行的多個(gè)偽阻擋肋，最外面 偽阻擋肋的寬度大于其它偽阻擋肋的每個(gè)的寬度。
本發(fā)明的上述和其它的特征以及優(yōu)點(diǎn)的至少 一個(gè)還可以通過提供一種 用于形成PDP的阻擋肋的掩模來實(shí)現(xiàn)，該掩模包括至少一個(gè)具有線性體的阻擋肋圖案、附著到該線性體的至少一個(gè)彎曲端部以及在彎曲端部中的腔。 本發(fā)明的上述和其它的特征以及優(yōu)點(diǎn)的至少 一個(gè)還可以通過提供一種
形成PDP的方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括在面對(duì)的第一基板與第二基板之間 的PDP的顯示區(qū)域中形成內(nèi)阻擋肋以限定放電單元；在第一基板與第二基 板之間的PDP的非顯示區(qū)域中形成至少一個(gè)偽阻擋肋，非顯示區(qū)域在顯示 區(qū)域的外面，偽阻擋肋包括至少一個(gè)彎曲端部以及在彎曲端部中的腔；在第 一基板與第二基板之間形成放電電極；以及在每個(gè)放電單元中形成至少一個(gè) 磷光體層。
形成偽阻擋肋可以包括形成多個(gè)偽阻擋肋為條狀圖案。形成偽阻擋肋可 以包括使偽阻擋肋的彎曲端部成形為具有橢圓形或圓形；以及在彎曲端部 的中心中或在該中心與附著到彎曲端部的線性體之間形成腔。形成偽阻擋肋 可以包括在阻擋肋材料上形成偽阻擋肋圖案掩模，偽阻擋肋圖案掩模包括至 少一個(gè)彎曲端部和在彎曲端部中的腔。形成偽阻擋肋還可以包括去除圍繞 偽阻擋肋圖案掩模的阻擋肋材料的部分，從而阻擋肋材料在偽阻擋肋圖案掩 模下的部分被成形以對(duì)應(yīng)于偽阻擋肋圖案掩模；以及去除偽阻擋肋圖案掩 模。形成偽阻擋肋圖案掩?？梢园ㄐ纬删哂袕澢瞬康亩鄠€(gè)圖案，彎曲端 部垂直地或者水平地對(duì)齊，或者斜線地或以Z字形設(shè)置。形成偽阻擋肋圖案 掩?？梢园ㄐ纬删哂袕澢瞬康亩鄠€(gè)圖案，每個(gè)彎曲端部的寬度大于各自 的圖案的任何其它部分的寬度。形成偽阻擋肋圖案掩?？梢园ㄐ纬啥鄠€(gè)圖 案，多個(gè)圖案的最外面圖案的寬度大于任何其它圖案的寬度。


通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來 說，本發(fā)明的上述和其它的特征以及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，附圖中 圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的阻擋肋圖案掩模的平面圖； 圖2示出圖1中區(qū)域B的放大圖； 圖3示出圖1的偽阻擋肋圖案掩模中的圖案的示意圖； 圖4示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的偽阻擋肋圖案掩模中的圖案的示意
圖5示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的偽阻擋肋圖案掩模中圖案的布置； 圖6示出根據(jù)本發(fā)明另 一 實(shí)施例的偽阻擋肋圖案掩模中圖案的布置；
7圖7A-7C示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成偽阻擋肋的方法中的順序步
驟；
圖8A-8D示出形成偽阻擋肋的比較方法中的順序步驟；
圖9A-9B分別示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例形成的內(nèi)阻擋肋和偽阻擋肋的截 面的掃描電子顯微(SEM)圖像；
圖10A-10B分別示出采用圖8A-8D的比較方法形成的內(nèi)阻擋肋和偽阻 擋肋的截面的SEM圖像；以及
圖11示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PDP的視圖。
具體實(shí)施例方式
下文將參照附圖對(duì)本發(fā)明的示范性實(shí)施例進(jìn)行更為充分的描述，附圖中 示出了本發(fā)明的示范性實(shí)施例。然而，本發(fā)明的各個(gè)方面可以以不同的形式 實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為限于此處列出的實(shí)施例。而是，提供這些實(shí)施例使得 本公開透徹和完整，并且將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
附圖中，為清晰起見可能會(huì)夸大元件和區(qū)域的尺寸。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱一 個(gè)元件在另一元件或基板"上，，時(shí)，它可以直接在另一元件或基板上，或者 還可以存在中間元件。此外，應(yīng)該理解，術(shù)語"上"可能4又指一個(gè)元件相對(duì) 于另一個(gè)元件的垂直布置，并且可以不指垂直方向，例如指水平方向。此外， 還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱一個(gè)元件在兩個(gè)元件"之間，，時(shí)，它可以是兩個(gè)元件之間 唯一的元件，或者還可以存在一個(gè)或多個(gè)插入的元件。相同的附圖標(biāo)記始終 指代相同的元件。
在下文中，將參照?qǐng)D11對(duì)具有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成的阻擋肋的PDP 的示范性實(shí)施例進(jìn)行更詳細(xì)地描述。
如圖11所示，PDP200可以包括互相接合的前面^反201和后面板202。 前面板201可以包括前基板2、第一放電電極4、前電介質(zhì)層和保護(hù)層。第 一放電電極4可以形成在前基板2上，并可以嵌入在前電介質(zhì)層中。保護(hù)層 可以涂敷在前電介質(zhì)層上以保護(hù)前電介質(zhì)層。后面板202可以包括底基板1 、 第二放電電極7、底電介質(zhì)層、限定放電單元12的阻擋肋以及放電單元12 中的磷光體層13。第二放電電極7可以形成在底基板1上，并可以嵌入在底 電介質(zhì)層中。底基板1可以由玻璃材料形成。
阻擋肋可以形成在底基板1上，例如在底電介質(zhì)層上。阻擋肋可以包括內(nèi)阻擋肋16和偽阻擋肋(未示出)。內(nèi)阻擋肋16可以形成在PDP 200的顯 示區(qū)域D中以限定前面板201和后面板202之間的空間中的放電單元12, 從而在放電單元12中，放電可以在第一放電電極4和第二放電電極7之間 發(fā)生。內(nèi)阻擋肋16可以防止相鄰放電單元12之間的放電干擾。偽阻擋肋可 以在內(nèi)阻擋肋16的外圍，并可以形成在PDP 200的圍繞顯示區(qū)域D的非顯 示區(qū)域N中。
阻擋肋可以例如通過噴砂方法形成。首先，阻擋肋材料例如阻擋肋漿料 (paste)可以涂敷在底基板上形成阻擋肋漿料層，然后被烘干。光敏材料例 如干膜電阻(dry film resistor, DFR)可以層疊在烘干的阻擋肋漿料層上。接 著，UV光可以輻射在光敏材料上例如通過具有預(yù)定圖案的光掩模來處理光 敏材料的部分。光敏材料的處理過的部分可以由UV光弱化，從而將顯影液 施加到光敏材料可以去除光敏材料的處理過的部分。因此，光敏材料的未處 理部分可以被保留以形成用于圖案化阻擋肋的掩模。 一旦用于圖案化阻擋肋 的掩模形成在阻擋肋漿料層上，噴砂可以通過掩模進(jìn)行從而使阻擋肋漿料層 成形為阻擋肋。不同的掩模可以用于形成內(nèi)阻擋肋16和偽阻擋肋。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例用于PDP200的內(nèi)阻擋肋掩模和偽阻擋肋 掩模的平面圖。參照?qǐng)D1，內(nèi)阻擋肋圖案掩模10可以包括用于形成PDP200 的顯示區(qū)域D中的內(nèi)阻擋肋16的多個(gè)圖案，并可以具有任何合適的結(jié)構(gòu)， 例如多個(gè)圖案可以設(shè)置成矩陣結(jié)構(gòu)或條狀圖案。第一偽阻擋肋圖案掩模20 和第二偽阻擋肋圖案掩模25可以包括用于形成PDP 200的非顯示區(qū)域N中 的偽阻擋肋的多個(gè)圖案，并可以具有任何合適的結(jié)構(gòu)，例如多個(gè)圖案可以設(shè) 置成條狀圖案。PDP200的非顯示區(qū)域N可以在顯示區(qū)域D的外部，例如非 顯示區(qū)域N可以包括圍繞顯示區(qū)域D的多個(gè)部分。
如圖1所示，第一偽阻擋肋圖案掩才莫20的圖案可以比第二偽阻擋肋圖 案掩模25的圖案長(zhǎng)。因此，第一偽阻擋肋圖案掩模20可以沿PDP200的底 基板的長(zhǎng)邊延伸，例如可以沿圖1中示出的非顯示區(qū)域N的上部和下部水平 地延伸。第二偽阻擋肋圖案掩模25可以沿PDP 200的底基板的短邊延伸， 例如可以在非顯示區(qū)域N中垂直于第一偽阻擋肋圖案掩才莫20延伸。因此， 如圖l所示，第一偽阻擋肋圖案掩模20和第二偽阻擋肋圖案掩模25可以圍 繞內(nèi)阻擋肋圖案掩模10。在第 一偽阻擋肋圖案掩模20和第二偽阻擋肋圖案 掩模25的每個(gè)中，圖案的數(shù)目和位置可以根據(jù)PDP200的設(shè)計(jì)和規(guī)格調(diào)整。
9例如，如圖l所示，第一偽阻擋肋圖案掩模20可以包括沿非顯示區(qū)域N的
下部的彼此間隔開并互相平行例如布置成條狀圖案的六個(gè)圖案。應(yīng)該指出， 例如在噴砂工藝期間，條狀圖案可以比其它的構(gòu)造(例如矩陣圖案)提供更
高的排出(exhaustion)效率，所以由第一偽阻擋肋圖案掩模20和第二偽阻 擋肋圖案掩模25形成的具有條狀圖案的偽阻擋肋可以具有改進(jìn)的結(jié)構(gòu)和排 出效率，從而延長(zhǎng)了 PDP200的壽命并減少了 PDP200由于疲勞引起的均勻 性的惡化。
圖2示出圖1中區(qū)域B的放大圖。圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一偽 阻擋肋圖案掩模20的單個(gè)圖案的放大示意圖。圖4示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí) 施例的第一偽阻擋肋圖案掩模20的單個(gè)圖案的放大示意圖。圖5示出根據(jù) 本發(fā)明的實(shí)施例偽阻擋肋圖案掩模20中的圖案的布置。圖6示出根據(jù)本發(fā) 明另一實(shí)施例偽阻擋肋圖案掩模30中的圖案的布置。應(yīng)該指出，為方便起 見在下文中只描述第 一偽阻擋肋圖案掩模20的圖案，第二偽阻擋肋圖案掩 模25的圖案可以具有基本類似于第一偽阻擋肋圖案掩模20的圖案的結(jié)構(gòu)， 除了如以前所述的長(zhǎng)度和方向之外。
參照?qǐng)D2-3，第一偽阻擋肋圖案掩模20可以包括多個(gè)內(nèi)圖案22和最外 面圖案21。相對(duì)于內(nèi)圖案22，最外面圖案21可以是第一偽阻擋肋圖案掩模 20的最外面的圖案。如圖5-6所示，最外面圖案21可以是第一偽阻擋肋圖 案掩模20的最外面的圖案，并可以具有寬度為"c"的線性體(linear body )。 如圖5-6所示，多個(gè)內(nèi)圖案22可以具有寬度為"d"的線性體，寬度"d" 可以小于最外面圖案21的寬度"c"。最外面圖案21可以具有較大的寬度， 從而使最外面?zhèn)巫钃趵?4具有增大的寬度。最外面?zhèn)巫钃趵?4可以比內(nèi)偽 阻擋肋14的每個(gè)更多地暴露到沙粒，所以與內(nèi)偽阻擋肋14相比，可以去除 最外面?zhèn)巫钃趵?4的較大部分。由此，由于最外面圖案21的寬度"c"大 于內(nèi)圖案22的每個(gè)的寬度"d，，，所以由噴砂形成的最外面?zhèn)巫钃趵?4的寬 度可以大于內(nèi)偽阻擋肋14的每個(gè)的寬度。
如圖2-3所示，內(nèi)圖案22和最外面圖案21的每個(gè)可以包括第一端部21a 與第二端部21e之間的線性體21f。具體地，第一端部21a和第二端部21e 可以形成在線性體21f的各自的相對(duì)邊緣，所以線性體21f可以在第一端部 21a與第二端部21e之間延伸。因而，當(dāng)噴石少工藝進(jìn)行時(shí)，包括最外偽阻擋 肋的多個(gè)偽阻擋肋14可以4皮此平行地形成，第一端部21a和第二端部21e可以分別地對(duì)齊。例如，如圖2所示，多個(gè)內(nèi)圖案22和最外面圖案21可以 沿水平方向延伸并可以互相平行，所以它們的第 一端部21 a可以纟皮對(duì)齊為形 成沿垂直方向的列。第一端部21a的列可以與內(nèi)阻擋肋圖案掩模10的邊緣 對(duì)齊，如圖2所示。
在另一示例中，如圖5所示，內(nèi)圖案22和最外面圖案21可以布置成交 替平行圖案，從而第一端部21a可以以Z字形布置。換句話說，內(nèi)圖案22 和最外面圖案21可以相對(duì)于彼此橫向地偏移(offset),從而例如每個(gè)內(nèi)圖案 22可以相對(duì)于鄰近其的兩個(gè)內(nèi)圖案22在相同方向上碎黃向地偏移。在另 一示 例中，如圖6所示，內(nèi)圖案22和最外面圖案21可以布置成斜圖案(diagonal pattern),從而第一端部21a可以沿斜線布置。通過以Z字形或斜線布置第 一端部21a，偽阻擋肋14可以彼此相對(duì)近的形成而沒有其間的干擾，盡管第 一端部21a和第二端部21e的相對(duì)大的寬度。
如圖3-4示出，第一端部21a和第二端部21e可以彎曲。具體地，第一 端部21a和第二端部21e可以具有任何合適的凸起結(jié)構(gòu)(convex structure ), 也就是當(dāng)從任何方向觀察時(shí),相對(duì)于線性體21f沿平行于前基板的平面向外 突出的結(jié)構(gòu)。換句話說，圖案21的第一端部21a和第二端部21e的寬度即 沿垂直于線性體21f的方向所測(cè)得的距離可以大于線性體21f的寬度。此外， 第一端部21a和第二端部21e可以沿水平方向向外突出。例如，如圖3所示， 第一端部21a和第二端部21e可以是橢圓形的。在另一示例中，如圖4所示， 第一端部21a和第二端部21e可以是圓形的。然而，本發(fā)明不限于此。
腔21b可以形成在第一端部21a中和/或第二端部21e中。如圖3-4所示， 腔21b可以偏心地形成在第一端部21a和/或第二端部21e中。具體地，腔 21b可以形成得更靠近線性體21f而不是更靠近相應(yīng)的端部21a或21e的外 邊緣。例如，如圖3-4還示出，腔21b與第一端部21a的外邊緣之間的水平 距離"a"可以大于腔21b與線性體21f之間的水平距離"b"。應(yīng)該指出，多 個(gè)內(nèi)圖案22和最外面圖案21的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)可以基本上彼此類似，除了其寬度 即沿垂直于內(nèi)圖案22和最外面圖案21的方向所測(cè)得的距離以外，如前面參 照?qǐng)D5-6所描述的。
圖7A-7C示出通過根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的偽阻擋肋圖案掩模20形成偽 阻擋肋14的方法中的順次的步驟。如圖7A所示，偽阻擋肋圖案掩模20可 以形成在阻擋肋材料14，上，從而多個(gè)內(nèi)圖案22和最外面圖案21可以置于阻擋肋材料14，上。阻擋肋材料14，可以通過偽阻擋肋圖案掩模20進(jìn)行噴砂 去除阻擋肋材料14，的部分從而形成偽阻擋肋14。 一旦對(duì)應(yīng)于圖案21的多 個(gè)偽阻擋肋14形成(如圖7B所示)，偽阻擋肋圖案掩模20可以被去除(如 圖7C所示)。
如圖7C所示，每個(gè)偽阻擋肋14可以包括對(duì)應(yīng)于各個(gè)圖案21的端部21a 的端部14a。具體地，由于圖案21的第一端部21a是凸起的，也就是向外彎 曲，所以在噴砂工藝期間阻擋肋材料14，可以被切割成具有對(duì)應(yīng)于圖案21的 第一端部21a的凸起部分。因而，最終的偽阻擋肋14可以不被底切。例如， 每個(gè)偽阻擋肋14的端部14a可以包括第 一 凸起部分14c和第二凸起部分14d， 如圖7B所示。第一凸起部分14c和第二凸起部分14d可以在噴^Kx藝期間 被切削以向外突出，所以底切例如沿向內(nèi)方向向端部14a的中心的切削不會(huì) 發(fā)生。
此外，如圖7C所示，每個(gè)偽阻擋肋可以被形成為包括對(duì)應(yīng)于圖案21的 腔21b的腔14b。如果在噴砂工藝的早期移動(dòng)基板，則偽阻擋肋14的端部 14a可以由于其的外圍位置而暴露到較強(qiáng)的噴砂的撞擊。偽阻擋肋14的端部 14a中的腔14b的形成可以促進(jìn)沙粒的分散，所以噴砂對(duì)不是端部14a的部 分的撞擊可以被防止或基本上最小化。換句話說，通過腔21b形成腔14b可 以防止偽阻擋肋14的彎曲端部14a的變形，也就是如果腔21b不存在，則 偽阻擋肋14的端部14a會(huì)變形。
端部14a中的腔14b可以對(duì)應(yīng)于第一端部21a中的腔21b的位置，例如 可以根據(jù)由沙粒對(duì)偽阻擋肋14的端部14a的切削程度來決定。因此，偽阻 擋肋14的端部14a中的腔14b可以更靠近偽阻擋肋14的線性部分，即對(duì)應(yīng) 于圖案21的線性體21f的部分，而不是端部14a的外邊緣。例如，偽阻擋肋 14的腔14b可以設(shè)置在偽阻擋肋14的端部14a的中心中或者可以離心向偽 阻擋肋14的線性部分。
因此，當(dāng)進(jìn)行噴砂工藝和烘烤時(shí)，腔14b可以形成在形狀像橢圓形或圓 形的端部14a的中心中，所以偽阻擋肋14的耐久性可以被實(shí)質(zhì)地提高。具 體地，在偽阻擋肋14的烘烤期間，偽阻擋肋14的所有部分即端部14a和線 性部分可以以基本相同的速率收縮，所以端部14a和線性部分的高度可以基 本一致。換句話說，相對(duì)于線性部分，端部14a可以不在向上的方向突出， 所以偽阻擋肋14的失效可以基本上被減少?gòu)亩岣邆巫钃趵?4的穩(wěn)定性。示例l:第一PDP被制造，其具有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的阻擋肋即具有 彎曲端部的阻擋肋。具體地，第一 PDP的阻擋肋通過采用#4居本發(fā)明實(shí)施 例的第一偽阻擋肋圖案掩模20和第二偽阻擋肋圖案掩模25以及內(nèi)阻擋肋圖 案掩模10形成，所以偽阻擋肋形成為具有如前參照?qǐng)D7A-7C所述的彎曲端部。
對(duì)比示例l:第二PDP被制造，其具有矩形阻擋肋即沒有彎曲端部。第 二 PDP的阻擋肋利用與第一 PDP的阻擋肋基本相同的方法形成，除了使用 不同的圖案掩模之外。如圖8A所示，第二 PDP的阻擋肋通過采用阻擋肋漿 料層3，上的矩形圖案掩模5 ，即通過在每個(gè)平面內(nèi)具有矩形截面的圖案的掩 模形成。沿箭頭方向進(jìn)行噴砂，如圖8B所示，在每個(gè)最終阻擋肋3中形成 底切部分3a,如圖8C所示。因此，當(dāng)烘烤阻擋肋3時(shí)，懸垂在每個(gè)阻擋肋 3的底切部分3a的上部3b^f皮向上"^是升以突出遠(yuǎn)離底切部分3a，如圖8D所
引起阻擋肋3的部分而不是上部3b收縮，即由于底切部分3a，上部3b被提
升而不是收縮。
圖9A-9B分別示出根據(jù)示例1形成的內(nèi)阻擋肋和偽阻擋肋的截面的 SEM圖像。圖9A示出內(nèi)阻擋肋的500倍放大的SEM圖像，圖9B示出偽阻 擋肋的IOO倍放大的SEM圖像。圖10A-10B分別示出根據(jù)對(duì)比示例1形成 的內(nèi)阻擋肋和偽阻擋肋的SEM圖像。
由圖10A-10B可見，內(nèi)阻擋肋的高度是120|am,偽阻擋肋的高度是 13(Him。換句話說，第二PDP的阻擋肋具有不一致的高度，因?yàn)閭巫钃趵叩?端部向上突出(如區(qū)域E所示)從而增大了偽阻擋肋的高度。如圖9A-9B 中可見，內(nèi)阻擋肋的高度是118nm，偽阻擋肋的高度是117(im。換句話說， 第一 PDP的阻擋肋具有基本一致的高度，這意味著偽阻擋肋的端部在烘烤 期間沒有向上提升。如圖9B所示，中心部分I具有比外圍部分O更淺的顏 色，從而表明部分O是凸起的。
如上所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的偽阻擋肋的形成可以有利于防止阻擋 肋的邊緣沿向上的方向突出，從而改善了前面板與后面板彼此的接合，減小 PDP工作期間的振動(dòng)和噪音。
在此已經(jīng)公開了本發(fā)明的示范性實(shí)施例，盡管使用了特定的術(shù)語，但它們只以通常和描述的意義來使用和解釋，而不是為了限制。因此，本領(lǐng)域的 普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在形式和細(xì)節(jié)上做出各種變化而不背離如附加 的權(quán)利要書求中的本發(fā)明的的精神和范圍。
本申請(qǐng)要求于2007年12月5日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的名稱為"Plasma Display Panel and Method of Forming Barrier Rib(等離子體顯示4反及形成阻擋 肋的方法)"的韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 10-2007-0125758的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容以 引用方式合并在此。
權(quán)利要求
1. 一種等離子體顯示板，包括第一基板；第二基板，面對(duì)所述第一基板；內(nèi)阻擋肋，在所述第一基板與所述第二基板之間的所述等離子體顯示板的顯示區(qū)域中限定放電單元；至少一個(gè)偽阻擋肋，在所述第一基板與所述第二基板之間的所述等離子體顯示板的非顯示區(qū)域中，所述非顯示區(qū)域在所述顯示區(qū)域外面，所述偽阻擋肋包括至少一個(gè)彎曲端部以及在所述彎曲端部中的腔；放電電極，在所述第一基板與所述第二基板之間以在所述放電單元中產(chǎn)生放電；以及在每個(gè)所述放電單元中的至少一個(gè)磷光體層。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述偽阻擋肋的彎曲端部 具有橢圓形，所述腔在所述彎曲端部的中心。
3. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述偽阻擋肋的彎曲端部 具有橢圓形，所述腔偏離中心。
4. 如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述腔在所述彎曲端部的 中心與附著到所述彎曲端部的線性體之間。
5. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述偽阻擋肋的彎曲端部 具有圓形，所述腔在所述彎曲端部的中心或在所述中心與附著到所述彎曲端 部的線性體之間。
6. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，還包括互相平行的多個(gè)偽阻擋 肋，所述偽阻擋肋的彎曲端部水平或垂直地對(duì)齊。
7. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，還包括互相平行的多個(gè)偽阻擋 肋，所述偽阻擋肋的彎曲端部以Z字形布置。
8. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，還包括互相平行的多個(gè)偽阻擋 肋，所述偽阻擋肋的所述彎曲端部布置成斜線。
9. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述偽阻擋肋的彎曲端部 附著到線性體，所述彎曲端部的寬度大于所述線性體的寬度。
10. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述偽阻擋肋的彎曲端部附著到線性體，所述彎曲端部和所述線性體的高度基本相等。
11. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，還包括互相平行的多個(gè)偽阻 擋肋，最外面的所述偽阻擋肋的寬度大于其它的所述偽阻擋肋的每個(gè)的寬度。
12. —種形成等離子體顯示板的阻擋肋的掩模，該掩模包括至少一個(gè)阻 擋肋圖案，所述阻擋肋圖案包括線性體；附著到所述線性體的至少一個(gè)彎曲端部；以及 在所述彎曲端部中的腔。
13. —種形成等離子體顯示板的方法，包括在面對(duì)的第 一基板與第二基板之間的所述等離子體顯示板的顯示區(qū)域 中形成內(nèi)阻擋肋以限定放電單元；在所述第 一基板與所述第二基板之間的所述等離子體顯示板的非顯示 區(qū)域中形成至少一個(gè)偽阻擋肋，所述非顯示區(qū)域在所述顯示區(qū)域的外面，所 述偽阻擋肋包括至少 一個(gè)彎曲端部以及在所述彎曲端部中的腔；在所述第一基板與所述第二基板之間形成放電電極；以及在每個(gè)所述放電單元中形成至少一個(gè)磷光體層。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述偽阻擋肋包括以條狀圖案 形成多個(gè)所述偽阻擋肋。
15. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述偽阻擋肋包括 使所述偽阻擋肋的彎曲端部成形為具有橢圓形或圓形；以及 在所述彎曲端部的中心或在所述中心與附著到所述彎曲端部的線性體之間形成所述腔。
16. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述偽阻擋肋包括在阻擋肋材 料上形成偽阻擋肋圖案掩模，所述偽阻擋肋圖案掩模包括至少一個(gè)彎曲端部 和在所述彎曲端部中的腔。
17. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述偽阻擋肋還包括去除圍繞所述偽阻擋肋圖案掩模的所述阻擋肋材料的部分，從而所述阻 擋肋材料在所述偽阻擋肋圖案掩模下的部分被成形為對(duì)應(yīng)于所述偽阻擋肋 圖案掩模；以及去除所述偽阻擋肋圖案掩^f莫。
18. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述偽阻擋肋圖案掩模包括形 成具有彎曲端部的多個(gè)圖案，所述彎曲端部垂直地或者水平地對(duì)齊，或者斜 線地或以Z字形布置。
19. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述偽阻擋肋圖案掩模包括形 成具有彎曲端部的多個(gè)圖案，每個(gè)所述彎曲端部的寬度大于各自的所述圖案 的任何其它部分的寬度。
20. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述偽阻擋肋圖案掩模包括形 成多個(gè)圖案，所述多個(gè)圖案的最外面圖案的寬度大于任何其它圖案的寬度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種阻擋肋、包括該阻擋肋的等離子體顯示板及相關(guān)方法。等離子體顯示板(PDP)包括第一基板；面對(duì)第一基板的第二基板；內(nèi)阻擋肋，在第一基板與第二基板之間的PDP的顯示區(qū)域中以限定放電單元；至少一個(gè)偽阻擋肋，在第一基板與第二基板之間的PDP的非顯示區(qū)域中，非顯示區(qū)域在顯示區(qū)域外面，偽阻擋肋包括至少一個(gè)彎曲端部以及在彎曲端部中的腔；放電電極，在第一基板與第二基板之間以在放電單元中產(chǎn)生放電；以及每個(gè)放電單元中的至少一個(gè)磷光體層。
文檔編號(hào)H01J9/02GK101452800SQ200810184860
公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2008年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月5日
發(fā)明者洪種基 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社