專利名稱：基于等離子體的離子注入的法拉第劑量和均勻度監(jiān)測器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明所公開的方法和系統(tǒng)通常涉及用于工件的離子注入的等離子體摻雜系統(tǒng)，具體涉及用于測量注入工件的劑量和劑量的均勻度的方法和設備。
背景技術：
離子注入是用于將改變導電性的雜質引入半導體晶片的標準技術。在常規(guī)的離子注入系統(tǒng)中，將所希望的雜質材料在離子源中電離、將這些離子加速以此形成規(guī)定能量的離子束并且將離子束對準晶片的表面。射束中的高能離子穿透半導體材料的主體并嵌入半導體材料的晶格，以此形成所希望的導電性區(qū)域。
在某些應用中，有必要在半導體晶片中形成淺結，其中雜質材料限制在晶片表面附近的區(qū)域。在這些應用中，常規(guī)離子注入機的高能加速和相關的射束形成硬件是不必要的。因此，曾經(jīng)建議采用等離子體摻雜系統(tǒng)以此在半導體晶片中形成淺結。在等離子體摻雜系統(tǒng)中，將半導體晶片放置在作為陰極的導電壓板上。將含有所希望的摻雜材料的可電離氣體引入室中并且在壓板與陽極或室壁之間施加高壓脈沖，從而導致具有在晶片附近的等離子殼層的等離子體的形成。所施加的電壓導致等離子體中的離子穿過等離子體殼層并注入晶片中。注入深度與在晶片和陽極之間所施加的電壓有關。等離子體摻雜系統(tǒng)在美國專利No.5,354,381中進行了描述，該專利于1994年10月11頒發(fā)給了Sheng。
在前面所述的等離子體摻雜系統(tǒng)中，高壓脈沖產(chǎn)生等離子體并使從等離子體到晶片的陽離子加速。在稱為等離子體浸沒系統(tǒng)的其它類型的等離子體系統(tǒng)中，典型地通過施加射頻(RF)功率所產(chǎn)生的連續(xù)等離子體被保持在壓板與陽極之間。每隔一段時間，將高壓脈沖施加于壓板與陽極之間，從而導致等離子體中的陽離子朝著晶片被加速。
對涉及與注入晶片的累積離子劑量以及整個晶片表面的劑量均勻度有關的離子注入的半導體制造工藝有著嚴格的要求。所注入的劑量確定了注入?yún)^(qū)域的電活性，同時劑量均勻度需要確保半導體晶片上的所有器件具有規(guī)定限度內(nèi)的運行特性。撞擊目標或晶片的離子電流的精確測量需要控制注入工藝的時間，以便獲取可重復的離子注入劑量，而不降低工藝性能。根據(jù)必須在非常接近離子注入目標之處實施利用負DC偏壓加以脈沖以此實現(xiàn)來自等離子體的陽離子注入的事實來看，這種測量是復雜的。因此，在高電位時測得的離子電流信號信息必須耦合到供正在控制注入工藝時間的控制系統(tǒng)使用的接地電壓，。理想的是均勻度測量可并入離子電流測量結構。
正如前面提及的美國專利No.5,354,381所描述的，等離子體摻雜系統(tǒng)中劑量測量的一種現(xiàn)有技術的方法涉及通過高壓脈沖輸送到等離子體的電流的測量。然而，這種方法往往不準確。所測得的電流包括離子注入期間所產(chǎn)生的電子，并且把注入工件中的中性分子排除在外，即使這些中性分子對總劑量有貢獻。此外，由于測得的電流通過所注入的晶片，所以它取決于晶片的特性，而晶片的特性可能會產(chǎn)生測得的電流中的誤差。晶片的這些特性包括來自晶片上光刻膠的氣體排放、發(fā)射率、局部充電等。因此，對于相同的離子劑量來說，不同的晶片給出不同的測得電流。此外，所測得的電流脈沖包括可能引入測量誤差的大電容或位移電流分量。
E.Jones等人在IEEE Transactions on Plasma Science，Vol.25，No.1，F(xiàn)ebruary 1997，pp.42-52中對等離子體摻雜劑量測定法技術進行了描述。注入機電流和注入電壓的測量值用于確定單注入脈沖的注入分布。單脈沖的注入分布用于表明最終的注入分布和總注入劑量的特點。這種方法也不準確，部分是因為這種方法依賴于電源和氣體控制穩(wěn)定性以此確?？芍貜托缘氖聦?。此外，這種經(jīng)驗方法既耗時又費錢。
在涉及向晶片施加高能射束的常規(guī)離子注入系統(tǒng)中，典型地通過定位在目標晶片前面的法拉第杯或法拉第籠對累積離子劑量進行測量。法拉第籠典型地是導電罩，而且常常使晶片位于這種罩的下游端并構成法拉第系統(tǒng)的一部分。離子束穿過法拉第籠到達晶片并在法拉第籠中產(chǎn)生電流。將法拉第電流提供給電子劑量處理器，該處理器求出電流相對于時間的積分以此確定總的離子劑量。這種劑量處理器可以是用于控制離子注入機的反饋回路的一部分。
現(xiàn)有技術已公開了用于離子注入機的各種各樣的法拉第籠配置。1979年1月16頒發(fā)給Forneris等人的美國專利No.4,135,097、1984年2月21日頒發(fā)給Turner的美國專利No.4,433,247、1983年12月20日頒發(fā)給Robertson等人的美國專利No.4,421,988、1984年7月31日頒發(fā)給Robertson等人的美國專利No.4,463,255、1982年11月30日頒發(fā)給Douglas的美國專利No.4,361,762、1988年11月22日頒發(fā)給Kolondra等人的美國專利No.4,786,814和1986年6月17日頒發(fā)給Wu等人的美國專利No.4,595,837公開了置于半導體晶片前面的法拉第籠。1980年10月14日頒發(fā)給Ryding的美國專利No.4,228,358、1980年11月18日頒發(fā)給Ryding的美國專利No.4,234,797和1986年5月6日頒發(fā)給Farley的美國專利No.4,587,433公開了置于轉盤后面的法拉第籠。
正如在1988年6月14日頒發(fā)給Corey，Jr等人的美國專利No.4,751,393中所公開的，還利用角杯布置在常規(guī)的高能離子注入系統(tǒng)中進行劑量和劑量均勻度的測量。具有中心開口的掩模被置于離子束的路徑上。該離子束對掩模的區(qū)域進行掃描，其中部分穿過中心開口并撞擊晶片。小型法拉第杯位于掩模的四個角并感測這些位置的射束電流。
2000年4月18日頒發(fā)給Chen等人的美國專利No.6,050,218、2000年8月15日頒發(fā)給Denholm等人的美國專利No.6,101,971和2000年2月1日頒發(fā)給Liebert等人的美國專利No.6,020,592描述了其它的法拉第杯配置。Chen等人和Denholm等人的專利描述了用于法拉第杯的靜電抑制的用法，這可通過“微弧放電”導致粒子污染。Liebert等人的專利描述了位于掩模與法拉第杯入口之間的磁場用于提供二次電子的磁抑制。然而，磁場擾動可能導致測量誤差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開的系統(tǒng)和方法可包括等離子體摻雜系統(tǒng)，該等離子體摻雜系統(tǒng)具有等離子體摻雜室、安裝在等離子體摻雜室中用于支撐工件(如半導體晶片)的通常呈圓形的壓板、耦合至所述室的可電離氣體源、與壓板隔開的陽極和用于在壓板與陽極之間施加高壓脈沖的脈沖源。高壓脈沖產(chǎn)生具有在工件附近的等離子殼層的等離子體。高壓脈沖使陽離子加速越過等離子體殼層朝著壓板用于注入工件。等離子體摻雜設備包括至少一個位于壓板附近并環(huán)繞壓板的環(huán)狀法拉第杯，用于收集加速越過等離子體殼層的陽離子樣本。該樣本表示注入工件的陽離子的劑量。
孔寬度和厚度以及法拉第杯的深度比如將提供既淺又窄的法拉第，其可降低開口內(nèi)的放電。法拉第杯的離子收集電極可具有連續(xù)的方位截面，其可消除由于方位對稱中的中斷而引起的放電。等離子體和注入擾動可通過利用具有隨距離非?？焖俳档偷膱鰪姷拇乓种茍龆档阶钚。@種快速降低可通過使北極和南極彼此非常接近來實現(xiàn)。
這種場通?？扇∠驗閺较蛟竭^收集電極，但是抑制磁體可提供交變方位磁場分量，以便在相鄰磁體的相反方向上旋轉徑向取向，這可減小二次電子平均自由行程。磁抑制場可包括具有徑向和方位分量的場，或者具有主要方位分量的場。方位場分量可通過交變極性的多個垂直取向的磁體來產(chǎn)生，或者通過使用磁場線圈來產(chǎn)生，如通過使用螺線管的回流場來產(chǎn)生。方位和徑向分量均可通過具有交變傾斜的磁極的多個水平取向的磁體來產(chǎn)生，以使通常徑向的極取向在電子上產(chǎn)生主要方位力，而傾斜產(chǎn)生徑向分量。正如這里所用到的，徑向和方位方向一般是指相對于壓板或晶片的水平方向。
法拉第孔可具有不同半徑下獨立測得的開口。不同半徑下的電流密度的差異可用于監(jiān)測等離子體均勻度中的變化。此外，劑量電子器件可提供高壓下的脈沖電流的積分，而且可將這種集成電荷轉變成光耦合至劑量控制器的光脈沖序列。
在一個實施例中，等離子體摻雜設備可包括等離子體摻雜室、安裝在等離子體摻雜室中用于支撐工件的壓板、含有注入工件的所希望的摻雜劑并且耦合至所述室的可電離氣體源、用于產(chǎn)生具有在工件附近的等離子體殼層的等離子體的等離子體源，等離子體含有可電離氣體的陽離子并且等離子體源使陽離子加速越過等離子體殼層并朝著壓板用于注入工件，所述設備還包括環(huán)狀法拉第杯和磁場發(fā)生機構，所述環(huán)狀法拉第杯被設置在壓板周圍用于收集加速越過等離子體殼層的陽離子的樣本，其中所述樣本表示注入工件的陽離子數(shù)，所述磁場發(fā)生機構被定位成可在法拉第杯的收集表面產(chǎn)生磁場用于抑制二次電子從法拉第杯的選出。
在一個方面，該裝置可包括位于收集表面下的交變極性的多個垂直對齊的磁體?？墒勾艌鋈∠虺墒占砻娴姆轿唤遣⑶彝ǔＦ叫杏谑占砻妫糜谝龑Ф坞娮訌较虺蚍ɡ诒膫缺?。場線圈磁體或位于收集表面下的多個水平對齊的磁體可產(chǎn)生磁場。水平對齊的磁體可具有方位交變的極性，以此產(chǎn)生具有通常平行于收集表面的方位分量的磁場。水平對齊的磁體可由成對的相同極性的水平對齊的磁體形成?？墒勾艌鋈∠驗閺较虿⑵叫杏谑占砻妫糜谠诜ɡ诒袕姆轿簧弦龑龆坞娮?。磁場可具有方位分量。
在一個方面，多個水平對齊的磁體可產(chǎn)生取向為徑向并且通常平行于收集表面的磁場，其中這些磁體中的一個或多個產(chǎn)生具有方位分量的磁場。產(chǎn)生具有方位分量的磁場的磁體可形成相對于環(huán)狀法拉第杯的半徑的切線的角度，并且這些磁體中的交變磁體可形成相對于該切線的補角。
該設備可包括設置在壓板周圍的屏蔽環(huán)，并且可將法拉第杯定位在屏蔽環(huán)內(nèi)。屏蔽環(huán)可具有一個或多個在法拉第杯的開口上方延伸的水平凸部以此減小開口的有效寬度。法拉第杯的收集表面的寬度可大于法拉第杯的開口的寬度。通過將至少一個側壁逐漸變細，法拉第杯的側壁之間的寬度可隨著法拉第杯的深度增加而增加。
該設備可包括被定位成可降低在工件處產(chǎn)生的磁場并被配置成可加強法拉第杯中磁場的磁屏蔽?？蓪⒋牌帘闻渲贸梢粚νǖ赖男螤?，具有通常平行于法拉第杯的側壁而延伸的網(wǎng)和在朝著所述法拉第杯的開口的方向上延伸的凸緣。在一個方面，磁屏蔽可包括被定位成平行于法拉第杯的側壁并且與法拉第杯的開口相對的一對板。
在等離子體摻雜設備的一個實施例中，所述等離子體摻雜設備包括等離子體摻雜室、安裝在等離子體摻雜室中用于支撐工件的壓板、耦合至所述室的可電離氣體源、用于產(chǎn)生具有在工件附近的等離子體殼層的等離子體的等離子體源，可電離氣體含有注入工件的所希望的摻雜劑，等離子體含有可電離氣體的陽離子并且等離子體源使陽離子加速越過等離子殼層并朝著壓板用于注入工件，對該設備的改進可包括環(huán)狀法拉第杯和磁場發(fā)生機構，所述環(huán)狀法拉第杯被設置在壓板周圍用于收集加速越過等離子體殼層的陽離子的樣本，所述樣本表示注入工件的陽離子數(shù)，所述磁場發(fā)生機構在法拉第杯的收集表面產(chǎn)生磁場用于抑制二次電子從所述法拉第杯的逸出。
在一個實施例中，被設置在等離子體摻雜設備中壓板附近用于收集加速越過等離子體殼層的陽離子樣本的法拉第杯可包括磁場發(fā)生機構，所述磁場發(fā)生機構被定位成可在所述法拉第杯的收集表面產(chǎn)生磁場用于抑制二次電子從法拉第杯的逸出。
在一個實施例中，提供了一種監(jiān)測等離子體摻雜設備中注入工件的陽離子的劑量的方法，所述等離子體摻雜設備具有等離子體摻雜室、安裝在等離子體摻雜室中用于支撐工件的壓板、含有注入工件的所希望的摻雜劑并且耦合至所述室的可電離氣體源和用于產(chǎn)生具有在工件附近的等離子體殼層的等離子體的等離子體源，該方法包括利用置于壓板附近的環(huán)狀法拉第杯收集加速越過等離子體殼層的陽離子樣本并且在非常接近于法拉第杯的收集表面處產(chǎn)生磁場以此抑制二次電子從法拉第杯的逸出，所述樣本表示注入工件的陽離子數(shù)。
在下文中，考慮到說明書和附圖，本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點將變得顯而易見。


圖1示出了示范的等離子體摻雜系統(tǒng)的示意圖；圖2示出了圖1的等離子體摻雜系統(tǒng)的局部平面示意圖；
圖3示出了法拉第杯和屏蔽環(huán)的局部截面示意圖；圖4a示意性地示出了法拉第杯的收集表面下的磁體布置；圖4b示意性地示出了法拉第杯的收集表面下的另一種磁體布置；圖5示出了法拉第杯、屏蔽環(huán)和場線圈磁體的局部截面示意圖；圖6示出了法拉第杯、屏蔽環(huán)和用于產(chǎn)生徑向磁場的磁體的局部截面示意圖；圖7示意性地示出了法拉第杯的收集表面下的磁體布置；圖8示出了具有多個環(huán)狀法拉第杯的等離子體摻雜系統(tǒng)的局部平面示意圖；圖9示出了具有逐漸變細的側壁的法拉第杯的局部截面示意圖；以及圖10示出了具有磁屏蔽的法拉第杯的局部截面示意圖。
具體實施例方式為了提供全面的理解，現(xiàn)在將對某些說明性的實施例進行描述，然而，本領域普通的技術人員將會理解，在沒有背離這里所描述的系統(tǒng)和方法的情況下，可以改變和修改這里所描述的系統(tǒng)和方法以此提供用于其它適當應用的系統(tǒng)和方法，并且可以進行其它的增加和修改。
除非另有規(guī)定，所說明的實施例可理解為提供了某些實施例的變化細節(jié)的示范特征，并且因此，除非另有規(guī)定，在沒有背離所公開的系統(tǒng)或方法的情況下，示例的特征、部件、模塊和/或方面可以其它的方式進行合并、分離、互換和/或重新排列。此外，部件的形狀和尺寸也是示范性的，而且除非另有規(guī)定，在不影響所公開的系統(tǒng)或方法的情況下，可以改變部件的形狀和尺寸。
本公開內(nèi)容包括環(huán)繞襯底或目標晶片的磁抑制法拉第杯。孔的寬度和厚度以及法拉第杯的深度將比如提供既淺又窄的法拉第，其可降低開口內(nèi)的放電。法拉第杯的離子收集電極可具有在方位上連續(xù)的截面，其可消除由于方位對稱中的中斷而引起的放電。法拉第孔可具有在不同半徑下獨立測得的開口。不同半徑下的電流密度的差異可用于監(jiān)測等離子體均勻度中的變化。此外，劑量電子器件可提供高壓下的脈沖電流的積分，而且可將這種集成電荷轉變成光耦合至劑量控制器的光脈沖序列。
利用具有隨距離非常快速降低的場強的磁抑制場可將磁感應等離子體和注入擾動降到最小。形成抑制場的磁體可使其北極和南極彼此非常接近。這種場通?？扇∠驗閺较蛟竭^收集電極，但是抑制磁體可具有交變極性，以便在相鄰磁體的相反方向上旋轉徑向取向，這可減小二次電子平均自由行程。磁抑制場可包括具有徑向和方位分量的場，或者具有主要方位分量的場。方位場分量可通過交變極性的多個垂直取向的磁體來產(chǎn)生，或者通過使用磁場線圈來產(chǎn)生，如通過使用螺線管的回流場來產(chǎn)生。方位和徑向分量均可通過具有交變傾斜的磁極的多個水平取向磁體來產(chǎn)生，以使通常徑向的極取向在電子上產(chǎn)生主要方位力，而傾斜產(chǎn)生徑向分量。
圖1示意性地示出了依照上述的示范性等離子體摻雜系統(tǒng)。等離子體摻雜室10限定了封閉的容積12。位于室10中的壓板14提供了支持工件(如半導體晶片20)的表面。例如，可使晶片20的周邊夾持在壓板14的平坦表面。壓板14支撐晶片20并提供到晶片20的電連接。在一個實施例中，壓板具有用于支撐晶片20的導電表面。在另一個實施例中，壓板包括用于電連接到晶片20的導電引腳。
陽極24位于室10內(nèi)并與壓板14呈間隔關系。陽極24在以箭頭26所示的垂直于壓板14的方向上是可移動的。陽極24典型地連接到室10的導電壁，陽極24和該導電壁均可接地?？招年帢O28位于室10中以及環(huán)繞陽極24、壓板14和晶片20并且與它們隔開。
晶片20和陽極24連接到第一高壓脈沖發(fā)生器30，以使晶片20起到陰極的作用。脈沖發(fā)生器30典型地提供范圍約為20至20,000伏特、持續(xù)時間約為5至100微秒以及脈沖重復率約為500Hz至20KHz的脈沖。所給出的這些脈沖參數(shù)值僅是示例，而且在本發(fā)明的范圍內(nèi)可預計其它的值和范圍。此外，空心陰極28和該陽極可連接到第二高壓脈沖發(fā)生器31，脈沖發(fā)生器31可提供產(chǎn)生用于非常低的能量注入的等離子體的備選機構。
室10的封閉容積12通過可控閥32耦合至真空泵34。氣體源36通過質量流量控制器38耦合至室10。位于室10中的壓力傳感器44向控制器46提供指示室壓力的信號?？刂破?6將感測到的室壓力和所希望的壓力輸入進行比較并向閥32提供控制信號?？刂菩盘枌﹂y32進行控制以便將室壓力和所希望的壓力之間的差異降到最小。真空泵34、閥32、壓力傳感器44和控制器46構成閉環(huán)壓力控制系統(tǒng)。壓力典型地控制在約1微米汞柱至約500微米汞柱的范圍內(nèi)，但并不僅限于此范圍。氣體源36供應含有用于注入工件中的所希望的摻雜劑的可電離氣體?？呻婋x氣體的例子包括BF3、N2、Xe、Ne、He、Ar、PF5、PH3、AsH3、AsF5、AsF3和B2H6。質量流量控制器38調節(jié)向室10供氣的速度。圖1示出的配置以恒定的氣體流速和恒定的壓力提供連續(xù)的工藝氣體流。優(yōu)選地對壓力和氣體流速進行調節(jié)以此提供可重復的結果。
在操作時，將晶片20定位在壓板14上。然后，壓力控制系統(tǒng)、質量流量控制器38和氣體源36在室10內(nèi)產(chǎn)生所希望的壓力和氣體流速。作為一個示例，室10可在10微米汞柱壓力下與BF3氣體一起操作。脈沖發(fā)生器30向晶片20施加一系列的高壓脈沖，從而在晶片20與陽極24之間導致等離子體40的形成。正如本領域所熟知的，等離子體40含有來自氣體源36的可電離氣體的陽離子。等離子體40還包括在壓板14附近的等離子體殼層42。在高壓脈沖期間出現(xiàn)于陽極24和壓板14之間的電場將來自等離子體40的陽離子加速越過等離子體殼層42并朝向壓板14。將加速離子注入晶片20以此形成雜質材料區(qū)域。對脈沖電壓進行選擇以此將陽離子注入晶片20中所希望的深度。對脈沖數(shù)和脈沖持續(xù)時間進行選擇以此在晶片20中提供所希望劑量的雜質材料。每個脈沖的電流是脈沖電壓、氣體壓力和種以及電極的任何可變位置的函數(shù)。例如，陰極至陽極的間隔可以針對不同的電壓進行調節(jié)。
再次參看圖2，該圖是圖1的等離子體摻雜系統(tǒng)的局部平面示意圖，環(huán)狀法拉第杯80位于晶片20和壓板14的周圍。環(huán)狀法拉第杯80具有離子電流的局部變化圍繞晶片20的周邊被平均的優(yōu)點。法拉第杯80可位于環(huán)狀屏蔽環(huán)82內(nèi)。法拉第杯80優(yōu)選地如在實踐中那樣位于接近晶片20和壓板14的位置并截取從等離子體40到壓板14的加速陽離子樣本。然而，法拉第杯80可具有相對于晶片20的其它位置，這些位置提供表示注入晶片20的離子電流的測量。法拉第杯80包含具有面向等離子體40的入口60的導電外殼。
法拉第杯80電連接到劑量處理器70或其它劑量監(jiān)測電路。通過入口60進入法拉第杯80的陽離子在連接到法拉第杯80的電路中產(chǎn)生電流。電流表示每單位時間所接收的陽離子數(shù)或者離子電流密度。假定由法拉第杯80所接收的離子電流密度具有與每單位時間注入晶片20的離子數(shù)的固定關系。取決于等離子體40的均勻度和朝向壓板14的離子加速的均勻度，由法拉第杯80所接收的每單位面積離子電流可能基本上等于注入晶片20的每單位面積離子電流或者是注入晶片20的每單位面積離子電流的固定部分。由于法拉第杯80的電流輸出表示注入晶片20的離子電流，所以法拉第杯80提供了注入晶片20中的離子劑量的測量。
如上所示，表示離子電流的電信號可從法拉第杯80供給劑量處理器70。在一個實施例中，來自法拉第杯80的電流可直接供給位于室10外部的劑量處理器70。在另一個實施例中，預處理電路(圖中未示出)可位于非常接近壓板14的位置并且可在壓板14的電壓下操作。該電路可預處理法拉第杯80的輸出并將結果供給劑量處理器70。
輸送至晶片20的總離子劑量是對注入時間積分的瞬時離子電流。劑量處理器70典型地可包括用于積分法拉第杯80的輸出的電路。這種積分器可利用常規(guī)的積分器電路、電荷靈敏放大器或者用于執(zhí)行積分功能的任何其它適當?shù)碾娐?。已知劑量處理器配置與常規(guī)的離子注入機有關。
屏蔽環(huán)82可環(huán)繞壓板14并且可將其偏置以確保在晶片20的邊緣附近所注入離子的相對均勻分布。如前所述，法拉第杯80可位于晶片20和壓板14周邊附近的屏蔽環(huán)82內(nèi)。屏蔽環(huán)82的側壁84可包括在法拉第杯80的入口60上方延伸以此有效地減小進入法拉第杯80的開口的水平凸部86。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，二次電子可由撞擊法拉第杯80的側壁的離子產(chǎn)生，其可導致法拉第杯80內(nèi)的放電。使開口變窄可降低法拉第杯80內(nèi)的電位降，其可導致法拉第杯80內(nèi)改進的電子約束。
作為示例，法拉第杯80的開口60可具有范圍在約0.03至0.25英寸的寬度并且杯的深度范圍約為0.125至1.0英寸。對于這種示范性法拉第杯，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在開口60上方延伸以使凸部86之間的開口在1/16″范圍內(nèi)的屏蔽環(huán)82的水平凸部86減少了放電。法拉第杯80、凸部86以及凸部86之間的開口的尺寸可取決于離子注入設備的運行特性。可確定該孔的尺寸以此限制穿透法拉第杯開口60的電場，以使電位變化大大低于用于電離碰撞的閾值，如小于10eV。
參看圖3，圖中示出了法拉第杯80和屏蔽環(huán)82的局部截面示意圖。磁體90可定位在低于法拉第杯80的位置以此提供二次電子的磁抑制。磁體90的磁極可相互非常接近以此提供具有隨距離非常迅速降低的場強的磁抑制場以使與電流磁抑制配置相比晶片20處的剩余磁場被大大降低。例如，對于這里所描述的配置，典型的剩余磁場可低于5高斯。
可產(chǎn)生范圍約為100至2,000高斯的磁場B的磁體90可產(chǎn)生上述的結果，磁體90包括釤-鈷(S-C)磁體或陶瓷磁體。單個磁體可以是桿形或圓柱形，其尺寸范圍為0.03至0.25英寸并且厚度范圍為0.1至1.0英寸。單個磁體90之間的間隔范圍為0.01至0.5英寸。可以預計其它的范圍、形狀和材料，其可增強和/或降低電子約束和晶片20處的剩余磁場。正如圖2所看到的，圖3示出的法拉第杯80的截面在整個環(huán)狀法拉第杯80上可以是連續(xù)的。目前，具有磁抑制的環(huán)狀法拉第杯可包括多個中斷以避免法拉第杯內(nèi)部的磁控管型放電。正如這里進一步描述的，在方位對稱中沒有這樣的中斷的情況下，這種電流設計將放電降到最小。
圖4a和4b示意性地示出了法拉第杯80的收集表面80a下的磁體布置和所產(chǎn)生的磁場B。對于圖4a的實施例來講，磁場B可由多個點磁體51產(chǎn)生，每個點磁體具有垂直對齊的極并沿著法拉第杯80的中心線布置，且具有交變的北極和南極。對于圖4b的實施例來講，磁場B可由多個磁體61產(chǎn)生，每個磁體具有水平對齊的極并沿著法拉第杯80的中心線布置，且具有交變的極性。圖4b將磁體61示為具有相同極性的成對磁體61a、61b，盡管可以預計多個和/或單個磁體的其它布置。通過交變磁體51和61的極，磁體51和61可產(chǎn)生具有平行于收集表面80a的顯著的方位分量的磁場B。此外，圖4a和4b所示出的配置可重新引導二次電子的移動朝向收集器的側壁88以此進一步改進法拉第杯80內(nèi)的電子約束。
在圖5所示的另一種配置中，磁場B可由磁場線圈92產(chǎn)生。在這種配置中，將磁場B取向為徑向且B中的電子移動為角向。雖然并沒有像圖4中所示出的配置那樣提供電子約束程度，但場線圈92的使用仍可提供有用的二次電子的抑制。場線圈92的使用可通過改變線圈92中的電流來為改變磁場的強度做好準備。此外，與具有有限磁體組的布置相比，線圈92可提供更均勻的磁場。
在圖6所示的另一種配置中，可使磁體94沿著法拉第杯80的中心線布置，且交變的北極和南極水平對齊。如圖所示，可將磁場B取向為徑向且可引導電子移動朝向收集器表面80a。如圖5和6所示，對于主要徑向磁場來講，周期性或連續(xù)的方位對齊磁場的增加可起到禁止由環(huán)狀法拉第杯80內(nèi)的方位電子運動所導致的磁控管型放電的作用。
圖7示意性示出了圖7的輪廓線中所示的法拉第杯80的收集表面80a下的磁體96的布置的局部平面圖。磁體96可以圖6的磁體94的方式水平取向。如圖7所示，將磁體96徑向極化以此在法拉第杯80中的電子上提供通常方位力(用力線ExB表示)。可相對于法拉第杯80使一個或多個磁體96傾斜，以此向力線ExB所示的力提供徑向分量。如上所述，徑向分量可禁止環(huán)狀法拉第杯80內(nèi)的方位電子運動所導致的磁控管型放電。
對于圖7的示意圖來講，可使磁體96交替傾斜，盡管向在電子上起作用的力提供徑向分量不必受限于圖7所示的布置。正如這里所用到的，術語傾斜可指磁體的力線形成相對于法拉第杯80的半徑的切線的角度。對于圖7的示意圖來講，可使成對的磁體傾斜以此形成相對于該切線的補角。可預計磁體96的其它布置，以此在沿著環(huán)狀法拉第杯80的一個或多個點處向力提供徑向分量，包括以非補角傾斜、僅部分磁體傾斜、交變一個或多個磁體的極性、將產(chǎn)生方位場B的磁體散置于產(chǎn)生徑向場B的磁體當中、和/或本領域技術人員預計的其它布置。
根據(jù)另一方面，不同半徑下的兩個或更多法拉第杯可用于獲取劑量均勻度的測定。正如這里所用到的，劑量均勻度是在晶片20的表面面積上注入的離子的均勻度。圖8示出了類似于圖2視圖的局部平面示意圖。在這種示范性配置中，等離子體摻雜系統(tǒng)10除了包括法拉第杯80之外還可包括環(huán)狀法拉第杯80′和80″。為了清楚起見，僅在圖8中示出了每個法拉第杯80、80′和80″以及各自對應的屏蔽82、82′和82″的輪廓，盡管法拉第杯80′和80″以及屏蔽82′和82″的配置可以是如這里所描述的法拉第杯80和屏蔽82的配置。不同半徑下的不同電流密度的差異可用于監(jiān)測等離子體均勻度中的變化。當劑量不均勻時，法拉第杯80、80′和80″接收不同的離子電流密度。因此，可將法拉第杯的電流輸出相互比較或者與參考值比較以獲取均勻度的測定。因此，例如，如果一個或多個法拉第杯提供與其它的法拉第杯不同的離子電流密度，考慮到標準徑向密度梯度，于是指示非均勻離子注入。例如，非均勻注入的指示可用于比如通過停止或改變離子注入來控制工藝。
在圖9示出的實施例中，可對法拉第杯80的側壁88的配置進行修改以增加收集表面80a的寬度，同時保持開口60的寬度。側壁88的內(nèi)部可包括逐漸變細的側壁部分98，以使側壁之間的距離隨著進入法拉第杯80的深度增加而增加。出于說明的目的，所示出的逐漸變細的側壁部分98隨著深度對稱地且線性地增加這種距離。然而，可預計逐漸變細的側壁部分的其它配置，包括非對稱逐漸變細、非線性逐漸變細、僅將一個側壁逐漸變細、和/或僅將一個側壁或者兩個側壁的若干部分逐漸變細。在具有增加的收集表面80a后，法拉第杯80可包括增加的電子接收和減少的對側壁88的撞擊。
在圖10示出的實施例中，可設置磁屏蔽100以降低晶片處的磁場。屏蔽100可用鐵、鋼或者能夠提供所希望的磁屏蔽的其它材料制成。取決于屏蔽100的配置，可加強法拉第杯80內(nèi)的磁場。例如，屏蔽100可被配置成具有下凸緣100a和上凸緣100c的兩個通道的形狀，下凸緣100a從法拉第杯80下的磁體90的任何一側相對地水平延伸，其中網(wǎng)100b垂直于法拉第杯80的任何一側延伸并且上凸緣100c從網(wǎng)1 00b朝向法拉第杯80的開口60水平延伸?？深A計其它的配置，包括一個或多個凸緣100a、100c和/或網(wǎng)100b以及凸緣100a、100b和/或網(wǎng)100b的其它位置，如將網(wǎng)100b定位于法拉第杯80的側壁88內(nèi)，或者將上凸緣100c定位于法拉第杯80上方的位置。
已經(jīng)如此描述過的內(nèi)容包括等離子體摻雜系統(tǒng)，這種等離子體摻雜系統(tǒng)具有等離子體摻雜室、安裝在等離子體摻雜室中用于支撐工件(如半導體晶片)的壓板、耦合至所述室的可電離氣體源、與壓板隔開的陽極和用于在壓板與陽極之間提供高壓脈沖的脈沖源。高壓脈沖可產(chǎn)生具有在工件附近的等離子體殼層的等離子體。高壓脈沖使陽離子加速越過等離子體殼層朝著壓板用于注入工件。等離子體摻雜設備可包括至少一個位于壓板附近并環(huán)繞壓板用于收集加速越過等離子體殼層的陽離子樣本的環(huán)狀法拉第杯。該樣本可表示注入工件的陽離子的劑量。
孔的寬度和厚度以及法拉第杯的深度可比如提供既淺又窄的法拉第杯，其可降低開口內(nèi)的放電。法拉第杯的離子收集電極可具有連續(xù)的截面，其可以消除由于方位中斷而引起的放電。等離子體和注入擾動可通過利用具有隨距離非?？焖俳档偷膱鰪姷拇乓种茍龆档阶钚。淇赏ㄟ^使北極和南極彼此非常接近來實現(xiàn)。
這種場可通常取向為徑向越過收集電極，但可將抑制磁體偏置，以便在相鄰磁體的相反方向上旋轉徑向取向，其可減小二次電子平均自由行程。磁抑制場可包括具有徑向和方位分量的場，或者具有主要方位分量的場。方位場分量可通過交變極性的多個垂直取向的磁體來產(chǎn)生，或者通過使用磁場線圈來產(chǎn)生，如通過使用螺線管的回流場來產(chǎn)生。
法拉第孔可具有在不同半徑下獨立測得的開口。不同半徑下的電流密度的差異可用于監(jiān)測等離子體均勻度中的變化?？墒狗ɡ诒膫缺谥饾u變細以此增加電子接收并減少電子對側壁的撞擊?？稍诜ɡ诒車O置磁屏蔽以此降低晶片處的磁場和/或加強法拉第杯內(nèi)的磁場。
這里所描述的系統(tǒng)和方法不限于特定的硬件和軟件配置，并且可用于許多基于等離子體的離子注入環(huán)境，包括連續(xù)波和脈沖等離子體源。例如，法拉第杯可與許多晶片加工方法一起使用，包括但并不限于空心陰極脈沖生成的等離子體、晶片偏壓脈沖生成的等離子體和/或連續(xù)或脈沖RF、微波、或其他形式的生成的等離子體。這里所描述的用于改進的法拉第杯監(jiān)測的磁抑制和/或其它技術也可適合與附圖中所描述的示范性環(huán)狀法拉第杯以外的法拉第杯一起使用，包括沒有連續(xù)方位對稱的環(huán)狀法拉第杯、和/或位于壓板14周圍的離散的法拉第杯。此外，脈沖電流的控制和劑量控制器可在硬件或軟件中實現(xiàn)，或者可在硬件與軟件的結合中實現(xiàn)。
在軟件中實現(xiàn)時，這些方法和系統(tǒng)可在一個或多個計算機程序中實現(xiàn)，其中計算機程序可以理解為包括處理器可執(zhí)行的一個或多個指令。這些計算機程序可在一個或多個可編程處理器上執(zhí)行，而且可存儲在通過處理器、一個或多個輸入裝置和/或一個或多個輸出裝置可讀取的一個或多個存儲介質上(包括易失性和非易失性存儲器和/或存儲元件)。因此，處理器可訪問一個或多個輸入裝置以此獲取輸入數(shù)據(jù)并且可訪問一個或多個輸出裝置以此與輸出數(shù)據(jù)通信。輸入和/或輸出裝置可包括以下各項的一種或多種隨機存取存儲器(RAM)、獨立磁盤冗余陣列(RAID)、軟盤驅動器、CD、DVD、磁盤、內(nèi)置硬驅動器、外置硬驅動器、記憶棒或者能夠通過如這里所設置的處理器訪問的其它存儲裝置，其中這種前述的示例并未窮舉并且是為了說明而不是限制。
優(yōu)選地可利用一種或多種高級程序的或者面向對象的編程語言與計算機系統(tǒng)通信來實現(xiàn)計算機程序，然而，如果需要的話，可以用匯編語言或機器語言來實現(xiàn)一種或多種程序。這種語言可以被編譯或者被解釋。
正如這里所提供的，一個或多個控制器和/或處理器可因此被嵌入可獨立操作或者在網(wǎng)絡環(huán)境中一起操作的一種或多種裝置之中，其中網(wǎng)絡可包括比如局域網(wǎng)(LAN)、廣域網(wǎng)(WAN)、和/或可包括內(nèi)部網(wǎng)和/或國際互聯(lián)網(wǎng)和/或另一種網(wǎng)絡。這些網(wǎng)絡可以是有線的或者是無線的或者是它們的結合，并且可使用一種或多種通信協(xié)議以便于在不同處理器之間進行通信。可對這些處理器進行配置以此用于分布處理，而且在一些實施例中，當需要時，這些處理器可使用客戶-服務器模式。因此，這些方法和系統(tǒng)可利用多個處理器和/或處理器裝置，而且可將處理器指令在這些單個或多個處理器/裝置之間分配。
與處理器集成的裝置或計算機系統(tǒng)可包括如個人計算機、工作站(如Sun、HP)、個人數(shù)字助理(PDA)和手持裝置(如蜂窩式電話)、膝上型、手持式或能夠與如這里所提供的進行操作的處理器集成的另一種裝置。因此，這里所提供的裝置并未窮舉并且是用來說明而不是限制的。
“處理器”或“該處理器”的涵義可理解為包括能夠在單機和/或分布環(huán)境中通信的一個或多個處理器并且因此可被配置成可通過有線或無線通訊系統(tǒng)與其它處理器進行通信，其中這樣的一個或多個處理器可被配置成可在可能是相同或不同的一個或多個處理器控制的裝置上操作。此外，除非另有說明，存儲器的涵義可包括處理器可讀并可訪問的一個或多個存儲器元件和/或部件，這些存儲器元件和/或部件可以在處理器控制的裝置的內(nèi)部，也可在處理器控制的裝置的外部，而且可通過采用多種通信協(xié)議的有線或無線網(wǎng)絡進行訪問，并且除非另有說明，這些存儲器元件和/或部件可以被布置成包括外部和內(nèi)部存儲裝置的組合，其中根據(jù)應用，這種存儲器可以是鄰接的和/或分隔的。因此，數(shù)據(jù)庫的涵義可理解為包括一個或多個存儲器組群，其中這種涵義可包括市場上可買到的數(shù)據(jù)庫產(chǎn)品(如SQL、Informix和Oracle)和專有數(shù)據(jù)庫，并且還可包括用于相關存儲器的其它結構，如鏈路、隊列、圖表、樹，其中這些結構是用來說明而不是限制的。
本領域的技術人員可對這里所描述和說明的細節(jié)、材料和部件的布置進行許多另外的修改。因此，將會了解，下面的權利要求不受限于這里所公開的實施例，它可包括除特別描述之外的實踐并且可在法律的范圍內(nèi)進行廣泛的解釋。
權利要求
1.一種等離子體摻雜設備，包含等離子體摻雜室；壓板，安裝在所述等離子體摻雜室中用于支撐工件；可電離氣體源，耦合至所述室，所述可電離氣體含有注入所述工件的所希望的摻雜劑；等離子體源，用于產(chǎn)生具有在所述工件附近的等離子體殼層的等離子體，所述等離子體含有所述可電離氣體的陽離子，并且所述等離子體源用于使所述陽離子加速越過所述等離子體殼層朝向所述壓板以注入所述工件；環(huán)狀法拉第杯，被設置在所述壓板周圍用于收集加速越過所述等離子體殼層的所述陽離子的樣本，所述樣本表示注入所述工件的陽離子數(shù)；以及磁場發(fā)生機構，被定位成可在所述法拉第杯的收集表面產(chǎn)生磁場用于抑制二次電子從所述法拉第杯的逸出。
2.如權利要求1所述的設備，其中所述磁場發(fā)生機構包含位于所述收集表面下的交變極性的多個垂直對齊的磁體。
3.如權利要求1所述的設備，其中所述磁場發(fā)生機構產(chǎn)生取向為所述收集表面的方位角且通常平行于所述收集表面的磁場，用于引導所述二次電子徑向朝向所述法拉第杯的側壁。
4.如權利要求1所述的設備，其中所述磁場發(fā)生機構包含位于所述收集表面下的場線圈磁體。
5.如權利要求1所述的設備，其中所述磁場發(fā)生機構包含位于所述收集表面下的多個水平對齊的磁體。
6.如權利要求5所述的設備，其中所述水平對齊的磁體具有方位交變的極性以此產(chǎn)生具有通常平行于所述收集表面的方位分量的磁場。
7.如權利要求6所述的設備，其中每個所述水平對齊的磁體包含水平對齊且極性相同的一對磁體。
8.如權利要求1所述的設備，其中所述磁場發(fā)生機構產(chǎn)生取向為徑向且通常平行于所述收集表面的磁場，用于在所述法拉第杯內(nèi)從方位上引導所述二次電子。
9.如權利要求8所述的設備，其中所述磁場發(fā)生機構產(chǎn)生具有方位分量的磁場。
10.如權利要求1所述的設備，其中所述磁場發(fā)生機構包含產(chǎn)生取向為徑向并且通常平行于所述收集表面的磁場的多個水平對齊的磁體，所述多個磁體中的至少一個產(chǎn)生具有方位分量的磁場。
11.如權利要求10所述的設備，其中產(chǎn)生具有方位分量的磁場的所述多個磁體中的所述至少一個磁體形成相對于所述環(huán)狀法拉第杯的半徑的切線的角度。
12.如權利要求11所述的設備，其中所述多個磁體的交變磁體形成相對于所述切線的補角。
13.如權利要求12所述的設備，還包含設置在所述壓板周圍的屏蔽環(huán)，其中所述法拉第杯位于所述屏蔽環(huán)內(nèi)，所述屏蔽環(huán)具有至少一個在所述法拉第杯的開口上方延伸的水平凸部以此減小所述開口的有效寬度。
14.如權利要求13所述的設備，其中所述法拉第杯的收集表面的寬度大于所述法拉第杯的開口的寬度。
15.如權利要求10所述的設備，其中所述多個磁體相對于所述法拉第杯的半徑的切線交替傾斜。
16.如權利要求10所述的設備，包含被定位成降低由所述磁場發(fā)生機構在所述工件處產(chǎn)生的磁場并且被配置成加強所述法拉第杯內(nèi)所述磁場的磁屏蔽。
17.如權利要求16所述的設備，其中所述磁屏蔽被配置成一對通道的形狀，具有通常平行于所述法拉第杯的側壁而延伸的網(wǎng)和在朝著所述法拉第杯開口的方向上延伸的凸緣。
18.如權利要求10所述的設備，包含被定位成可降低由所述磁場發(fā)生機構在所述工件處產(chǎn)生的磁場的磁屏蔽，其中所述磁屏蔽包含被定位成平行于所述法拉第杯的側壁并且與所述法拉第杯的開口相對的一對板。
19.如權利要求1所述的設備，還包含被設置在所述壓板周圍的屏蔽環(huán)，其中所述法拉第杯位于所述屏蔽環(huán)內(nèi)，所述屏蔽環(huán)具有至少一個在所述法拉第杯的開口上方延伸以此減小所述開口的有效寬度的水平凸部。
20.如權利要求1所述的設備，其中所述法拉第杯的收集表面的寬度大于所述法拉第杯的開口的寬度。
21.如權利要求1所述的設備，其中通過使所述側壁的至少一個逐漸變細而使所述法拉第杯的側壁之間的寬度隨著所述法拉第杯中的深度增加而增加。
22.如權利要求1所述的設備，包含被定位成可降低由所述磁場發(fā)生機構在所述工件處產(chǎn)生的磁場的磁屏蔽。
23.如權利要求22所述的設備，其中所述磁屏蔽被配置成可加強所述法拉第杯內(nèi)的所述磁場。
24.如權利要求23所述的設備，其中所述磁屏蔽被配置成一對通道的形狀，具有通常平行于所述法拉第杯的側壁而延伸的網(wǎng)和在朝著所述法拉第杯開口的方向上延伸的凸緣。
25.如權利要求23所述的設備，其中所述磁屏蔽包含被定位成平行于所述法拉第杯的側壁并且與所述法拉第杯的開口相對的一對板。
26.在一種等離子體摻雜設備中，所述設備具有等離子體摻雜室、安裝在所述等離子體摻雜室中用于支撐工件的壓板、耦合至所述室的可電離氣體源和用于產(chǎn)生具有在所述工件附近的等離子體殼層的等離子體的等離子體源，所述可電離氣體含有用于注入所述工件的所希望的摻雜劑，所述等離子體含有所述可電離氣體的陽離子，并且所述等離子體源用于使所述陽離子加速越過所述等離子體殼層朝向所述壓板以注入所述工件，對所述等離子體摻雜設備的改進，包含環(huán)狀法拉第杯，被設置在所述壓板周圍用于收集加速越過所述等離子體殼層的所述陽離子的樣本，所述樣本表示注入所述工件的陽離子數(shù)；以及磁場發(fā)生機構，被定位成可在所述法拉第杯的收集表面產(chǎn)生磁場用于抑制二次電子從所述法拉第杯的逸出。
27.一種法拉第杯，被設置在等離子體摻雜設備中的壓板附近，用于收集加速越過等離子體殼層的陽離子的樣本，所述樣本表示注入由所述壓板所支撐的工件的陽離子數(shù)，所述法拉第杯包含被定位成可在所述法拉第杯的收集表面產(chǎn)生磁場用于抑制二次電子從所述法拉第杯逸出的磁場發(fā)生機構。
28.如權利要求27所述的設備，其中所述磁場發(fā)生機構包含產(chǎn)生取向為徑向并且通常平行于所述收集表面的磁場的多個水平對齊的磁體，所述多個磁體中的至少一個產(chǎn)生具有方位分量的磁場。
29.如權利要求28所述的設備，其中所述法拉第杯呈環(huán)狀；以及產(chǎn)生具有方位分量的磁場的所述多個磁體中的所述至少一個形成相對于所述環(huán)狀法拉第杯的半徑的切線的角度。
30.如權利要求29所述的設備，其中所述多個磁體的交變磁體形成相對與所述切線的補角。
31.如權利要求30所述的設備，還包含被設置在所述壓板周圍的屏蔽環(huán)，其中所述法拉第杯位于所述屏蔽環(huán)內(nèi)，所述屏蔽環(huán)具有至少一個在所述法拉第杯的開口上方延伸以此減小所述開口的有效寬度的水平凸部。
32.如權利要求31所述的設備，其中所述法拉第杯的收集表面的寬度大于所述法拉第杯的開口的寬度。
33.如權利要求28所述的設備，其中所述法拉第杯呈環(huán)狀；以及所述多個磁體相對于所述法拉第杯的半徑的切線交替傾斜。
34.如權利要求28所述的設備，包含被定位成可降低由所述磁場發(fā)生機構在所述工件處產(chǎn)生的磁場并且被配置成可加強所述法拉第杯內(nèi)所述磁場的磁屏蔽。
35.如權利要求34所述的設備，其中所述磁屏蔽被配置成一對通道的形狀，具有通常平行于所述法拉第杯的側壁延伸的網(wǎng)和在朝著所述法拉第杯開口的方向上延伸的凸緣。
36.如權利要求28所述的設備，包含被定位成可降低由所述磁場發(fā)生機構在所述工件處產(chǎn)生的磁場的磁屏蔽，其中所述磁屏蔽包含被定位成平行于所述法拉第杯的側壁并且與所述法拉第杯的開口相對的一對板。
37.在一種等離子體摻雜設備中，所述設備具有等離子體摻雜室、安裝在所述等離子體摻雜室中用于支撐工件的壓板、耦合至所述室的可電離氣體源和用于產(chǎn)生具有在所述工件附近的等離子體殼層的等離子體的等離子體源，所述可電離氣體含有用于注入所述工件的所希望的摻雜劑，所述等離子體含有所述可電離氣體的陽離子，并且所述等離子體源用于使所述陽離子加速越過所述等離子體殼層朝著所述壓板以注入所述工件，一種監(jiān)測注入所述工件中的所述陽離子的劑量的方法，包含利用被定位在所述壓板附近的環(huán)狀法拉第杯收集加速越過所述等離子體殼層的所述陽離子的樣本，所述樣本表示注入所述工件的陽離子數(shù)；以及在非常接近所述法拉第杯的收集表面處產(chǎn)生磁場以此抑制二次電子從所述法拉第杯的逸出。
全文摘要
一種法拉第劑量和均勻度監(jiān)測器可包括環(huán)繞目標晶片(20)的磁抑制環(huán)狀法拉第杯(80)。窄孔可減少法拉第杯開口(60)內(nèi)的放電。該環(huán)狀法拉第杯可具有連續(xù)的截面以此消除由于中斷而導致的放電。不同半徑下的多個法拉第杯可獨立測量電流密度以此監(jiān)測等離子體均勻度中的變化。該磁抑制場可被配置成具有隨距離非常迅速降低的場強以此將等離子體和注入擾動降到最小，并且可包括徑向和方位分量或者主要方位分量。方位場分量可由交變極性的多個垂直取向的磁體產(chǎn)生，或者通過使用磁場線圈來產(chǎn)生。另外，劑量電子器件可提供高壓下的脈沖電流的積分，而且可將這種集成電荷轉變成光耦合至劑量控制器的光脈沖序列。
文檔編號H01J37/244GK101015034SQ200580017420
公開日2007年8月8日 申請日期2005年3月4日 優(yōu)先權日2004年4月2日
發(fā)明者S·R·沃爾瑟, R·多賴, H·佩爾辛, J·朔伊爾, B·-W·擴, B·O·彼得森, C·利維特, T·米勒 申請人:瓦里安半導體設備公司