技術(shù)編號：2925419
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明所公開的方法和系統(tǒng)通常涉及用于工件的離子注入的等離子體摻雜系統(tǒng)，具體涉及用于測量注入工件的劑量和劑量的均勻度的方法和設(shè)備。背景技術(shù) 離子注入是用于將改變導(dǎo)電性的雜質(zhì)引入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。在常規(guī)的離子注入系統(tǒng)中，將所希望的雜質(zhì)材料在離子源中電離、將這些離子加速以此形成規(guī)定能量的離子束并且將離子束對準(zhǔn)晶片的表面。射束中的高能離子穿透半導(dǎo)體材料的主體并嵌入半導(dǎo)體材料的晶格，以此形成所希望的導(dǎo)電性區(qū)域。在某些應(yīng)用中，有必要在半導(dǎo)體晶片中形成淺結(jié)，其中雜...
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