專利名稱：包含uv－a磷光體的低壓汞蒸氣放電燈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含透光放電管(discharge vessel)的低壓汞蒸氣放電燈，所述放電管以氣密方式封閉填充汞的放電空間，該放電管的內(nèi)壁的至少一部分設(shè)有至少一層包含UV-A磷光體(phosphor)的發(fā)光材料，該低壓汞蒸氣放電燈還包含用于引發(fā)和維持該放電管內(nèi)的放電的放電裝置。
在汞蒸氣放電燈中，汞構(gòu)成了用于產(chǎn)生紫外輻射的主要放電維持成分。包括發(fā)光材料的發(fā)光層存在于放電管的內(nèi)壁上，用于將由汞氣放電產(chǎn)生的原始UV輻射轉(zhuǎn)換成其它波長，例如，以曬黑為目的轉(zhuǎn)換成UV-B和UV-A，或以一般照明為目的轉(zhuǎn)換成可見輻射。
本發(fā)明尤其涉及一種低壓熒光汞蒸氣放電燈，其具有特殊類型發(fā)光材料，在受到由汞氣放電產(chǎn)生的紫外輻射激發(fā)時(shí)該材料發(fā)射曬黑皮膚的輻射。
可用于引起人類皮膚曬黑的大多數(shù)熒光燈設(shè)計(jì)成具有即刻曬黑(immediate pigment darkening，IPD)的光譜，例如DIN直接色素光譜(Direct Pigmentation Spectrum)5031，因此主要發(fā)射范圍為320納米至400納米的UV-A輻射。這種設(shè)計(jì)的燈一般發(fā)射極少的范圍為260納米至320納米的UV-B輻射，該UV-B輻射被認(rèn)為導(dǎo)致形成黑色素。主要是在UV-B輻射的影響下形成的皮膚色素黑色素，僅在受UV-A輻射的影響下在曬黑過程中變暗。
由于其在由汞產(chǎn)生的185nm和254nm的輻射激發(fā)下的高效率，曬黑燈中用于產(chǎn)生UV-A光的最合適的發(fā)光材料包含BaSi2O5:Pb和Sr2MgSi2O7:Pb。這些發(fā)光材料的發(fā)光峰在約350nm，半高寬為40至50nm。因此，這些磷光體發(fā)射的光主要落在UV-A區(qū)，從而基本上僅對已經(jīng)存在的皮膚內(nèi)的色素的變暗有貢獻(xiàn)。
根據(jù)DIN5031的用于曬黑目的的燈可包含另外UV-B磷光體，即SrAl12O19:Ce或LaPO4:Ce，目的是增加由該燈發(fā)射的UV-B輻射的數(shù)量，來在皮膚中形成新的黑色素色素。
UV-A磷光體主要使用BaSi2O5:Pb。從例如WO0217352，一般已知，BaSi2O5:Pb對包含這種磷光體的汞蒸氣放電燈的UV-A輸出的強(qiáng)烈降低負(fù)主要責(zé)任。BaSi2O5:Pb包含硅酸鹽主晶格，其對放電中存在的汞不是惰性的。這種硅酸鹽材料趨于吸收汞，這導(dǎo)致在燈工作期間形成吸收層。
這不僅意味著放電管中必須存在更多的汞以確保該放電燈在其壽命內(nèi)保持工作，而且意味著該放電燈在其壽命內(nèi)的效率逐漸降低，因?yàn)樵S多Hg化合物吸收UV與/或可見光。
使用包含BaSi2O5:Pb的UV-A/UV-B磷光體混合物的燈的另外問題為，BaSi2O5:Pb的退化改變了UV內(nèi)的光譜功率分布，并因此改變了UV-B/UV-A比及其他燈規(guī)格。
為了減輕UV光輸出降低以及光譜變化，一種廣泛采用的方法為添加Al2O3(alon-c)納米顆粒，添加的數(shù)量為1至8％alon-c。
一種更優(yōu)的方法是使用具有更低汞消耗的發(fā)光材料替代例如BaSi2O5:Pb的硅酸鹽磷光體。
因此，本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種低壓汞蒸氣放電燈，特別是用于曬黑目的，其具有更高的UV-A和UV-B輸出、更長的壽命以及改善的流明維持。
為了實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)，本發(fā)明提出了一種包含透光放電管的低壓汞蒸氣放電燈，所述放電管以氣密方式封閉填充有汞的放電空間，該放電管的壁的至少一部分設(shè)有包含通式為(Gd1-x-y-zYxLuy)PO4:Cez的第一UV-A磷光體的發(fā)光材料，其中0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0＜z≤0.2且x+y+z＜1，該低壓汞蒸氣放電燈還包含用于引發(fā)和維持該放電管內(nèi)的放電的放電裝置。
根據(jù)本發(fā)明，包含具有通式為(Gd1-x-y-zYxLuy)PO4:Cez的UV-A磷光體的發(fā)光材料的低壓汞蒸氣放電燈(其中0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0＜z≤0.2且x+y+z＜1)，似乎對汞-稀有氣體氣氛的作用具有很強(qiáng)的耐受性，其中在工作時(shí)，該氣氛在該低壓汞蒸氣放電燈的放電管內(nèi)占主導(dǎo)。因此，由于汞和UV-A磷光體之間的相互作用所致的變暗得以降低，導(dǎo)致了維護(hù)的改善。在放電燈的使用壽命內(nèi)，退出放電的汞的數(shù)量更少，因此，還實(shí)現(xiàn)了該放電燈的汞消耗的減少，且在該低壓汞蒸氣放電燈的制造中，更小的汞劑量就足夠。
優(yōu)選地，該發(fā)光成分還包含第二UV-A磷光體，該磷光體選自包括SrB4O7:Eu、LaMgAl11O19:Ce或其混合物的組。
此外優(yōu)選地，該發(fā)光成分還包含UV-B磷光體。這種UV-B磷光體可選自包括SrAl12O19:Ce、(La1-xGdx)PO4:Ce或其混合物的組。
較傳統(tǒng)燈，這種燈在其工作壽命內(nèi)顯示出更穩(wěn)定的UV光譜功率分布。
該UV-A磷光體可存在于第一發(fā)光層內(nèi)，該UV-B磷光體可存在于第二發(fā)光層內(nèi)。
此外優(yōu)選地，該發(fā)光成分進(jìn)一步包含選自包括Al2O3、MgO或MgAl2O4的組的添加劑，以防止汞沉積在磷光體以及該放電管的玻璃壁上。
根據(jù)本發(fā)明的低壓汞氣燈優(yōu)選地可用于曬黑目的，還可用于化妝和醫(yī)學(xué)目的。
根據(jù)本發(fā)明第二方面，提供了一種通式為(Gd1-x-y-zYxLuy)PO4:Cez的UV-A磷光體，其中0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0＜z≤0.2且x+y+z＜1。
通式為(Gd1-x-y-zYxLuy)PO4:Cez的UV-A磷光體，其中0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0＜z≤0.2且x+y+z＜1，是非常亮的結(jié)晶磷光體，即，該發(fā)射UV-A輻射的磷光體組合了在VUV范圍內(nèi)非常良好的吸收和非常高的高于80％的發(fā)光量子效率。不像其他磷光體，這種磷光體很難被VUV輻射退化。盡管該磷光體不含鉛，但具有更長的壽命和改善的亮度。
該UV-A磷光體的主基質(zhì)(matrix)不含硅酸鹽。由于不包含任何硅酸鹽的磷光體層對Hg的吸收更少，可以制成具有更低Hg含量的燈。
此外，磷光體成分及其光譜可以被顯著改變以滿足曬黑燈在光譜的UV-A/UV-B范圍內(nèi)光譜功率分布方面所需的規(guī)格。
通過下述UV-A磷光體獲得了本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)的尤其有利的效果，該磷光體的通式為(Gd1-x-y-zYxLuy)PO4:Cez，其中x＝0.5，y＝0，0＜z≤0.1且x+y+z＜1，且在光譜的UV-B范圍具有另外的高產(chǎn)出。
在本發(fā)明的范圍內(nèi)，該UV-A磷光體優(yōu)選地在其主晶格內(nèi)包含選自包括Tb(III)、Eu(II)、Mn(II)和Sb(III)的組的輔助活化劑(co-activator)。
根據(jù)本發(fā)明的UV-A磷光體可另外包含選自包括砷酸根和釩酸根的組的陰離子。
根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案，該UV-A磷光體的晶粒尺寸為10nm＜d＜500nm。
包含晶粒尺寸在納米范圍內(nèi)的UV-A磷光體的磷光體層形成非常致密的層，其令人滿意地屏蔽該磷光體免受汞等離子體影響。此外，該非常稠密的層減少了汞離子和電子在該磷光層表面上的復(fù)合。
本發(fā)明的這些和其他方面將從下述實(shí)施方案變得顯而易見，并結(jié)合這些實(shí)施方案得到詳細(xì)描述。
本發(fā)明主要涉及稀土金屬的鈰活化正磷酸鹽，該稀土金屬選自釓、釔、和镥的組，該鹽的通式為(Gd1-x-y-zYxLuy)PO4:Cez，其中0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0＜z≤0.2且x+y+z＜1，該鹽被用作任意配置的低壓汞蒸氣放電燈中的磷光體。
包含這種磷光體的根據(jù)本發(fā)明的UV-A磷光體或者發(fā)光材料吸收由該低壓汞放電發(fā)射的輻射，并將所述輻射轉(zhuǎn)換成更長的波長。通過恰當(dāng)?shù)剡x擇通式為(Gd1-x-y-zYxLuy)PO4:Cez的發(fā)射UV-A輻射的磷光體，其中0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0＜z≤0.2且x+y+z＜1，由該低壓氣體放電燈發(fā)射的光可以獲得300納米至325納米范圍內(nèi)的任意期望波長。
盡管該磷光體可用于范圍廣泛的照明，特別是用于化妝和醫(yī)學(xué)目的，但本發(fā)明的描述特別參考了并特別應(yīng)用于以曬黑為目的的低壓汞蒸氣放電燈。
一般而言，本發(fā)明使用的UV-A磷光體和發(fā)光成分產(chǎn)生類似自然太陽光的光以用于曬黑的燈。
然而，備選地優(yōu)選使用通式為(Gd1-x-y-zYxLuy)PO4:Cez的UV-A磷光體，其中0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0＜z≤0.2且x+y+z＜1，作為發(fā)射UV-A的磷光體并用于發(fā)光材料中，從而制造用于醫(yī)學(xué)目的的燈，其光譜中UV-A輻射的量更多。
參考

圖1，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的低壓汞蒸氣放電燈。
該低壓汞蒸氣放電燈包括棒形、環(huán)形或U形管狀燈泡1，其形成用于低壓汞氣體放電的氣體放電管。
作為放電組件，通常的電極結(jié)構(gòu)2被密封在燈泡的兩端，通過該電極結(jié)構(gòu)引發(fā)氣體放電。兩個(gè)插腳式燈頭3用作連接裝置。
密封玻璃管內(nèi)的放電維持填充物包含少量的汞以及惰性氣體，例如氬氣或氬氣與其他氣體的混合物，在低壓下提供燈工作的低蒸氣壓方式。
該低壓汞放電燈進(jìn)一步包含用于產(chǎn)生和維持低壓汞氣體放電的裝置，例如感抗型鎮(zhèn)流器(choke)和啟動器(starter)。
如果在工作條件下發(fā)光，該放電維持填充物發(fā)射近似下述波長的Hg諧振線185.0nm、253.7nm、406nm及436nm，其被包含(Gd1-x-y-zYxLuy)PO4:Cez的發(fā)光成分轉(zhuǎn)換成UV-A/UV-B輻射，其中0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0＜z≤0.2且x+y+z＜1。
取決于期望的UV-A/UV-B比率，可以使用包含根據(jù)本發(fā)明的UV-A磷光體的獨(dú)特的單一紫外發(fā)光成分。
此外，可通過將根據(jù)本發(fā)明的UV-A磷光體與產(chǎn)生不同輻射強(qiáng)度的已知熒光材料混合而容易地獲得，產(chǎn)生不同紫外光譜能量分布或曬黑強(qiáng)度的不同發(fā)光成分，以提供產(chǎn)生期望輻射強(qiáng)度的涂層。
特別地，SrAl12O19:Ce和(La1-xGdx)PO4:Ce是公知的產(chǎn)生UV-A輻射的熒光磷光體材料，SrB4O7:Eu或LaMgAl11O19:Ce是公知的產(chǎn)生UV-B輻射的熒光磷光體材料。
這些公知的產(chǎn)生UV的熒光磷光體材料可以按照不同比例混合，以產(chǎn)生期望的UV輻射比率和強(qiáng)度，由此產(chǎn)生預(yù)定的曬黑強(qiáng)度。
在圖1所示的本發(fā)明的實(shí)施方案中，玻璃管的內(nèi)部設(shè)有第一磷光體層4。所述第一磷光體層4含有UV-A磷光體或UV-A磷光體混合物。該第一磷光體層的外部設(shè)有含有UV-B磷光體的第二磷光體層4’。
含有UV-A磷光體的內(nèi)磷光體層防止外磷光體層受到源于汞放電的輻射的照射。當(dāng)該UV-A磷光體的晶粒尺寸在納米范圍內(nèi)，使得該磷光體層非常致密和封閉的時(shí)候，尤其如此。
因此，由兩個(gè)磷光體層組成的磷光體涂層證明是有利的。
備選地，該磷光體涂層可包含該氣體放電管內(nèi)壁上的單一磷光體層，該磷光體層僅包含UV-A磷光體或者還包含第二磷光體。
在本實(shí)施方案中，UV-A磷光體可替代填充劑，該填充劑通常被添加到磷光體層以獲得均勻的光輻射。當(dāng)晶粒尺寸在納米范圍內(nèi)的磷光體被用做UV-A磷光體時(shí)，尤其如此。
組成發(fā)光材料，以便產(chǎn)生始終具有期望發(fā)光的涂層。優(yōu)選地，相對于磷光體涂層而言，UV-A磷光體的添加量為重量的75～85％。
最優(yōu)選的，磷光體混合物包含81％的根據(jù)本發(fā)明的UV-A磷光體，16.5％的UV-B型磷光體，小的余數(shù)為發(fā)紅光的磷光體。
如果對這些電極施加AC電壓，可在包含汞和氬的氣體填充物內(nèi)點(diǎn)燃電氣體放電。結(jié)果為，形成了包含被激發(fā)或離化的氣體原子或分子的等離子體。當(dāng)這些原子回到基態(tài)時(shí)，同時(shí)電子和離子復(fù)合，大約大部分的勢能被轉(zhuǎn)換成波長為104nm(Ar)、106nm(Ar)、185nm(Hg)、254nm(Hg)的UV輻射以及轉(zhuǎn)換成可見輻射。
在低壓汞氣體放電內(nèi)，非常高效地發(fā)生這種電子能量到UV輻射的轉(zhuǎn)換。
所產(chǎn)生的波長為104nm(Ar)、106nm(Ar)及185nm(Hg)的VUV光子被UV-A磷光體吸收，激發(fā)能量在光譜的更長波長的UV-A范圍內(nèi)被再次釋放。使用Ce3+活化的磷光體的吸收系數(shù)對于光譜的VUV范圍內(nèi)的波長而言是非常高的，且量子效率高。主晶格影響活化劑離子能級的確切位置并因此影響發(fā)射光譜。
根據(jù)本發(fā)明第二方面，提供了一種發(fā)光材料，其包含無水的鈰活化釓-釔-镥正磷酸鹽作為發(fā)射UV-A的磷光體。該磷光體滿足通式(Gd1-x-y-zYxLuy)PO4:Cez，其中0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0＜z≤0.2且x+y+z＜1。
這類磷光體材料是基于三元稀土金屬正磷酸鹽的受激發(fā)光，其包含為稀土金屬的釓、鈰，并包含選自包含釔和镥的組的至少一種堿土金屬。
鈰活化的釓釔镥正磷酸鹽為結(jié)晶固體，其包括釓釔镥正磷酸鹽的主晶格，由少量的(例如Ce相對于Lu為0.2原子％)稀土金屬摻雜劑鈰(Ce)活化該正磷酸鹽。
取決于釓、釔和镥的具體比例，主晶格將形成磷釔礦型或獨(dú)居石型的晶體結(jié)構(gòu)。
這兩種晶體結(jié)構(gòu)都屬于磷酸鹽的非正式群(informal group)，與紫磷鐵錳礦及錳磷鋰礦(lithiophyllite)一起稱為無水磷酸鹽。還要注意，磷釔礦和獨(dú)居石是少數(shù)幾種不包含水分子、氫氧化物或氯化物的磷酸鹽礦物。
該結(jié)構(gòu)可包含少量的釩酸根和砷酸根以替代磷酸陰離子。實(shí)際上，其和這些陰離子形成了固溶體系(solid solution series)。獲得涉及主要陰離子的固溶體系是不常見的，但是在這種情況下其不是完全固溶體系。
其可進(jìn)一步包含雜質(zhì)痕跡，例如Ti、Er、La、Al、Si、Zr。
磷釔礦的結(jié)晶屬性
如果較大陽離子即釓在特定磷光體的成分中占多數(shù)，則將采取獨(dú)居石型結(jié)構(gòu)，其中陽離子具有不規(guī)則的九配位(nine-foldcoordination)。
如果較小陽離子釔和镥在特定磷光體的成分中占多數(shù)，則將采取磷釔礦結(jié)構(gòu)，其中陽離子具有規(guī)則的八配位。
通過發(fā)射光譜可以容易地看到相變，這是因?yàn)榇嬖讵?dú)居石結(jié)構(gòu)，會出現(xiàn)320nm處的強(qiáng)發(fā)射帶。對于(Y1-xCex)PO4，如果x大于0.15，即如果Ce3+濃度高于15％，則會出現(xiàn)上述情況。
通式為(Y1-x-y-zGdxLuy)PO4:Cez的UV-A磷光體的主晶格，其中0＜x≤0.7，0＜y＜1，0＜z≤0.2且x+y+z＜1，摻雜了百分子幾的鈰作為活化劑。
鈰是非常優(yōu)良的活化劑，因?yàn)槠浠鶓B(tài)和激發(fā)態(tài)都落在主晶格的約6eV的帶隙之內(nèi)。
可存在輔助活化劑。這種輔助活化劑經(jīng)常是稀土金屬離子，例如Eu(II)，Tb(III)或者是主族元素，例如Mn(II)或Sb(III)。
根據(jù)上述成分的UV-A磷光體表現(xiàn)高量子效率(＞80％)以及對185和254nm輻射的強(qiáng)吸收。這些磷光體發(fā)射UV-A輻射，包含325至365nm的波長范圍內(nèi)的兩個(gè)帶。
UV-A磷光體(Gd1-x-y-zYy)PO4:Cez的發(fā)射光譜類似于YPO4:Ce，即，由于Ce3+的5d4f躍遷而呈現(xiàn)在335和355nm的兩個(gè)發(fā)射帶。然而，如果x大于0.5，320nm處出現(xiàn)另一個(gè)發(fā)射帶，表明存在獨(dú)居石相，該相變得占主導(dǎo)。除此之外，結(jié)合Gd3+導(dǎo)致在311nm處出現(xiàn)由于Gd3+的4f-4f躍遷引起的弱發(fā)射線。該發(fā)射線增強(qiáng)了(Gd1-x-y-zYy)PO4:Cez的發(fā)射光譜內(nèi)UV-B輻射的相對量。
這些發(fā)現(xiàn)證實(shí)了，系統(tǒng)(Gd1-x-y-zYy)PO4:Cez顯示了依賴于x、y和z的發(fā)射光譜。盡管x幾乎不影響有效發(fā)射光譜，發(fā)射光譜的相對UV-B含量隨y和z的增加而增加。這樣，該磷光體成分可以被優(yōu)化至熒光曬黑燈的期望規(guī)格。
下表總結(jié)了包含根據(jù)(Gd1-x-y-zYy)PO4:Cez的不同成分的單一磷光體的曬黑燈的效率和規(guī)格，其中x＝0.0。
表1與現(xiàn)有技術(shù)YPO4:Cez比較，包含根據(jù)成分(Gd1-x-y-zYy)PO4:Cez的磷光體作為發(fā)光層的曬黑燈的規(guī)格。
優(yōu)選地，這些UV-A磷光體在使用時(shí)，其晶粒尺寸分布在納米范圍內(nèi)且平均晶粒尺寸為10至500nm。
晶粒尺寸由磷光體的性能確定，以吸收UV輻射以及吸收并散射可見輻射，但晶粒尺寸還由磷光體涂層要牢固地結(jié)合玻璃壁的必要性確定。只有非常小的晶粒才能滿足后一個(gè)要求，然而其光輸出小于略大的晶粒的光輸出。
這些磷光體的制造通常是通過形式為精細(xì)晶粒粉末的起始化合物的固態(tài)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)的，這些粉末的晶粒尺寸分布為0.5至1μm。
為了將磷光體涂敷到氣體放電管的壁上，通常采用了溢流(flooding)工藝。用于溢流工藝的涂敷懸浮液包含水或有機(jī)化合物(例如醋酸丁酯)作為溶劑。通過添加輔助劑，例如纖維素衍生物、聚甲基丙烯酸或聚環(huán)氧丙烷(polypropylene oxide)，來穩(wěn)定該懸浮液，并影響其流變性。通常使用例如分散劑、消泡劑以及粉末調(diào)節(jié)劑的另外添加劑，例如氧化鋁、氧氮化鋁或硼酸。通過灌注、沖洗或噴鍍，該磷光體懸浮液提供為氣體放電管內(nèi)部上的薄層。隨后利用熱空氣烘干該涂層，并在約600℃下灼燒該涂層。這些層通常厚度為1至50μm。
具體實(shí)施方案1a.合成(Gd0.5Y0.5)PO4:5％Ce為了制造平均晶粒尺寸為5至10nm的UV-A磷光體(Gd0.5Y0.5)PO4:5％Ce，將起始材料15.00g(41.38mmol)Gd2O3、9.344g(41.38mmol)Y2O3以及3.783g(8.71mmol)Ce(NO3)36(H2O)懸浮在非物質(zhì)化(dematerialized)水中。該懸浮液用超聲波處理10分鐘。隨后，在劇烈攪拌下添加21.092g(182.94mmol)H3PO4。之后，通過蒸餾除去溶劑。剩余的粉末在100℃下烘干、研磨，并且隨后在空氣中在600℃退火1小時(shí)。在徹底的研磨步驟并添加0.5g的LiF之后，該粉末在空氣中在1000℃下進(jìn)行二次退火持續(xù)2小時(shí)，其間間歇地進(jìn)行研磨步驟。
最后，該粉末再次被研磨，在60℃下在650ml水中清洗好幾小時(shí)，并在100℃下烘干。所述(Gd0.5Y0.5)P04:5％Ce為晶體且平均晶粒尺寸為15nm。
b.包含(Y0.5Gd0.5)P04:5％Ce的曬黑燈準(zhǔn)備包含99％(Y0.5Gd0.5)P04:5％Ce和1％alon-c的醋酸丁酯基磷光體懸浮液，并用36μm的濾網(wǎng)過濾該懸浮液。使用流涂相關(guān)工序，該懸浮液被涂敷到290玻璃管的內(nèi)壁。該懸浮液的粘度被調(diào)節(jié)成使得所得的磷光體層的篩選重量(screen weight)為0.5至5.0mg/cm2。
在涂敷工藝之后，通過在550至600℃下的退火步驟除去有機(jī)殘余物(粘合劑等)。該燈隨后填充幾毫巴的氬以及1至50mgHg。最后，電極連接到燈上，并密封燈管。
這樣生產(chǎn)的曬黑燈在CIE色度圖上的坐標(biāo)如下x＝0.300，y＝0.232。
使用500小時(shí)之后，該燈的流明輸出為其初始流明輸出的95％，且表現(xiàn)很小的顏色漂移(小于3SDCM)。
這可以與先前最常用于曬黑的燈的流明維持相比，這些燈在500小時(shí)之后流明輸出變?yōu)槌跏剂髅鬏敵龅?2％且顏色漂移大。
從上述具體示例可以理解，本發(fā)明提供了一種曬黑輻射，其具有改善的流明輸出和維持并表現(xiàn)很小的顏色漂移。
附圖中
圖1示出了填充有汞的低壓氣體放電燈，即，熒光燈的示例，該熒光燈具有兩個(gè)磷光體層。
圖2示出了(Y0.5Gd0.5)PO4:5％Ce的發(fā)射光譜。
圖3示出了(Y0.5Gd0.5)PO4:10％Ce的發(fā)射光譜。
圖4示出了包含(Y0.5Gd0.5)PO4:5％Ce的100W曬黑燈的光譜。
圖5示出了包含BaSi2O5:Pb的100W曬黑燈的光譜。
權(quán)利要求
1.一種包含透光放電管的低壓汞蒸氣放電燈，所述放電管以氣密方式封閉填充有汞的放電空間，該放電管的壁的至少一部分設(shè)有包含通式為(Gd1-x-y-zYxLuy)PO4:Cez的第一UV-A磷光體的發(fā)光成分，其中0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0＜z≤0.2且x+y+z＜1，該低壓汞蒸氣放電燈還包含用于引發(fā)和維持該放電管內(nèi)的放電的放電裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的低壓汞蒸氣放電燈，其中該發(fā)光成分還包含第二UV-A磷光體，該磷光體選自包括SrB4O7:Eu、LaMgAl11O19:Ce或其混合物的組。
3.如權(quán)利要求1所述的低壓汞蒸氣放電燈，其中該發(fā)光成分還包含UV-B磷光體。
4.如權(quán)利要求3所述的低壓汞蒸氣放電燈，其中該UV-B磷光體選自包括SrAl12O19:Ce、(La1-xGdx)PO4:Ce或其混合物的組。
5.如權(quán)利要求3所述的低壓汞蒸氣放電燈，其特征在于，該UV-A磷光體存在于第一發(fā)光層內(nèi)，該UV-B磷光體存在于第二發(fā)光層內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的低壓汞蒸氣放電燈，其中該發(fā)光成分進(jìn)一步包含選自包括Al2O3、MgO或MgAl2O4的組的添加劑。
7.將如權(quán)利要求1所述的低壓汞蒸氣放電燈，用于化妝和醫(yī)學(xué)目的。
8.一種通式為(Gd1-x-y-zYxLuy)PO4:Cez的UV-A磷光體，其中0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0＜z≤0.2且x+y+z＜1。
9.如權(quán)利要求10所述的UV-A磷光體，其中x＝0.5，y＝0，0＜z≤0.1且x+y+z＜1。
10.如權(quán)利要求10所述的UV-A磷光體，包含選自包括Tb(III)、Eu(II)、Mn(II)和Sb(III)的組的輔助活化劑。
11.如權(quán)利要求10所述的UV-A磷光體，另外包含選自包括砷酸根和釩酸根的組的陰離子。
12.如權(quán)利要求10所述的UV-A磷光體，晶粒尺寸為10nm＜d＜500nm。
全文摘要
本發(fā)明涉及包含透光放電管的低壓汞蒸氣放電燈，所述放電管以氣密方式封閉填充有汞的放電空間，該放電管的壁的至少一部分設(shè)有包含通式為(Gd
文檔編號H01J61/44GK1961056SQ200580017202
公開日2007年5月9日 申請日期2005年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月27日
發(fā)明者T·祖斯特爾, W·梅爾, H·貝克特爾, P·施米特 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司