專利名稱：等離子顯示面板的電極形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)等離子顯示面板的電極形成方法的技術(shù)，尤其是關(guān)于等離子顯示面板基板上形成電極的一種等離子顯示面板的電極形成方法。
背景技術(shù)：
一般來說，等離子顯示面板是正面基板與后面基板之間形成的隔墻形成一個單位單元，各個單元內(nèi)有含有氖(Ne)、氦(He)或氖和氦的混合氣體(Ne+He)之類的主要放電氣體和少量氙的不活性氣體。因高頻電壓放電時，不活性氣體產(chǎn)生真空紫外線(Vacuum Ultraviolet rays)，并使隔墻之間形成的熒光體發(fā)光，體現(xiàn)畫像。這樣的等離子顯示面板可以實現(xiàn)薄而輕的構(gòu)成，因此作為下一代顯示設(shè)備倍受關(guān)注。
圖1是表示一般等離子顯示面板結(jié)構(gòu)的示意圖。
如圖所示，等離子顯示面板是正面面板100和后面面板110以一定間隔平行結(jié)合。正面面板是顯示畫像的顯示面-正面玻璃101上排列有掃描電極102和維持電極103成雙形成的數(shù)個維持電極雙；后面面板是形成背面的后面玻璃111上有能夠與上述的數(shù)個維持電極雙交叉，排列了數(shù)個地址電極113。
正面面板100是在一個放電單元，為了相互放電，并維持單元發(fā)光的掃描電極102和維持電極103，即具備以透明的ITO物質(zhì)形成的透明電極(a)和以金屬材質(zhì)制作的匯流(Bus)電極(b)的掃描電極102和維持電極103成雙形成。
掃描電極102和維持電極103被限制放電電流，并起電極雙之間絕緣作用的一個以上的上部電介質(zhì)層104覆蓋，為了使放電條件變得更容易，上部電介質(zhì)層104上面形成貼箔氧化鎂(Mgo)的保護(hù)層105。
后面面板110是為形成數(shù)個放電空間，即放電單元的條紋形狀(或圍墻形狀)隔墻112維持平行而排列。此外，運行地址放電，產(chǎn)生真空紫外線的數(shù)個地址電極113與隔墻112平行設(shè)置。
后面面板110的上側(cè)面噴涂了地址放電時產(chǎn)生針對顯示畫像的可視光線的RGB熒光體114。地址電極113和熒光體114之間形成為保護(hù)地址電極113的下部電介質(zhì)層115。
在這里，上述隔墻112上側(cè)面排列有起著吸收正面玻璃101外部發(fā)生的外部光，減少反射的光切斷功能和提升正面玻璃101的色純(Purity)和對比度等功能的黑層116。
具有這一結(jié)構(gòu)的等離子顯示面板是利用上述之類的微小放電，發(fā)生放電的單元產(chǎn)生可視光線，上述隔墻(barrier rib)是為了把單元分離為數(shù)個空間，為了劃分單元和單元之間而形成，上述黑層116是為了防止放電時，隔墻上部產(chǎn)生不必要的光，降低等離子顯示面板的對比(Contrast)特性而形成。
具有這樣結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有PDP大致經(jīng)過玻璃基板制造工程、正面基板制造工程、后面基板制造工程及組裝工程等工程形成。在上述現(xiàn)有PDP的正面基板制造工程，作為一個例子，說明電極形成方法如下。
圖2是依次表示現(xiàn)有PDP電極形成方法的工程圖。
如圖所示，在S101階段，如PDP面板所述，通過β印刷方式，在將要顯示畫像的顯示面-正面玻璃基板10上部，以一定厚度金屬形成感光性金屬漿糊層(A)。
在這里，上述感光性金屬漿糊層(A)應(yīng)包括附加感光性樹脂的銀(Ag)漿糊，上述感光性樹脂使用對紫外線等光線反應(yīng)敏感的感光物質(zhì)。
之后，在S102階段，以一定時間干燥附加上述感光性樹脂的銀(Ag)漿糊層(A)。
在S103階段，使形成一定模式的模式防護(hù)罩(B)位于上述感光性金屬漿糊層(A)上部的一定距離，從上側(cè)照射光線，利用光硬化開口部份的感光性金屬漿糊層(A)。把這一工程稱為暴光工程。
經(jīng)過上述暴光工程的玻璃基板10在S104階段完成顯像工程。若對暴光的玻璃基板10進(jìn)行顯像，因模式防護(hù)罩(B)而露在光線的部份就變得堅固硬化，沒有露出的部份被噴砂設(shè)備或蝕刻術(shù)消除。
之后，在S105階段，以一定時間干燥上述顯像工程后剩下的部份(即，暴光工程中露出的部份)的感光性金屬漿糊層(A)。
之后，在S106階段，上述干燥的感光性金屬漿糊層(A)以約500-600℃溫度下經(jīng)過燒成過程，以此形成具有一定模式的金屬電極11、12。
之后，如圖1所示，形成電介質(zhì)層104，上述電介質(zhì)層104的表面形成以氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護(hù)層105，最終形成PDP面板。
但這樣的現(xiàn)有等離子顯示面板的電極形成方法是以利用Ag電極漿糊和膠片的光學(xué)刻蝕(Photo Lithography)法形成電極，或者利用通過AI或Cr-Cu-Cr的超級貼箔的蝕刻術(shù)(Etching)。如上所述，把Ag電極漿糊印刷給玻璃基板的整面，除了形成實際模式的部份(約30％)以外，將消除顯像，導(dǎo)致不必要資源的浪費和制造費用的增加。此外，還具有電極模式的兩端部發(fā)生翹起的卷邊(Edge Curl)現(xiàn)象的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是為解決上述現(xiàn)有問題而開發(fā)，其目的在于提供這樣的等離子顯示面板的電極形成方法，即在等離子顯示面板的玻璃基板上，只是使利用干膜光阻劑(DFRDry Film Photo Resist，以下簡稱DFR)形成實際模式的部份形成電極，以此節(jié)減面板的制造費用，并提升生產(chǎn)效率，可以防止卷邊現(xiàn)象發(fā)生。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的等離子顯示面板的電極形成方法是，如包括玻璃基板上部設(shè)置包括透明電極和匯流電極在內(nèi)的數(shù)個維持電極雙的正面基板、設(shè)置能夠與上述維持電極雙交叉而對向形成的數(shù)個地址電極的后面基板的等離子顯示面板的電極形成方法，包括如下階段為特點在玻璃基板上部，層壓DFR的階段；使模式防護(hù)罩位于上述層壓DFR的上述玻璃基板上部，根據(jù)特定條件，實施暴光和顯像的階段；把金屬漿糊只印刷給上述玻璃基板上的沒有形成上述DFR部份的階段；剝離消除上述DFR的階段。
另外，還包括上述DFR的剝離消除階段之后，干燥和燒成上述玻璃基板上部印刷的金屬漿糊，形成電板的階段。
上述暴光和顯像階段上的特定條件是，使上述DFR能夠被通過上述模式防護(hù)罩的光的衍射和折射現(xiàn)象形成反梯形，設(shè)置與上述模式防護(hù)罩的模式寬的間隔距離。
上述金屬漿糊是以銅(Cu)或銀(Ag)中的至少一個形成，上述金屬漿糊應(yīng)以梯形形成在上述玻璃基板上。
本發(fā)明的效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板的電極形成方法，在等離子顯示面板的玻璃基板上，只對利用DFR而形成實際模式的部份形成電極，以此具有杜絕不必要感光性金屬漿糊的浪費，節(jié)減面板的制造費用，并提升生產(chǎn)效率，還通過梯形電極，可以防止卷邊現(xiàn)象發(fā)生的效果。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的上述目的、結(jié)構(gòu)特點和效果，以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。


圖1是大致表示現(xiàn)有PDP面板結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2是依次表示現(xiàn)有PDP電極形成方法的工程圖。
圖3是依次表示本發(fā)明PDP面板制造方法的整合圖。
圖4是依次表示本發(fā)明PDP電極形成方法的工程圖。
附圖中主要部分的符號說明10、20玻璃基板11、12電極A感光性金屬漿糊層B模式防護(hù)罩(pattern Mask) CDFR(Dry Film Photo Resist)D金屬漿糊層a模式防護(hù)罩的模式寬b模式防護(hù)罩的間隔距離具體實施方式
下面將參照附圖對本發(fā)明的等離子顯示面板的電極形成方法的實施例進(jìn)行更詳細(xì)說明。
圖3是依次表示本發(fā)明等離子顯示面板制造方法的順序圖。
如圖所示，本發(fā)明的等離子顯示面板的制造方法包括正面基板制造過程(S201-S204)和后面基板制造過程(S205-S209)及上述的粘合正面基板和后面基板的粘合過程(S210-S211)。
首先，若說明上述的正面基板制造過程。
S201、S202，準(zhǔn)備成為正面基板基礎(chǔ)的正面玻璃后，正面玻璃上部上形成數(shù)個維持電極雙。
S203、S204，之后，維持電極雙上部形成上部電介質(zhì)層，上部電介質(zhì)層上部形成為保護(hù)維持電極雙的MgO材質(zhì)的保護(hù)層。
此外，再說明后面基板制造過程。
S205、S206，后面基板也與正面基板一樣，首先準(zhǔn)備成為器材的后面玻璃，能夠與正面基板上形成的維持電極雙交叉而對向，后面玻璃上形成數(shù)個地址電極。
S207、S208，之后，地址電極上面形成下部電介質(zhì)層，上述下部電介質(zhì)層上部形成為劃分等離子顯示面板的放電單元的隔墻，隔墻上部形成黑層。
S209，之后，在被上述隔墻劃分的放電單元以內(nèi)形成熒光體層。
通過各自的干燥和燒成等工程，制造出正面基板和后面基板。
S210、S211，這樣制造的正面基板和后面基板通過粘合過程，形成等離子顯示面板。
另外，如上述那樣制造的本發(fā)明等離子顯示面板的形成方法所述，若更具體說明正面基板的電極形成方法，就如圖4所示。
圖4是依次表示本發(fā)明PDP正面基板制造工程的工程圖。
S301，如圖所示，首先，把干膜光阻劑(DFRDry Film Photo Resist)C層壓(laminating)在上述玻璃基板10上部。
S302-S303，之后，使模式防護(hù)罩B位于層壓上述干膜光阻劑(DFR)C的上述玻璃基板10上部，并根據(jù)特定條件，依次運行暴光和顯像工程。
這時，上述特定條件是，使上述DFR能夠被通過上述模式防護(hù)罩B的光的衍射和折射現(xiàn)象形成反梯形，適當(dāng)設(shè)置與上述模式防護(hù)罩B的模式寬(a)的間隔距離(b)。
因此，如圖4所示，上述玻璃基板10上部形成反梯形的干膜光阻劑(DFR)C。
S304，之后，在上述玻璃基板10上，只給沒有形成上述干膜光阻劑(DFR)C的部份印刷金屬漿糊層D。
這時，上述金屬漿糊是應(yīng)以銅(Cu)或銀(Ag)中的至少一個形成，上述金屬漿糊層D的印刷通常以絲網(wǎng)印刷(Screen Printing)方式進(jìn)行。
此外，如圖所示，上述干膜光阻劑(DFR)C之間印刷的上述金屬漿糊層D被上述以反梯形形成的干膜光阻劑(DFR)C以梯形形成在上述玻璃基板10上。
通過這樣的梯形形狀，電極模式兩端部的支撐力增加，因此可以防止卷邊(Edge Curl)現(xiàn)象的發(fā)生。
S305-S306，之后，干燥印刷上述金屬漿糊層D的玻璃基板10，剝離消除上述干膜光阻劑(DFR)C。
S307，另外，上述上述干膜光阻劑(DFR)C的剝離消除階段后，約以500-600℃溫度下燒成上述玻璃基板10上部印刷的金屬漿糊層D，以此完成最終的電極11、12的形成工程。
這樣，在本發(fā)明的等離子顯示面板的玻璃基板10上，僅對利用干膜光阻劑(DFR)C形成實際模式的部份形成電極，以此減少不必要的高價感光性金屬漿糊A的浪費，節(jié)減制造費用，提升生產(chǎn)效率，并通過梯形電極11、12，防止卷邊現(xiàn)象的發(fā)生。
本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，以上的實施例僅是用來說明本發(fā)明，而并非用作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質(zhì)精神范圍內(nèi)，對以上所述實施例的變化、變型都將落在本發(fā)明權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板的電極形成方法，是包括玻璃基板上部設(shè)置包括透明電極和匯流電極在內(nèi)的數(shù)個維持電極雙的正面基板、設(shè)置能夠與上述維持電極雙交叉而對向形成的數(shù)個地址電極的后面基板的等離子顯示面板的電極形成方法，其特征在于在玻璃基板上部，層壓干膜光阻劑的階段；使模式防護(hù)罩位于上述層壓干膜光阻劑的上述玻璃基板上部，根據(jù)特定條件，實施暴光和顯像的階段；把金屬漿糊只印刷給上述玻璃基板上的沒有形成上述干膜光阻劑部份的階段；剝離消除上述干膜光阻劑的階段。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的電極形成方法，其特征在于還包括上述干膜光阻劑的剝離消除階段之后，干燥和燒成上述玻璃基板上部印刷的金屬漿糊，形成電板的階段。
3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子顯示面板的電極形成方法，其特征在于上述暴光和顯像階段上的特定條件是使上述干膜光阻劑能夠被通過上述模式防護(hù)罩的光的衍射和折射現(xiàn)象形成反梯形，設(shè)置與上述模式防護(hù)罩的模式寬的間隔距離。
4.如權(quán)利要求1或2所述的等離子顯示面板的電極形成方法，其特征在于上述金屬漿糊是以銅或銀中的至少一個形成。
5.如權(quán)利要求1或2所述的等離子顯示面板的電極形成方法，其特征在于上述金屬漿糊是以梯形形成在上述玻璃基板上。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)等離子顯示面板的電極形成方法，是包括玻璃基板上部設(shè)置包括透明電極和匯流電極在內(nèi)的數(shù)個維持電極雙的正面基板、設(shè)置能夠與維持電極雙交叉而對向形成的數(shù)個地址電極的后面基板的等離子顯示面板的電極形成方法，包括在玻璃基板上部層壓干膜光阻劑(DFR)的階段；使模式防護(hù)罩位于上述層壓DFR的上述玻璃基板上部，根據(jù)特定條件，實施暴光和顯像的階段；把金屬漿糊只印刷給玻璃基板上的沒有形成DFR部分的階段；剝離消除DFR的階段；干燥和燒成玻璃基板上部印刷的金屬漿糊，形成電板的階段。本發(fā)明在等離子顯示面板的玻璃基板上利用干膜光阻劑僅對形成實際模式的部分形成電極，以此節(jié)減面板的制造費用并可以防止卷邊現(xiàn)象。
文檔編號H01J9/02GK1979721SQ200510111079
公開日2007年6月13日 申請日期2005年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月2日
發(fā)明者金淳學(xué), 沈正燮 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司