專利名稱：等離子體顯示器和等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示器和用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板(PDP)的方法，具體涉及被施加到PDP的維持放電脈沖的頻率。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器是使用PDP利用通過氣體放電產(chǎn)生的等離子體來顯示字符或圖像的顯示器。PDP按照其尺寸包括以矩陣形式排列的幾十到幾百萬的像素(放電單元)。
圖1是圖解一般的PDP的一部分的透視圖。在第一玻璃基底1上成對(duì)地平行排列被覆蓋了電介質(zhì)層2和保護(hù)層3的掃描電極4和維持電極5。在第二玻璃基底6上排列被覆蓋了絕緣層7的多個(gè)地址電極8。在絕緣層7上與地址電極8平行地形成阻擋條9，以便每個(gè)阻擋條9被插入在相鄰的地址電極8之間。熒光體10被涂敷在絕緣層7的表面上和每個(gè)隔斷壁9的兩側(cè)上。第一和第二玻璃基底1和6被布置為彼此相對(duì)，同時(shí)在其間限定了一個(gè)放電空間11，以便地址電極8與掃描電極4和維持電極5正交。在所述放電空間中，在每個(gè)地址電極8和每對(duì)掃描電極4和維持電極5之間的交叉處形成放電單元12。
一般，可以通過時(shí)間上的操作周期——即復(fù)位周期、地址周期和維持周期——來表達(dá)用于驅(qū)動(dòng)AC PDP的處理。所述復(fù)位周期是這樣的周期，即其中每個(gè)單元的狀態(tài)被初始化，以便平滑地執(zhí)行每個(gè)單元的尋址操作。所述地址周期是這樣的周期，即其中向所尋址的單元施加地址電壓以在所尋址的單元上累積壁電荷，以便在PDP中選擇要接通的單元和不要接通的單元。在維持周期期間，向成對(duì)的掃描電極4和維持電極5交替地施加維持放電脈沖。掃描電極4和維持電極5之間的電壓差在維持放電電壓Vs和-Vs之間交替。在這種情況下，當(dāng)在地址周期期間通過地址放電在掃描電極Y和維持電極X之間施加壁電壓的時(shí)候，通過所述壁電壓和維持放電電壓Vs在掃描電極Y和維持電極X中產(chǎn)生維持放電。
在維持周期期間通過維持放電脈沖的頻率來改變放電效率。在被頒發(fā)給Makino的美國專利第6,356,017中公開了與維持放電脈沖的頻率相關(guān)的公知技術(shù)，其中提出，可以通過使得維持放電脈沖的頻率f滿足下述等式1的關(guān)系來改善放電效率f≥μiVsπd2]]>其中，μi是離子遷移率，Vs是維持電壓，d是在掃描電極和維持電極之間的間隙。
近來，也是為了改善放電效率，作為放電氣體被注入到放電空間中的氙(Xe)氣體的分壓力已經(jīng)被增大到超過10％。一般，當(dāng)Xe的分壓力低時(shí)，Xe*單體發(fā)光。當(dāng)Xe的分壓力被增大到超過10％時(shí)，(Xe-Xe)*二聚物發(fā)光。Xe*單體發(fā)出147nm的共振線。在共振線被吸收到Xe中并到達(dá)熒光體之前，在所述147nm的共振線中吸收紫外線。另外，當(dāng)Xe*被電子撞擊時(shí)，它改變?yōu)閄e。因此，所述紫外線不會(huì)被轉(zhuǎn)換為可見光，這導(dǎo)致能量損失。
(Xe-Xe)*二聚物發(fā)出173nm的分子束。這個(gè)分子束直接到達(dá)熒光體而不被Xe或(Xe-Xe)吸收，這產(chǎn)生了良好的能量效率。另外，因?yàn)?Xe-Xe)*二聚物迅速地向熒光體傳遞能量，因此大大降低了它被電子撞擊的風(fēng)險(xiǎn)。因此，當(dāng)(Xe-Xe)*二聚物用于改善能量效率時(shí)，由Makino提出的頻率范圍是不正確的。另外，因?yàn)橛蒑akino提出的頻率很高，因此維持放電脈沖必須使用正弦波來取代方波。

發(fā)明內(nèi)容
按照本發(fā)明，提供了當(dāng)在等離子體顯示板中Xe的分壓力較高時(shí)能夠改善放電效率的維持放電脈沖的頻率。
按照本發(fā)明，提供了一種等離子體顯示器，它具有等離子體顯示板和驅(qū)動(dòng)器。所述等離子體顯示板具有由包括第一電極和第二電極的至少兩個(gè)電極形成的放電單元，所述驅(qū)動(dòng)器在維持周期期間向第一電極和第二電極的至少一個(gè)施加維持放電脈沖，以便第一電極和第二電極之間的電壓差在正電壓和負(fù)電壓之間交替。
在一個(gè)例證實(shí)施例中，被注入到放電單元的放電空間中的放電氣體的Xe的分壓力大于10％。
在一個(gè)例證實(shí)施例中，維持放電脈沖的頻率大于300kHz。
在一個(gè)例證實(shí)施例中，維持放電脈沖的頻率小于2.5MHz。
在一個(gè)例證實(shí)施例中，維持放電脈沖的頻率小于1MHz。
在一個(gè)例證實(shí)施例中，維持放電脈沖具有由下式定義的頻率ff≥{(DμiVsπd2)-1+k(Tr+Tf)+2s}-1]]>其中，Dμi是被注入到放電單元的放電空間中的放電氣體的Xe離子的遷移率，Vs(V)是正電壓或負(fù)電壓的絕對(duì)值，d[cm]是在第一電極和第二電極之間的間隙，Tr(s)和Tf(s)分別是維持放電脈沖的上升時(shí)間和下降時(shí)間，k是當(dāng)在維持放電脈沖的一個(gè)周期期間第一電極和第二電極之間的電壓差的絕對(duì)值不是Vs時(shí)的時(shí)段的上升時(shí)間和下降時(shí)間確定的時(shí)段，s是除了下述時(shí)段之外的時(shí)段對(duì)應(yīng)于上升時(shí)間和下降時(shí)間的時(shí)段，以及當(dāng)在維持放電脈沖的一個(gè)周期期間第一電極和第二電極之間的電壓差的絕對(duì)值是Vs時(shí)的時(shí)段。
在一個(gè)例證實(shí)施例中，維持放電脈沖具有由下式定義的頻率ff>μiVsπd2.]]>按照本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種用于驅(qū)動(dòng)具有由至少兩個(gè)電極形成的放電單元的等離子體顯示板的方法。從由至少兩個(gè)電極形成的放電單元中選擇要接通的放電單元，并且通過向所選擇的放電單元施加具有在300kHz和2.5MHz之間的預(yù)定頻率的維持放電脈沖來建立用于所選擇的放電單元的維持放電。


圖1是圖解AC PDP的一部分的透視圖。
圖2是圖解按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示器的方框圖。
圖3是圖解按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的維持放電脈沖的波形圖。
圖4示出了用于圖解掃描電極的維持放電脈沖和維持電極的維持放電脈沖重疊時(shí)的時(shí)間的波形圖。
圖5是示出在Xe的分壓力和離子遷移率的校正因子之間的關(guān)系的圖。
圖6是示出在Xe的分壓力和維持放電脈沖的門限頻率之間的關(guān)系的圖。
圖7是示出在門限頻率是500kHz的條件下在維持放電脈沖的頻率和放電效率之間的關(guān)系的圖。
圖8是示出當(dāng)改變維持放電脈沖的頻率和Xe的分壓力時(shí)測(cè)量的放電效率的三維圖。
圖9和10是圖解按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的維持放電脈沖的波形圖具體實(shí)施方式
參見圖2，等離子體顯示器包括等離子體顯示板100、控制器200、地址電極驅(qū)動(dòng)器300、維持電極驅(qū)動(dòng)器400和掃描電極驅(qū)動(dòng)器500。
等離子體顯示板100包括在列方向上延伸的多個(gè)地址電極A1到Am(以下稱為“A”電極)、在行方向上成對(duì)交替延伸的多個(gè)維持電極X1-Xn(以下稱為“X”電極)和多個(gè)掃描電極Y1-Yn(以下稱為“Y”電極)。X電極X1-Xn形成為與各個(gè)Y電極Y1-Yn相對(duì)應(yīng)，并且它們的端子耦合在一起。等離子體顯示板100包括在上面排列了X和Y電極X1-Xn和Y1-Yn的基底(未示出)以及在上面排列了A電極A1-Am的基底(未示出)。所述兩個(gè)基底彼此面對(duì)，并且在其間具有放電空間，以便Y電極Y1-Yn可以與A電極A1-Am交叉，并且X電極X1-Xn可以與A電極A1-Am交叉。在這種情況下，在A電極A1-Am與X和Y電極X1-Xn和Y1-Yn的交叉點(diǎn)上的放電空間形成放電單元，這類似于參照?qǐng)D1所述的那些。每個(gè)Y電極和每個(gè)X電極可以具有對(duì)應(yīng)的投射電極(未示出)，它們分別向相鄰的Y電極和相鄰的X電極投射，并且彼此相對(duì)。如下所述，如果存在投射電極，則在Y電極(諸如電極Y1)和與Y電極成對(duì)的X電極(諸如電極X1)之間的間隙(d)是在Y電極和與所述Y電極成對(duì)的X電極之間的最短距離，如果不存在投射電極，則所述間隙(d)是在Y電極的投射電極和與Y電極成對(duì)的X電極的投射(projection)電極之間的最短距離。
控制器200從外部接收視頻(圖像)信號(hào)，并且輸出地址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)、X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)和Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)。另外，控制器200將單個(gè)幀劃分為具有各自的加權(quán)的多個(gè)子場(chǎng)，并且驅(qū)動(dòng)它們。
在地址周期期間，掃描電極驅(qū)動(dòng)器500以Y電極Y1-Yn的選擇順序(即依序)向Y電極Y1-Yn施加所選擇的電壓，并且地址電極驅(qū)動(dòng)器300從控制器200接收地址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，并且向每個(gè)A電極施加地址電壓，用于選擇每當(dāng)向每個(gè)Y電極施加所選擇的電壓時(shí)要被接通的放電單元。換句話說，選擇由被施加了所選擇的電壓的Y電極和當(dāng)在地址周期期間向Y電極施加所選擇的電壓時(shí)被施加了地址電壓的A電極形成的放電單元，作為將要接通的放電單元。
在維持周期期間，維持電極驅(qū)動(dòng)器400和掃描電極驅(qū)動(dòng)器500從控制器200接收控制信號(hào)，并且交替地向X電極X1-Xn和Y電極Y1-Yn施加維持放電脈沖。
現(xiàn)在參照?qǐng)D3-6來說明按照本發(fā)明的一個(gè)例證實(shí)施例的、等離子體顯示板中被施加用于維持放電的維持放電脈沖的頻率范圍。
圖3是圖解按照本發(fā)明的一個(gè)例證實(shí)施例的維持放電脈沖的圖。圖4是圖解當(dāng)Y電極的維持放電脈沖和X維持電極的維持放電脈沖重疊時(shí)的時(shí)間的圖。在下面的說明中，被施加到X電極和Y電極的維持放電脈沖在電壓Vs和地電壓(0V)之間交替，并且彼此相位相反，如圖3所示。
首先，進(jìn)一步說明前面結(jié)合等式1描述的維持放電脈沖的頻率的問題。
在等式1中的Xe單體的離子遷移率大體由下面的等式2來確定μi=1p{1947e-16.833Xe-0.011878Ep+1554.2e-5.1697Xe-0.00089854Ep+1158.6e-1.1457Xe-0.0093201pE+131.24}]]>其中，Xe是被標(biāo)準(zhǔn)化為1的Xe的分壓力(例如當(dāng)Xe的分壓力是30％時(shí)，Xe是0.3)，E是由于維持放電電壓Vs而在X電極和Y電極之間產(chǎn)生的電場(chǎng)的強(qiáng)度(Vs(V)/d(cm))，p[Torr]是在放電空間中的氣體壓力。
在公共使用的等離子體顯示板的放電單元中，在X電極和Y電極之間的間隙(d)是0.0075cm，維持放電電壓Vs是220V，氣體的壓力(p)是450托(Torr)。在這個(gè)條件下，如果Xe的分壓力是30％，則在等式2中離子遷移率大致是1.99。將這些值代入等式1，可以獲得超過大約2.5MHz的維持放電脈沖頻率(f)。
但是，因?yàn)楫?dāng)維持放電脈沖被施加到Y(jié)和X電極時(shí)Y和X電極作為電容負(fù)載，因此由于消耗了用于向電容負(fù)載注入電荷的無效功率而增大了功耗。因此，使用用于恢復(fù)和再次使用在等離子體顯示器中的無效功率的功率恢復(fù)電路來向Y和X電極施加維持放電脈沖。所述功率恢復(fù)電路在使用由Y和X電極形成的電容負(fù)載和一個(gè)電感器之間的諧振對(duì)電容負(fù)載放電的同時(shí)將能量恢復(fù)到外部電容器，然后使用在外部電容器中存儲(chǔ)的能量來對(duì)電容負(fù)載充電。在頒發(fā)給Weber等人的美國專利第4,866,349和5,081,400號(hào)中公開了這樣的功率恢復(fù)電路。
為了使用功率恢復(fù)電路來向Y電極施加維持放電脈沖，Y電極的電壓必須從0V增大至維持放電電壓Vs或從Vs減小至0V。但是，不可能瞬時(shí)地改變Y電極的電壓。換句話說，需要一段時(shí)間(以下稱為“上升時(shí)間”)來使用諧振將Y電極的電壓從0V增大至Vs，類似地，需要一段時(shí)間(以下稱為“下降時(shí)間”)來將Y電極的電壓從Vs減小至0V。一般，當(dāng)在Xe的高分壓力下實(shí)驗(yàn)地增大維持放電脈沖的上升時(shí)間時(shí)，可以獲得良好的放電效率。所述上升時(shí)間被設(shè)置為大約300-350ns。但是，當(dāng)在Xe的低分壓力下增大維持放電脈沖的上升時(shí)間時(shí)，放電效率差。因此，需要考慮維持放電脈沖的上升時(shí)間和下降時(shí)間來校正等式1。為了反映上升時(shí)間和下降時(shí)間，可以以下面的等式3來校正等式1f≥{(μiVsπd2)-1+k(Tr+Tf)+2s}-1]]>其中，μi是離子遷移率，Vs[V]是維持放電電壓，d[cm]是在X電極和Y電極之間的間隙，Tr和Tf分別是維持放電脈沖的上升時(shí)間和下降時(shí)間，k和s是Y電極的維持放電脈沖和X電極的維持放電脈沖的重疊系數(shù)。更詳細(xì)而言，k是當(dāng)在維持放電脈沖的一個(gè)周期期間第一電極和第二電極之間的電壓差的絕對(duì)值不是Vs時(shí)的時(shí)段的上升時(shí)間和下降時(shí)間確定的時(shí)段，而s是除了下述時(shí)段之外的時(shí)段對(duì)應(yīng)于上升時(shí)間和下降時(shí)間的時(shí)段，以及當(dāng)在維持放電脈沖的一個(gè)周期期間第一電極和第二電極之間的電壓差的絕對(duì)值是Vs時(shí)的時(shí)段。
如圖4所示，如果Y和X電極的維持放電脈沖彼此重疊，則s＝0。如果Y和X電極的維持放電脈沖不彼此重疊，s表示當(dāng)在維持放電脈沖的一個(gè)周期期間Y和X電極的電壓同時(shí)是0時(shí)的時(shí)段。k是一個(gè)數(shù)值，用于表示Y和X電極的維持放電脈沖中的上升時(shí)間Tr和下降時(shí)間Tf的反射(reflection)程度。當(dāng)Y和X電極的維持放電脈沖不彼此重疊時(shí)，k是2，因?yàn)樯仙龝r(shí)間Tr和下降時(shí)間Tf分別被反射兩次。另外，當(dāng)Y和X電極的維持放電脈沖彼此重疊時(shí)，根據(jù)上升時(shí)間Tr和下降時(shí)間Tf的反射程度來確定k，如圖4所示。
在此，當(dāng)上升時(shí)間Tr和下降時(shí)間Tf被設(shè)置為300ns的時(shí)候，k和s分別是1和0，并且上述的放電單元的條件被代入等式3中，維持放電的頻率大致是1MHz。這對(duì)應(yīng)于在等式1中計(jì)算的數(shù)值的一半。
等式1和3用于Xe的分壓力極低并且Xe處于單體狀態(tài)中的情況。但是，在Xe的分壓力很高并且Xe的單體離子(Xe+)和二聚物離子(Xe2+)相混合的情況下，需要校正等式3。
以下，參見圖5考慮Xe二聚物來說明頻率和維持放電脈沖。
圖5是示出在Xe的分壓力和離子遷移率的校正因子之間的關(guān)系的圖。在圖5中，水平軸表示被標(biāo)準(zhǔn)化為1的Xe的分壓力，垂直軸表示與Xe單體離子的遷移率相乘而獲得實(shí)際的離子遷移率的校正因子D。如圖5所示，當(dāng)在Xe的分壓力被增大到大約10％的時(shí)候Xe二聚物被形成時(shí)，所述離子遷移率通過Xe單體離子(Xe+)和Xe二聚物離子(Xe2+)的交互作用而迅速地降低。因此，當(dāng)Xe的分壓力被進(jìn)一步增大到大約20％時(shí)，Xe大多數(shù)存在于二聚物狀態(tài)，因此減少了在Xe單體離子和Xe二聚物離子之間的交互作用。因此，離子遷移率再次被增大達(dá)到大致在二聚物狀態(tài)中的離子遷移率的50和60％之間的離子遷移率。因此，Xe的分壓力和校正因子(D)之間的關(guān)系由下面的等式4表達(dá)D=-1-e-110Xe1.96(Xe+0.1)+0.74]]>其中，D是從Xe的實(shí)際離子遷移率除以在單體狀態(tài)中的Xe的離子遷移率而得到的因子，Xe是被標(biāo)準(zhǔn)化為1的Xe的分壓力。
為了反映這個(gè)校正因子D，等式3被改變?yōu)橄旅娴牡仁?f≥{(DμiVsπd2)-1+k(Tr+Tf)+2s}-1]]>在上述的放電單元的條件(d＝0.0075cm，Vs＝220V和p＝450Torr)和維持放電脈沖的條件(Tr＝300ns，k＝1和s＝0)下，根據(jù)Xe的分壓力在等式5中確定的頻率f的最小值(門限頻率)如圖6所示。參見圖6，確定當(dāng)Xe的分壓力被增大到大于10％時(shí)預(yù)期改善放電效率的門限頻率在大約300kHz到550kHz的范圍內(nèi)。即，當(dāng)維持放電脈沖的頻率被設(shè)置為大于300kHz的門限頻率時(shí)，預(yù)期改善放電效率。
如上所述，按照本發(fā)明的第一例證實(shí)施例，當(dāng)在由等式5確定的頻率范圍內(nèi)設(shè)置維持放電脈沖的頻率時(shí)，可以改善放電效率。具體上，可以通過在一般等離子體顯示板的條件下將維持放電脈沖的頻率設(shè)置為大于300kHz來改善放電效率。
在本發(fā)明的第一例證實(shí)施例中，已經(jīng)說明了用于改善放電效率的維持放電脈沖的下限門限頻率。以下，將參照?qǐng)D7來說明維持放電脈沖的上限頻率。
圖7是示出在等式5中門限頻率被確定為500kHz的條件下在維持放電脈沖的頻率和放電效率之間的關(guān)系的圖。
參見圖7，可以看出，當(dāng)增大維持放電脈沖的頻率時(shí)放電效率被增大，特別的，當(dāng)維持放電脈沖的頻率是門限頻率500kHz時(shí)放電效率是大約3.0。另一方面，可以看出，當(dāng)維持放電脈沖的頻率大于750kHz時(shí)放電效率降低，特別的，當(dāng)維持放電脈沖的頻率大于1MHz時(shí)，放電效率小于為門限頻率500kHz設(shè)置的放電效率。換句話說，當(dāng)維持放電脈沖的頻率是大約1MHz，則放電效率飽和。這與功率恢復(fù)電路的功率恢復(fù)比率有一些關(guān)聯(lián)。
如上所述，當(dāng)維持放電脈沖被施加到X電極和Y電極時(shí)，使用功率恢復(fù)電路。在這種情況下，當(dāng)增大維持放電脈沖的頻率時(shí)可以降低功率恢復(fù)電路的功率恢復(fù)比率。當(dāng)增大維持放電脈沖的頻率時(shí)，必須縮短維持放電脈沖的上升時(shí)間和下降時(shí)間。通過形成諧振電路的電容分量和電感分量來確定上升時(shí)間和下降時(shí)間。在此，所述電容分量是由等離子體顯示板的屬性確定的值。因此，通過調(diào)整在功率恢復(fù)電路中使用的電感器的大小可以調(diào)整上升時(shí)間和下降時(shí)間。即，電感器的大小較小，以便縮短維持放電脈沖的上升時(shí)間和下降時(shí)間。
一般，當(dāng)X電極和Y電極驅(qū)動(dòng)器分別連接到X電極和Y電極時(shí)使用的柔性印刷電路(FPC)、圖案等在等離子體顯示板的大小變大時(shí)變得被延長。在這種情況下，在X和Y電極及其驅(qū)動(dòng)器之間增大了寄生電感分量。當(dāng)在電感器的大小變小而產(chǎn)生諧振的時(shí)候，需要在寄生電感分量的影響變大時(shí)降低功率恢復(fù)比率。另外，當(dāng)維持放電脈沖的頻率變高時(shí)，大的位移電流瞬時(shí)流過由X電極和Y電極形成的電容部件，這對(duì)于功率恢復(fù)電路施加了較重的負(fù)擔(dān)。因此，不能將維持放電脈沖的頻率設(shè)置為太高。在通常的功率恢復(fù)電路中將門限頻率設(shè)置為等于大約1MHz。
接著，將參照?qǐng)D8來說明當(dāng)增大維持放電脈沖的頻率時(shí)預(yù)期改善放電效率的Xe的分壓力的范圍，所述圖8示出了當(dāng)改變維持放電脈沖的頻率和Xe的分壓力時(shí)測(cè)量的放電效率。圖8中所測(cè)量的放電效率Eff.由下面的等式6近似。
Eff.＝1.42120-0.00183633×f+0.0317506×Xe+0.000177615×f×Xe當(dāng)?shù)仁?對(duì)維持放電脈沖的頻率進(jìn)行微分時(shí)，它被改變?yōu)榈仁?-0.00183633+0.000177615×Xe＝0因此，可以從等式6看出，Xe的分壓力設(shè)置為10％作為臨界點(diǎn)，在該臨界點(diǎn)，當(dāng)增大頻率時(shí)放電效率被增大。
如上所述，按照本發(fā)明的例證實(shí)施例，當(dāng)Xe的分壓力高時(shí)，可以通過將維持放電脈沖的頻率設(shè)置為大于由等式5確定的門限頻率來改善放電效率。在這個(gè)實(shí)施例中，維持放電脈沖的頻率被設(shè)置為大約300kHz。另外，可以將維持放電脈沖的頻率設(shè)置為小于在等式1中確定的大約2.5MHz的門限頻率，在該頻率，需要以傳統(tǒng)技術(shù)中的正弦波的形式來使用維持放電脈沖。而且，在這個(gè)實(shí)施例中，考慮功率恢復(fù)電路的操作負(fù)荷和功率恢復(fù)比率可以將維持放電脈沖的頻率設(shè)置為小于1MHz。另外，在這個(gè)實(shí)施例中，期望在Xe的分壓力實(shí)驗(yàn)性地大于大約10％的范圍內(nèi)改善放電效率。
另外，當(dāng)像在這個(gè)實(shí)施例中那樣維持放電脈沖的頻率較高時(shí)，降低了圖像信號(hào)的亮度。這可以克服一個(gè)問題當(dāng)增大放電效率時(shí)，低灰度級(jí)的表達(dá)惡化。另外，當(dāng)維持放電脈沖的頻率高時(shí)，可以降低維持周期。由維持周期的降低節(jié)省的時(shí)間可以被分配用于灰度級(jí)的表達(dá)或偽輪廓的降低。
在上述的實(shí)施例中，假定維持放電脈沖具有圖3所示的波形。但是，不用將本發(fā)明的例證實(shí)施例限定到這樣的維持放電脈沖，具有其他波形的其他維持放電脈沖也適用。
圖9和10是圖解按照本發(fā)明的其他實(shí)施例的維持放電脈沖的圖。
參見圖9，被施加到X和Y電極的維持放電脈沖在具有相反相位的電壓Vs/2和電壓-Vs/2之間交替。因此，在Y和X電極之間的電壓差在Vs和-Vs之間交替。在圖9中，在等式5中的k總是1，并且通過在維持放電脈沖的一個(gè)周期中電壓差是地電壓(0V)的時(shí)段來確定s。
參見圖10，具有交替的電壓Vs和電壓-Vs的維持放電脈沖在X電極被偏置到地電壓的狀態(tài)下被施加到Y(jié)電極。因此，Y和X電極之間的電壓差在Vs和-Vs之間交替。在圖10中，在等式5中的k總是1，并且通過在維持放電脈沖的一個(gè)周期中電壓差是地電壓(0V)的時(shí)段來確定s。
在上述的實(shí)施例中，等離子體顯示板具有三個(gè)電極，包括A電極、Y電極和X電極。但是，不用限定為三個(gè)電極，本發(fā)明可以應(yīng)用到具有其他形式的電極的其他的等離子體顯示板，它們能夠使用上述的所施加的維持放電脈沖來建立維持放電。
從上述說明所顯見的，按照本發(fā)明，通過按照Xe的分壓力的增大來設(shè)置維持放電脈沖的頻率，可以改善等離子體顯示板的放電效率。
雖然已經(jīng)參照特定的例證實(shí)施例說明了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例，而是相反，意欲覆蓋在所附的權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)包括的各種修改和等同的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示器，包括等離子體顯示板，包含由包括第一電極和第二電極的至少兩個(gè)電極形成的放電單元；以及驅(qū)動(dòng)器，用于在維持周期期間向第一電極和第二電極中的至少一個(gè)施加維持放電脈沖，以便在第一電極和第二電極之間的電壓差在正電壓和負(fù)電壓之間交替，其中維持放電脈沖的頻率大于300kHz。
2.按照權(quán)利要求1的等離子體顯示器，其中被注入到放電單元的放電空間中的放電氣體的Xe的分壓力大于10％。
3.按照權(quán)利要求1的等離子體顯示器，其中維持放電脈沖的頻率小于2.5MHz。
4.按照權(quán)利要求3的等離子體顯示器，其中維持放電脈沖的頻率小于1MHz。
5.按照權(quán)利要求1的等離子體顯示器，其中，在維持周期期間，所述驅(qū)動(dòng)器向第一電極施加交替地具有第一電壓和第二電壓的第一維持放電脈沖，并且向第二電極施加交替地具有第一電壓和第二電壓的第二維持放電脈沖，所述第二維持放電脈沖具有與被施加到第一電極的第一維持放電脈沖的相位相反的相位。
6.按照權(quán)利要求1的等離子體顯示器，其中在維持周期期間，所述驅(qū)動(dòng)器在其中第一電極被偏置到第一電壓的狀態(tài)下向第二電極施加交替地具有第二電壓和第三電壓的維持放電脈沖，所述第二電壓高于第一電壓，并且第三電壓低于第一電壓。
7.按照權(quán)利要求1的等離子體顯示器，其中第一電極和第二電極在等離子體顯示板中在一個(gè)方向上延伸，和所述等離子體顯示板還包括多個(gè)延伸穿過第一和第二電極的第三電極，其中通過所述多個(gè)第一電極、所述多個(gè)第二電極和所述多個(gè)第三電極而形成放電單元。
8.一種等離子體顯示器，包括等離子體顯示板，包含由包括第一電極和第二電極的至少兩個(gè)電極形成的放電單元；以及驅(qū)動(dòng)器，用于在維持周期期間向第一電極和第二電極中的至少一個(gè)施加維持放電脈沖，以便第一電極和第二電極之間的電壓差在正電壓和負(fù)電壓之間交替，其中，所述維持放電脈沖具有由下式定義的頻率ff≥{(DμiVsπd2)-1+k(Tr+Tf)+2s}-1]]>其中，Dμi是被注入到放電單元的放電空間中的放電氣體的Xe離子的遷移率，Vs是正電壓或負(fù)電壓的絕對(duì)值，d是在第一電極和第二電極之間的間隙，Tr和Tf分別是維持放電脈沖的上升時(shí)間和下降時(shí)間，k是當(dāng)在維持放電脈沖的一個(gè)周期期間第一電極和第二電極之間的電壓差的絕對(duì)值不是Vs時(shí)的時(shí)段的上升時(shí)間和下降時(shí)間確定的時(shí)段，s是除了下述時(shí)段之外的時(shí)段對(duì)應(yīng)于上升時(shí)間和下降時(shí)間的時(shí)段，以及當(dāng)在維持放電脈沖的一個(gè)周期期間第一電極和第二電極之間的電壓差的絕對(duì)值是Vs時(shí)的時(shí)段。
9.按照權(quán)利要求8的等離子體顯示器，其中，所述維持放電脈沖具有由下式定義的頻率ff<μiVsπd2.]]>
10.按照權(quán)利要求8的等離子體顯示器，其中，通過下式來定義μiμi=1p{1974e-16.833Xe-0.011878Ep+1554.2e-5.1697Xe-0.00089854Ep+1158.6e-1.1457Xe-0.0093201Ep+131.24}]]>其中，E是Vs/d，p(Torr)是放電單元中的氣體壓力，Xe是被標(biāo)準(zhǔn)化為1的Xe的分壓力，D是由Xe的實(shí)際離子遷移率除以在單體狀態(tài)中的Xe的離子遷移率而得到的因子。
11.按照權(quán)利要求10的等離子體顯示器，其中通過下式來定義DD=-1-e-110Xe1.96(Xe+0.1)+0.74.]]>
12.按照權(quán)利要求8的等離子體顯示器，其中Xe的分壓力大于10％。
13.按照權(quán)利要求8的等離子體顯示器，其中，在維持周期期間，所述驅(qū)動(dòng)器向第一電極施加交替地具有第一電壓和第二電壓的維持放電脈沖，并且向第一電極施加交替地具有第一電壓和第二電壓、并具有與被施加到第一電極的維持放電脈沖的相位相反的相位的維持放電脈沖。
14.按照權(quán)利要求8的等離子體顯示器，其中在維持周期期間，所述驅(qū)動(dòng)器在第一電極被偏置到第一電壓的狀態(tài)下向第二電極施加交替地具有第二電壓和第四電壓的維持放電脈沖，所述第二電壓高于第一電壓，并且第三電壓低于第一電壓。
15.按照權(quán)利要求8的等離子體顯示器，其中第一電極和第二電極在等離子體顯示板中在一個(gè)方向上延伸，所述等離子體顯示板還包括多個(gè)延伸穿過第一和第二電極的第三電極，其中通過所述多個(gè)第一電極、所述多個(gè)第二電極和所述多個(gè)第三電極而形成放電單元。
16.一種用于驅(qū)動(dòng)具有由至少兩個(gè)電極形成的放電單元的等離子體顯示板的方法，所述方法包括從由至少兩個(gè)電極形成的放電單元中選擇要接通的放電單元；并且通過向所選擇的放電單元施加具有在300kHz和2.5MHz之間的預(yù)定頻率的維持放電脈沖來建立用于所選擇的放電單元的維持放電。
17.按照權(quán)利要求16的方法，其中維持放電脈沖的頻率低于1MHz。
18.按照權(quán)利要求16的方法，其中被注入到放電單元中的放電氣體的Xe的分壓力大于10％。
19.按照權(quán)利要求18的方法，其中所述等離子體顯示板還包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極和多個(gè)第三電極，所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極在一個(gè)方向上延伸，并且所述多個(gè)第三電極延伸穿過所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極，其中通過所述多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極和多個(gè)第三電極來形成放電單元。
20.按照權(quán)利要求19的方法，其中所述維持放電脈沖包括第一維持脈沖，交替地具有第一電壓和第二電壓，并且被施加到所述多個(gè)第一電極；和第二維持放電脈沖，具有與第一維持放電脈沖的相位相反的相位，并且被施加到所述多個(gè)第二電極。
21.按照權(quán)利要求19的方法，其中所述維持放電脈沖在第一電壓和第二電壓之間交替，并且在所述維持放電脈沖被施加到所述第一電極的同時(shí)，所述多個(gè)第二電極被偏置到一個(gè)固定電壓。
全文摘要
一種等離子體顯示器，其能夠通過增大Xe的分壓力來改善等離子體顯示板的放電效率。當(dāng)Xe的分壓力被增大時(shí)，發(fā)出147nm諧振線的(Xe－Xe)
文檔編號(hào)H01J11/22GK1667676SQ20051000839
公開日2005年9月14日 申請(qǐng)日期2005年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月11日
發(fā)明者任相薰, 水田尊久 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社