專利名稱：具有整體屏蔽罩的基座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例一般地涉及具有用于在半導(dǎo)體處理室中支撐襯底的屏蔽罩的基座。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體襯底處理中，特征尺寸和線寬日益減小的趨勢(shì)已經(jīng)使在半導(dǎo)體工件或襯底上以更高的精密度進(jìn)行掩模、蝕刻和沉積材料的能力得到重視。等離子蝕刻對(duì)于獲得小于0.25微米的臨界尺寸尤其重要。
一般地，蝕刻是通過(guò)對(duì)被輸送到由支撐構(gòu)件支撐的襯底上方的低壓區(qū)域中的工作氣體施加射頻(RF)功率來(lái)完成的。由此得到的電場(chǎng)在處理區(qū)域中產(chǎn)生反應(yīng)帶，該反應(yīng)帶將工作氣體激發(fā)為等離子體。對(duì)支撐構(gòu)件施加偏壓以吸引等離子體中的離子到其上支撐的襯底。離子向臨近襯底的等離子體的邊界處遷移，在離開(kāi)邊界層時(shí)進(jìn)行加速。加速的離子產(chǎn)生了從襯底的表面移除或腐蝕掉材料所需的能量。由于加速的離子能腐蝕在處理室中的其他物品，所以將等離子體約束在襯底上方的處理區(qū)域很重要。
圖1說(shuō)明了提供用于等離子體約束的示范性的處理室100。處理室100包括室體102，該室體102包括安置于其中在垂直方向可以移動(dòng)的襯底支撐構(gòu)件104。該支撐構(gòu)件104通常包括一個(gè)或多個(gè)用于向襯底施加偏壓的電極。室體102通常包括蓋106，底部108和側(cè)壁110。線圈112鄰接蓋106放置，并被耦合到電源114。環(huán)形屏蔽罩116被連接到側(cè)壁110或蓋106，并將支撐構(gòu)件104環(huán)繞于其中。在支撐構(gòu)件104位于較低的位置時(shí)，覆蓋環(huán)118被懸掛在屏蔽罩116的J部分120上。
在支撐構(gòu)件104被升高到如圖1中所示的處理位置時(shí)，支撐構(gòu)件的周邊與覆蓋環(huán)118接觸，并將覆蓋環(huán)118提高離開(kāi)屏蔽罩116。由于在覆蓋環(huán)118和屏蔽罩116的J部分120保持交錯(cuò)產(chǎn)生迷宮式密封或間隙，在支撐構(gòu)件104和蓋106之間確定的處理區(qū)域122中形成的等離子體沒(méi)有遷移到支撐構(gòu)件104下面的區(qū)域124，在該區(qū)域離開(kāi)等離子體的離子可能腐蝕鄰接于此的處理室元件。
盡管對(duì)被支撐構(gòu)件提高的覆蓋環(huán)的利用已經(jīng)成功地進(jìn)行了商業(yè)化，但是在處理室中使用陶瓷支撐構(gòu)件通常不為人們所偏好。通常，每次陶瓷支撐構(gòu)件被升高到處理位置時(shí)，覆蓋環(huán)會(huì)撞擊陶瓷支撐構(gòu)件。由于陶瓷易碎的特性，在處理多個(gè)襯底期間，覆蓋環(huán)和陶瓷支撐構(gòu)件之間反復(fù)的撞擊是人們所不希望的。在反復(fù)撞擊后，陶瓷支撐構(gòu)件經(jīng)常受到損壞，可能碎裂、斷裂或產(chǎn)生顆粒。這會(huì)導(dǎo)致提前更換陶瓷支撐構(gòu)件，并造成處理變差和缺陷率增加。
因此，存在對(duì)改進(jìn)的用于支撐處理室中的陶瓷支撐構(gòu)件上的襯底的方法和裝置的需求。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個(gè)方面中，提供了適用于連接到支撐構(gòu)件的下屏蔽罩。一個(gè)實(shí)施例中，該下屏蔽罩包括中央部分和從周邊延伸的凸緣。中央部分包括孔，該孔具有位于孔側(cè)壁上的凹槽。凸緣適用于與置于處理室中的上屏蔽罩相配合以形成可以防止等離子體遷移到下屏蔽罩之下的迷宮式間隙(labyrinth gap)。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，提供了用于支撐襯底的支撐構(gòu)件。在一個(gè)實(shí)施例中，用于支撐襯底的支撐構(gòu)件包括連接到下屏蔽罩的主體(body)。該主體具有上表面和下表面。上表面適用于支撐襯底。下屏蔽罩有中央部分和凸緣。凸緣被放射狀地安置于主體之外，并向上突出指向由上表面確定的平面。凸緣以與主體分隔開(kāi)的關(guān)系放置。下屏蔽罩防止等離子體遷移到支撐構(gòu)件之下。在一個(gè)實(shí)施例中，下屏蔽罩提供了處理室中的射頻接地返回路徑的一部分。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，提供了用于處理襯底的處理室。在一個(gè)實(shí)施例中，處理室包括室體，該室體具有置于其中的環(huán)形上屏蔽罩和支撐構(gòu)件。室體具有確定內(nèi)部體積的底部、壁和蓋。上屏蔽罩被放置于內(nèi)部體積中，位于蓋的下方。支撐構(gòu)件被置于內(nèi)部體積中，具有連接到下屏蔽罩的主體。該主體具有上表面和下表面。上表面適用于支撐襯底。下屏蔽罩有中央部分和凸緣。凸緣被呈放射狀地放置于主體之外，并向上突出指向由第一表面確定的平面。凸緣以與主體分隔開(kāi)的關(guān)系放置。凸緣和上屏蔽罩基本上防止了等離子體遷移到支撐構(gòu)件之下。


為了能詳細(xì)地理解于其中獲得上述本發(fā)明的特征、優(yōu)點(diǎn)和目的的方式，上述簡(jiǎn)要總結(jié)的本發(fā)明的更具體說(shuō)明可以通過(guò)參照它們?cè)诟綀D中說(shuō)明的實(shí)施例得到。
但是，值得注意的是，附圖僅說(shuō)明了本發(fā)明典型的實(shí)施例，因此不應(yīng)該視為對(duì)發(fā)明范圍的限制，因?yàn)楸景l(fā)明可以采納其他效果等同的實(shí)施例。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的說(shuō)明性的處理室的剖面圖；圖2是處理室一個(gè)實(shí)施例的剖面圖，該處理室具有連接到置于處理部分中的支撐構(gòu)件的下屏蔽罩；圖3是圖2中的下屏蔽罩的俯視圖；圖4是圖2中的下屏蔽罩的仰視圖；圖5是圖2中的屏蔽罩沿截線5-5的部分剖面圖；和圖6是圖2中具有在傳送位置的支撐構(gòu)件的室的剖面圖。
為了易于理解，在任何可能的地方，使用相同的數(shù)字標(biāo)號(hào)來(lái)指示圖中通用的相同的元件。
實(shí)施本發(fā)明的最佳模式本發(fā)明一般地提供了用于支撐處理室中的陶瓷基座上的襯底的裝置和方法。在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，提供了用于提供直接射頻返回路徑的裝置和方法。盡管本發(fā)明參照預(yù)清洗室的一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，但是本發(fā)明可以在其他使用陶瓷襯底支撐基座或其中要求直接射頻返回的室中找到應(yīng)用。
圖2描述了濺射蝕刻室200的一個(gè)實(shí)施例的橫截面圖。室200是雙頻蝕刻處理室，例如可以從位于加利福尼亞的Santa Clara的應(yīng)用材料公司得到的預(yù)清洗(Pre-Clean)II型。但是其他處理室也可以從本發(fā)明獲益。通常，室200包括室體202、置于室200的處理區(qū)域206中的襯底支撐構(gòu)件204、連接到被置于室體202外的感應(yīng)線圈210的射頻電源208、通過(guò)匹配電路214連接到襯底支撐構(gòu)件204的電源212。
室體202包括側(cè)壁216、底部218和蓋220。存取端口222通常被置于側(cè)壁216上來(lái)允許襯底224的進(jìn)入和從室200中的取出。在處理期間，由縫隙式閥門226對(duì)端口222選擇性地密封來(lái)隔離處理區(qū)域206。使用傳輸機(jī)器人(未示出)通過(guò)端口222將襯底傳送到位，從襯底支撐構(gòu)件204回收襯底224。于1993年7月13日授權(quán)給泰普曼(Tepman)等人的美國(guó)專利5,226,623中描述了可以被有效使用的一種縫隙式閥門，因此在這里通過(guò)整體引用該專利文獻(xiàn)而將其結(jié)合在本申請(qǐng)中。
在一個(gè)實(shí)施例中，蓋220是置于側(cè)壁216、處理區(qū)域206上方的石英圓拱頂。感應(yīng)線圈210通常被置于蓋220的周圍，并通過(guò)匹配電路228連接到射頻電源208。在處理期間，射頻電源208感應(yīng)地耦合功率到由輸入到處理區(qū)域206的工作氣體形成的等離子體。線圈210可以是如圖2所示豎直方向上堆疊在蓋220周圍，放置于距離圓拱頂相等的位置，或以其他配置方式設(shè)置。
氣體源230被連接到置于室200上的進(jìn)氣口232，以在處理期間輸入處理氣體到室200的處理區(qū)域206中。在處理之前和期間，與處理區(qū)域206流體相通的排氣口234排空室200。在處理期間，連接到排氣端口234的節(jié)流閥236和真空泵238維持室200的處理區(qū)域206內(nèi)的預(yù)定壓力。
環(huán)形的上屏蔽罩240通常被置于室體202內(nèi)，將處理區(qū)域206環(huán)繞其中。上屏蔽罩240通常被連接到蓋220或側(cè)壁216。該上屏蔽罩240作為在處理完一定數(shù)量的襯底后被更換的“成套處理工具”(process kit)的一部分是可以更換的。上屏蔽罩240通常包括或涂敷著導(dǎo)電材料。在一個(gè)實(shí)施例中，上屏蔽罩240是由鋁制造的，在第一端294與側(cè)壁216電氣連接，向內(nèi)延伸到圓柱形部分296，并在第二端298終止。
導(dǎo)電柔性帶242電氣連接上屏蔽罩240和襯底支撐構(gòu)件204。導(dǎo)電柔性帶242通常包括導(dǎo)電和耐用的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，帶242包括鈹-銅合金。也可以使用其他柔性的導(dǎo)電材料。帶242被配置來(lái)允許襯底支撐構(gòu)件204在室200中豎直地移動(dòng)。
在一個(gè)實(shí)施例中，襯底支撐構(gòu)件204包括主體244、嵌入物246、下屏蔽罩248、夾持板250、波紋管252和軸272。主體244通常是環(huán)形的，而且一般由絕緣材料構(gòu)成，例如陶瓷或石英。主體244通常包括上表面254和下表面256。將上表面254定向?yàn)槊嫦蛏w220。上表面254通常包括在其上形成的凹口258，該凹口258至少夾持嵌入物246的一部分。
嵌入物246包括頂面260，該表面260延伸得略微高于主體244的上表面254，并在其上支撐襯底224?？蛇x的是，頂面260和/或上表面254可以用絕緣材料286涂敷或覆蓋。嵌入物246通過(guò)穿過(guò)軸272的導(dǎo)體274連接到電源212，該電源212在處理期間對(duì)嵌入物246施加偏壓。嵌入物246的頂面260通常延伸到高于主體244的上表面254，于是襯底224的外圍部分延伸到高于上表面254，在襯底的底部和上表面254之間形成間隙?？蛇x的是，襯底支撐構(gòu)件204可以包括溫度控制器件，例如加熱器或液體導(dǎo)管(未示出)來(lái)在處理期間調(diào)節(jié)襯底224的溫度。
下屏蔽罩248通常置于主體244和波紋管252之間。下屏蔽罩248放射狀從主體244向外延伸，它包括或涂敷有如鋁的導(dǎo)電材料。下屏蔽罩248與大地通過(guò)軸272電氣連接。下屏蔽罩248是可更換的。在一個(gè)實(shí)施例中，下屏蔽罩248是在處理完一定數(shù)量的襯底后被更換的“成套處理工具”的一部分。
下屏蔽罩248包括放射狀延伸到凸緣264的中央部分262。凸緣264與中央部分262成一角度指向上方，并向由主體244的第一表面254確定的平面270突出。在一個(gè)實(shí)施例中，凸緣264基本上垂直于(例如，在15度以內(nèi))中央部分262。在圖2描述的實(shí)施例中，凸緣264垂直于中央部分262，并平行于上屏蔽罩240和側(cè)壁216。在一個(gè)升高的位置，凸緣264交錯(cuò)于上屏蔽罩240的第二端298和圓柱部分292的外側(cè)以形成迷宮式間隙292，該迷宮式間隙292防止等離子體離開(kāi)處理區(qū)域206。
凸緣264被配置為與主體244成分隔開(kāi)的關(guān)系。凸緣264通常放射狀地放置于上屏蔽罩240的外側(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，凸緣264足夠長(zhǎng)，以在襯底支撐構(gòu)件204位于處理位置時(shí)與上屏蔽罩240重疊。凸緣264的長(zhǎng)度和提升銷(未示出)的行程應(yīng)該被配置以避免防礙在構(gòu)件204被置于如圖6所顯示的較低的位置時(shí)從襯底支撐構(gòu)件204上移去襯底224。
如圖2所示的實(shí)施例中，下屏蔽罩248被置于主體244的下表面256和夾持板250之間，該夾持板250一般是螺紋旋緊或以其他方法緊固于主體244。夾持板250被連接到軸272，該軸272允許位于室200外的提升機(jī)構(gòu)276在如圖2所示的較高的處理位置和如圖6所示的易于襯底傳輸?shù)妮^低位置之間移動(dòng)襯底支撐構(gòu)件204。夾持板250通常由例如鋁的射頻導(dǎo)體材料構(gòu)成，一般通過(guò)焊接連接到軸272，然而也可以使用其他緊固方法。
通常，多個(gè)緊固件278將下屏蔽罩248連接到主體244。在一個(gè)實(shí)施例中，緊固件278穿過(guò)下屏蔽罩248并旋入主體244上的螺紋孔280中?；蛘?，下屏蔽罩248可以被緊固到夾持板250?？蛇x的是，下屏蔽罩248和夾持板250可以被合并為一個(gè)單一的構(gòu)件。
下屏蔽罩248通過(guò)基座204和軸272電氣接地。為了促進(jìn)下屏蔽罩248和軸272之間好的電接觸，可以在它們之間放置導(dǎo)電構(gòu)件282。該導(dǎo)電構(gòu)件282可以是導(dǎo)電的油脂、漿狀物、粘合劑、箔或其他可以促進(jìn)下屏蔽罩248和夾持板250之間的導(dǎo)電性的材料，夾持板250電氣連接到軸272?；蛘?，導(dǎo)電構(gòu)件可以被放置在下屏蔽罩248和主體244之間。在如圖2所示的實(shí)施例中，導(dǎo)電構(gòu)件282包括由如鈹銅合金的導(dǎo)電材料形成的彈簧，該導(dǎo)電材料部分放置于下屏蔽罩248中形成的凹槽284中?；蛘撸３謱?dǎo)電構(gòu)件282的凹槽284可以被置于夾持板250中，或置于夾持板250和下屏蔽罩248二者中。
圖3是下屏蔽罩248的一個(gè)實(shí)施例的立體圖，示出了上表面310。通常，下屏蔽罩248有中心孔306，該中心孔306通過(guò)夾持板250將下屏蔽罩248置于中心。多個(gè)提升銷孔302穿透下屏蔽罩248，這些孔允許提升銷290(如圖2所示)在此穿過(guò)。多個(gè)裝配孔304通常穿透下屏蔽罩248以使緊固件278與主體244連接。
圖4是下屏蔽罩248的一個(gè)實(shí)施例的透視圖，示出了下表面410。該下表面410通常有由凸緣264延伸出的裝配環(huán)402和由中央部分262延伸出的凸臺(tái)414。裝配環(huán)402可以包括槽口406，該槽口406允許在驅(qū)動(dòng)提升銷290時(shí)移動(dòng)提升板288(如圖2所示)更靠近底面410。裝配環(huán)402也還包括一個(gè)或多個(gè)裝配面404，該裝配面404在裝配環(huán)402的內(nèi)部沿切向設(shè)置。
如圖5所示，裝配面404提供了將帶242裝配到下屏蔽罩248的平面界面。該平面界面提供了良好的導(dǎo)電性并將帶242維持在有利于柔性的平面配置中。此外，一個(gè)或多個(gè)如定位銷502的定位元件可以被放置于帶242和下屏蔽罩248之間以便于連接帶242到下屏蔽罩248。
返回到圖4，凸臺(tái)414包括與孔306同心設(shè)置的鉆孔412。凹槽284位于孔306或鉆孔412的側(cè)壁416上。在如圖4所示的實(shí)施例中，孔306被用來(lái)通過(guò)夾持板250定位下屏蔽罩248，而鉆孔412被用來(lái)容納保持導(dǎo)電構(gòu)件282的凹槽284。
返回到圖2，波紋管252連接在下屏蔽罩248或夾持板250和室底218之間。在允許構(gòu)件204的豎直運(yùn)動(dòng)時(shí)，波紋管252提供襯底支撐構(gòu)件204和室體202之間的真空密封。
電氣連接上屏蔽罩254和下屏蔽罩248的導(dǎo)電柔性帶242為電氣接觸上屏蔽罩254的處理區(qū)域206中的等離子體提供短射頻返回路徑。接觸上屏蔽罩254的等離子體通過(guò)包括帶242、下屏蔽罩248、導(dǎo)電構(gòu)件282、夾持片250和軸272的路徑接地。短射頻返回有利地使室壁上的電壓累積最小化，并且與大多數(shù)傳統(tǒng)的處理室相比減少了返回路徑的電壓降，這些傳統(tǒng)處理室依賴于壁和波紋管來(lái)提供從等離子體到接地軸272的返回路徑。
在一個(gè)實(shí)施例中，緊固件266穿過(guò)下屏蔽罩248與位于帶242上的螺紋孔268相匹配，因此電氣連接帶242和下屏蔽罩248。帶242可以通過(guò)其他器件電連接到下屏蔽罩248，這些器件如導(dǎo)電膠、鉚釘、夾具、定位桿(staking)、配對(duì)端子或其他導(dǎo)電連接器件。
在操作中，在如圖6所示的較低的位置時(shí)，襯底224被放置于襯底支撐構(gòu)件204上。提升機(jī)構(gòu)276升高支撐構(gòu)件204和襯底224到如圖2所示的處理位置。在處理位置，上屏蔽罩240和下屏蔽罩248交錯(cuò)，在它們之間形成迷宮式間隙292。
如氬氣的工作氣體通過(guò)進(jìn)氣口232引入到處理區(qū)域206。工作氣體可以選擇性地包括氦氣、氬氣、氮?dú)夂推渌腔钚詺怏w?？蛇x的是，工作氣體可以附加地包括活性成份，如氫氣、氧氣或含氟的氣體。
為活化反應(yīng)，通過(guò)感應(yīng)耦合和/或電容耦合，在處理區(qū)域206中由工作氣體形成等離子體。最好通過(guò)偏置襯底支撐構(gòu)件204在約1W到約200W之間，約100KHz到約100MHz之間約3秒鐘來(lái)對(duì)初始等離子體進(jìn)行轟擊?；蛘撸ㄟ^(guò)對(duì)感應(yīng)線圈210施加功率或同氣體點(diǎn)燃方法或裝置來(lái)產(chǎn)生初始等離子體。
在反應(yīng)周期期間，襯底支撐構(gòu)件204被偏置在約0W和約200W之間，而感應(yīng)線圈210被偏置在約1W和約1000W之間、約100KHz和約60MHz之間。或者，在反應(yīng)周期期間，在處理區(qū)域206中的等離子體僅僅由感應(yīng)線圈210所維持?；蛘?，在處理區(qū)域206中的等離子體在處理期間可以僅由感應(yīng)耦合、電容耦合或感應(yīng)耦合和電容耦合的組合所激發(fā)和維持。
在處理期間，通過(guò)控制節(jié)流閥236的開(kāi)/關(guān)狀態(tài)，最好將室壓維持在約0.5毫托和約100毫托之間?？蛇x的是，處理期間襯底224的溫度通過(guò)襯底支撐構(gòu)件204中的溫度控制器件(未示出)來(lái)控制。
通過(guò)在上屏蔽罩240和下屏蔽罩248之間形成的迷宮式間隙292來(lái)防止等離子體從處理區(qū)域206遷移?；蛘撸ㄟ^(guò)下屏蔽罩248的短射頻返回路徑增強(qiáng)了室200的效率。
雖然前面所述的內(nèi)容是用于說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的，在不偏離其基本范圍的情況下，可以設(shè)計(jì)本發(fā)明其他的或進(jìn)一步的實(shí)施例。例如，天然氧化物和其他雜質(zhì)可以從除了銅的其它涂層上去除。本發(fā)明的范圍由后面的權(quán)利要求所確定。
權(quán)利要求
1.一種適用于被緊固到等離子體處理室中的襯底支撐構(gòu)件的下屏蔽罩，所述等離子體處理室具有連接到室的凸緣或壁的環(huán)形上屏蔽罩，該下屏蔽罩包括中央部分，具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面；鉆孔，至少部分穿透所述中央部分并具有側(cè)壁；凹槽，位于所述側(cè)壁上；和凸緣，從中央部分的一部分的第一表面突出，所述凸緣被配置成保持與襯底支撐構(gòu)件分隔開(kāi)的關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1的下屏蔽罩，其中，中央部分還包括從中穿過(guò)的多個(gè)裝配孔和多個(gè)提升銷孔。
3.如權(quán)利要求1的下屏蔽罩，還包括至少一個(gè)適用于接收與屏蔽罩電氣連接的射頻返回帶的螺紋孔。
4.如權(quán)利要求1的下屏蔽罩，其中，所述凸緣還包括至少一個(gè)適用于接收射頻返回帶的螺紋孔。
5.如權(quán)利要求1的下屏蔽罩，還包括裝配環(huán)，置于第二表面并具有內(nèi)徑；和裝配面，形成于所述裝配環(huán)上，并定向?yàn)榕c所述內(nèi)徑相切。
6.如權(quán)利要求5的下屏蔽罩，其中，所述裝配面還包括至少一個(gè)適用于接收射頻返回帶的螺紋孔。
7.如權(quán)利要求1的下屏蔽罩，其中，所述凸緣和中央部分至少部分由鋁構(gòu)成或至少部分涂敷鋁。
8.如權(quán)利要求1的下屏蔽罩，其中，所述凸緣具有比由所述屏蔽罩下端確定的直徑大的直徑。
9.一種在等離子體處理室中使用的射頻返回下屏蔽罩，所述等離子體處理室具有置于與所述室壁連接的環(huán)形屏蔽罩內(nèi)部的襯底支撐構(gòu)件，該射頻返回下屏蔽罩包括射頻導(dǎo)電中心部分，具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面；鉆孔，至少部分穿透所述中央部分并具有側(cè)壁；凹槽，位于所述側(cè)壁上；和射頻導(dǎo)電凸緣，從中央部分的一部分的第一表面突出，所述凸緣被配置成保持與襯底支撐構(gòu)件分隔開(kāi)的關(guān)系；裝配環(huán)，置于第二表面并具有內(nèi)徑；裝配面，形成于所述裝配環(huán)上，并定向?yàn)榕c所述內(nèi)徑相切；和設(shè)置在裝配面上的至少一個(gè)螺紋孔，適用于接收射頻返回帶。
10.如權(quán)利要求9的下屏蔽罩，其中，所述裝配部分還包括從中穿過(guò)的多個(gè)裝配孔和提升銷孔。
11.如權(quán)利要求9的下屏蔽罩，還包括延伸穿透所述中央部分，同心地置于所述鉆孔內(nèi)側(cè)的孔。
12.一種用于支撐襯底的構(gòu)件，包括主體，具有上表面和下表面，所述上表面適用于支撐所述襯底；和下屏蔽罩，被連接到所述主體，所述下屏蔽罩具有中央部分和凸緣，所述中央部分的第一表面鄰近所述下表面放置，所述凸緣放射狀地置于主體的外側(cè)，并以與所述主體分隔開(kāi)的關(guān)系向第一表面確定的平面突出。
13.如權(quán)利要求12的構(gòu)件，其中，所述主體還包括在上表面中形成的凹口，該凹口具有置于其中的嵌入物。
14.如權(quán)利要求12的構(gòu)件，其中，所述凸緣基本垂直于所述中央部分突出。
15.如權(quán)利要求12的構(gòu)件，還包括夾持板，連接到所述下屏蔽罩的第二表面或所述主體的下表面。
16.如權(quán)利要求15的構(gòu)件，還包括波紋管，連接到所述夾持板或所述下屏蔽罩。
17.如權(quán)利要求12的構(gòu)件，還包括軸，連接到主體，其中，所述下屏蔽罩與所述軸電氣連接。
18.如權(quán)利要求12的構(gòu)件，其中，所述凸緣不延伸超過(guò)所述主體的上表面。
19.如權(quán)利要求12的構(gòu)件，其中，所述主體是陶瓷。
20.如權(quán)利要求12的構(gòu)件，其中，所述主體是石英。
21.如權(quán)利要求12的構(gòu)件，其中，所述嵌入物是導(dǎo)電的。
22.如權(quán)利要求12的構(gòu)件，其中，所述下屏蔽罩由導(dǎo)電材料構(gòu)成或涂敷有導(dǎo)電材料。
23.如權(quán)利要求12的構(gòu)件，還包括夾持板，鄰接下屏蔽罩放置；和導(dǎo)電構(gòu)件，放置于所述下屏蔽罩和所述夾持板或主體之間。
24.如權(quán)利要求23的構(gòu)件，其中，所述導(dǎo)電構(gòu)件是彈簧。
25.一種用于支撐襯底的構(gòu)件，包括陶瓷主體，具有上表面和下表面，所述上表面適用于支撐所述襯底；和導(dǎo)電的下屏蔽罩，緊固于所述主體，所述下屏蔽罩具有中央部分和凸緣，所述中央部分的第一表面接近所述下表面放置，所述凸緣放射狀地置于主體的外側(cè)并以與主體分隔開(kāi)的關(guān)系向第一表面確定的平面突出。
26.如權(quán)利要求25的構(gòu)件，還包括導(dǎo)電的嵌入物，置于形成在所述上表面的凹口中。
27.如權(quán)利要求25的構(gòu)件，還包括夾持板，連接到所述下屏蔽罩的第二表面或所述主體的下表面；和波紋管，連接到所述夾持板或所述下屏蔽罩。
28.如權(quán)利要求25的構(gòu)件，還包括軸，連接到主體，其中，所述下屏蔽罩與所述軸電氣連接。
29.如權(quán)利要求25的構(gòu)件，其中，所述主體是石英，嵌入物是鈦。
30.如權(quán)利要求25的構(gòu)件，其中，所述下屏蔽罩是鋁。
31.一種用于支撐襯底的構(gòu)件，包括陶瓷主體，具有上表面和下表面，所述上表面適用于支撐所述襯底；導(dǎo)電的嵌入物，置于形成在所述上表面的凹口中；夾持板，鄰接所述主體的所述下表面放置；導(dǎo)電的下屏蔽罩，連接到所述主體，所述下屏蔽罩具有中央部分和凸緣，所述中央部分的第一表面接近所述下表面放置，所述凸緣放射狀地置于主體的外側(cè)并以與主體分隔開(kāi)關(guān)系向著第一表面確定的平面基本上垂直于所述中央部分突出；和導(dǎo)電構(gòu)件，置于所述下屏蔽罩和所述夾持板或主體之間。
32.如權(quán)利要求31的構(gòu)件，其中，所述導(dǎo)電構(gòu)件是彈簧。
33.一種用于處理襯底的處理室，包括室體，具有確定內(nèi)部體積的底部、壁和蓋；環(huán)形上屏蔽罩，在內(nèi)部體積中置于蓋的下方；主體，置于內(nèi)部體積中，具有上表面和下表面，所述上表面適用于支撐所述襯底；下屏蔽罩，具有中央部分和凸緣，所述中央部分的第一表面接近所述下表面放置，所述凸緣放射狀地置于主體的外側(cè)，并從所述第一表面以與主體分隔開(kāi)的關(guān)系基本上垂直地突出；和柔性帶，電氣連接所述下屏蔽罩和所述上屏蔽罩。
34.如權(quán)利要求33的室，其中，所述凸緣放射狀的置于所述主體和所述屏蔽罩之間。
35.如權(quán)利要求33的室，其中，所述主體是石英。
36.如權(quán)利要求33的室，其中，所述主體還包括形成在所述上表面中的凹口，該凹口具有置于其中的嵌入物。
37.如權(quán)利要求33的室，其中，所述嵌入物是鈦。
38.如權(quán)利要求33的室，其中，所述下屏蔽罩是鋁。
39.如權(quán)利要求33的室，還包括夾持板，連接到所述下屏蔽罩的第二表面或所述主體的下表面。
40.如權(quán)利要求39的室，還包括導(dǎo)電構(gòu)件，置于下屏蔽罩和主體或夾持板之間。
41.如權(quán)利要求39的室，還包括波紋管，連接到所述夾持板或所述下屏蔽罩。
42.如權(quán)利要求41的室，還包括軸，連接到夾持板，其中，所述下屏蔽罩與所述軸電氣連接。
43.如權(quán)利要求33的室，其中，所述凸緣不延伸超過(guò)主體的上表面。
44.如權(quán)利要求33的室，其中，所述凸緣和上屏蔽罩確定迷宮式間隙。
45.如權(quán)利要求33的室，還包括至少部分置于在下屏蔽罩上形成的凹槽中的導(dǎo)電構(gòu)件。
46.如權(quán)利要求45的室，其中，所述導(dǎo)電構(gòu)件是彈簧。
47.如權(quán)利要求33的室，其中，對(duì)置于室體中的襯底進(jìn)行預(yù)清洗處理。
48.一種用于處理室的可更換的成套處理工具，所述成套工具包括導(dǎo)電的環(huán)形上屏蔽罩，具有在具有第一直徑的端終止的圓柱形部分；和導(dǎo)電的下屏蔽罩，包括中央部分，具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面；凸緣，從中央部分的一部分的第一表面突出，具有大于所述屏蔽罩圓柱形部分的端部直徑的直徑，所述凸緣被配置成保持與所述襯底支撐構(gòu)件分隔開(kāi)的關(guān)系。
49.如權(quán)利要求48的成套工具，其中，所述下屏蔽罩還包括鉆孔，至少部分穿透中央部分并具有側(cè)壁；和凹槽，位于所述側(cè)壁上。
50.如權(quán)利要求48的成套工具，其中，所述中央部分還包括從中穿過(guò)的多個(gè)裝配孔和多個(gè)提升銷孔。
51.如權(quán)利要求48的成套工具，其中，所述下屏蔽罩還包括至少一個(gè)適用于接收與屏蔽罩電氣連接的射頻返回帶的螺紋孔。
52.如權(quán)利要求48的成套工具，其中所述下屏蔽罩還包括裝配環(huán)，置于第二表面并具有內(nèi)徑；和裝配面，形成于所述裝配環(huán)上，并定向?yàn)榕c所述內(nèi)徑相切。
53.如權(quán)利要求48的成套工具，其中，所述下屏蔽罩和/或上屏蔽罩至少部分包括或至少部分涂敷有鋁。
全文摘要
本發(fā)明一般地提供了用于支撐襯底的襯底支撐構(gòu)件。在一個(gè)實(shí)施例中，用于支撐襯底的襯底支撐構(gòu)件包括連接到下屏蔽罩的主體。所述主體具有適用于支撐襯底的上表面和下表面。所述下屏蔽罩具有中央部分和凸緣。所述凸緣以與所述主體分隔開(kāi)的關(guān)系放置。所述下屏蔽罩適用于與置于處理室中的上屏蔽罩結(jié)合來(lái)確定迷宮式間隙，該迷宮式間隙基本上可以防止等離子體遷移到低于構(gòu)件的位置。在另一個(gè)實(shí)施例中，所述下屏蔽罩向等離子體提供短射頻接地返回路徑。
文檔編號(hào)H01J37/32GK1520606SQ02802623
公開(kāi)日2004年8月11日 申請(qǐng)日期2002年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月9日
發(fā)明者卡爾·布朗, 維尼特·梅赫塔, 仕恩·潘, 謝苗·舍爾斯特尼斯凱, 艾倫·勞, 梅赫塔, 勞, 卡爾 布朗, 潘, 舍爾斯特尼斯凱 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司