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具有整體屏蔽罩的基座的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):2896575

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本發(fā)明的實(shí)施例一般地涉及具有用于在半導(dǎo)體處理室中支撐襯底的屏蔽罩的基座。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體襯底處理中,特征尺寸和線寬日益減小的趨勢(shì)已經(jīng)使在半導(dǎo)體工件或襯底上以更高的精密度進(jìn)行掩模、蝕刻和沉積材料的能力得到重視。等離子蝕刻對(duì)于獲得小于0.25微米的臨界尺寸尤其重要。一般地,蝕刻是通過(guò)對(duì)被輸送到由支撐構(gòu)件支撐的襯底上方的低壓區(qū)域中的工作氣體施加射頻(RF)功率來(lái)完成的。由此得到的電場(chǎng)在處理區(qū)域中產(chǎn)生反應(yīng)帶,該反應(yīng)帶將工作氣體激發(fā)為等離子體。對(duì)支撐構(gòu)件施加偏壓以...
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