1.一種大面積超薄石墨烯/硫化鉬超晶格異質(zhì)材料，其特征在于：為采用層遞式轉(zhuǎn)移方法制備的由石墨烯和硫化鉬薄膜交替生長(zhǎng)的多層薄膜，材料面積達(dá)到0.25mm2-1cm2，硫化鉬的厚度為0.65-3.5nm，石墨烯的厚度為0.34-2nm，超晶格異質(zhì)結(jié)的周期設(shè)置為4-20個(gè)，每個(gè)循環(huán)周期的厚度為0.99-5.5nm，然后利用濕法循環(huán)轉(zhuǎn)移直至形成總厚度為3.96-110nm厚的超晶格異質(zhì)結(jié)構(gòu)，即為大面積超薄石墨烯/二硫化鉬超晶格異質(zhì)材料。
2.一種如權(quán)利要求1所述大面積超薄石墨烯/二硫化鉬超晶格異質(zhì)材料的制備方法，其特征在于步驟如下：
1)大面積石墨烯薄膜的制備
以銅箔為石墨烯沉積襯底，先將銅箔放入濃度為5wt％的稀鹽酸溶液中，超聲5min，然后取出銅箔放在去離子水中超聲10min，取出用氮?dú)鈽尨蹈?，然后利用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)生長(zhǎng)大面積石墨烯薄膜，其中沉積溫度為300-750℃，反應(yīng)氣源為甲烷、氫氣和氬氣的混合氣體，混合氣體中甲烷占總氣體體積流量的20-50％、氫氣占總氣體體積流量的1-15％、其他為氬氣，功率為100-300W，壓強(qiáng)為50-1000Pa，沉積時(shí)間為10-100s，制得石墨烯薄膜，所述PECVD沉積設(shè)備型號(hào)為13.56MHz-100MHz；
2)大面積二硫化鉬薄膜的制備
通過CVD方法(化學(xué)氣相沉積)制備大面積二硫化鉬，生長(zhǎng)材料選擇硫和鉬箔，在管式爐中進(jìn)行鉬箔硫化，溫度為500-700℃，氬氣的通入流量為50-100sccm，生長(zhǎng)時(shí)間為1-60min，制得二硫化鉬薄膜，所述沉積設(shè)備為三溫區(qū)管式爐；
3)石墨烯/二硫化鉬超晶格異質(zhì)材料的制備
首先將大面積二硫化鉬薄膜轉(zhuǎn)移到SiO2襯體上，方法是利用旋涂?jī)x在沉積二硫化鉬薄膜的鉬箔上旋涂一層均勻的PMMA，旋涂機(jī)在150r/min低速下運(yùn)行5s、再在3000r/min高速下運(yùn)行1min，然后在80℃下熱烘2min，重復(fù)以上步驟，完成第二次甩膠和熱烘，然后利用濃度為0.5mol/L的FeCl3溶液將底部的鉬箔刻蝕掉，形成懸浮在溶液中的二硫化鉬薄膜，然后采用撈取的方式將二硫化鉬薄膜轉(zhuǎn)移到SiO2襯體上，然后浸泡在丙酮中去膠；采用上述相同的方法，完成石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移，依次轉(zhuǎn)移二硫化鉬和石墨烯薄膜后，形成大面積超薄石墨烯/二硫化鉬超晶格異質(zhì)材料。
3.一種如權(quán)利要求1所述大面積超薄石墨烯/二硫化鉬超晶格異質(zhì)材料的應(yīng)用，其特征在于：用于二維材料/單晶硅異質(zhì)太陽電池，該異質(zhì)太陽電池由下電極、n-型單晶硅、SiO2層、大面積超薄石墨烯/二硫化鉬超晶格異質(zhì)材料、上電極依次疊加構(gòu)成，其中大面積超薄石墨烯/二硫化鉬超晶格異質(zhì)材料為p型半導(dǎo)體，由層數(shù)為4-20多層石墨烯-二硫化鉬薄膜組成，其與n型單晶硅襯底構(gòu)成內(nèi)建電場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)300-800nm波段太陽光譜的光電轉(zhuǎn)化。