技術(shù)編號(hào)：11136687
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于新型二維材料/單晶硅異質(zhì)太陽電池領(lǐng)域，特別涉及一種大面積超薄石墨烯/二硫化鉬超晶格異質(zhì)材料及其制備方法和應(yīng)用。背景技術(shù)面對(duì)全球日益嚴(yán)峻的能源短缺問題，太陽能電池因其具有清潔、無污染的特點(diǎn)日益成為解決環(huán)境問題和能源問題的重要手段之一。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)這種二維材料/單晶硅異質(zhì)新型太陽能電池的研究也越來越廣泛，由于其結(jié)構(gòu)簡單、制造成本低、耗能低、制造過程無污染，成為未來太陽電池發(fā)展的重要方向。新型二維材料/單晶硅異質(zhì)太陽電池中，對(duì)p型和n型層材料的要求是高電導(dǎo)率和高光敏性，其中高電導(dǎo)率...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。