本發(fā)明涉及一種顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種亮度補(bǔ)償方法、裝置及顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，AMOLED)具有更寬的視角、更高的刷新率和更薄的尺寸等優(yōu)點(diǎn)，目前在平板顯示領(lǐng)域占主導(dǎo)地位。其廣泛應(yīng)用在臺(tái)式計(jì)算機(jī)、掌上型計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、便攜式電話、電視盒等多種辦公自動(dòng)化和視聽設(shè)備中。

圖1為現(xiàn)有的AMOLED顯示器中像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，驅(qū)動(dòng)晶體管T2連接到有機(jī)發(fā)光二極管OLED，以便提供發(fā)光用的電流，開關(guān)晶體管T1提供數(shù)據(jù)電壓來控制驅(qū)動(dòng)晶體管T2的電流量，在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極與柵極之間連接有電容C，用于維持所提供的電壓一段預(yù)定的時(shí)間，開關(guān)晶體管T1的柵極連接到信號(hào)線SL，并且源極連接到數(shù)據(jù)線。從圖1中可以看出，電源芯片提供的ELVDD電壓和數(shù)據(jù)線DL提供的數(shù)據(jù)電壓Vdata之間的電壓差決定了驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流的大小，因此ELVDD的變動(dòng)會(huì)直接影響通過發(fā)光二極管OLED的電流，從而影響發(fā)光二極管OLED的亮度。

圖2為現(xiàn)有的AMOLED顯示器中電源走線的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，由電源芯片通過ELVDD走線10向顯示面板30提供ELVDD電壓，受AMOLED顯示面板30的溫度的影響，ELVDD走線阻抗R_E會(huì)隨著溫度的升高而增大，因此提供給像素電路的ELVDD電壓被影響而造成電流變化，影響OLED的亮度。此外，在顯示區(qū)的不同位置，因?yàn)殡娫醋呔€阻抗造成的電壓差不同，會(huì)導(dǎo)致畫面整體顯示不均勻。因此，有必要提供改進(jìn)的技術(shù)方案以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的以上技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的主要技術(shù)問題是提供一種亮度補(bǔ)償方法、裝置及顯示設(shè)備，其能對顯示面板的亮度進(jìn)行補(bǔ)償、功耗小、準(zhǔn)確度高且設(shè)計(jì)簡單。

本發(fā)明提供一種亮度補(bǔ)償方法，所述方法包括在顯示面板的有效顯示區(qū)域設(shè)置偵測電阻，并對所述偵測電阻提供偵測電流；實(shí)時(shí)檢測所述偵測電阻兩端的電壓差值，并將所述電壓差值與常溫下所述偵測電阻的壓降進(jìn)行比較得到電壓偏移量；根據(jù)所述電壓偏移量、所述偵測電流的電流值及偵測電阻的材料系數(shù)得到所述顯示面板的有效顯示區(qū)域的實(shí)時(shí)溫度；以及計(jì)算在所述實(shí)時(shí)溫度下每個(gè)子像素中ELVDD走線的電阻值，并根據(jù)所述實(shí)時(shí)溫度下每個(gè)子像素中ELVDD走線的電阻值調(diào)整數(shù)據(jù)電壓。

本發(fā)明還提供一種亮度補(bǔ)償裝置，所述亮度補(bǔ)償裝置包括偵測電阻、電壓偏移量獲取模塊、溫度獲取模塊、電壓調(diào)整模塊。所述偵測電阻位于顯示面板的有效顯示區(qū)域內(nèi)，所述偵測電阻的一端接收偵測電流。所述電壓偏移量獲取模塊用于實(shí)時(shí)檢測所述偵測電阻兩端的電壓差值，并將所述電壓差值與常溫下所述偵測電阻的壓降進(jìn)行比較得到電壓偏移量。所述溫度獲取模塊用于根據(jù)所述電壓偏移量、所述偵測電流的電流值及偵測電阻的材料系數(shù)得到所述顯示面板的有效顯示區(qū)域的實(shí)時(shí)溫度。所述電壓調(diào)整模塊用于計(jì)算在所述實(shí)時(shí)溫度下ELVDD走線的電阻值，并根據(jù)所述實(shí)時(shí)溫度下ELVDD走線的電阻值調(diào)整數(shù)據(jù)電壓。

本發(fā)明還提供一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括亮度補(bǔ)償裝置。所述亮度補(bǔ)償裝置包括偵測電阻、電壓偏移量獲取模塊、溫度獲取模塊、電壓調(diào)整模塊。所述偵測電阻位于顯示面板的有效顯示區(qū)域內(nèi)，所述偵測電阻的一端接收偵測電流。所述電壓偏移量獲取模塊用于實(shí)時(shí)檢測所述偵測電阻兩端的電壓差值，并將所述電壓差值與常溫下所述偵測電阻的壓降進(jìn)行比較得到電壓偏移量。所述溫度獲取模塊用于根據(jù)所述電壓偏移量、所述偵測電流的電流值及偵測電阻的材料系數(shù)得到所述顯示面板的有效顯示區(qū)域的實(shí)時(shí)溫度。所述電壓調(diào)整模塊用于計(jì)算在所述實(shí)時(shí)溫度下ELVDD走線的電阻值，并根據(jù)所述實(shí)時(shí)溫度下ELVDD走線的電阻值調(diào)整數(shù)據(jù)電壓。

本發(fā)明的亮度補(bǔ)償方法、裝置及顯示設(shè)備由于將偵測電阻設(shè)置在有效顯示區(qū)域因此能準(zhǔn)確地、實(shí)時(shí)地偵測整個(gè)有效顯示區(qū)域的溫度，此外，可以通過提供較小的偵測電流給偵測電阻即可完成溫度的偵測，功耗小、設(shè)計(jì)簡單，而且本發(fā)明是根據(jù)每個(gè)子像素中的ELVDD走線的電阻值調(diào)整數(shù)據(jù)電壓，能更進(jìn)一步的準(zhǔn)確地調(diào)整每個(gè)子像素的數(shù)據(jù)電壓，從而更準(zhǔn)確地對顯示面板的亮度進(jìn)行補(bǔ)償，進(jìn)而使得顯示面板亮度更加均勻。

通過以下參考附圖的詳細(xì)說明，本發(fā)明的其它方面和特征變得明顯。但是應(yīng)當(dāng)知道，附圖僅僅為解釋的目的設(shè)計(jì)，而不是作為本發(fā)明的范圍的限定，這是因?yàn)槠鋺?yīng)當(dāng)參考附加的權(quán)利要求。還應(yīng)當(dāng)知道，除非另外指出，不必要依比例繪制附圖，它們僅僅力圖概念地說明此處描述的結(jié)構(gòu)和流程。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的AMOLED顯示器中像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為現(xiàn)有的AMOLED顯示器中電源走線的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明一實(shí)施方式的亮度補(bǔ)償方法的流程示意圖。

圖4為本發(fā)明一實(shí)施方式的亮度補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。

盡管本發(fā)明使用第一、第二、第三等術(shù)語來描述不同的元件、信號(hào)、端口、組件或部分，但是這些元件、信號(hào)、端口、組件或部分并不受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個(gè)元件、信號(hào)、端口、組件或部分與另一個(gè)元件、信號(hào)、端口、組件或部分區(qū)分開來。在本發(fā)明中，一個(gè)元件、端口、組件或部分與另一個(gè)元件、端口、組件或部分“相連”、“連接”，可以理解為直接電性連接，或者也可以理解為存在中間元件的間接電性連接。除非另有定義，否則本發(fā)明所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思。

圖3為本發(fā)明一實(shí)施方式的亮度補(bǔ)償方法的流程示意圖。如圖3所示，亮度補(bǔ)償方法包括如下步驟：

步驟S31：在顯示面板的有效顯示區(qū)域設(shè)置偵測電阻，并對偵測電阻提供偵測電流；

具體地，為了減少存儲(chǔ)的參數(shù)，可以將偵測電阻的材料設(shè)置為與ELVDD走線相同。更進(jìn)一步地，偵測電阻的方阻可以但不限于與ELVDD走線的方阻相同。其中，方阻就是方塊電阻，指一個(gè)正方形的薄膜導(dǎo)電材料邊到邊之間的電阻。

具體地，為了更加準(zhǔn)確的計(jì)算出相對ELVDD走線而言整個(gè)有效顯示區(qū)域的溫度，可以將偵測電阻的走線的位置設(shè)置成與ELVDD走線的位置相同或者說盡量接近。

步驟S32：實(shí)時(shí)檢測偵測電阻兩端的電壓差值，并將電壓差值與常溫下偵測電阻的壓降進(jìn)行比較得到電壓偏移量；

其中，將電壓差值與常溫下偵測電阻的壓降進(jìn)行比較得到電壓偏移量的步驟具體可以包括：

將電壓差值進(jìn)行放大；

對放大后的電壓差值進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換，以得到數(shù)字電壓差值；

將數(shù)字電壓差值與常溫下偵測電阻的壓降進(jìn)行比較后得到數(shù)字電壓差值與常溫下偵測電阻的壓降的差值；

將數(shù)字電壓差值與常溫下偵測電阻的壓降的差值進(jìn)行放大后得到電壓偏移量。

具體地，常溫下偵測電阻的壓降可以但不限于通過實(shí)驗(yàn)獲得后存儲(chǔ)到寄存器中。

步驟S33：根據(jù)電壓偏移量、偵測電流的電流值及偵測電阻的材料系數(shù)得到顯示面板的有效顯示區(qū)域的實(shí)時(shí)溫度；

具體地，偵測電阻的材料系數(shù)可以包括偵測電阻的電阻率、溫度系數(shù)、長度、橫截面積。偵測電阻的材料系數(shù)、偵測電流的電流值可以與常溫下偵測電阻的壓降存儲(chǔ)到同一或者不同的寄存器中。

其中，根據(jù)電壓偏移量、偵測電流的電流值及偵測電阻的材料系數(shù)得到顯示面板的有效顯示區(qū)域的實(shí)時(shí)溫度的步驟可以但不限于包括：

根據(jù)電壓偏移量及偵測電流的電流值計(jì)算出偵測電阻的電阻變化量；以及

根據(jù)偵測電阻的電阻變化量、偵測電阻的溫度系數(shù)、偵測電阻的電阻率得到顯示面板的有效顯示區(qū)域的實(shí)時(shí)溫度。

具體地，若溫度相對于常溫(20℃)變化了δT時(shí)，電壓偏移量為δV，則根據(jù)偵測電流的電流值I及公式δV＝I*δR可以計(jì)算δR的值。然后由于偵測電阻的電阻率ρ、長度L及橫截面積S已知，因此可以利用公式計(jì)算出常溫下(20℃)時(shí)偵測電阻的電阻值R＝(ρ*L)/S，這樣實(shí)時(shí)溫度下的偵測電阻的電阻值就為R+δR，再根據(jù)R+δR＝R*(1+Ar*δT)就可以計(jì)算出溫度變化量δT，那么實(shí)時(shí)溫度就為δT+20℃，其中Ar為偵測電阻的溫度系數(shù)。當(dāng)然本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是，常溫下(20℃)時(shí)偵測電阻的電阻值可以通過上述公式R＝(ρ*L)/S計(jì)算得到，也可以直接存在寄存器中。

步驟S34：計(jì)算在實(shí)時(shí)溫度下每個(gè)子像素中ELVDD走線的電阻值，并根據(jù)實(shí)時(shí)溫度下每個(gè)子像素中ELVDD走線的電阻值調(diào)整數(shù)據(jù)電壓。

具體地，例如以ELVDD走線的電阻率ρ₂為2.6548Ω·um，溫度系數(shù)Ar₂為0.00429，某子像素中ELVDD走線的橫截面積S2為8*4um²，長度L₂為95um為例進(jìn)行說明，根據(jù)公式：R2＝(ρ₂*L₂)/S₂，可以計(jì)算出子像素中ELVDD走線的電阻值R1為0.78Ω。隨著溫度從常溫(20℃)升高至50℃即δT＝30℃時(shí)ELVDD走線的電阻值R3＝R2*(1+Ar₂*δT)＝0.88Ω。

本發(fā)明的亮度補(bǔ)償方法由于將偵測電阻設(shè)置在有效顯示區(qū)域因此能準(zhǔn)確地、實(shí)時(shí)地偵測整個(gè)有效顯示區(qū)域的溫度，此外，可以通過提供較小的偵測電流給偵測電阻即可完成溫度的偵測，功耗小、設(shè)計(jì)簡單，而且本發(fā)明是根據(jù)每個(gè)子像素中的ELVDD走線的電阻值調(diào)整數(shù)據(jù)電壓，能更進(jìn)一步的準(zhǔn)確地調(diào)整每個(gè)子像素的數(shù)據(jù)電壓，從而更準(zhǔn)確地對顯示面板的亮度進(jìn)行補(bǔ)償，進(jìn)而使得顯示面板亮度更加均勻。

圖4為本發(fā)明一實(shí)施方式的亮度補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，亮度補(bǔ)償裝置包括偵測電阻R、電壓偏移量獲取模塊40、溫度獲取模塊41、電壓調(diào)整模塊42。偵測電阻R位于顯示面板的有效顯示區(qū)域內(nèi)，偵測電阻R的一端接收偵測電流IDD。電壓偏移量獲取模塊40用于實(shí)時(shí)檢測偵測電阻R兩端的電壓差值，并將電壓差值與常溫下偵測電阻R的壓降進(jìn)行比較得到電壓偏移量。溫度獲取模塊41用于根據(jù)電壓偏移量、偵測電流的電流值及偵測電阻R的材料系數(shù)得到顯示面板的有效顯示區(qū)域的實(shí)時(shí)溫度。電壓調(diào)整模塊42用于計(jì)算在實(shí)時(shí)溫度下ELVDD走線的電阻值，并根據(jù)實(shí)時(shí)溫度下ELVDD走線的電阻值調(diào)整數(shù)據(jù)電壓。

其中，如圖4所示，電壓偏移量獲取模塊40可以但不限于包括第一差分放大器401、模數(shù)轉(zhuǎn)換器402、第二差分放大器403。

具體地，第一差分放大器401用于實(shí)時(shí)檢測所述偵測電阻R兩端的電壓差值，并將所述電壓差值進(jìn)行放大。模數(shù)轉(zhuǎn)換器402用于對放大后的電壓差值進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換，以得到數(shù)字電壓差值。第二差分放大器403用于將所述數(shù)字電壓差值與常溫下所述偵測電阻R的壓降進(jìn)行比較后放大得到電壓偏移量。

其中，溫度獲取模塊41可以但不限于包括電阻變化量獲取單元、及溫度獲取單元。電阻變化量獲取單元用于根據(jù)電壓偏移量及偵測電流I的電流值計(jì)算出偵測電阻R的電阻變化量。溫度獲取單元用于根據(jù)偵測電阻R的電阻變化量、偵測電阻R的溫度系數(shù)、偵測電阻R的電阻率得到顯示面板的有效顯示區(qū)域的實(shí)時(shí)溫度。

本發(fā)明的亮度補(bǔ)償裝置由于將偵測電阻設(shè)置在有效顯示區(qū)域因此能準(zhǔn)確地、實(shí)時(shí)地偵測整個(gè)有效顯示區(qū)域的溫度，此外，可以通過提供較小的偵測電流給偵測電阻即可完成溫度的偵測，功耗小、設(shè)計(jì)簡單，而且本發(fā)明是根據(jù)每個(gè)子像素中的ELVDD走線的電阻值調(diào)整數(shù)據(jù)電壓，能更進(jìn)一步的準(zhǔn)確地調(diào)整每個(gè)子像素的數(shù)據(jù)電壓，從而更準(zhǔn)確地對顯示面板的亮度進(jìn)行補(bǔ)償，進(jìn)而使得顯示面板亮度更加均勻。

本發(fā)明還提供一種顯示設(shè)備，其包括如圖2所示的亮度補(bǔ)償裝置。亮度補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)可以參見上述描述，在此不再贅述。

其中，顯示設(shè)備可以但不限于為AMOLED顯示器。

本發(fā)明的亮度補(bǔ)償方法、裝置及顯示設(shè)備由于將偵測電阻設(shè)置在有效顯示區(qū)域因此能準(zhǔn)確地、實(shí)時(shí)地偵測有效顯示區(qū)域的溫度，此外，可以通過提供較小的偵測電流給偵測電阻即可完成溫度的偵測，功耗小、設(shè)計(jì)簡單，而且本發(fā)明是根據(jù)每個(gè)子像素中的ELVDD走線的電阻值調(diào)整數(shù)據(jù)電壓，能更進(jìn)一步的準(zhǔn)確地調(diào)整每個(gè)子像素的數(shù)據(jù)電壓，從而更準(zhǔn)確地對顯示面板的亮度進(jìn)行補(bǔ)償，進(jìn)而使得顯示面板亮度更加均勻。

本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本發(fā)明的亮度補(bǔ)償方法、裝置及顯示設(shè)備及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施方式的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所附的權(quán)利要求為準(zhǔn)。