一種內(nèi)嵌式自電容觸控基板及面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種內(nèi)嵌式自電容觸控基板及面板。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，內(nèi)嵌式(In-cell)觸控屏因在顯示屏內(nèi)部與ITO—體形成，在減少顯示屏的厚度及提高穿透率方面擁有顯著的優(yōu)勢。能夠?qū)崿F(xiàn)更薄的機身和較佳的用戶體驗，適用領(lǐng)域廣泛，用戶群不斷增多。
[0003]內(nèi)嵌式觸控屏主要分為自電容和互電容兩種方式。自電容是指在玻璃表面用ITO制作成橫向與縱向電極陣列，這些橫向和縱向的電極分別與地構(gòu)成的電容，也就是電極對地的電容。當手指觸摸到電容屏時，手指的電容將會疊加到觸控屏的屏體電容上，使屏體電容量增加。通過檢測到的電壓的變化，檢測觸控點的具體位置。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，內(nèi)嵌式自電容觸控面板中公共電極層與像素電極層之間厚度較大，電容容量隨之變大，同樣電場情況下需要的顯示單元驅(qū)動電壓增大，功耗增加。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的顯示單元驅(qū)動電壓較大的問題，提供一種內(nèi)嵌式自電容觸控基板及面板，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示單元驅(qū)動電壓較大，功耗增加的問題。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供的一個技術(shù)方案是:提供一種內(nèi)嵌式自電容觸控基板，包括:玻璃基板、公共電極層、像素電極層、第一導電層、第二導電層以及第三導電層；公共電極層、像素電極層、第一導電層、第二導電層以及第三導電層設(shè)置于玻璃基板上，且均不同層設(shè)置；第一導電層、第二導電層其中之一連接像素電極層，并且第一導電層、第二導電層是驅(qū)動像素電極層的開關(guān)元件的構(gòu)成部分；公共電極層與像素電極層沿玻璃基板所在平面的方向至少部分錯開，第三導電層在垂直于玻璃基板所在平面的方向上位于公共電極層、像素電極層兩層結(jié)構(gòu)之外，并連接公共電極以作為自電容觸控的信號線。
[0007]其中，第三導電層位于公共電極層、像素電極層兩層結(jié)構(gòu)與玻璃基板之間。
[0008]其中，第一導電層、第二導電層以及第三導電層均為金屬導電層，且在玻璃基板上沿垂直于玻璃基板所在平面的方向上依序間隔設(shè)置。
[0009]其中，內(nèi)嵌式自電容觸控基板進一步包括在垂直于玻璃基板所在平面的方向上位于第二導電層、第三導電層之間的ITO層，ITO層與第三導電層接觸。
[0010]其中，第二導電層包括分別作為開關(guān)元件輸入端、開關(guān)元件輸出端的第一電極部分、第二電極部分，第二電極部分與公共電極層、第三導電層均沿玻璃基板所在平面的方向錯開，并且連接像素電極。
[0011]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供的另一個技術(shù)方案是:提供一種內(nèi)嵌式自電容觸控面板，包括:間隔設(shè)置的第一基板和第二基板，第一基板位于用戶觸控操作一側(cè)；第二基板包括玻璃基板、公共電極層、像素電極層、第一導電層、第二導電層以及第三導電層；公共電極層、像素電極層、第一導電層、第二導電層以及第三導電層設(shè)置于玻璃基板的朝向第一基板一側(cè)，且均不同層設(shè)置；第一導電層、第二導電層其中之一連接像素電極層，并且第一導電層、第二導電層是驅(qū)動像素電極層的開關(guān)元件的構(gòu)成部分；公共電極層與像素電極層沿玻璃基板所在平面的方向至少部分錯開，第三導電層在垂直于玻璃基板所在平面的方向上位于公共電極層、像素電極層兩層結(jié)構(gòu)之外，并連接公共電極以作為自電容觸控的信號線。
[0012]其中，第一導電層、第二導電層以及第三導電層均為金屬導電層，且在玻璃基板上沿垂直于玻璃基板所在平面的方向上依序間隔設(shè)置；內(nèi)嵌式自電容觸控基板進一步包括在垂直于玻璃基板所在平面的方向上位于第二導電層、第三導電層之間的ITO層，ITO層與第三導電層接觸。
[0013]其中，第二導電層包括分別作為開關(guān)元件輸入端、開關(guān)元件輸出端的第一電極部分、第二電極部分，第二電極部分與公共電極層、第三導電層均沿玻璃基板所在平面的方向錯開，并且連接像素電極。
[0014]以上可知，第三導電層并不位于垂直于玻璃基板所在平面的方向上的公共電極層和像素電極層之間，而位于公共電極層、像素電極層兩層結(jié)構(gòu)之外，使得公共電極層和像素電極層之間在垂直于玻璃基板所在平面的方向上的距離變小，使得公共電極層與像素電極層之間的電容值降低，在相同電場下驅(qū)動公共電極與像素電極的電壓降低。由此，實現(xiàn)顯示單元驅(qū)動電壓和功耗的降低。
【附圖說明】
[0015]圖1是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板第一實施例的部分截面示意圖；
[0016]圖2是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板第二實施例的部分截面示意圖；
[0017]圖3是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控面板第一實施例的部分截面示意圖；
[0018]圖4是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第一實施例的流程圖；
[0019]圖5是按照圖4所示方法制作的內(nèi)嵌式自電容觸控基板的部分截面示意圖；
[0020]圖6是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第二實施例的遮擋層形成示意圖；
[0021]圖7是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第二實施例的半導體層層形成示意圖；
[0022]圖8是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第二實施例的半導體層摻雜示意圖；
[0023]圖9是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第二實施例的第二絕緣層、第一導電層的形成示意圖；
[0024]圖10是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第二實施例的抗壓復合層形成示意圖；
[0025]圖11是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第二實施例的第二導電層形成示意圖；
[0026]圖12是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第二實施例的第三導電層和ITO層成膜示意圖；
[0027]圖13是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第二實施例的第三導電層和ITO層圖形化不意圖；
[0028]圖14是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第二實施例的第一絕緣層圖形化示意圖；
[0029]圖15是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第二實施例的ITP層形成示意圖；
[0030]圖16是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第二實施例的公共電極層形成示意圖；
[0031]圖17本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第二實施例的自電容示意圖；
[0032]圖18是本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的制作方法第二實施例的PV層和公共電極層形成示意圖。
【具體實施方式】
[0033]參閱圖1，本實用新型內(nèi)嵌式自電容觸控基板的第一實施例包括:玻璃基板110、公共電極層160、像素電極層150、第一導電層120、第二導電層130以及第三導電層140 ;公共電極層160、像素電極層150、第一導電層120、第二導電層130以及第三導電層140設(shè)置于玻璃基板110上，且均不同層設(shè)置；第一導電層120、第二導電層130其中之一連接像素電極層150，并且第一導電層120、第二導電層130是驅(qū)動像素電極層150的開關(guān)元件的構(gòu)成部分；公共電極層160與像素電極層150沿玻璃基板110所在平面的方向至少部分錯開，第三導電層140在垂直于玻璃基板110所在平面的方向上位于公共電極層160、像素電極層兩層150結(jié)構(gòu)之外，并連接公共電極160以作為自電容觸控的信號線。
[0034]進一步，第一導電層120、第二導電層130及第三導電層140在玻璃基板110上沿垂直于玻璃基板110所在平面的方向上依序間隔設(shè)置，且第一導電層120、第二導電層130及第三導電層140均為金屬導電層。第一導電層120或第二導電層130與像素電極層150相連，第一導電層120、第二導電層130是驅(qū)動像素電極層150的開關(guān)元件的構(gòu)成部分，即分別構(gòu)成源極或漏極；公共電極層160與像素電極層150沿玻璃基板所在平面的方向部分錯開，以便于第二導電層130通過貫穿孔133與像素電極層150相連接。
[0035]第三導電層140在垂直于玻璃基板110所在平面的方向上位于公共電極層160、像素電極層150兩層結(jié)構(gòu)之外，第三導電層140并不位于垂直